JPH0221441A - 光磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0221441A JPH0221441A JP17056788A JP17056788A JPH0221441A JP H0221441 A JPH0221441 A JP H0221441A JP 17056788 A JP17056788 A JP 17056788A JP 17056788 A JP17056788 A JP 17056788A JP H0221441 A JPH0221441 A JP H0221441A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording medium
- film
- protective film
- ratio
- refractive index
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 40
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 133
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 38
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 74
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 56
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 46
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 45
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 45
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 36
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 35
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 29
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 27
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 26
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 11
- -1 strontium titanate compound Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 69
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 69
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 abstract description 8
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 abstract description 8
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 7
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 abstract 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 100
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 59
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 50
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 39
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 29
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 27
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 25
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 20
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 11
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 6
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 description 4
- 229910002370 SrTiO3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 4
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 229910017061 Fe Co Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 2
- LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J titanic acid Chemical class O[Ti](O)(O)O LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005091 Si3N Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009614 chemical analysis method Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- KELHQGOVULCJSG-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-1-(5-methylfuran-2-yl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CN(C)C(CN)C1=CC=C(C)O1 KELHQGOVULCJSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000982 rare earth metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 235000014347 soups Nutrition 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000687 transition metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
(産業上の利用分野)
この発明は光磁気記録媒体に関するものであり、特に、
カー(にerr)効果エンハンスメント(Enhanc
ement)と保護特性とに優れた保護膜を具えた光磁
気記録媒体に関する。 (従来の技術) 光磁気記録媒体(以下、単に記録媒体と称する場合も有
る。)は、貫換えのできる磁性膜を具えた高茫度記録媒
体として、研究開発が活発に行なわれでいる。 このような記録媒体の磁性膜を構成する光磁気記録材料
の内でも、希土類金属と遷移金属との非晶質合金(以下
、単にRE−TM金合金称する場合も有る。)は、磁化
方向が成膜面に対して垂直に配向した垂直磁化膜となる
こと、保磁力が数(にOe)と大きいこと、スパッタ、
真空蒸着またはその他の被着技術で比較的容易に成膜が
可能であること等の点で、最も研究が道み、実用化が進
んでいる。 しかしながら、RE−TM金合金ら成る磁性膜は耐食性
が低く(例えば文献I: 「光磁気ディスク」(今村修
武監修、eu−リケブス発行、第427頁)参照)、シ
かも、磁気光学的な効果(カー(Kerr)効果)が小
さいという欠点が有る。 そこで、種々の材料から成る保護膜でRE−TM金合金
ら成る磁性膜を挟み、当該磁性膜の腐食を防ぐと共に、
光の多重反射を利用して見掛は上のカー(にerr)回
転角を大きくする構造が知られている(前記文献工:第
119頁)。 以下、図面を参照して、上述した従来の光磁気記録媒体
につき説明する。 第5図は、保護膜を具えた記録媒体の一構成例を説明す
るため、概略的な断面により示す説明図である0図中、
断面を示すハツチングは一部省略する。 この第5図からも理解できるように、基板11の表面に
保護膜13a、磁性膜15及び保護膜+3bを順次形成
することによって記録媒体17が構成される。 このうち、基板11は例えばポリカーボネート樹脂、ガ
ラス、エポキシ樹脂またはその他任意好適な材料から成
り円板形状を有する。 また、保II膜13aと+3bとは、例えば5iO1S
iO□、/IuN 、 Si3N、 、Au5iN 、
Au5iONまたはその他の保護膜材料を被着させで
形成する。既に述べたように、この保護膜の被着は例え
ばスパッタ法、真空蒸着法またはその他の、保護膜を構
成する材料に応じた被着技術によって行なわれる。 ざらに、磁性膜15は前述したRE−TM金合金ら構成
され、このような合金として例えばTb−Fe合金、T
b−Co合金、Tb−Fe−Co合金またはその他、希
土類金属と遷移金属との組み合わせが、種々、知られで
いる。 このような構造の記録媒体17において、当該媒体17
の読取り側に配設された保護膜13aはC/N比(Ca
rrier/No1se Ratio:搬送波対雑音比
)に影Wを及ぼす要因であるため、次のような条件を満
たすことか必要とされている。 ■見掛は上のカー回転角を高めるために屈折率の高い材
料であること ■書込みや読取りに使用される光の波長(通常、750
〜900(nm)程度)においで透光性を有する材料で
あること ■媒体を使用する環境で、例えば水分等から磁性膜を保
護し得る耐食性材料であること また、保護膜+3bは、少なくとも上述の■として示す
耐食性を満たす材料であれば、カー効果エンハンスメン
トをもたらす条件を欠く他の材料で構成しても良い。 このような記録媒体17は、1 (un)程度のスポッ
ト径に絞ったレーザビーム及び外部磁界を用いた熱磁気
書込み方式によって情報の書込みか行なわれ、前述した
垂直磁化膜であることから10a(ビット/am2)と
いう極めて高9度な記録が可能である。また、原理的に
は、消去と再書込みとの繰り返しを無限回に近く行なう
ことかできるという優れた特色を有する。 (発明が解決しようとする課題) 上述1ノた従来技術の説明からも理解できるように、光
磁気記録媒体における保護膜の屈折率と透光性とは、情
報の書込み特性や読取り特性に大きく影響する。このう
ち屈折率についで考えれば、例えばアルミ系の保護膜材
料(例えば前述したAQ、N 、 A[SiN 、 A
u5iON)は屈折率nが2程度であり、周知の材料中
で比較的高い値を示す材料としで知られている。しかし
ながら、現在では、種々の情報機器の発達に伴なって記
録全席の向上が要求されており、従来周知の保護膜材料
が有する屈折率ではカー効果エンハンスメントが不充分
であるという問題が有る。 また、前述したように、磁性膜の読取り側に形成される
保護膜は、情報の書込みや読取りに使用される波長での
吸光係数kが小さいものであることが要求される。この
吸光係数には、上述した屈折率nを含む複素屈折率n−
ki(iは虚数単位)として知ることができる、実際に
、従来周知の保護膜材料の吸光係数には、10−1程度
の値を有するが、ざらに低い値とすることが望まれる。 しかしながら、屈折率nと吸光係数にとに関する要求を
満たし、かつ耐食性にも優れた保護膜材料が得られてい
ないという問題点が有った。 この発明の目的は、上述した従来の問題点に鑑み、上述
した種々の要求を満たす保護膜を具えた信頼性の高い光
磁気記録媒体と、当該媒体の製造に好適な方法とを提供
することに有る。 (課題を解決するための手段) この目的の達成を図るため、この出願の第一発明に係る
光磁気記録媒体によれば、基板上に、少なくとも、保護
膜と磁性膜とを具えで成る光磁気記録媒体において、 上述した保護膜が、チタン酸ストロンチウム系化合物(
SrTiOx)及びチタン酸バリウム系化合物(BaT
iOx) (但し、Xは2.7≦×≦3.0の値を表わ
す、)のうちから選ばれたいずれか一方の物質または双
方の混晶から成る ことを特徴としている。 また、この出願の第二発明に係る光磁気記録媒体の製造
方法によれば、基板上に、少なくとも、保護膜と磁性膜
とを具えて成る光磁気記録媒体を製造するに当り、 上述した保護膜を、チタン酸ストロンチウム(SrTi
O3)及びチタン酸バリウム(8aTiO3)のうちか
ら選ばれたいずれか一方または双方から成る成膜用ター
ゲットと、チタン(Ti)または酸化チタン(TiOY
)(但し、Yは正数を表わす、)から成る組成調整用タ
ーゲットとを同時にスパッタして被着形成する ことを特徴としている。 ざらに、この出願の第三発明に係る光磁気記録媒体の製
造方法によれば、基板上に、少なくとも、保護膜と磁性
膜とを具えて成る光磁気記録媒体を製造するに当り、 上述した保護膜を、チタン酸ストロンチウム(SrTi
03)及びチタン酸バリウム(BaTiO:+)のうち
から選ばれたいずれか一方または双方から成る成膜用タ
ーゲットを不活性ガスと酸素との混合雰囲気中でスパッ
タして被着形成する ことを特徴としている。 また、この出願の第四発明に係る光磁気記録媒体の製造
方法によれば、基板上に、少なくとも、保護膜と磁性膜
とを具えて成る光磁気記録媒体を製造するに当り、 上述した保護膜を、チタン酸ストロンチウム(SrTi
03)及びチタン酸バリウム(8aTi03)のうちか
ら選ばれたいずれか一方または双方から成る成膜用ター
ゲットと、チタン(Ti)または酸化チタン(TiCh
) (但し、Yは正数を表わす。)から成る組成調整用
ターゲットとを、不活性ガスと酸素との混合雰囲気中で
同時にスパッタしで被着形成する ことを特徴としている。 尚、上述した第二発明、第三発明及び第四発明に係る方
法において、チタン酸ストロンチウムとチタン酸バリウ
ムとの双方から成る成膜用ターゲットとは、これら2つ
の物質が混晶として構成される成膜用ターゲットを用い
る場合と、各々の物質から成る合計2種類の成膜用ター
ゲットを同時に用いる場合とを包括的に表わしている。 (作用) この出願の第一発明に係る光磁気記録媒体によれば、上
述した保護膜材料で記録媒体を構成することにより、屈
折率nが2.2以上、吸光係数kが0.03以下となり
、ざらに従来の材料に比して耐食性の劣化をきたすこと
がない。 また、この出願の第二発明に係る光磁気記録媒体の製造
方法によれば、前述したように、成膜用ターゲットと組
成調整用ターゲットとを同時にスバ・ンタして保護膜を
形成することにより高い屈折率と低い吸光係数とを実現
することができ、ざらに耐食性の劣化を回避することが
できる。 これら特性のうち、特に、上述した吸光係数kについて
は、組成調整用ターゲットにおける酸素の占める割合を
大きくすることによって、当該係数kをOとすることも
でき、実質的に透明な保護膜を実現することができる。 この製造方法の作用についでは、明らかではないが、組
成調整用クーゲットとして前述した構成のものを用いる
ことにより、成膜用ターゲットを構成する物質と、保護
膜としで被着された物質との間の化学量論的な組成のず
れが補償されると考えられる。 ざら1こ、この出願の第三発明に係る光磁気記録媒体の
製造方法によれば、前述したように、成膜用ターゲット
のみを、例えばアルゴンのような不活性ガスと酸素との
混合雰囲気中でスパッタして保護膜形成することにより
高い屈折率と低い吸光係数とを実現することができ、さ
らに耐食性の劣化を回避することができる。これら特性
のうち、特に、上述した吸光係数k(ごついでは、混合
雰囲気中において酸素の占める割合を大きくすることに
よって、当該係数kVoとすることもでき、実質的に透
明な保護膜を実現することができる。 また、この出願の第四発明に係る光磁気記録媒体の製造
方法によれば、前述したように、成膜用クーゲットと組
成調整用ターゲットとを同時に、かっ例えばアルゴンの
ような不活性ガスと酸素との混合雰囲気中でスパッタし
て保護膜形成することにより高い屈折率と低い吸光係数
とを実現することができ、ざらに耐食性の劣化を回避す
ることができる。この第四発明に係る方法によれば、上
述した第二発明及び第三発明と同様に、組成調整用ター
ゲットにおいて酸素の占める割合や混合雰囲気中におい
て酸素の占める割合を大きくすることによって、吸光係
数に80とすることかでき、実質的に透明な保護膜を実
現することができる。 (実施例) 以下、図面を参照して、この出願に係る発明の実施例に
つき説明する。尚、以下に説明する実施例は、この発明
の範囲の好ましい数値例、その他の条件で説明するが、
これらは単なる例示であって、この発明はこれら特定の
条件にのみ限定されるものではないことを理解されたい
、また、この実施例では、記録媒体の構造の一例としで
前述した第5図に示す構造を有する比較例及び実施例1
〜18の、合計19種類の記録媒体を作製して種々の特
性を測定し、比較検討した。これら試料についでの説明
の理解を容易とするため、各々の試料に係る記録媒体の
材料構成、被着条件及び特性評価の結果を第69頁に別
表として記載する。 比1
カー(にerr)効果エンハンスメント(Enhanc
ement)と保護特性とに優れた保護膜を具えた光磁
気記録媒体に関する。 (従来の技術) 光磁気記録媒体(以下、単に記録媒体と称する場合も有
る。)は、貫換えのできる磁性膜を具えた高茫度記録媒
体として、研究開発が活発に行なわれでいる。 このような記録媒体の磁性膜を構成する光磁気記録材料
の内でも、希土類金属と遷移金属との非晶質合金(以下
、単にRE−TM金合金称する場合も有る。)は、磁化
方向が成膜面に対して垂直に配向した垂直磁化膜となる
こと、保磁力が数(にOe)と大きいこと、スパッタ、
真空蒸着またはその他の被着技術で比較的容易に成膜が
可能であること等の点で、最も研究が道み、実用化が進
んでいる。 しかしながら、RE−TM金合金ら成る磁性膜は耐食性
が低く(例えば文献I: 「光磁気ディスク」(今村修
武監修、eu−リケブス発行、第427頁)参照)、シ
かも、磁気光学的な効果(カー(Kerr)効果)が小
さいという欠点が有る。 そこで、種々の材料から成る保護膜でRE−TM金合金
ら成る磁性膜を挟み、当該磁性膜の腐食を防ぐと共に、
光の多重反射を利用して見掛は上のカー(にerr)回
転角を大きくする構造が知られている(前記文献工:第
119頁)。 以下、図面を参照して、上述した従来の光磁気記録媒体
につき説明する。 第5図は、保護膜を具えた記録媒体の一構成例を説明す
るため、概略的な断面により示す説明図である0図中、
断面を示すハツチングは一部省略する。 この第5図からも理解できるように、基板11の表面に
保護膜13a、磁性膜15及び保護膜+3bを順次形成
することによって記録媒体17が構成される。 このうち、基板11は例えばポリカーボネート樹脂、ガ
ラス、エポキシ樹脂またはその他任意好適な材料から成
り円板形状を有する。 また、保II膜13aと+3bとは、例えば5iO1S
iO□、/IuN 、 Si3N、 、Au5iN 、
Au5iONまたはその他の保護膜材料を被着させで
形成する。既に述べたように、この保護膜の被着は例え
ばスパッタ法、真空蒸着法またはその他の、保護膜を構
成する材料に応じた被着技術によって行なわれる。 ざらに、磁性膜15は前述したRE−TM金合金ら構成
され、このような合金として例えばTb−Fe合金、T
b−Co合金、Tb−Fe−Co合金またはその他、希
土類金属と遷移金属との組み合わせが、種々、知られで
いる。 このような構造の記録媒体17において、当該媒体17
の読取り側に配設された保護膜13aはC/N比(Ca
rrier/No1se Ratio:搬送波対雑音比
)に影Wを及ぼす要因であるため、次のような条件を満
たすことか必要とされている。 ■見掛は上のカー回転角を高めるために屈折率の高い材
料であること ■書込みや読取りに使用される光の波長(通常、750
〜900(nm)程度)においで透光性を有する材料で
あること ■媒体を使用する環境で、例えば水分等から磁性膜を保
護し得る耐食性材料であること また、保護膜+3bは、少なくとも上述の■として示す
耐食性を満たす材料であれば、カー効果エンハンスメン
トをもたらす条件を欠く他の材料で構成しても良い。 このような記録媒体17は、1 (un)程度のスポッ
ト径に絞ったレーザビーム及び外部磁界を用いた熱磁気
書込み方式によって情報の書込みか行なわれ、前述した
垂直磁化膜であることから10a(ビット/am2)と
いう極めて高9度な記録が可能である。また、原理的に
は、消去と再書込みとの繰り返しを無限回に近く行なう
ことかできるという優れた特色を有する。 (発明が解決しようとする課題) 上述1ノた従来技術の説明からも理解できるように、光
磁気記録媒体における保護膜の屈折率と透光性とは、情
報の書込み特性や読取り特性に大きく影響する。このう
ち屈折率についで考えれば、例えばアルミ系の保護膜材
料(例えば前述したAQ、N 、 A[SiN 、 A
u5iON)は屈折率nが2程度であり、周知の材料中
で比較的高い値を示す材料としで知られている。しかし
ながら、現在では、種々の情報機器の発達に伴なって記
録全席の向上が要求されており、従来周知の保護膜材料
が有する屈折率ではカー効果エンハンスメントが不充分
であるという問題が有る。 また、前述したように、磁性膜の読取り側に形成される
保護膜は、情報の書込みや読取りに使用される波長での
吸光係数kが小さいものであることが要求される。この
吸光係数には、上述した屈折率nを含む複素屈折率n−
ki(iは虚数単位)として知ることができる、実際に
、従来周知の保護膜材料の吸光係数には、10−1程度
の値を有するが、ざらに低い値とすることが望まれる。 しかしながら、屈折率nと吸光係数にとに関する要求を
満たし、かつ耐食性にも優れた保護膜材料が得られてい
ないという問題点が有った。 この発明の目的は、上述した従来の問題点に鑑み、上述
した種々の要求を満たす保護膜を具えた信頼性の高い光
磁気記録媒体と、当該媒体の製造に好適な方法とを提供
することに有る。 (課題を解決するための手段) この目的の達成を図るため、この出願の第一発明に係る
光磁気記録媒体によれば、基板上に、少なくとも、保護
膜と磁性膜とを具えで成る光磁気記録媒体において、 上述した保護膜が、チタン酸ストロンチウム系化合物(
SrTiOx)及びチタン酸バリウム系化合物(BaT
iOx) (但し、Xは2.7≦×≦3.0の値を表わ
す、)のうちから選ばれたいずれか一方の物質または双
方の混晶から成る ことを特徴としている。 また、この出願の第二発明に係る光磁気記録媒体の製造
方法によれば、基板上に、少なくとも、保護膜と磁性膜
とを具えて成る光磁気記録媒体を製造するに当り、 上述した保護膜を、チタン酸ストロンチウム(SrTi
O3)及びチタン酸バリウム(8aTiO3)のうちか
ら選ばれたいずれか一方または双方から成る成膜用ター
ゲットと、チタン(Ti)または酸化チタン(TiOY
)(但し、Yは正数を表わす、)から成る組成調整用タ
ーゲットとを同時にスパッタして被着形成する ことを特徴としている。 ざらに、この出願の第三発明に係る光磁気記録媒体の製
造方法によれば、基板上に、少なくとも、保護膜と磁性
膜とを具えて成る光磁気記録媒体を製造するに当り、 上述した保護膜を、チタン酸ストロンチウム(SrTi
03)及びチタン酸バリウム(BaTiO:+)のうち
から選ばれたいずれか一方または双方から成る成膜用タ
ーゲットを不活性ガスと酸素との混合雰囲気中でスパッ
タして被着形成する ことを特徴としている。 また、この出願の第四発明に係る光磁気記録媒体の製造
方法によれば、基板上に、少なくとも、保護膜と磁性膜
とを具えて成る光磁気記録媒体を製造するに当り、 上述した保護膜を、チタン酸ストロンチウム(SrTi
03)及びチタン酸バリウム(8aTi03)のうちか
ら選ばれたいずれか一方または双方から成る成膜用ター
ゲットと、チタン(Ti)または酸化チタン(TiCh
) (但し、Yは正数を表わす。)から成る組成調整用
ターゲットとを、不活性ガスと酸素との混合雰囲気中で
同時にスパッタしで被着形成する ことを特徴としている。 尚、上述した第二発明、第三発明及び第四発明に係る方
法において、チタン酸ストロンチウムとチタン酸バリウ
ムとの双方から成る成膜用ターゲットとは、これら2つ
の物質が混晶として構成される成膜用ターゲットを用い
る場合と、各々の物質から成る合計2種類の成膜用ター
ゲットを同時に用いる場合とを包括的に表わしている。 (作用) この出願の第一発明に係る光磁気記録媒体によれば、上
述した保護膜材料で記録媒体を構成することにより、屈
折率nが2.2以上、吸光係数kが0.03以下となり
、ざらに従来の材料に比して耐食性の劣化をきたすこと
がない。 また、この出願の第二発明に係る光磁気記録媒体の製造
方法によれば、前述したように、成膜用ターゲットと組
成調整用ターゲットとを同時にスバ・ンタして保護膜を
形成することにより高い屈折率と低い吸光係数とを実現
することができ、ざらに耐食性の劣化を回避することが
できる。 これら特性のうち、特に、上述した吸光係数kについて
は、組成調整用ターゲットにおける酸素の占める割合を
大きくすることによって、当該係数kをOとすることも
でき、実質的に透明な保護膜を実現することができる。 この製造方法の作用についでは、明らかではないが、組
成調整用クーゲットとして前述した構成のものを用いる
ことにより、成膜用ターゲットを構成する物質と、保護
膜としで被着された物質との間の化学量論的な組成のず
れが補償されると考えられる。 ざら1こ、この出願の第三発明に係る光磁気記録媒体の
製造方法によれば、前述したように、成膜用ターゲット
のみを、例えばアルゴンのような不活性ガスと酸素との
混合雰囲気中でスパッタして保護膜形成することにより
高い屈折率と低い吸光係数とを実現することができ、さ
らに耐食性の劣化を回避することができる。これら特性
のうち、特に、上述した吸光係数k(ごついでは、混合
雰囲気中において酸素の占める割合を大きくすることに
よって、当該係数kVoとすることもでき、実質的に透
明な保護膜を実現することができる。 また、この出願の第四発明に係る光磁気記録媒体の製造
方法によれば、前述したように、成膜用クーゲットと組
成調整用ターゲットとを同時に、かっ例えばアルゴンの
ような不活性ガスと酸素との混合雰囲気中でスパッタし
て保護膜形成することにより高い屈折率と低い吸光係数
とを実現することができ、ざらに耐食性の劣化を回避す
ることができる。この第四発明に係る方法によれば、上
述した第二発明及び第三発明と同様に、組成調整用ター
ゲットにおいて酸素の占める割合や混合雰囲気中におい
て酸素の占める割合を大きくすることによって、吸光係
数に80とすることかでき、実質的に透明な保護膜を実
現することができる。 (実施例) 以下、図面を参照して、この出願に係る発明の実施例に
つき説明する。尚、以下に説明する実施例は、この発明
の範囲の好ましい数値例、その他の条件で説明するが、
これらは単なる例示であって、この発明はこれら特定の
条件にのみ限定されるものではないことを理解されたい
、また、この実施例では、記録媒体の構造の一例としで
前述した第5図に示す構造を有する比較例及び実施例1
〜18の、合計19種類の記録媒体を作製して種々の特
性を測定し、比較検討した。これら試料についでの説明
の理解を容易とするため、各々の試料に係る記録媒体の
材料構成、被着条件及び特性評価の結果を第69頁に別
表として記載する。 比1
【倒
く製造条件の説明〉
まず、この比較例に係る記録媒体では、従来周知のスパ
ッタ技術によって、ポリカーボネート樹脂から成る基板
11の表面に一酸化ケイ素(Sin)から成る保護膜1
3aを約800(λ)の膜厚で被着形成する。この時の
成膜条件は、SiOのみがら成る直径126(mm)の
成膜用ターゲットを用い、投入電力が500(W) 、
アルゴンのガス圧が3(mTorr)として行なった。 次に、チルどラム二鉄:コバルトの組成比が22ニア0
:8(原子数の比)である磁性膜用のターゲットを用意
し、上述と同様なスパッタ条件により、保護膜13aの
表面に、約800(人)の膜厚を以って磁性膜15を被
着形成する。 続いて、前述した保護膜13aと同一の条件によって、
上述した磁性膜15の表面に約1000 (λ)の膜厚
で保護膜+3t)を被着形成し、比較例に係る記録媒体
を得た。 < C/N比の測定手順と測定結果の説明〉このC/N
比の測定に当っては、上述した手順により、ポリカーボ
ネート樹脂基板上に作製された比較例に係る記録媒体を
試料とし、書込みに用いた光の波長830(nm) 、
回転数900(r、p、m、)、デユーティ−50(%
)、記録周波数1.85(MHz)、記録パワー7 (
mW)で記録し、その後、読出しパワー1.6(mW)
、バンド幅30(にHz)でC/N比の測定を行なっ
た。 その結果、比較例に係る記録媒体のC/N比は44.0
(dB)であった。 く耐食性試験の手順と測定結果の説明〉耐食性試験では
、比較例に係る記録媒体に対して予め情報を書込み、こ
の記録媒体t60(”G)の温度で相対湿度ヲ80(%
)とした条件(以下、単に耐食性試験条件と称する。)
で200時間に亙って保持する。然る後、予め書込まれ
た情報が耐食性試験の後に損傷する割合(エラーレート
)を測定した結果と、上述したC7N比の測定結果とに
より、耐食性を評価した。 その結果、エラーレートは約10−4程度であり、C/
N比は耐食性試験前の値と同じ44.0(dB)であっ
た。 く複素屈折率の測定手順と結果〉 この測定では、前述した保護膜と同じ被着条件によって
シリコンウェハの表面に2000 (λ)の膜厚でSi
Oを被着させた試料を別途作製し、エリプソメーターを
用いて633(nm)の波長における複素屈折率n−k
iを測定した。 その結果、複素屈折率は1.90−0.10 iであっ
た。 次に、チタン酸ストロンチウム(SrTiO3)7a成
膜用ターゲツトとしで用いた場合の実施例1〜4に係る
記録媒体につき説明する。 罠庭拠] く製造条件の説明〉 この実施例]に係る記録媒体では、従来周知のスパッタ
技術によって、ポリカーボネート樹脂がら成る基板11
の表面に、保護膜13at約800(λ)の膜厚で被着
形成する。この時の成膜条件は、SrTiO3のみから
成る直径126(mm)の成膜用ターゲットを用い、投
入電力が500(W) 、アルゴンのガス圧が3 (m
丁orr)として行なった。 次に、前述した組成を有する磁性膜用のターゲットを用
い、上述と同様なスパッタ条件によって、保護膜13a
の表面に約800(λ)の膜厚を以って磁性膜15を被
着形成する。 続いて、前述した保護膜13aと同一の成膜条件によっ
て、上述した磁性膜15の表面に約1000(人)の膜
厚で保護膜+3bを被着形成し、実施例]に係る記録媒
体を得た。 <C/N比の測定手順と測定結果の説明〉この実施例1
に係る記録媒体のC/N比測定に当っても、前述した比
較例と同一の手順により、ポリカーボネート樹脂基板上
に作製された実施例1に係る記録媒体を試料とし、書込
みに用いた光の波長830(nm) 、回転数900(
乙ρ、m、)、デユーティ−50(%)、記録周波数1
.85(MHz) 、記録パワー7 (mW)で記録し
、その後、読出しパワー1.6(mW) 、バンド幅3
0(にHz)でC/N比の測定を行なった。 その結果、実施例1に係る記録媒体のC/N比は47.
5(dB)であった。 く耐食性試験の手順と測定結果の説明〉耐食性試験では
、実施例1に係る記録媒体に対して予め情報INF込み
、この記録媒体%60(’C)の温度で相対湿度を80
(%)とした比較例と同一の耐食′i試験条件下で20
0時間に亙って保持する、然る後、前述した情報の損傷
割合(エラーレート)の測定と、上述したC/N比の測
定とにより、耐食゛I!を評価した。 その結果、エラーレートは約101程度であり、C/N
比は耐食性試験前の値と同じ47.5(dB)であった
。 〈複素屈折率の測定子j@と結果〉 この測定では、上述と同じ被着条件によって、シリコン
ウェハの表面に、保護膜を2000 (λ)の膜厚て被
着させた試料を別途作製し、エリプソメーターを用いて
633(nm)の波長における複素屈折率n−kiを測
定した。 その結果、複素屈折率は2.22−0.02 iであっ
た。 大18汁λ 〈製造条件の説明〉 この実施例2に係る記録媒体では、第2発明に係る方法
を通用して保護膜13aと+3bとを被着形成し、磁!
膜15の被着は既に述べたのと同一の材料、膜厚及び被
着条件で試料作製を行なった。 この保護膜の被着条件につき詳述すれば、まず、チタン
(Ti)から成る直径126(mm)の組成調整用ター
ゲットと、チタン酸ストロンチウム(SrTiO3)か
ら成る直径25(mm)の成膜用ターゲットとを用意す
る。然る後、上述した組成調整用ターゲットの表面1こ
成膜用ターゲットを6枚@コする。このように、被スパ
ツタ面において、組成調整用ターゲットの表面が成膜用
ターゲットにより覆われた状態で、これら2種頼のター
ゲットを同時にスパッタし、ポリカーボネート樹脂から
成る基板11の表面に、保護膜13aを約800(λ)
の膜厚で被着形成した。この時の成膜条件は、前述と同
様に、投入電力が500(W) 、アルゴンのガス圧が
3(mTorr)としで行なった。 上述した説明からも理解できるように、この実施例2で
は、SrTiO3から成る成膜用ターゲットが被スパツ
タ面に占める面積の割合を約95(%)とし、Tiから
成る組成調整用ターゲットか被スパツタ面に占める面積
の割合を約5(%)として保護膜の被着形成を行なった
。 <C/N比の測定子j@と測定結果の説明〉この実施例
2に係る記録媒体に閉じでも、比較例及び実施例]と同
一の条件でC/N比の測定を行なった。その結果、実施
例2に係る記録媒体のC/N比は46.8(dB)であ
った。 〈耐食性試験の手順と測定結果の説明〉耐食性試験も比
較例及び実施例1と同一の耐食性試験条件下で200時
間に亙って保持した後に行ない、前述した情報の損傷割
合(エラーレート)の測定と、上述したC/N比の測定
とにより、耐食性を評価した。 その結果、エラーレートは約10−5程度であっ、C7
N比は耐食性試験前の値と同じ46.8(dB)であっ
た。 〈複素屈折率の測定手順と結果〉 この実施例2に係る記録媒体の複素屈折率測定においで
も、シリコンウェハの表面1こ、上述と同じ被着条件に
よって2000 (A )の膜厚で保護膜を被着させた
試料を別途作製し、比較例及び実施例1と同様にエリプ
ソ、メーターを用いで633(nm)の波長における複
素屈折率n−ki%測定した。 その結果、複素屈折率は2.23−0.03 iであっ
た。 大】l性ユ く製造条件の説明〉 この実施例3に係る記録媒体では、組成調整用ターゲッ
トに一酸化チタン(Tie)を用い、第一発明に係る方
法を適用して保護膜13aと131)とそ被着形成し、
磁性膜15の被着は既に述べたのと同一の材料、膜厚及
び被着条件で試料作製を行なった。 この保護膜の被着条件につき詳述すれば、−酸化チタン
(Tie)から成る直径126(mm)の組成調整用タ
ーゲットと、チタン酸ストロンチウム(SrTiO3)
から成る直径25(mm)の成膜用ターゲットとを用意
する。然る後、実施例2と同様に、被スパツタ面におい
で、組成調整用ターゲットの表面が6枚の成膜用ターゲ
ットにより覆われた状態で、これら2種類のターゲット
を同時(こスパッタし、ポリカーボネート樹脂から成る
基板11の表面に、保護膜13aを約800(A)の膜
厚で被着形成した。この時の成膜条件は、前述と同一の
投入電力及びアルゴンガス圧として行なった。 上述した説明からも理解できるように、この実施例3で
は、5rTi(hから成る成膜用ターゲットが被スパッ
ク面に占める面積の割合を約95(%)とし、TiOか
ら成る組成調整用ターゲットが上述した面において占め
る割合を約5(%)として保護膜の被着形成を行なった
。 < C/N比の測定手順と測定結果の説明〉この実施例
3に係る記録媒体に闇しても、比較例、実施例1及び実
施例2と同一の条件でC/N比の測定を行なった結果、
実施例3に係る記録媒体のC/N比は47.5(dB)
であった。 く耐食性試験の手順と測定結果の説明〉前述した比較例
、実施例1及び実施例2と同一の耐食性試験条件で20
0時間保持した復に、実施例3に係る記録媒体のエラー
レートの測定と、C/N比の測定とを行なった結果、エ
ラーレートは約10−5程度であり、C/N比は耐食性
試験前の値と同し47.5(dB)であった。 く複素屈折率の測定手順と結果〉 この実施例3に係る記録媒体の樗素屈折率測定において
も、シリコンウェハの表面に、上述と同じ被着条件で、
2000 (A )の保護膜を被着させた試料を別途作
製し、比較例、実施例1及び実施例2と同様に測定した
結果、複素屈折率は2.22−0.02 iであった。 大】l外圧 〈製造条件の説明〉 この実施例4に係る記録媒体では、組成調整用ターゲッ
トに二酸化チタン(Ti02)を用い、第二発明に係る
方法を適用して保護膜13aと+3bとを被着形成し、
磁性膜15の被着は既に述べたのと同一の材料、膜厚及
び被着条件で試料作製を行なった。 この保護膜形成においでは、二酸化チタン(TiO□)
を組成調整用ターゲットとして用いたことを除き、実施
例2及び実施例3と同一の投入電力及びアルゴンガス圧
として行なった。 上述した説明からも理解できるように、この実施例4で
は、SrTiO3から成る成膜用ターゲットが被スパツ
タ面に占める面積の割合を約95(%)とし、TiO2
から成る組成調整用ターゲットが上述した面において占
める割合を約5(%)として保護膜の被着形成を行なっ
た。 <C1N比の測定手順と測定結果の説明〉この実施例4
に係る記録媒体に閉じても、比較例、実施例1〜3と同
一の条件でC/N比の測定を行なった結果、実施例4に
係る記録媒体のC/N比は47.0(dB)であった。 く耐食性試験の手順と測定結果の説明〉前述した比較例
、実施例1〜3と同一の耐食性試験条件で200時間保
持した後に、実施例4に係る記録媒体のエラーレートの
測定と、C/N比の測定とを行なった結果、エラーレー
トは約10−5程度であり、C/N比は耐食性試験前の
値と同じ47.0(dB)であった。 く複素屈折率の測定手順と結果〉 この実施例4に係る記録媒体の複素屈折率測定においで
も、シリコンウェハの表面に、上述と同じ被着条件で、
2000 (λ)の保護膜を被着させた試料を別途作製
し、比較例、実施例1〜3と同様に測定した結果、複素
屈折率は2.21であった、この説明からも理解できる
ように、実施例4に係る記録媒体の吸光係数kがOとな
り、実質的に透明な保護膜を形成することができた。 続いて、チタン酸バリウム(8aTiO3)を成膜用タ
ーゲットとして用いた場合の実施例5〜8に係る記録媒
体につき説明する。 犬】l1互 〈製造条件の説明〉 この実施例5に係る記録媒体では、チタン酸バリウム(
BaTiO3)から成る直径126(mm)の成膜用タ
ーゲットを用いたこと以外は、実施例2と同一の積層関
係及び成膜条件で記録媒体を作製し、実施例5に係る記
録媒体を得た。 < C/N比の測定手順と測定結果の説明〉この実施例
5に係る記録媒体のC/N比測定に当っても、前述した
比較例及び実施例1〜4に係る記録媒体と同一の手順に
より測定を行なつた結果、実施例5に係る記録媒体のC
/11比は48.0(dB)であった。 く耐食性試験の手順と測定結果の説明〉この実施例5に
係る記録媒体に関して、比較例及び実施例1〜4に係る
記録媒体と同一の耐食性試験条件下で200時間に亙っ
て保持した後、前述したエラーレートの測定と、上述し
たC/N比の測定とにより、耐食性を評価した。 その結果、エラーレートは約10−5程度であり、C/
N比は耐食性試験前の値と同じ48.0(dB)であっ
た。 く複素屈折率の測定手順と結果〉 上述と同じ被着条件によって、シリコンウェハの表面に
、保護膜を2000 (^)の膜厚で被着させた実施例
5に係る試料を別途作製し、エリプソメーターを用いで
複素屈折率n−ki@測定した結果、複素屈折率は2.
25−0.02 iであった。 医涜l性旦 〈製造条件の説明〉 この実施例6では、チタン酸バリウム(BaTiO3)
から成る直径25(mm)の成膜用ターゲットを用いた
ことを除き、第二発明を利用した実施例2と同一の積層
間係及び成膜条件で記録媒体を作製した。 即ち、チタン(Ti)から成る直径126(mm)の組
成調整用ターゲットの表面に上述した成膜用ターゲット
を6枚載】した状態で、これら2種類のターゲットを同
時にスパッタして、保護膜13aを及び+3bt被着形
成した。この時の成膜条件は、前述と同一の投入電力及
びアルゴンガス圧とした。 上述した説明からも理解できるように、この実施例6で
は、BaTiO3から成る成膜用ターゲットか被スパツ
タ面に占める面積の割合を約95(%)とし、Tiから
成る組成調整用ターゲットが被スパツタ面において占め
る割合を約5(%)として保護膜の被着形成を行なった
。 <C/N比の測定手順と測定結果の説明〉この実施例6
(こ係る記録媒体に闇しても、比較例及び実施例1〜5
と同一の条件でC/N比の測定を行なった結果、実施例
6に係る記録媒体のC/N比は47.0(dB)であっ
た。 く耐食性試験の手順と測定結果の説明〉この実施例6に
係る記録媒体に関して、比較例及び実施例1〜5に係る
記録媒体と同一の耐食性試験条件下で200時間に亙っ
て保持した後、前述したエラーレートの測定と、上述し
たC/N比の測定とにより、耐食性を評価した。 その結果、エラーレートは約10−5程度であり、C/
N比は耐食性試験前の値と同じ47.0(dB)であっ
た。 く複素屈折率の測定手順と結果〉 上述と同じ被着条件によって、シリコンウェハの表面に
、保護膜を2000 C人)の膜厚で被着させた試料を
別途作製し、比較例及び実施例1〜5と同様に測定した
結果、複素屈折率は2.27−0.02 iであった。 スパッタ面に占める面積の割合を約5(%)として保護
膜の被着形成を行なった。 太五1江L 〈製造条件の説明〉 この実施例7では、チタン酸バリウム(BaTiO3)
から成る直径25(mm)の成膜用ターゲットを用いた
ことを除き、第二発明に係る方法を利用して実施例3と
同一の積層関係及び成膜条件で記録媒体を作製した。即
ち、−酸化チタン(Tie)から成る直径126 (m
m)の組成調整用ターゲットの表面に上述した成膜用タ
ーゲットを6枚装置した状態で、これら2種類のターゲ
ットを同時にスパッタして、保護膜13a及び+3bを
被着形成した。この時の成膜条件は、前述と同一の投入
電力及びアルゴンガス圧とした。 上4の説明からも理解できるように、この実施例7では
、BaTiOsから成る成膜用ターゲットが被スパツタ
面に占める面積の割合を約95(%)とし、TiOから
成る組成調整用クーゲットが被< C/N比の測定手順
と測定結果の説明〉この実施例7に係る記録媒体に関し
ても、比較例及び実施例1〜6と同一の条件でC/N比
の測定を行なった結果、実施例7に係る記録媒体のC/
N比は48.0(dB)であった。 〈耐食性試験の手順と測定結果の説明〉この実施例7に
係る記録媒体に関しで、比較例及び実施例1〜6に係る
記録媒体と同一の耐食性試験条件下で200時間に亙っ
て保持した後、前述したエラーレートの測定と、上述し
たC/N比の測定とにより、耐食性を評価した。 その結果、エラーレートは約10−5程度であり、C/
N比は耐食性試験前の値と同じ48.0(dB)であっ
た。 〈複素屈折率の測定手順と結果〉 上述と同じ被着条件によって、シリコンウェハの表面に
、保護膜を2000 (λ)の膜厚で被着させた試料を
別途作製し、エリプソメーターを用いて633(nm)
の波長にあける複素屈折率n−kiを測定した結果、複
素屈折率は2.25−0.02iであった。 犬】l凱旦 く製造条件の説明〉 この実施例8では、チタン酸バリウム(BaTiO3)
から成る直径25(mm)の成膜用ターゲットを用いて
保護膜13a及び+3El形成したことを除き、実施例
4と同一の条件で記録媒体を作製した。即ち、−酸化チ
タン(TiOz)から成る直径126 (mm)の組成
調整用ターゲットの表面に上述した成膜用タゲットを6
枚in!Itした状態で、これら21M類のターゲット
を同時にスパッタし保護膜13a及び13bt被着形成
した。この時の成膜条件は、前述と同一の投入電力及び
アルゴンガス圧とした。 上述の説明からも理解できるように、この実施例8では
、BaTi0.から成る成膜用ターゲットが被スパツタ
面に占める面積の割合を約95(%)とし、TiO□か
ら成る組成調整用ターゲットが被スパツタ面に占める面
積の割合を約5(%)として保護膜の被着形成を行なっ
た。 < C/N比の測定手順と測定結果の説明〉この実施例
8に係る記録媒体に関しで、比較例及び実施例1〜7と
同一の条件でC/N比の測定を行なった結果、実施例8
に係る記録媒体のC/N比は47.5(dB)であった
。 〈耐食性試験の手順と測定結果の説明〉前述した比較例
、実施例1〜7と同一の耐食性試験条件で200時間保
持した後に、実施例8に係る記録媒体のエラーレートの
測定と、C/N比の測定とを行なった結果、エラーレー
トは約10−’程度であり、C/N比は耐食性試験前の
値と同じ47.5(dB)であった。 〈複素屈折率の測定手順と結果〉 この実施例8に係る記録媒体の複素屈折率測定においで
も、シリコンウェハの表面に、上述と同し被着条件及び
膜厚2000 (人)で保護膜を被着させた試料を別途
作製し、比較例及び実施例1〜7と同様に測定した結果
、複素屈折率は2.21であった。この説明からも理解
できるように、前述した実施例4に係る記録媒体と同様
に吸光係数kがOとなり、実質的に透明な保護膜を実現
することかできた。 次に、チタン酸ストロンチウム(SrTi03)とチタ
ン酸バリウム(BaTiO3)との双方を成膜用ターゲ
ットとして保護膜を形成した場合の実施例9〜実施例1
2につき説明する。 夾11性旦 〈製造条件の説明〉 この実施例9では、チタン酸ストロンチウム(SrTi
O3)とチタン酸バリウム(BaTiO3)と(組成比
1:1)の混晶から成る直径126(mm)の成膜用タ
ーゲットを用いて保護膜13a及び13El形成したこ
とを除き、従来周知のスパッタ技術を利用した実施例]
及び実施例5と同様な積層関係及び成膜条件で記録媒体
を作製した。この時の成膜条件は、前述と同一の投入電
力及びアルゴンガス圧とした。 <C/N比の測定手順と測定結果の説明〉この実施例9
に係る記録媒体に関しで、比較例及び実施例1〜8と同
一の条件でC/N比の測定を行なった結果、記録媒体の
C/N比は48.0(dB)であった。 尚、この実施例9に係る光磁気記録媒体では、耐食性試
験を行なわなかった。 く複素屈折率の測定手順と結果〉 この実施例9に係る記録媒体の複素屈折率測定において
も、シリコンウェハの表面に、上述と同し被着条件及び
膜厚2000 (λ)で保護膜を被着させた試料を別途
作製し、比較例及び実施例1〜8と同様に測定した結果
、複素屈折率は2,240.02iであった。 医1■1」 〈製造条件の説明〉 この実施例10では、チタン酸ストロンチウム(SrT
iO3)から成る直径25(mm)の成膜用ターゲット
とチタン酸バリウム(BaTiO3)から成る直径25
(mm)の成膜用ターゲットとを用いて保護膜13a及
び+3bを形成したことを除き、第二発明を利用した実
施例3及び実施例7と同様な積層関係及び成膜条件で記
録媒体を作製した。F5ち、チタン(Ti)から成る直
径126(mm)の組成調整用ターゲットの表面に、上
述した5rTi03から成る成膜用クーゲットとBaT
iO3から成る成膜用ターゲットとを、夫々3枚ずつ、
合計6枚載百した状態で、これら3種類のターゲットを
同時にスパッタし、保護膜13a及び+3bを被着形成
した。この時の成膜条件は、前述と同一の投入電力及び
アルゴンガス圧とした。 上述の説明からも理解できるように、この実施例10で
は、5rTi03とBaTi0+との夫々から成る成膜
用ターゲットが被スパツタ面に占める面積の割合の合計
を約95(%)とし、Tiから成る組成調整用ターゲッ
トが被スパツタ面に占める面積の割合を約5(%)とし
て保護膜の被着形成を行なった。 <C/N比の測定手順と測定結果の説明〉この実施例1
0に係る記録媒体に閉して、比較例及び実施例1〜9と
同一の条件でC/N比の測定を行なった結果、記録媒体
のC/N比は47.0(dB)であった。 尚、この実施例10に係る光磁気記録媒体では、上述し
た実施例9と同様に、耐食性試験を行なわなかった。 〈複素屈折率の測定手順と結果〉 この実施例10に係る記録媒体の複素屈折率測定におい
ても、シリコンウェハの表面に、上述と同し被着条件及
び膜厚2000 (λ)で保護膜を被着させた試料を別
途作製し、比較例及び実施例1〜9と同様に測定した結
果、複素屈折率は2.26−0.03 iであった。 医涜」(U く製造条件の説明〉 この実施例11では、−酸化チタン(Tie)から成る
組成調整用ターゲットを用いたこと以外は、上述の実施
例10と同一の積層関係及び成膜条件とし、第二発明に
係る方法を利用して記録媒体を作製した。即ち、−酸化
チタン(Tie)から成る直径126(mm)の組成調
整用ターゲットの表面に、5rTiOzから成る成膜用
ターゲットとBaTiO3から成る成膜用ターゲットと
を、夫々3枚ずつ、合計6枚@冒した状態で、これら3
種類のターゲットを同時にスパッタし、保護膜13a及
び+3bを被着形成した。この時の成膜条件は、前述と
同一の投入電力及びアルゴンガス圧とした。 上述の説明からも理解できるように、この実施例11で
は、SrTiO3とBaTiO3との夫々から成る成膜
用ターゲットが被スパツタ面に占める面積の割合の合計
を約95(%)とし、TiOから成る組成調整用ターゲ
ットが被スパツタ面に占める面積の割合を約5(%)と
して保護膜の被着形成を行なった。 <C/N比の測定手順と測定結果の説明〉この実施例1
1に係る記録媒体に関して、比較例及び実施例1〜10
と同一の条件でC/N比の測定を行なった結果、記録媒
体のC/N比は48.0(dB)であった。 〈耐食性試験の手順と測定結果の説明〉この実施例11
では、前述した耐食性試験条件下で1000時間(こ亙
って保持した後、記録媒体のエラーレートの測定と、C
/N比の測定とを行なった結果、エラーレートは約10
−5程度であり、C/N比は耐食性試験前の値と同じ4
8.0(dB)であった。 〈複素屈折率の測定手順と結果〉 この実施例11に係る記録媒体の複素屈折率測定におい
ても、シリコンウェハの表面に、上述と同し被着条件及
び膜厚2000 (人)で保護膜を被着させた試料を別
途作製し、比較例及び実施例1〜10と同様に測定した
結果、複素屈折率は2.24−0.02iであった。 英1■引4 く製造条件の説明〉 この実施例12では、二酸化チタン(Ti02)から成
る組成調整用ターゲットを用いたこと以外は、上述の実
施例11と同一の積層関係及び成膜条件とし、第二発明
に係る方法を利用して記録媒体を作製した。即ち、二酸
化チタン(TiO2)がら成る直径126(mm)の組
成調整用ターゲットの表面に、5rTi(hから成る成
膜用ターゲットとBaTiO3がら成る成膜用ターゲッ
トとを、夫々3枚ずつ、合計6枚載冒した状態で、これ
ら3種類のターゲットを同時にスパッタし、保護膜13
a及び+3b%形成した。この時の成膜条件は、前述と
同一の投入電力及びアルゴンガス圧とした。 上述の説明からも理解できるように、この実施例12て
は、5rTi(hとBaTiOsとの夫々から成る成膜
用ターゲットが被スパツタ面に占める面積の割合の合計
を約95(%)とし、TiO□から成る組成調整用ター
ゲットが被スパツタ面に占める面積の割合を約5(%)
として保護膜の被着形成を行なった。 <C/N比の測定手順と測定結果の説明〉この実施例1
2に係る記録媒体に関して、比較例及び実施例1〜11
と同一の条件でC/N比の測定を行なった結果、記録媒
体のC/N比は48.2(dB)であった。 〈耐食性試験の手順と測定結果の説明〉この実施例12
では、実施例11と同様に、前述した耐食性試験条件下
で1000時間に亙って保持した後、記録媒体のエラー
レートの測定と、C/N比の測定とを行なった結果、エ
ラーレートは約10−5程度であり、C/N比は耐食性
試験前の値と同じ48.2(dB)であった。 〈複素屈折率の測定手順と結果〉 この実施例12に係る記録媒体の複素屈折率測定におい
でも、シリコンウェハの表面に、上述と同し被着条件及
び膜厚2000 (λ)で保護膜を被着させた試料を別
途作製し、比較例及び実施例1〜11と同様に測定した
結果、複素屈折率は2.22であった。この説明からも
理解できるように、前述した実施例4及び実施例8に係
る記録媒体と同様に吸光係数kが0となり、実質的に透
明な保護膜を実現することができた。 以下、上述した比較例の特性及び実施例1〜12の特性
につき、別表を参照して詳細に検討する。 まず、C/N比につき比較すれば、この別表及び前述し
た説明からも理解できるように、比較例に係る記録媒体
が44.0(dB)であるのに対して、実施例1〜12
に係るいずれの記録媒体であってもC/N比の特性向上
が認められる。−例としで、これら実施例中でC/N比
の向上が最も低い実施例2では46、8(dB)が得ら
れ、2.8(dB)向上した。また、実施例12に係る
記録媒体では、当該特性値の向上が最も著しく、比較例
に比して4.2(dB)高い48.2(dB)のC/N
比が得られた。 ざらに、耐食性試験の結果からも理解できるように、比
較例及び実施例1〜実施例8、実施例11及び実施例1
2に係る記録媒体では、200時間に亙る耐食性試験の
後のC/N比の低下は認められず、特に、実施例11に
係る記録媒体と実施例12に係る記録媒体とは、同し耐
食性試験条件を1000時間に亙って保持した復であっ
てもC/N比の低下は認められなかった。 一方、既に述べたように、エラーレートの測定からは、
200時間に亙って前述した耐食性試験条件に保持した
、比較例に係る記録媒体は約10−4であった。これに
対して、実施例1〜実施例8、実施例11及び実施例1
2に係る記録媒体では、比較例と同し条件下、約10−
5程度の値が得られ、この発明に係る保護膜の材料構成
によって記録媒体の安定性が向上したことが理解できる
。ざらに、実施例11に係る記録媒体と実施例12に係
る記録媒体では、上述と同し耐食性試験条件を1000
時間に亙って保持した後であっても約10−5のエラー
レートが得られ、5rTi03とBaTiO3との双方
を同時にスパッタしで得られた保護膜を具えることによ
り、記録情報の安定性は著しく向上することが理解でき
る。 また、複素屈折率n−kiのうちの屈折率nについて比
較すれば、比較例に係る試料の屈折率nが1.90であ
るのに対して、実施例1〜12に係る試料では、いずれ
の実施例でも屈折率nが2.21以上であり、カー効果
エンハンスメントによっでC/N比が向上したことが理
解できる。 さらに、吸光係数kに関しては、比較例における吸光係
数kが0.10であるのに比しで、いずれの実施例でも
著しい向上が認められ、特に、実施例4、実施例8及び
実施例12に係る試料では、吸光係数kが0となり、実
質的に透明な保護膜材料が被着されていることが理解で
きる。 これに加えて、別表からも理解できるよう(こ、例えば
実施例2〜4に係る3種類の記録媒体を比較すると、組
成調整用ターゲットに酸素が含有されでいる割合が大き
く成るにつれて吸光係数にの値が小さく成る傾向が見て
取れる。このような傾向は、実施例6〜8または実施例
10〜12における夫々の比較からも認められる。 また、実施例1と実施例2、実施例5と実施例6または
実施例9と実施例10の、夫々の記録媒体に関する比較
から、第二発明に係る方法を利用して組成調整用ターゲ
ットにチタン(Ti)%用いることにより、屈折率nが
向上しているのが理解できる。 上述した比較例と実施例1〜12との比較からも理解で
きるように、この出願の第二発明に係る方法により作製
された記録媒体では、各々の材料構成において組成調整
用ターゲットと同時に成膜用ターゲットをスパッタする
ことにより、従来の記録媒体に比して、優れた特性の記
録媒体が得られる。 保護膜13a及び+3bを形成したことを除き、チタン
酸ストロンチウム(SrTi03)から成る直径126
(mm)の成膜用ターゲットを用いて実施例1と同様な
槓層閉係及び成膜条件で記録媒体を作製した。この時の
成膜条件は、前述と同一の投入電力とし、上述した混合
雰囲気のガス圧は3 (mTorr)とした。 次に、この出願の第三発明に係る方法の実施例として、
不活性ガスと酸素との混合雰囲気中で、成層用ターゲッ
トのみをスパッタして保護膜形成した場合の実施例13
〜実施例15に係る記録媒体につき説明する。尚、これ
ら第三発明に係る実施例では、前述した実施例9及び実
施例10と同様に耐食性試験を行なわなかった。 火遊■(す く製造条件の説明〉 この実施例13では、アルゴン80(体積%)及び酸素
20(体積%)の混合雰囲気中でスパッタして< C/
N比の測定手順と測定結果の説明〉この実施例13に係
る記録媒体に間しで、比較例及び実施例1〜12と同一
の条件でC/N比の測定を行なった結果、記録媒体のC
/N比は47.6(dB)であった。 〈複素屈折率の測定手順と結果〉 この実施例13に係る記録媒体の複素屈折率測定におい
ても、シリコンウェハの表面に、上述と同し被着条件及
び膜厚2000 (λ)で保護膜を被着させた試料を別
途作製し、比較例及び実施例1〜12と同様に測定した
結果、複素屈折率は2.22であった。この説明からも
理解できるように、前述した実施例4、実施例8及び実
施例12に係る記録媒体と同様に吸光係数kが0となり
、実質的に透明な保護膜を実現することができた。 太遊U 〈製造条件の説明〉 この実施例14では、アルゴン80(体積%)及び酸素
20(体積%)の混合雰囲気中でスパッタして保護膜1
3a及び+3b@形成したことを除き、チタン酸バリウ
ム(BaTiO3)から成る直径126(mm)の成膜
用ターゲットを用いた実施例5と同様な積層関係及び成
膜条件で記録媒体を作製した。 この時の成膜条件は、前述と同一の投入電力とし、上述
した混合雰囲気のガス圧は3 (mTorr)とした。 < C/N比の測定手順と測定結果の説明〉この実施例
14に係る記録媒体に閉じて、比較例及び実施例1〜1
3と同一の条件でC/N比の測定を行なった結果、記録
媒体のC/N比は47.5(dB)であった。 〈複素屈折率の測定手順と結果〉 この実施例14に係る記録媒体の複素屈折率測定におい
でも、シリコンウェハの表面に、上述と同し被着条件及
び膜厚2000 (λ)で保護膜を被着させた試料を別
途作製し、比較例及び実施例1〜13と同様に測定した
結果、複素屈折率は2.21であった。この説明からも
理解できるように、前述した実施例4、実施例8、実施
例12及び実施例13に係る記録媒体と同様に吸光係数
kが0となり、実質的に透明な保護膜を実現することが
できた。 犬mゆ 〈製造条件の説明〉 この実施例15では、アルゴン80(体積%)及び酸素
20(体積%)の混合雰囲気中でスパッタして保護膜1
3a及び+3bを形成したことを除き、チタン酸ストロ
ンチウム(SrTiO3)とチタン酸バリウム(BaT
iO3)と(組成比1:1)の混晶から成る直径126
(mm)の成膜用ターゲットを用いた実施例9と同様な
積層間係及び成膜条件で記録媒体を作製した。この時の
成膜条件は、前述と同一の投入電力とし、上述した混合
雰囲気のガス圧は3 (mTorr)とした。 <C/N比の測定手順と測定結果の説明〉この実施例1
5に係る記録媒体に関して、比較例及び実施例1〜14
と同一の条件でC/N比の測定を行なった結果、記録媒
体のC/N比は48.1(dB)であった。 実施例4、実施例8及び実施例12〜14に係る記録媒
体と同様に吸光係数kfJ<oとなり、実質的に透明な
保護膜を実現することができた。 これら実施例13〜15に係る記録媒体の特性からも理
解できるように、この出願に係る第三発明の方法によれ
ば、不活性ガスと酸素との混合雰囲気中でスパッタして
保護膜を形成することにより、この出願の第二発明を利
用して二酸化チタン(TiO7)を組成調整用ターゲッ
トに用いた場合とほぼ同様の複素屈折率が得られ、実質
的に透明な保護膜を形成し得る。 〈複素屈折率の測定手順と結果〉 この実施例15に係る記録媒体の複素屈折率測定におい
でも、シリコンウェハの表面に、上述と同し被着条件及
び膜厚2000 (人)で保護膜を被着させた試料を別
途作製し、比較例及び実施例1〜14と同様に測定した
結果、複素屈折率は2.23であった。この説明からも
理解できるように、前述した次に、この出願の第四発明
に係る方法の実施例としで、不活性ガスと酸素との混合
雰囲気中で、成膜用ターゲットと組成調整用ターゲット
とを同時にスパッタして保護膜形成した場合の実施例1
6〜実施例18に係る記録媒体につき説明する。 尚、前述したように、第二発明に係る実施例からも理解
できるように、組成調整用クーゲットとしてチタン(T
i)を用いて保護膜形成した場合には、屈折率の向上が
見られた。従って、この実施例では、組成調整用ターゲ
ットとして■lヲ用いると共に、第三発明に係る実施例
との比較を容易とする目的で、混合雰囲気がアルゴン8
0(体積%)及び酸素20(体積%)の場合につき特性
測定を行なった。 医長上−ゆ 〈製造条件の説明〉 この実施例16ては、アルゴン80(体積%)及び酸素
20(体積%)の混合雰囲気中でスパッタして保護膜1
3a及び+3bを形成したことを除き、実施例2と同様
な積層間係及び成膜条件で記録媒体を作製した。即ち、
チタン(Ti)から成る直径+26(mm)の組成調整
用ターゲットと、チタン酸ストロンチウム(SrTi0
3)から成る直径25(mm)の成膜用ターゲットとを
用意して、上述した組成調整用ターゲットの表面に成膜
用ターゲットを6枚截盲し、上述した混合雰囲気中で、
これら2種類のターゲットを同時にスパッタする。この
時の成膜条件は、前述と同一の投入電力とし、上述した
混合雰囲気のガス圧は3 (mTorr)とした。 < C/N比の測定手順と測定結果の説明〉この実施例
16に係る記録媒体に閉しで、比較例及び実施例1〜1
5と同一の条件でC/N比の測定を行なった結果、記録
媒体のC/N比は47.5(dB)であった。 〈耐食性試験の手順と測定結果の説明〉この実施例16
では、比較例及び実施例1〜8と同様に、前述した耐食
性試験条件下で200時間に亙って保持した後、記録媒
体のエラーレートの測定と、C/N比の測定とを行なっ
た。 その結果、エラーレートは約10−5程度であり、C/
N比は耐食性試験前の値と同じ47.5(dB)であっ
た。 く複素屈折率の測定手順と結果〉 この実施例16に係る記録媒体の複素屈折率測定におい
でも、シリコンウェハの表面に、上述と同し被着条件及
び膜厚2000 (人)で保護膜を被着させた試料を別
途作製し、比較例及び実施例1〜15と同様に測定した
結果、複素屈折率は2.23であった。この説明からも
理解できるように、前述した実施例4、実施例8及び実
施例12〜実施例15に係る記録媒体と同様に吸光係数
kがOとなり、実質的に透明な保護膜を実現することが
できた。 天上I引口 〈製造条件の説明〉 この実施例17では、アルゴン80(体積%)及び酸素
20(体積%)の混合雰囲気中でスパッタして保護膜1
3a及び+3bを形成したことを除き、実施例6と同様
な積層関係及び成膜条件で記録媒体を作製した。即ち、
チタン(Ti)から成る直径126(mm)の組成調整
用ターゲットと、チタン酸バリウム(BaTiO3)か
ら成る直径25(mm)の成膜用ターゲットとを用意し
て、上述した組成調整用ターゲットの表面に成膜用ター
ゲットを6枚装置し、上述した混合雰囲気中で、これら
2種類のターゲットを同時にスパッタする。この時の成
膜条件は、前述と同一の投入電力とし、上述した混合雰
囲気のガス圧は3 (mTorr)とした。 < C/N比の測定手順と測定結果の説明〉この実施例
17に係る記録媒体に関して、比較例及び実施例1〜1
6と同一の条件でC/N比の測定を行なった結果、記録
媒体のC/N比は47.0(dB)であった。 く耐食性試験の手順と測定結果の説明〉この実施例17
では、比較例及び実施例1〜8と同様に、前述した耐食
a試験条件下で200時間に亙って保持した後、記録媒
体のエラーレートの測定と、C/N比の測定とを行なっ
た。 その結果、エラーレートは約10−5程度であり、C/
N比は耐食性試験前の値と同じ47゜0(dB)であっ
た。 く複素屈折率の測定手順と結果〉 この実施例17に係る記録媒体の複素屈折率測定におい
でも、シリコンウェハの表面に、上述と同し被着条件及
び膜厚2000 (λ)で保護膜を被若ざぜた試料を別
途作製し、比較例及び実施例1〜16と同様に測定した
結果、複素屈折率は2.25であった。この説明からも
理解できるように、前述した実施例4、実施例8及び実
施例12〜実施例16に係る記録媒体と同様に吸光係数
kがOとなり、実質的に透明な保護膜を実現することが
できた。 火遊」1則 〈製造条件の説明〉 この実施例18では、アルゴン80(体積%)及び酸素
20(体積%)の混合雰囲気中でスパッタして保護膜+
3a及び+3bを形成したことを除き、実施例10と同
様な積層関係及び成膜条件で記録媒体を作製した。即ち
、チタン(Ti)がら成る直径126(mm)の組成調
整用ターゲットの表面に、チタン酸ストロンチウム(S
rTi03)から成る直径25(mm)の成膜用ターゲ
ットと、チタン酸バリウム(BaTiO3)から成る直
径25(mm)の成膜用ターゲットとを、各々3枚r装
置し、上述した混合雰囲気中で、これら3種類のターゲ
ットを同時にスパッタする。この時の成膜条件は、前述
と同一の投入電力とし、上述した混合雰囲気のガス圧は
3(mTorr)とした。 <C/N比の測定手順と測定結果の説明〉この実施例1
8に係る記録媒体に関して、比較例及び実施例1〜17
と同一の条件でC/N比の測定を行なった結果、記録媒
体のC/N比は47.9(dB)であった。 尚、この実施例18に係る記録媒体では、耐食性試験を
行なわなかった。 く複素屈折率の測定手順と結果〉 この実施例18に係る記録媒体の複素屈折率測定にあい
でも、シリコンウェハの表面に、上述と同し被着条件及
び膜厚2000 (λ)で保護膜を被着させた試料を別
途作製し、比較例及び実施例1〜17と同様に測定した
結果、複素屈折率は2.24であった。この説明からも
理解できるように、前述した実施例4、実施例8及び実
施例12〜実施例17に係る記録媒体と同様に吸光係数
kfJ<Oとなり、実質的に透明な保護膜を実現するこ
とができた。 以下、図面を参照して、この出願の第四発明に係る実施
例として、不活性ガスと酸素との混合雰囲気における酸
素の含有率を種々(こ変え、前述した成膜用ターゲット
と組成調整用ターゲットとを同時にスパッタし、これに
よって得られた試料の複素屈折率を測定した結果につき
説明する。 く試料の製造条件〉 この測定では、前述した比較例及び実施例1〜18と同
様に、シリコンウェハの表面に2000 (A )の膜
厚で保護膜材料を被着形成した試料を用いた。 この試料の製造条件につき詳述すれば、まず、前述の実
施例2で用いたのと同一の寸法を有する、チタン酸スト
ロンチウム(SrTiO3)から成る成膜用ターゲット
とチタン(Ti)から成る組成調整用ターゲットとを用
意する。然る後、アルゴンと酸素とから成るスバ・yタ
ガスにおいで酸素が占める割合を0〜50(体積%)の
範囲内で種々に変え、このような被着雰囲気中において
、上述した組成調整用ターゲットと2f!類の成膜用タ
ーゲットとを同時にスパッタして成膜を行なった。 尚、この際の被着条件は、投入電力を500(W)、上
述した混合気体から成るスバ・ンタガスの圧力を3 (
mTorr)に統一しで行なった。 第1図及び第2図は、上述の製造条件により作製した各
々の試料につき、複素屈折率n−kiを測定した結果を
示す特性曲線図である。これら図において、第1図は、
縦軸に屈折率n及び横軸に酸素含有率(体積%)8採っ
て示し、第2図は縦軸に吸光係数k及び横軸に酸素含有
率(体積%)を採って示しである。 まず、第1図からも理解できるように、上述したスパッ
タガスにおける酸素含有率を高めでいくに従って、屈折
率nの減少傾向が認められた。 例えばスバ・ンタガスを酸素0(体積%)とした場合(
アルゴン100(体積%)とした前述の実施例21こ相
当)では屈折率nが2,23であるのに対して、酸素5
0(体積%)とした場合には屈折率nが2.1程度にま
で減少した。 また、第2図から理解できるように、吸光係数kについ
ても同様の傾向が見られ、スパッタガス中の酸素含有率
が0(体積%)である実施例2に相当する試料では吸光
係数kが0.03となった。 これに対して、酸素含有率を20(体積%)とした混合
雰囲気でスパッタを行なった場合には吸光係数kがOと
なるのが認められ、当該含有率を20(体積%)よりも
大きな値としでも、Oを示すのが認められた。 次に、上述したチタン酸ストロンチウムの代わりに、チ
タン酸バリウムを成膜用ターゲットとしで、アルゴンと
酸素との含有率を極少でこ変えて得られた試料の複素屈
折率を測定した結果につき説明する。尚、試料の作製に
係る種々の条件は、上述したチタン酸ストロンチウム(
SrTi03)の代わりにチタン酸バリウム(BaTi
O3)7&用いたことを除いて同一とし、シリコンウェ
ハの表面に2000(λ)の膜厚で保護膜材料を被着し
て作製した試料を用いて測定を行なった。 第3図及び第4図は、前述した第1図または第2図と同
様に複素屈折率n−kiを測定した結果を示す特性曲線
図である。これら図において、菓3図は、縦軸に屈折率
n及び横軸に酸素含有率(体積%)を採って示し、第4
図は縦軸に吸光係数k及び横軸に酸素含有率(体積%)
を採って示しである。 まず、第3図からも理解できるように、このチタン酸バ
リウムを用いて混合雰囲気中で被着形成した試料におい
ても、上述したチタン酸ストロンチウムの場合と同様に
、スパッタガスにおける酸素含有率を高めるに従って、
屈折率nの減少傾向が認められた。例えばスパッタガス
を酸素O(体積%)とした場合(アルゴン100(体積
%)とした前述の実施例6に相当)には屈折率nが2.
27となった。これに対して、スパッタガスにおける酸
素含有率を50(体積%)とした場合には、屈折率nか
2.1程度にまで減少した。 また、第4図から理解できるように、吸光係数kについ
でもチタン酸ストロンチウムと同様の傾向が見られ、ス
バ・シタガス中の酸素含有率がO(体積%)である試料
(実施例6に相当)では吸光係数kが0.02となった
。これに対して、酸素含有率を20(体積%)とした混
合雰囲気でスパッタを行なった場合には、チタン酸スト
ロンチウムの場合と同様に、吸光係数kが0となるのが
認められ、当該含有率を20(体積%)よりも大きな値
としてもOとなることが理解できる。 以上、この出願の発明に係る実施例につき、f!々の条
件で作製した記録媒体を試料として詳細に説明した。こ
こで、上述した製造方法と、各製造方法により作製され
た保護膜の組成との関係につき説明する。 上述した実施例のうち、実施例]、実施例5及び実施例
9に係る記録媒体は、従来周知のスパッタリシグ技術に
より保護膜を被着形成して作製したものである。また、
これに加えて、この出願の方法発明により作製された記
録媒体においても、特性測定の結果から理解できるよう
に、実施例1〜18に係る記録媒体(保護膜)では、は
ぼ同一の組成を有すると考えられる。これらの元素構成
において、例えばストロンチウム、バリウム及びチタン
といった金属元素については、例えばオージェ−効果を
利用した化学分析技術を用いて決定可能であるが、チタ
ン酸系の化合物の場合には、気体成分と成り易い酸素を
含む構成であるため、厳密な組成を決定することが難し
い。 しかしながら、例えば文献■:「誘電体部」(岡小天著
、第55〜77頁、現代工学社刊)からも理解できるよ
うに、例えばMOとTiOx−+との共融によりMTi
Gx(Mは金属元素)で表わされるチタン酸系の物質で
は、上述したMOが有する複素屈折率とTiOx−+が
有する複素屈折率との平均によって求めることかできる
。ざらに述べれば、上述したチタン酸系の物質ではXの
値が3に近い程、吸光係数kかOに近似することが知ら
れている。詳細に説明すると、−酸化チタン(Tie)
と上述した金属酸化物MOとにより得られるチタン酸塩
は吸収を有する(吸光係数kが0でない)のに対しで、
二酸化チタン(Ti02)と金属酸化物とにより得られ
るチタン酸塩は透明(吸光係数kが0)となることが知
られている。 このような光学的性質から、上述した実施例1〜18に
係る保護膜の組成を計算すれば、上述したXの値は2.
7≦×≦3.0となる。 以上、この発明の実施例につき詳細に説明したが、この
発明は上述した実施例にのみ限定されるものではないこ
と明らかである。 例えば、上述した実施例においては、この出願の方法発
明に係るスパッタカスとしてアルゴンを用いた場合につ
き説明したが、他の不活性ガスであっても同様の効果を
期待し得る。 また、実施例に係る記録媒体の構造として、第5図に示
す積層間係で構成したものを例示した。しかしながら、
この発明の光磁気記録媒体は、特定の積層関係によって
のみ効果が得られるものではなく、例えば反射膜または
その他の構成成分を付加して構成した場合であっても同
様の効果を得ることができる。 ざらに、上述した実施例では、Tb −Fe −Coか
ら成る磁性膜を用いた場合につき説明したが、これに限
定されるものではなく、種々のRE−TM金合金用いる
ことができる。 これら材料、寸法、配MS係、数値的条件及びその他、
上述した特定の条件は、この発明の目的の範囲内で、任
意好適な設計の変更及び変形を行ない得ること明らかで
ある。 (発明の効果) 上述した説明からも明らかなように、この出願の第一発
明に係る光磁気記録媒体によれば、保護膜材料として、
チタン酸ストロンチウム系化合物(SrTiOx)及び
チタン酸バリウム系化合物(8aTiOx)(但し、X
は2.7≦X≦3,0の値を表わす、)のうちから選ば
れた一方の物質または双方の混晶を保護膜としで用いる
構成と成している。これがため、従来の保護膜材料を具
えた記録媒体に比して、高い屈折率と低い吸光係数とを
実現することができ、ざらに耐食性の劣化を来すことが
ない。 また、この出願の第二発明に係る光磁気記録媒体の製造
方法(こよれば、前述した所定の材料から成る成膜用タ
ーゲットと組成調整用ターゲットとを同時にスパッタし
て保護膜を被着形成することにより、第一発明に係る記
録媒体r8容易に実現することができる。 ざらに、この出願の第三発明に係る光磁気記録媒体の製
造方法によれば、酸素を含む混合雰囲気中で前述した所
定の材料から成る成膜用ターゲットをスパッタして保護
膜形成することにより、第一発明に係る記録媒体を容易
に得ることができる。 これに加えて、この出願(こ係る第四発明の光磁気記録
媒体の製造方法によれば、上述した第二発明と第三発明
とを同時に適用することにより、第一発明に係る記録媒
体を容易に得ることができる。 従って、この出願に係る発明を適用することにより、優
れた特性を有する記録媒体を簡単かつ
ッタ技術によって、ポリカーボネート樹脂から成る基板
11の表面に一酸化ケイ素(Sin)から成る保護膜1
3aを約800(λ)の膜厚で被着形成する。この時の
成膜条件は、SiOのみがら成る直径126(mm)の
成膜用ターゲットを用い、投入電力が500(W) 、
アルゴンのガス圧が3(mTorr)として行なった。 次に、チルどラム二鉄:コバルトの組成比が22ニア0
:8(原子数の比)である磁性膜用のターゲットを用意
し、上述と同様なスパッタ条件により、保護膜13aの
表面に、約800(人)の膜厚を以って磁性膜15を被
着形成する。 続いて、前述した保護膜13aと同一の条件によって、
上述した磁性膜15の表面に約1000 (λ)の膜厚
で保護膜+3t)を被着形成し、比較例に係る記録媒体
を得た。 < C/N比の測定手順と測定結果の説明〉このC/N
比の測定に当っては、上述した手順により、ポリカーボ
ネート樹脂基板上に作製された比較例に係る記録媒体を
試料とし、書込みに用いた光の波長830(nm) 、
回転数900(r、p、m、)、デユーティ−50(%
)、記録周波数1.85(MHz)、記録パワー7 (
mW)で記録し、その後、読出しパワー1.6(mW)
、バンド幅30(にHz)でC/N比の測定を行なっ
た。 その結果、比較例に係る記録媒体のC/N比は44.0
(dB)であった。 く耐食性試験の手順と測定結果の説明〉耐食性試験では
、比較例に係る記録媒体に対して予め情報を書込み、こ
の記録媒体t60(”G)の温度で相対湿度ヲ80(%
)とした条件(以下、単に耐食性試験条件と称する。)
で200時間に亙って保持する。然る後、予め書込まれ
た情報が耐食性試験の後に損傷する割合(エラーレート
)を測定した結果と、上述したC7N比の測定結果とに
より、耐食性を評価した。 その結果、エラーレートは約10−4程度であり、C/
N比は耐食性試験前の値と同じ44.0(dB)であっ
た。 く複素屈折率の測定手順と結果〉 この測定では、前述した保護膜と同じ被着条件によって
シリコンウェハの表面に2000 (λ)の膜厚でSi
Oを被着させた試料を別途作製し、エリプソメーターを
用いて633(nm)の波長における複素屈折率n−k
iを測定した。 その結果、複素屈折率は1.90−0.10 iであっ
た。 次に、チタン酸ストロンチウム(SrTiO3)7a成
膜用ターゲツトとしで用いた場合の実施例1〜4に係る
記録媒体につき説明する。 罠庭拠] く製造条件の説明〉 この実施例]に係る記録媒体では、従来周知のスパッタ
技術によって、ポリカーボネート樹脂がら成る基板11
の表面に、保護膜13at約800(λ)の膜厚で被着
形成する。この時の成膜条件は、SrTiO3のみから
成る直径126(mm)の成膜用ターゲットを用い、投
入電力が500(W) 、アルゴンのガス圧が3 (m
丁orr)として行なった。 次に、前述した組成を有する磁性膜用のターゲットを用
い、上述と同様なスパッタ条件によって、保護膜13a
の表面に約800(λ)の膜厚を以って磁性膜15を被
着形成する。 続いて、前述した保護膜13aと同一の成膜条件によっ
て、上述した磁性膜15の表面に約1000(人)の膜
厚で保護膜+3bを被着形成し、実施例]に係る記録媒
体を得た。 <C/N比の測定手順と測定結果の説明〉この実施例1
に係る記録媒体のC/N比測定に当っても、前述した比
較例と同一の手順により、ポリカーボネート樹脂基板上
に作製された実施例1に係る記録媒体を試料とし、書込
みに用いた光の波長830(nm) 、回転数900(
乙ρ、m、)、デユーティ−50(%)、記録周波数1
.85(MHz) 、記録パワー7 (mW)で記録し
、その後、読出しパワー1.6(mW) 、バンド幅3
0(にHz)でC/N比の測定を行なった。 その結果、実施例1に係る記録媒体のC/N比は47.
5(dB)であった。 く耐食性試験の手順と測定結果の説明〉耐食性試験では
、実施例1に係る記録媒体に対して予め情報INF込み
、この記録媒体%60(’C)の温度で相対湿度を80
(%)とした比較例と同一の耐食′i試験条件下で20
0時間に亙って保持する、然る後、前述した情報の損傷
割合(エラーレート)の測定と、上述したC/N比の測
定とにより、耐食゛I!を評価した。 その結果、エラーレートは約101程度であり、C/N
比は耐食性試験前の値と同じ47.5(dB)であった
。 〈複素屈折率の測定子j@と結果〉 この測定では、上述と同じ被着条件によって、シリコン
ウェハの表面に、保護膜を2000 (λ)の膜厚て被
着させた試料を別途作製し、エリプソメーターを用いて
633(nm)の波長における複素屈折率n−kiを測
定した。 その結果、複素屈折率は2.22−0.02 iであっ
た。 大18汁λ 〈製造条件の説明〉 この実施例2に係る記録媒体では、第2発明に係る方法
を通用して保護膜13aと+3bとを被着形成し、磁!
膜15の被着は既に述べたのと同一の材料、膜厚及び被
着条件で試料作製を行なった。 この保護膜の被着条件につき詳述すれば、まず、チタン
(Ti)から成る直径126(mm)の組成調整用ター
ゲットと、チタン酸ストロンチウム(SrTiO3)か
ら成る直径25(mm)の成膜用ターゲットとを用意す
る。然る後、上述した組成調整用ターゲットの表面1こ
成膜用ターゲットを6枚@コする。このように、被スパ
ツタ面において、組成調整用ターゲットの表面が成膜用
ターゲットにより覆われた状態で、これら2種頼のター
ゲットを同時にスパッタし、ポリカーボネート樹脂から
成る基板11の表面に、保護膜13aを約800(λ)
の膜厚で被着形成した。この時の成膜条件は、前述と同
様に、投入電力が500(W) 、アルゴンのガス圧が
3(mTorr)としで行なった。 上述した説明からも理解できるように、この実施例2で
は、SrTiO3から成る成膜用ターゲットが被スパツ
タ面に占める面積の割合を約95(%)とし、Tiから
成る組成調整用ターゲットか被スパツタ面に占める面積
の割合を約5(%)として保護膜の被着形成を行なった
。 <C/N比の測定子j@と測定結果の説明〉この実施例
2に係る記録媒体に閉じでも、比較例及び実施例]と同
一の条件でC/N比の測定を行なった。その結果、実施
例2に係る記録媒体のC/N比は46.8(dB)であ
った。 〈耐食性試験の手順と測定結果の説明〉耐食性試験も比
較例及び実施例1と同一の耐食性試験条件下で200時
間に亙って保持した後に行ない、前述した情報の損傷割
合(エラーレート)の測定と、上述したC/N比の測定
とにより、耐食性を評価した。 その結果、エラーレートは約10−5程度であっ、C7
N比は耐食性試験前の値と同じ46.8(dB)であっ
た。 〈複素屈折率の測定手順と結果〉 この実施例2に係る記録媒体の複素屈折率測定においで
も、シリコンウェハの表面1こ、上述と同じ被着条件に
よって2000 (A )の膜厚で保護膜を被着させた
試料を別途作製し、比較例及び実施例1と同様にエリプ
ソ、メーターを用いで633(nm)の波長における複
素屈折率n−ki%測定した。 その結果、複素屈折率は2.23−0.03 iであっ
た。 大】l性ユ く製造条件の説明〉 この実施例3に係る記録媒体では、組成調整用ターゲッ
トに一酸化チタン(Tie)を用い、第一発明に係る方
法を適用して保護膜13aと131)とそ被着形成し、
磁性膜15の被着は既に述べたのと同一の材料、膜厚及
び被着条件で試料作製を行なった。 この保護膜の被着条件につき詳述すれば、−酸化チタン
(Tie)から成る直径126(mm)の組成調整用タ
ーゲットと、チタン酸ストロンチウム(SrTiO3)
から成る直径25(mm)の成膜用ターゲットとを用意
する。然る後、実施例2と同様に、被スパツタ面におい
で、組成調整用ターゲットの表面が6枚の成膜用ターゲ
ットにより覆われた状態で、これら2種類のターゲット
を同時(こスパッタし、ポリカーボネート樹脂から成る
基板11の表面に、保護膜13aを約800(A)の膜
厚で被着形成した。この時の成膜条件は、前述と同一の
投入電力及びアルゴンガス圧として行なった。 上述した説明からも理解できるように、この実施例3で
は、5rTi(hから成る成膜用ターゲットが被スパッ
ク面に占める面積の割合を約95(%)とし、TiOか
ら成る組成調整用ターゲットが上述した面において占め
る割合を約5(%)として保護膜の被着形成を行なった
。 < C/N比の測定手順と測定結果の説明〉この実施例
3に係る記録媒体に闇しても、比較例、実施例1及び実
施例2と同一の条件でC/N比の測定を行なった結果、
実施例3に係る記録媒体のC/N比は47.5(dB)
であった。 く耐食性試験の手順と測定結果の説明〉前述した比較例
、実施例1及び実施例2と同一の耐食性試験条件で20
0時間保持した復に、実施例3に係る記録媒体のエラー
レートの測定と、C/N比の測定とを行なった結果、エ
ラーレートは約10−5程度であり、C/N比は耐食性
試験前の値と同し47.5(dB)であった。 く複素屈折率の測定手順と結果〉 この実施例3に係る記録媒体の樗素屈折率測定において
も、シリコンウェハの表面に、上述と同じ被着条件で、
2000 (A )の保護膜を被着させた試料を別途作
製し、比較例、実施例1及び実施例2と同様に測定した
結果、複素屈折率は2.22−0.02 iであった。 大】l外圧 〈製造条件の説明〉 この実施例4に係る記録媒体では、組成調整用ターゲッ
トに二酸化チタン(Ti02)を用い、第二発明に係る
方法を適用して保護膜13aと+3bとを被着形成し、
磁性膜15の被着は既に述べたのと同一の材料、膜厚及
び被着条件で試料作製を行なった。 この保護膜形成においでは、二酸化チタン(TiO□)
を組成調整用ターゲットとして用いたことを除き、実施
例2及び実施例3と同一の投入電力及びアルゴンガス圧
として行なった。 上述した説明からも理解できるように、この実施例4で
は、SrTiO3から成る成膜用ターゲットが被スパツ
タ面に占める面積の割合を約95(%)とし、TiO2
から成る組成調整用ターゲットが上述した面において占
める割合を約5(%)として保護膜の被着形成を行なっ
た。 <C1N比の測定手順と測定結果の説明〉この実施例4
に係る記録媒体に閉じても、比較例、実施例1〜3と同
一の条件でC/N比の測定を行なった結果、実施例4に
係る記録媒体のC/N比は47.0(dB)であった。 く耐食性試験の手順と測定結果の説明〉前述した比較例
、実施例1〜3と同一の耐食性試験条件で200時間保
持した後に、実施例4に係る記録媒体のエラーレートの
測定と、C/N比の測定とを行なった結果、エラーレー
トは約10−5程度であり、C/N比は耐食性試験前の
値と同じ47.0(dB)であった。 く複素屈折率の測定手順と結果〉 この実施例4に係る記録媒体の複素屈折率測定においで
も、シリコンウェハの表面に、上述と同じ被着条件で、
2000 (λ)の保護膜を被着させた試料を別途作製
し、比較例、実施例1〜3と同様に測定した結果、複素
屈折率は2.21であった、この説明からも理解できる
ように、実施例4に係る記録媒体の吸光係数kがOとな
り、実質的に透明な保護膜を形成することができた。 続いて、チタン酸バリウム(8aTiO3)を成膜用タ
ーゲットとして用いた場合の実施例5〜8に係る記録媒
体につき説明する。 犬】l1互 〈製造条件の説明〉 この実施例5に係る記録媒体では、チタン酸バリウム(
BaTiO3)から成る直径126(mm)の成膜用タ
ーゲットを用いたこと以外は、実施例2と同一の積層関
係及び成膜条件で記録媒体を作製し、実施例5に係る記
録媒体を得た。 < C/N比の測定手順と測定結果の説明〉この実施例
5に係る記録媒体のC/N比測定に当っても、前述した
比較例及び実施例1〜4に係る記録媒体と同一の手順に
より測定を行なつた結果、実施例5に係る記録媒体のC
/11比は48.0(dB)であった。 く耐食性試験の手順と測定結果の説明〉この実施例5に
係る記録媒体に関して、比較例及び実施例1〜4に係る
記録媒体と同一の耐食性試験条件下で200時間に亙っ
て保持した後、前述したエラーレートの測定と、上述し
たC/N比の測定とにより、耐食性を評価した。 その結果、エラーレートは約10−5程度であり、C/
N比は耐食性試験前の値と同じ48.0(dB)であっ
た。 く複素屈折率の測定手順と結果〉 上述と同じ被着条件によって、シリコンウェハの表面に
、保護膜を2000 (^)の膜厚で被着させた実施例
5に係る試料を別途作製し、エリプソメーターを用いで
複素屈折率n−ki@測定した結果、複素屈折率は2.
25−0.02 iであった。 医涜l性旦 〈製造条件の説明〉 この実施例6では、チタン酸バリウム(BaTiO3)
から成る直径25(mm)の成膜用ターゲットを用いた
ことを除き、第二発明を利用した実施例2と同一の積層
間係及び成膜条件で記録媒体を作製した。 即ち、チタン(Ti)から成る直径126(mm)の組
成調整用ターゲットの表面に上述した成膜用ターゲット
を6枚載】した状態で、これら2種類のターゲットを同
時にスパッタして、保護膜13aを及び+3bt被着形
成した。この時の成膜条件は、前述と同一の投入電力及
びアルゴンガス圧とした。 上述した説明からも理解できるように、この実施例6で
は、BaTiO3から成る成膜用ターゲットか被スパツ
タ面に占める面積の割合を約95(%)とし、Tiから
成る組成調整用ターゲットが被スパツタ面において占め
る割合を約5(%)として保護膜の被着形成を行なった
。 <C/N比の測定手順と測定結果の説明〉この実施例6
(こ係る記録媒体に闇しても、比較例及び実施例1〜5
と同一の条件でC/N比の測定を行なった結果、実施例
6に係る記録媒体のC/N比は47.0(dB)であっ
た。 く耐食性試験の手順と測定結果の説明〉この実施例6に
係る記録媒体に関して、比較例及び実施例1〜5に係る
記録媒体と同一の耐食性試験条件下で200時間に亙っ
て保持した後、前述したエラーレートの測定と、上述し
たC/N比の測定とにより、耐食性を評価した。 その結果、エラーレートは約10−5程度であり、C/
N比は耐食性試験前の値と同じ47.0(dB)であっ
た。 く複素屈折率の測定手順と結果〉 上述と同じ被着条件によって、シリコンウェハの表面に
、保護膜を2000 C人)の膜厚で被着させた試料を
別途作製し、比較例及び実施例1〜5と同様に測定した
結果、複素屈折率は2.27−0.02 iであった。 スパッタ面に占める面積の割合を約5(%)として保護
膜の被着形成を行なった。 太五1江L 〈製造条件の説明〉 この実施例7では、チタン酸バリウム(BaTiO3)
から成る直径25(mm)の成膜用ターゲットを用いた
ことを除き、第二発明に係る方法を利用して実施例3と
同一の積層関係及び成膜条件で記録媒体を作製した。即
ち、−酸化チタン(Tie)から成る直径126 (m
m)の組成調整用ターゲットの表面に上述した成膜用タ
ーゲットを6枚装置した状態で、これら2種類のターゲ
ットを同時にスパッタして、保護膜13a及び+3bを
被着形成した。この時の成膜条件は、前述と同一の投入
電力及びアルゴンガス圧とした。 上4の説明からも理解できるように、この実施例7では
、BaTiOsから成る成膜用ターゲットが被スパツタ
面に占める面積の割合を約95(%)とし、TiOから
成る組成調整用クーゲットが被< C/N比の測定手順
と測定結果の説明〉この実施例7に係る記録媒体に関し
ても、比較例及び実施例1〜6と同一の条件でC/N比
の測定を行なった結果、実施例7に係る記録媒体のC/
N比は48.0(dB)であった。 〈耐食性試験の手順と測定結果の説明〉この実施例7に
係る記録媒体に関しで、比較例及び実施例1〜6に係る
記録媒体と同一の耐食性試験条件下で200時間に亙っ
て保持した後、前述したエラーレートの測定と、上述し
たC/N比の測定とにより、耐食性を評価した。 その結果、エラーレートは約10−5程度であり、C/
N比は耐食性試験前の値と同じ48.0(dB)であっ
た。 〈複素屈折率の測定手順と結果〉 上述と同じ被着条件によって、シリコンウェハの表面に
、保護膜を2000 (λ)の膜厚で被着させた試料を
別途作製し、エリプソメーターを用いて633(nm)
の波長にあける複素屈折率n−kiを測定した結果、複
素屈折率は2.25−0.02iであった。 犬】l凱旦 く製造条件の説明〉 この実施例8では、チタン酸バリウム(BaTiO3)
から成る直径25(mm)の成膜用ターゲットを用いて
保護膜13a及び+3El形成したことを除き、実施例
4と同一の条件で記録媒体を作製した。即ち、−酸化チ
タン(TiOz)から成る直径126 (mm)の組成
調整用ターゲットの表面に上述した成膜用タゲットを6
枚in!Itした状態で、これら21M類のターゲット
を同時にスパッタし保護膜13a及び13bt被着形成
した。この時の成膜条件は、前述と同一の投入電力及び
アルゴンガス圧とした。 上述の説明からも理解できるように、この実施例8では
、BaTi0.から成る成膜用ターゲットが被スパツタ
面に占める面積の割合を約95(%)とし、TiO□か
ら成る組成調整用ターゲットが被スパツタ面に占める面
積の割合を約5(%)として保護膜の被着形成を行なっ
た。 < C/N比の測定手順と測定結果の説明〉この実施例
8に係る記録媒体に関しで、比較例及び実施例1〜7と
同一の条件でC/N比の測定を行なった結果、実施例8
に係る記録媒体のC/N比は47.5(dB)であった
。 〈耐食性試験の手順と測定結果の説明〉前述した比較例
、実施例1〜7と同一の耐食性試験条件で200時間保
持した後に、実施例8に係る記録媒体のエラーレートの
測定と、C/N比の測定とを行なった結果、エラーレー
トは約10−’程度であり、C/N比は耐食性試験前の
値と同じ47.5(dB)であった。 〈複素屈折率の測定手順と結果〉 この実施例8に係る記録媒体の複素屈折率測定においで
も、シリコンウェハの表面に、上述と同し被着条件及び
膜厚2000 (人)で保護膜を被着させた試料を別途
作製し、比較例及び実施例1〜7と同様に測定した結果
、複素屈折率は2.21であった。この説明からも理解
できるように、前述した実施例4に係る記録媒体と同様
に吸光係数kがOとなり、実質的に透明な保護膜を実現
することかできた。 次に、チタン酸ストロンチウム(SrTi03)とチタ
ン酸バリウム(BaTiO3)との双方を成膜用ターゲ
ットとして保護膜を形成した場合の実施例9〜実施例1
2につき説明する。 夾11性旦 〈製造条件の説明〉 この実施例9では、チタン酸ストロンチウム(SrTi
O3)とチタン酸バリウム(BaTiO3)と(組成比
1:1)の混晶から成る直径126(mm)の成膜用タ
ーゲットを用いて保護膜13a及び13El形成したこ
とを除き、従来周知のスパッタ技術を利用した実施例]
及び実施例5と同様な積層関係及び成膜条件で記録媒体
を作製した。この時の成膜条件は、前述と同一の投入電
力及びアルゴンガス圧とした。 <C/N比の測定手順と測定結果の説明〉この実施例9
に係る記録媒体に関しで、比較例及び実施例1〜8と同
一の条件でC/N比の測定を行なった結果、記録媒体の
C/N比は48.0(dB)であった。 尚、この実施例9に係る光磁気記録媒体では、耐食性試
験を行なわなかった。 く複素屈折率の測定手順と結果〉 この実施例9に係る記録媒体の複素屈折率測定において
も、シリコンウェハの表面に、上述と同し被着条件及び
膜厚2000 (λ)で保護膜を被着させた試料を別途
作製し、比較例及び実施例1〜8と同様に測定した結果
、複素屈折率は2,240.02iであった。 医1■1」 〈製造条件の説明〉 この実施例10では、チタン酸ストロンチウム(SrT
iO3)から成る直径25(mm)の成膜用ターゲット
とチタン酸バリウム(BaTiO3)から成る直径25
(mm)の成膜用ターゲットとを用いて保護膜13a及
び+3bを形成したことを除き、第二発明を利用した実
施例3及び実施例7と同様な積層関係及び成膜条件で記
録媒体を作製した。F5ち、チタン(Ti)から成る直
径126(mm)の組成調整用ターゲットの表面に、上
述した5rTi03から成る成膜用クーゲットとBaT
iO3から成る成膜用ターゲットとを、夫々3枚ずつ、
合計6枚載百した状態で、これら3種類のターゲットを
同時にスパッタし、保護膜13a及び+3bを被着形成
した。この時の成膜条件は、前述と同一の投入電力及び
アルゴンガス圧とした。 上述の説明からも理解できるように、この実施例10で
は、5rTi03とBaTi0+との夫々から成る成膜
用ターゲットが被スパツタ面に占める面積の割合の合計
を約95(%)とし、Tiから成る組成調整用ターゲッ
トが被スパツタ面に占める面積の割合を約5(%)とし
て保護膜の被着形成を行なった。 <C/N比の測定手順と測定結果の説明〉この実施例1
0に係る記録媒体に閉して、比較例及び実施例1〜9と
同一の条件でC/N比の測定を行なった結果、記録媒体
のC/N比は47.0(dB)であった。 尚、この実施例10に係る光磁気記録媒体では、上述し
た実施例9と同様に、耐食性試験を行なわなかった。 〈複素屈折率の測定手順と結果〉 この実施例10に係る記録媒体の複素屈折率測定におい
ても、シリコンウェハの表面に、上述と同し被着条件及
び膜厚2000 (λ)で保護膜を被着させた試料を別
途作製し、比較例及び実施例1〜9と同様に測定した結
果、複素屈折率は2.26−0.03 iであった。 医涜」(U く製造条件の説明〉 この実施例11では、−酸化チタン(Tie)から成る
組成調整用ターゲットを用いたこと以外は、上述の実施
例10と同一の積層関係及び成膜条件とし、第二発明に
係る方法を利用して記録媒体を作製した。即ち、−酸化
チタン(Tie)から成る直径126(mm)の組成調
整用ターゲットの表面に、5rTiOzから成る成膜用
ターゲットとBaTiO3から成る成膜用ターゲットと
を、夫々3枚ずつ、合計6枚@冒した状態で、これら3
種類のターゲットを同時にスパッタし、保護膜13a及
び+3bを被着形成した。この時の成膜条件は、前述と
同一の投入電力及びアルゴンガス圧とした。 上述の説明からも理解できるように、この実施例11で
は、SrTiO3とBaTiO3との夫々から成る成膜
用ターゲットが被スパツタ面に占める面積の割合の合計
を約95(%)とし、TiOから成る組成調整用ターゲ
ットが被スパツタ面に占める面積の割合を約5(%)と
して保護膜の被着形成を行なった。 <C/N比の測定手順と測定結果の説明〉この実施例1
1に係る記録媒体に関して、比較例及び実施例1〜10
と同一の条件でC/N比の測定を行なった結果、記録媒
体のC/N比は48.0(dB)であった。 〈耐食性試験の手順と測定結果の説明〉この実施例11
では、前述した耐食性試験条件下で1000時間(こ亙
って保持した後、記録媒体のエラーレートの測定と、C
/N比の測定とを行なった結果、エラーレートは約10
−5程度であり、C/N比は耐食性試験前の値と同じ4
8.0(dB)であった。 〈複素屈折率の測定手順と結果〉 この実施例11に係る記録媒体の複素屈折率測定におい
ても、シリコンウェハの表面に、上述と同し被着条件及
び膜厚2000 (人)で保護膜を被着させた試料を別
途作製し、比較例及び実施例1〜10と同様に測定した
結果、複素屈折率は2.24−0.02iであった。 英1■引4 く製造条件の説明〉 この実施例12では、二酸化チタン(Ti02)から成
る組成調整用ターゲットを用いたこと以外は、上述の実
施例11と同一の積層関係及び成膜条件とし、第二発明
に係る方法を利用して記録媒体を作製した。即ち、二酸
化チタン(TiO2)がら成る直径126(mm)の組
成調整用ターゲットの表面に、5rTi(hから成る成
膜用ターゲットとBaTiO3がら成る成膜用ターゲッ
トとを、夫々3枚ずつ、合計6枚載冒した状態で、これ
ら3種類のターゲットを同時にスパッタし、保護膜13
a及び+3b%形成した。この時の成膜条件は、前述と
同一の投入電力及びアルゴンガス圧とした。 上述の説明からも理解できるように、この実施例12て
は、5rTi(hとBaTiOsとの夫々から成る成膜
用ターゲットが被スパツタ面に占める面積の割合の合計
を約95(%)とし、TiO□から成る組成調整用ター
ゲットが被スパツタ面に占める面積の割合を約5(%)
として保護膜の被着形成を行なった。 <C/N比の測定手順と測定結果の説明〉この実施例1
2に係る記録媒体に関して、比較例及び実施例1〜11
と同一の条件でC/N比の測定を行なった結果、記録媒
体のC/N比は48.2(dB)であった。 〈耐食性試験の手順と測定結果の説明〉この実施例12
では、実施例11と同様に、前述した耐食性試験条件下
で1000時間に亙って保持した後、記録媒体のエラー
レートの測定と、C/N比の測定とを行なった結果、エ
ラーレートは約10−5程度であり、C/N比は耐食性
試験前の値と同じ48.2(dB)であった。 〈複素屈折率の測定手順と結果〉 この実施例12に係る記録媒体の複素屈折率測定におい
でも、シリコンウェハの表面に、上述と同し被着条件及
び膜厚2000 (λ)で保護膜を被着させた試料を別
途作製し、比較例及び実施例1〜11と同様に測定した
結果、複素屈折率は2.22であった。この説明からも
理解できるように、前述した実施例4及び実施例8に係
る記録媒体と同様に吸光係数kが0となり、実質的に透
明な保護膜を実現することができた。 以下、上述した比較例の特性及び実施例1〜12の特性
につき、別表を参照して詳細に検討する。 まず、C/N比につき比較すれば、この別表及び前述し
た説明からも理解できるように、比較例に係る記録媒体
が44.0(dB)であるのに対して、実施例1〜12
に係るいずれの記録媒体であってもC/N比の特性向上
が認められる。−例としで、これら実施例中でC/N比
の向上が最も低い実施例2では46、8(dB)が得ら
れ、2.8(dB)向上した。また、実施例12に係る
記録媒体では、当該特性値の向上が最も著しく、比較例
に比して4.2(dB)高い48.2(dB)のC/N
比が得られた。 ざらに、耐食性試験の結果からも理解できるように、比
較例及び実施例1〜実施例8、実施例11及び実施例1
2に係る記録媒体では、200時間に亙る耐食性試験の
後のC/N比の低下は認められず、特に、実施例11に
係る記録媒体と実施例12に係る記録媒体とは、同し耐
食性試験条件を1000時間に亙って保持した復であっ
てもC/N比の低下は認められなかった。 一方、既に述べたように、エラーレートの測定からは、
200時間に亙って前述した耐食性試験条件に保持した
、比較例に係る記録媒体は約10−4であった。これに
対して、実施例1〜実施例8、実施例11及び実施例1
2に係る記録媒体では、比較例と同し条件下、約10−
5程度の値が得られ、この発明に係る保護膜の材料構成
によって記録媒体の安定性が向上したことが理解できる
。ざらに、実施例11に係る記録媒体と実施例12に係
る記録媒体では、上述と同し耐食性試験条件を1000
時間に亙って保持した後であっても約10−5のエラー
レートが得られ、5rTi03とBaTiO3との双方
を同時にスパッタしで得られた保護膜を具えることによ
り、記録情報の安定性は著しく向上することが理解でき
る。 また、複素屈折率n−kiのうちの屈折率nについて比
較すれば、比較例に係る試料の屈折率nが1.90であ
るのに対して、実施例1〜12に係る試料では、いずれ
の実施例でも屈折率nが2.21以上であり、カー効果
エンハンスメントによっでC/N比が向上したことが理
解できる。 さらに、吸光係数kに関しては、比較例における吸光係
数kが0.10であるのに比しで、いずれの実施例でも
著しい向上が認められ、特に、実施例4、実施例8及び
実施例12に係る試料では、吸光係数kが0となり、実
質的に透明な保護膜材料が被着されていることが理解で
きる。 これに加えて、別表からも理解できるよう(こ、例えば
実施例2〜4に係る3種類の記録媒体を比較すると、組
成調整用ターゲットに酸素が含有されでいる割合が大き
く成るにつれて吸光係数にの値が小さく成る傾向が見て
取れる。このような傾向は、実施例6〜8または実施例
10〜12における夫々の比較からも認められる。 また、実施例1と実施例2、実施例5と実施例6または
実施例9と実施例10の、夫々の記録媒体に関する比較
から、第二発明に係る方法を利用して組成調整用ターゲ
ットにチタン(Ti)%用いることにより、屈折率nが
向上しているのが理解できる。 上述した比較例と実施例1〜12との比較からも理解で
きるように、この出願の第二発明に係る方法により作製
された記録媒体では、各々の材料構成において組成調整
用ターゲットと同時に成膜用ターゲットをスパッタする
ことにより、従来の記録媒体に比して、優れた特性の記
録媒体が得られる。 保護膜13a及び+3bを形成したことを除き、チタン
酸ストロンチウム(SrTi03)から成る直径126
(mm)の成膜用ターゲットを用いて実施例1と同様な
槓層閉係及び成膜条件で記録媒体を作製した。この時の
成膜条件は、前述と同一の投入電力とし、上述した混合
雰囲気のガス圧は3 (mTorr)とした。 次に、この出願の第三発明に係る方法の実施例として、
不活性ガスと酸素との混合雰囲気中で、成層用ターゲッ
トのみをスパッタして保護膜形成した場合の実施例13
〜実施例15に係る記録媒体につき説明する。尚、これ
ら第三発明に係る実施例では、前述した実施例9及び実
施例10と同様に耐食性試験を行なわなかった。 火遊■(す く製造条件の説明〉 この実施例13では、アルゴン80(体積%)及び酸素
20(体積%)の混合雰囲気中でスパッタして< C/
N比の測定手順と測定結果の説明〉この実施例13に係
る記録媒体に間しで、比較例及び実施例1〜12と同一
の条件でC/N比の測定を行なった結果、記録媒体のC
/N比は47.6(dB)であった。 〈複素屈折率の測定手順と結果〉 この実施例13に係る記録媒体の複素屈折率測定におい
ても、シリコンウェハの表面に、上述と同し被着条件及
び膜厚2000 (λ)で保護膜を被着させた試料を別
途作製し、比較例及び実施例1〜12と同様に測定した
結果、複素屈折率は2.22であった。この説明からも
理解できるように、前述した実施例4、実施例8及び実
施例12に係る記録媒体と同様に吸光係数kが0となり
、実質的に透明な保護膜を実現することができた。 太遊U 〈製造条件の説明〉 この実施例14では、アルゴン80(体積%)及び酸素
20(体積%)の混合雰囲気中でスパッタして保護膜1
3a及び+3b@形成したことを除き、チタン酸バリウ
ム(BaTiO3)から成る直径126(mm)の成膜
用ターゲットを用いた実施例5と同様な積層関係及び成
膜条件で記録媒体を作製した。 この時の成膜条件は、前述と同一の投入電力とし、上述
した混合雰囲気のガス圧は3 (mTorr)とした。 < C/N比の測定手順と測定結果の説明〉この実施例
14に係る記録媒体に閉じて、比較例及び実施例1〜1
3と同一の条件でC/N比の測定を行なった結果、記録
媒体のC/N比は47.5(dB)であった。 〈複素屈折率の測定手順と結果〉 この実施例14に係る記録媒体の複素屈折率測定におい
でも、シリコンウェハの表面に、上述と同し被着条件及
び膜厚2000 (λ)で保護膜を被着させた試料を別
途作製し、比較例及び実施例1〜13と同様に測定した
結果、複素屈折率は2.21であった。この説明からも
理解できるように、前述した実施例4、実施例8、実施
例12及び実施例13に係る記録媒体と同様に吸光係数
kが0となり、実質的に透明な保護膜を実現することが
できた。 犬mゆ 〈製造条件の説明〉 この実施例15では、アルゴン80(体積%)及び酸素
20(体積%)の混合雰囲気中でスパッタして保護膜1
3a及び+3bを形成したことを除き、チタン酸ストロ
ンチウム(SrTiO3)とチタン酸バリウム(BaT
iO3)と(組成比1:1)の混晶から成る直径126
(mm)の成膜用ターゲットを用いた実施例9と同様な
積層間係及び成膜条件で記録媒体を作製した。この時の
成膜条件は、前述と同一の投入電力とし、上述した混合
雰囲気のガス圧は3 (mTorr)とした。 <C/N比の測定手順と測定結果の説明〉この実施例1
5に係る記録媒体に関して、比較例及び実施例1〜14
と同一の条件でC/N比の測定を行なった結果、記録媒
体のC/N比は48.1(dB)であった。 実施例4、実施例8及び実施例12〜14に係る記録媒
体と同様に吸光係数kfJ<oとなり、実質的に透明な
保護膜を実現することができた。 これら実施例13〜15に係る記録媒体の特性からも理
解できるように、この出願に係る第三発明の方法によれ
ば、不活性ガスと酸素との混合雰囲気中でスパッタして
保護膜を形成することにより、この出願の第二発明を利
用して二酸化チタン(TiO7)を組成調整用ターゲッ
トに用いた場合とほぼ同様の複素屈折率が得られ、実質
的に透明な保護膜を形成し得る。 〈複素屈折率の測定手順と結果〉 この実施例15に係る記録媒体の複素屈折率測定におい
でも、シリコンウェハの表面に、上述と同し被着条件及
び膜厚2000 (人)で保護膜を被着させた試料を別
途作製し、比較例及び実施例1〜14と同様に測定した
結果、複素屈折率は2.23であった。この説明からも
理解できるように、前述した次に、この出願の第四発明
に係る方法の実施例としで、不活性ガスと酸素との混合
雰囲気中で、成膜用ターゲットと組成調整用ターゲット
とを同時にスパッタして保護膜形成した場合の実施例1
6〜実施例18に係る記録媒体につき説明する。 尚、前述したように、第二発明に係る実施例からも理解
できるように、組成調整用クーゲットとしてチタン(T
i)を用いて保護膜形成した場合には、屈折率の向上が
見られた。従って、この実施例では、組成調整用ターゲ
ットとして■lヲ用いると共に、第三発明に係る実施例
との比較を容易とする目的で、混合雰囲気がアルゴン8
0(体積%)及び酸素20(体積%)の場合につき特性
測定を行なった。 医長上−ゆ 〈製造条件の説明〉 この実施例16ては、アルゴン80(体積%)及び酸素
20(体積%)の混合雰囲気中でスパッタして保護膜1
3a及び+3bを形成したことを除き、実施例2と同様
な積層間係及び成膜条件で記録媒体を作製した。即ち、
チタン(Ti)から成る直径+26(mm)の組成調整
用ターゲットと、チタン酸ストロンチウム(SrTi0
3)から成る直径25(mm)の成膜用ターゲットとを
用意して、上述した組成調整用ターゲットの表面に成膜
用ターゲットを6枚截盲し、上述した混合雰囲気中で、
これら2種類のターゲットを同時にスパッタする。この
時の成膜条件は、前述と同一の投入電力とし、上述した
混合雰囲気のガス圧は3 (mTorr)とした。 < C/N比の測定手順と測定結果の説明〉この実施例
16に係る記録媒体に閉しで、比較例及び実施例1〜1
5と同一の条件でC/N比の測定を行なった結果、記録
媒体のC/N比は47.5(dB)であった。 〈耐食性試験の手順と測定結果の説明〉この実施例16
では、比較例及び実施例1〜8と同様に、前述した耐食
性試験条件下で200時間に亙って保持した後、記録媒
体のエラーレートの測定と、C/N比の測定とを行なっ
た。 その結果、エラーレートは約10−5程度であり、C/
N比は耐食性試験前の値と同じ47.5(dB)であっ
た。 く複素屈折率の測定手順と結果〉 この実施例16に係る記録媒体の複素屈折率測定におい
でも、シリコンウェハの表面に、上述と同し被着条件及
び膜厚2000 (人)で保護膜を被着させた試料を別
途作製し、比較例及び実施例1〜15と同様に測定した
結果、複素屈折率は2.23であった。この説明からも
理解できるように、前述した実施例4、実施例8及び実
施例12〜実施例15に係る記録媒体と同様に吸光係数
kがOとなり、実質的に透明な保護膜を実現することが
できた。 天上I引口 〈製造条件の説明〉 この実施例17では、アルゴン80(体積%)及び酸素
20(体積%)の混合雰囲気中でスパッタして保護膜1
3a及び+3bを形成したことを除き、実施例6と同様
な積層関係及び成膜条件で記録媒体を作製した。即ち、
チタン(Ti)から成る直径126(mm)の組成調整
用ターゲットと、チタン酸バリウム(BaTiO3)か
ら成る直径25(mm)の成膜用ターゲットとを用意し
て、上述した組成調整用ターゲットの表面に成膜用ター
ゲットを6枚装置し、上述した混合雰囲気中で、これら
2種類のターゲットを同時にスパッタする。この時の成
膜条件は、前述と同一の投入電力とし、上述した混合雰
囲気のガス圧は3 (mTorr)とした。 < C/N比の測定手順と測定結果の説明〉この実施例
17に係る記録媒体に関して、比較例及び実施例1〜1
6と同一の条件でC/N比の測定を行なった結果、記録
媒体のC/N比は47.0(dB)であった。 く耐食性試験の手順と測定結果の説明〉この実施例17
では、比較例及び実施例1〜8と同様に、前述した耐食
a試験条件下で200時間に亙って保持した後、記録媒
体のエラーレートの測定と、C/N比の測定とを行なっ
た。 その結果、エラーレートは約10−5程度であり、C/
N比は耐食性試験前の値と同じ47゜0(dB)であっ
た。 く複素屈折率の測定手順と結果〉 この実施例17に係る記録媒体の複素屈折率測定におい
でも、シリコンウェハの表面に、上述と同し被着条件及
び膜厚2000 (λ)で保護膜を被若ざぜた試料を別
途作製し、比較例及び実施例1〜16と同様に測定した
結果、複素屈折率は2.25であった。この説明からも
理解できるように、前述した実施例4、実施例8及び実
施例12〜実施例16に係る記録媒体と同様に吸光係数
kがOとなり、実質的に透明な保護膜を実現することが
できた。 火遊」1則 〈製造条件の説明〉 この実施例18では、アルゴン80(体積%)及び酸素
20(体積%)の混合雰囲気中でスパッタして保護膜+
3a及び+3bを形成したことを除き、実施例10と同
様な積層関係及び成膜条件で記録媒体を作製した。即ち
、チタン(Ti)がら成る直径126(mm)の組成調
整用ターゲットの表面に、チタン酸ストロンチウム(S
rTi03)から成る直径25(mm)の成膜用ターゲ
ットと、チタン酸バリウム(BaTiO3)から成る直
径25(mm)の成膜用ターゲットとを、各々3枚r装
置し、上述した混合雰囲気中で、これら3種類のターゲ
ットを同時にスパッタする。この時の成膜条件は、前述
と同一の投入電力とし、上述した混合雰囲気のガス圧は
3(mTorr)とした。 <C/N比の測定手順と測定結果の説明〉この実施例1
8に係る記録媒体に関して、比較例及び実施例1〜17
と同一の条件でC/N比の測定を行なった結果、記録媒
体のC/N比は47.9(dB)であった。 尚、この実施例18に係る記録媒体では、耐食性試験を
行なわなかった。 く複素屈折率の測定手順と結果〉 この実施例18に係る記録媒体の複素屈折率測定にあい
でも、シリコンウェハの表面に、上述と同し被着条件及
び膜厚2000 (λ)で保護膜を被着させた試料を別
途作製し、比較例及び実施例1〜17と同様に測定した
結果、複素屈折率は2.24であった。この説明からも
理解できるように、前述した実施例4、実施例8及び実
施例12〜実施例17に係る記録媒体と同様に吸光係数
kfJ<Oとなり、実質的に透明な保護膜を実現するこ
とができた。 以下、図面を参照して、この出願の第四発明に係る実施
例として、不活性ガスと酸素との混合雰囲気における酸
素の含有率を種々(こ変え、前述した成膜用ターゲット
と組成調整用ターゲットとを同時にスパッタし、これに
よって得られた試料の複素屈折率を測定した結果につき
説明する。 く試料の製造条件〉 この測定では、前述した比較例及び実施例1〜18と同
様に、シリコンウェハの表面に2000 (A )の膜
厚で保護膜材料を被着形成した試料を用いた。 この試料の製造条件につき詳述すれば、まず、前述の実
施例2で用いたのと同一の寸法を有する、チタン酸スト
ロンチウム(SrTiO3)から成る成膜用ターゲット
とチタン(Ti)から成る組成調整用ターゲットとを用
意する。然る後、アルゴンと酸素とから成るスバ・yタ
ガスにおいで酸素が占める割合を0〜50(体積%)の
範囲内で種々に変え、このような被着雰囲気中において
、上述した組成調整用ターゲットと2f!類の成膜用タ
ーゲットとを同時にスパッタして成膜を行なった。 尚、この際の被着条件は、投入電力を500(W)、上
述した混合気体から成るスバ・ンタガスの圧力を3 (
mTorr)に統一しで行なった。 第1図及び第2図は、上述の製造条件により作製した各
々の試料につき、複素屈折率n−kiを測定した結果を
示す特性曲線図である。これら図において、第1図は、
縦軸に屈折率n及び横軸に酸素含有率(体積%)8採っ
て示し、第2図は縦軸に吸光係数k及び横軸に酸素含有
率(体積%)を採って示しである。 まず、第1図からも理解できるように、上述したスパッ
タガスにおける酸素含有率を高めでいくに従って、屈折
率nの減少傾向が認められた。 例えばスバ・ンタガスを酸素0(体積%)とした場合(
アルゴン100(体積%)とした前述の実施例21こ相
当)では屈折率nが2,23であるのに対して、酸素5
0(体積%)とした場合には屈折率nが2.1程度にま
で減少した。 また、第2図から理解できるように、吸光係数kについ
ても同様の傾向が見られ、スパッタガス中の酸素含有率
が0(体積%)である実施例2に相当する試料では吸光
係数kが0.03となった。 これに対して、酸素含有率を20(体積%)とした混合
雰囲気でスパッタを行なった場合には吸光係数kがOと
なるのが認められ、当該含有率を20(体積%)よりも
大きな値としでも、Oを示すのが認められた。 次に、上述したチタン酸ストロンチウムの代わりに、チ
タン酸バリウムを成膜用ターゲットとしで、アルゴンと
酸素との含有率を極少でこ変えて得られた試料の複素屈
折率を測定した結果につき説明する。尚、試料の作製に
係る種々の条件は、上述したチタン酸ストロンチウム(
SrTi03)の代わりにチタン酸バリウム(BaTi
O3)7&用いたことを除いて同一とし、シリコンウェ
ハの表面に2000(λ)の膜厚で保護膜材料を被着し
て作製した試料を用いて測定を行なった。 第3図及び第4図は、前述した第1図または第2図と同
様に複素屈折率n−kiを測定した結果を示す特性曲線
図である。これら図において、菓3図は、縦軸に屈折率
n及び横軸に酸素含有率(体積%)を採って示し、第4
図は縦軸に吸光係数k及び横軸に酸素含有率(体積%)
を採って示しである。 まず、第3図からも理解できるように、このチタン酸バ
リウムを用いて混合雰囲気中で被着形成した試料におい
ても、上述したチタン酸ストロンチウムの場合と同様に
、スパッタガスにおける酸素含有率を高めるに従って、
屈折率nの減少傾向が認められた。例えばスパッタガス
を酸素O(体積%)とした場合(アルゴン100(体積
%)とした前述の実施例6に相当)には屈折率nが2.
27となった。これに対して、スパッタガスにおける酸
素含有率を50(体積%)とした場合には、屈折率nか
2.1程度にまで減少した。 また、第4図から理解できるように、吸光係数kについ
でもチタン酸ストロンチウムと同様の傾向が見られ、ス
バ・シタガス中の酸素含有率がO(体積%)である試料
(実施例6に相当)では吸光係数kが0.02となった
。これに対して、酸素含有率を20(体積%)とした混
合雰囲気でスパッタを行なった場合には、チタン酸スト
ロンチウムの場合と同様に、吸光係数kが0となるのが
認められ、当該含有率を20(体積%)よりも大きな値
としてもOとなることが理解できる。 以上、この出願の発明に係る実施例につき、f!々の条
件で作製した記録媒体を試料として詳細に説明した。こ
こで、上述した製造方法と、各製造方法により作製され
た保護膜の組成との関係につき説明する。 上述した実施例のうち、実施例]、実施例5及び実施例
9に係る記録媒体は、従来周知のスパッタリシグ技術に
より保護膜を被着形成して作製したものである。また、
これに加えて、この出願の方法発明により作製された記
録媒体においても、特性測定の結果から理解できるよう
に、実施例1〜18に係る記録媒体(保護膜)では、は
ぼ同一の組成を有すると考えられる。これらの元素構成
において、例えばストロンチウム、バリウム及びチタン
といった金属元素については、例えばオージェ−効果を
利用した化学分析技術を用いて決定可能であるが、チタ
ン酸系の化合物の場合には、気体成分と成り易い酸素を
含む構成であるため、厳密な組成を決定することが難し
い。 しかしながら、例えば文献■:「誘電体部」(岡小天著
、第55〜77頁、現代工学社刊)からも理解できるよ
うに、例えばMOとTiOx−+との共融によりMTi
Gx(Mは金属元素)で表わされるチタン酸系の物質で
は、上述したMOが有する複素屈折率とTiOx−+が
有する複素屈折率との平均によって求めることかできる
。ざらに述べれば、上述したチタン酸系の物質ではXの
値が3に近い程、吸光係数kかOに近似することが知ら
れている。詳細に説明すると、−酸化チタン(Tie)
と上述した金属酸化物MOとにより得られるチタン酸塩
は吸収を有する(吸光係数kが0でない)のに対しで、
二酸化チタン(Ti02)と金属酸化物とにより得られ
るチタン酸塩は透明(吸光係数kが0)となることが知
られている。 このような光学的性質から、上述した実施例1〜18に
係る保護膜の組成を計算すれば、上述したXの値は2.
7≦×≦3.0となる。 以上、この発明の実施例につき詳細に説明したが、この
発明は上述した実施例にのみ限定されるものではないこ
と明らかである。 例えば、上述した実施例においては、この出願の方法発
明に係るスパッタカスとしてアルゴンを用いた場合につ
き説明したが、他の不活性ガスであっても同様の効果を
期待し得る。 また、実施例に係る記録媒体の構造として、第5図に示
す積層間係で構成したものを例示した。しかしながら、
この発明の光磁気記録媒体は、特定の積層関係によって
のみ効果が得られるものではなく、例えば反射膜または
その他の構成成分を付加して構成した場合であっても同
様の効果を得ることができる。 ざらに、上述した実施例では、Tb −Fe −Coか
ら成る磁性膜を用いた場合につき説明したが、これに限
定されるものではなく、種々のRE−TM金合金用いる
ことができる。 これら材料、寸法、配MS係、数値的条件及びその他、
上述した特定の条件は、この発明の目的の範囲内で、任
意好適な設計の変更及び変形を行ない得ること明らかで
ある。 (発明の効果) 上述した説明からも明らかなように、この出願の第一発
明に係る光磁気記録媒体によれば、保護膜材料として、
チタン酸ストロンチウム系化合物(SrTiOx)及び
チタン酸バリウム系化合物(8aTiOx)(但し、X
は2.7≦X≦3,0の値を表わす、)のうちから選ば
れた一方の物質または双方の混晶を保護膜としで用いる
構成と成している。これがため、従来の保護膜材料を具
えた記録媒体に比して、高い屈折率と低い吸光係数とを
実現することができ、ざらに耐食性の劣化を来すことが
ない。 また、この出願の第二発明に係る光磁気記録媒体の製造
方法(こよれば、前述した所定の材料から成る成膜用タ
ーゲットと組成調整用ターゲットとを同時にスパッタし
て保護膜を被着形成することにより、第一発明に係る記
録媒体r8容易に実現することができる。 ざらに、この出願の第三発明に係る光磁気記録媒体の製
造方法によれば、酸素を含む混合雰囲気中で前述した所
定の材料から成る成膜用ターゲットをスパッタして保護
膜形成することにより、第一発明に係る記録媒体を容易
に得ることができる。 これに加えて、この出願(こ係る第四発明の光磁気記録
媒体の製造方法によれば、上述した第二発明と第三発明
とを同時に適用することにより、第一発明に係る記録媒
体を容易に得ることができる。 従って、この出願に係る発明を適用することにより、優
れた特性を有する記録媒体を簡単かつ
第1図及び第3図は実施例を説明するため、縦軸に屈折
率n、及び横軸にスパッタ雰囲気における酸素含有率を
、夫々採って示す特性曲線図、第2図及び第4図は実施
例を説明するため、縦軸に吸光係数k、及び横軸にスパ
ッタ雰囲気における酸素含有率を、夫々採って示す特性
曲線図、 第5図は、従来の技術及び実施例を説明するため、光磁
気記録媒体の一構成例を概略的断面により示す説明図で
ある。 11・・・・基板、13a、13b・・・・・保護膜1
5・−・・磁性膜、17・・・・光磁気記録媒体。 特 許 出 願 人 沖電気工業株式会社 酸素含有率(体積%) 実施例の説明図 酸素含有率(体積%) 実施例の説明図 第4図 酸素含有率(体積%) 酸素含有率(体積%) 実施例の説明図 第2図 従来の技術及び実施例の説明図 第5図
率n、及び横軸にスパッタ雰囲気における酸素含有率を
、夫々採って示す特性曲線図、第2図及び第4図は実施
例を説明するため、縦軸に吸光係数k、及び横軸にスパ
ッタ雰囲気における酸素含有率を、夫々採って示す特性
曲線図、 第5図は、従来の技術及び実施例を説明するため、光磁
気記録媒体の一構成例を概略的断面により示す説明図で
ある。 11・・・・基板、13a、13b・・・・・保護膜1
5・−・・磁性膜、17・・・・光磁気記録媒体。 特 許 出 願 人 沖電気工業株式会社 酸素含有率(体積%) 実施例の説明図 酸素含有率(体積%) 実施例の説明図 第4図 酸素含有率(体積%) 酸素含有率(体積%) 実施例の説明図 第2図 従来の技術及び実施例の説明図 第5図
Claims (4)
- (1)基板上に、少なくとも、保護膜と磁性膜とを具え
て成る光磁気記録媒体において、 前記保護膜が、チタン酸ストロンチウム系 化合物(SrTiO_x)及びチタン酸バリウム系化合
物(BaTiO_x)(但し、Xは2.7≦X≦3.0
の値を表わす。)のうちから選ばれたいずれか一方の物
質または双方の混晶から成る ことを特徴とする光磁気記録媒体。 - (2)基板上に、少なくとも、保護膜と磁性膜とを具え
て成る光磁気記録媒体を製造するに当り、前記保護膜を
、チタン酸ストロンチウム (SrTiO_3)及びチタン酸バリウム(BaTiO
_3)のうちから選ばれたいずれか一方または双方から
成る成膜用ターゲットと、チタン(Ti)または酸化チ
タン(TiO_Y)(但し、Yは正数を表わす。)から
成る組成調整用ターゲットとを同時にスパッタして被着
形成する ことを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。 - (3)基板上に、少なくとも、保護膜と磁性膜とを具え
て成る光磁気記録媒体を製造するに当り、前記保護膜を
、チタン酸ストロンチウム (SrTiO_3)及びチタン酸バリウム(BaTiO
_3)のうちから選ばれたいずれか一方または双方から
成る成膜用ターゲットを不活性ガスと酸素との混合雰囲
気中でスパッタして被着形成する ことを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。 - (4)基板上に、少なくとも、保護膜と磁性膜とを具え
て成る光磁気記録媒体を製造するに当り、前記保護膜を
、チタン酸ストロンチウム (SrTiO_3)及びチタン酸バリウム(BaTiO
_3)のうちから選ばれたいずれか一方または双方から
成る成膜用ターゲットと、チタン(Ti)または酸化チ
タン(TiO_Y)(但し、Yは正数を表わす。)から
成る組成調整用ターゲットとを、不活性ガスと酸素との
混合雰囲気中で同時にスパッタして被着形成する ことを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63170567A JP2548311B2 (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
| US07/376,591 US4950547A (en) | 1988-07-08 | 1989-07-07 | Magneto-optical recording medium having protective film with increased Kerr effect and improved protection characteristic and manufacturing method of the same |
| US07/466,947 US5009762A (en) | 1988-07-08 | 1990-01-18 | Magneto-optical recording medium having protective film with increased kerr effect and improved protection characteristic and manufacturing method of the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63170567A JP2548311B2 (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0221441A true JPH0221441A (ja) | 1990-01-24 |
| JP2548311B2 JP2548311B2 (ja) | 1996-10-30 |
Family
ID=15907231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63170567A Expired - Fee Related JP2548311B2 (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2548311B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6109408A (en) * | 1997-01-29 | 2000-08-29 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Driving force transmission system |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4889498U (ja) * | 1972-01-31 | 1973-10-27 | ||
| JPS6430129U (ja) * | 1987-08-12 | 1989-02-23 | ||
| JPH01110030U (ja) * | 1988-01-20 | 1989-07-25 | ||
| JP3087580U (ja) * | 2002-01-28 | 2002-08-09 | 直樹 高橋 | 片手で開閉できる歯磨きチューブ |
-
1988
- 1988-07-08 JP JP63170567A patent/JP2548311B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4889498U (ja) * | 1972-01-31 | 1973-10-27 | ||
| JPS6430129U (ja) * | 1987-08-12 | 1989-02-23 | ||
| JPH01110030U (ja) * | 1988-01-20 | 1989-07-25 | ||
| JP3087580U (ja) * | 2002-01-28 | 2002-08-09 | 直樹 高橋 | 片手で開閉できる歯磨きチューブ |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6109408A (en) * | 1997-01-29 | 2000-08-29 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Driving force transmission system |
| US6315099B1 (en) | 1997-01-29 | 2001-11-13 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Driving force transmission system |
| US6510932B2 (en) | 1997-01-29 | 2003-01-28 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Driving force transmission system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2548311B2 (ja) | 1996-10-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0304873B1 (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPH05504993A (ja) | 磁気光学記録用多層体をスパッターする方法 | |
| JPS62267944A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2005135568A (ja) | 情報記録媒体とその製造方法、およびスパッタリングターゲット | |
| JPH0221441A (ja) | 光磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH06120029A (ja) | 垂直磁化膜、垂直磁化膜用多層膜及び垂直磁化膜の製造法 | |
| JPH057775B2 (ja) | ||
| WO2012120817A1 (ja) | 情報記録媒体とその製造方法 | |
| US8133565B2 (en) | Recording medium | |
| JPH01251356A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2503268B2 (ja) | 光磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH03156753A (ja) | 光記録媒体 | |
| CN102884577B (zh) | 信息记录介质及其制造方法 | |
| JP2882657B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS6189604A (ja) | 金属酸化物磁性体および磁性膜 | |
| JPH0660452A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH08213236A (ja) | 磁性多層膜およびその製造方法ならびに光磁気記録媒体 | |
| JPH035929A (ja) | 光記録媒体及びその製造方法 | |
| JPS6358641A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS59171054A (ja) | 磁気光学記憶素子 | |
| JPS62266746A (ja) | 光記録媒体及びその製造方法 | |
| JPS60214506A (ja) | 金属酸化物磁性体及び磁性膜 | |
| JPS60218807A (ja) | 酸化物フエリ磁性体及びこれを用いる光磁気記録媒体 | |
| JPH03134833A (ja) | 情報記録媒体の構造 | |
| JPS63197043A (ja) | 光デイスク |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |