JPS60218807A - 酸化物フエリ磁性体及びこれを用いる光磁気記録媒体 - Google Patents
酸化物フエリ磁性体及びこれを用いる光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS60218807A JPS60218807A JP7455884A JP7455884A JPS60218807A JP S60218807 A JPS60218807 A JP S60218807A JP 7455884 A JP7455884 A JP 7455884A JP 7455884 A JP7455884 A JP 7455884A JP S60218807 A JPS60218807 A JP S60218807A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording medium
- magneto
- magnetic
- optical recording
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compounds Of Iron (AREA)
- Hard Magnetic Materials (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はキュリ一温度が低く、酸化や腐蝕がなく、従っ
て磁気特性の劣化のない酸化物７工リ磁性体、及び透明
基板、垂直磁気異方性磁性薄膜層、および反射層からな
る光磁気記録媒体において、該垂直磁気異方性磁性薄膜
層が上記酸化物フェリ磁性体からなり、かつレーザー光
による情報の記録再生が可能な光磁気記録媒体に関する
。
て磁気特性の劣化のない酸化物７工リ磁性体、及び透明
基板、垂直磁気異方性磁性薄膜層、および反射層からな
る光磁気記録媒体において、該垂直磁気異方性磁性薄膜
層が上記酸化物フェリ磁性体からなり、かつレーザー光
による情報の記録再生が可能な光磁気記録媒体に関する
。
従来、非晶質磁性層を有する配録媒体を用いて光磁気記
録を行うことが知られている。
録を行うことが知られている。
しかしながら、とｔら非晶質磁性層は酸化され易く酸化
されると光磁気特性が劣化するために磁性層を形成した
直後にその上に保護層を設ける必要があシ、またこの保
護層のピンホールを完全に除去することは困難であるの
で製造上の難点がある。また、磁性膜作製時に真空中に
残存する酸素が磁性膜層中に多く取シ込まれるために記
録時の光熱によって酸化が促進し光磁気特性を劣化させ
る原因となる。また、酸化劣化のない磁性材料として六
方晶系Ｍ型フェライトがバブル材料として検討されてき
たが、この材料はキュリ一温度が４５０℃以上と高いた
めにレーザー光によって記録できる光磁気記録材料には
適用されていない。
されると光磁気特性が劣化するために磁性層を形成した
直後にその上に保護層を設ける必要があシ、またこの保
護層のピンホールを完全に除去することは困難であるの
で製造上の難点がある。また、磁性膜作製時に真空中に
残存する酸素が磁性膜層中に多く取シ込まれるために記
録時の光熱によって酸化が促進し光磁気特性を劣化させ
る原因となる。また、酸化劣化のない磁性材料として六
方晶系Ｍ型フェライトがバブル材料として検討されてき
たが、この材料はキュリ一温度が４５０℃以上と高いた
めにレーザー光によって記録できる光磁気記録材料には
適用されていない。
上記問題に鑑みて本発明はなされたものであって、その
目的はキュリ一温度が低く、酸化や腐蝕がなく且つ磁気
特性の劣化がなく、随気記録媒体に使用することによシ
、レーザー光によって記録再生が可能となる酸化物フェ
リ磁性体を提供することである。また、本発明の別の目
的はかかる酸化物フエＩＪ ｆｆｌ性体を用いて、キュ
リ一温度が低く且つ半導体レーザーによって記録可能な
光磁気記録媒体を提供することである。
目的はキュリ一温度が低く、酸化や腐蝕がなく且つ磁気
特性の劣化がなく、随気記録媒体に使用することによシ
、レーザー光によって記録再生が可能となる酸化物フェ
リ磁性体を提供することである。また、本発明の別の目
的はかかる酸化物フエＩＪ ｆｆｌ性体を用いて、キュ
リ一温度が低く且つ半導体レーザーによって記録可能な
光磁気記録媒体を提供することである。
上記目的を達成するために、本発明の酸化物フェリ磁性
体は一般式 ％式％） （式中、ＭｅはＢａ、ＳｒおよびＰｂからなる群よシ選
ばれた少なくとも１種の元素であシ、ＭｌはＧａおよび
ａからなる群よシ選ばれた少なくとも１種の元素でｈ’
）、ＭｎはＢｉ、４、Ｔｈ、 Ｄｙ、Ｈｏ、 Ｉａ、Ｙ
、 ｃｏ、 Ｚｎ、Ｔ１、ｓｅ。
体は一般式 ％式％） （式中、ＭｅはＢａ、ＳｒおよびＰｂからなる群よシ選
ばれた少なくとも１種の元素であシ、ＭｌはＧａおよび
ａからなる群よシ選ばれた少なくとも１種の元素でｈ’
）、ＭｎはＢｉ、４、Ｔｈ、 Ｄｙ、Ｈｏ、 Ｉａ、Ｙ
、 ｃｏ、 Ｚｎ、Ｔ１、ｓｅ。
■ｎ、 Ｓｎ、Ｏａ、 Ｃ！ｒ、 ＮｉおよびＧｅから
なる群よシ選ばれた少なくとも１種の元素であシ、１＜
ｘ≦８、ｏ＜ｙ≦６および１＜Ｘ＋７≦８で、ｍはＭｌ
のイオン価数、ｎはＭｌＨのイオン価数である）で表わ
されることを特体とする酸化物フェリ磁性体であシ、本
発明による光磁気記録媒体は透明基板上に上記一般式で
表わされる酸化物フエＩＪ ｆｆｌ性体からなる垂直磁
気異方性磁性薄膜層、および該磁性薄膜層上に反射層を
設けて構成される。
なる群よシ選ばれた少なくとも１種の元素であシ、１＜
ｘ≦８、ｏ＜ｙ≦６および１＜Ｘ＋７≦８で、ｍはＭｌ
のイオン価数、ｎはＭｌＨのイオン価数である）で表わ
されることを特体とする酸化物フェリ磁性体であシ、本
発明による光磁気記録媒体は透明基板上に上記一般式で
表わされる酸化物フエＩＪ ｆｆｌ性体からなる垂直磁
気異方性磁性薄膜層、および該磁性薄膜層上に反射層を
設けて構成される。
必要によシ、該磁性薄膜層と該反射層の間に透明誘電層
を設けることもできる。
を設けることもできる。
本発明における磁性薄膜層を構成する酸化物フエＩＪ
磁性体は、従来の一般式ＭｅＦｅ ＋ ２０１９型磁性
酸化物（例えばＭｅはＢａ、Ｓｒまたはｐｂである）は
キュリ一温度が４００℃以上と゛ 高く光磁気メモリー
に適用できないことに着目して、キュリ一温度をよシ低
くして光磁気記録媒体に適用できるように改良されたも
のである。すなわち、本発明ではＦｅの１部をイオン半
径が小さく置換が容易な前記一般式における少なくとも
１つのＭｌの元素、即ちａもしくはＧａ、またはその両
者で置換してキュリ〒温度を下けるように意図されてい
る。
磁性体は、従来の一般式ＭｅＦｅ ＋ ２０１９型磁性
酸化物（例えばＭｅはＢａ、Ｓｒまたはｐｂである）は
キュリ一温度が４００℃以上と゛ 高く光磁気メモリー
に適用できないことに着目して、キュリ一温度をよシ低
くして光磁気記録媒体に適用できるように改良されたも
のである。すなわち、本発明ではＦｅの１部をイオン半
径が小さく置換が容易な前記一般式における少なくとも
１つのＭｌの元素、即ちａもしくはＧａ、またはその両
者で置換してキュリ〒温度を下けるように意図されてい
る。
ＭｅＦｅ 、２０ 、ｑ型磁性酸化物中のＦｅをＧａも
しくはＡｔ、又はその両者で置換すると、そのキュリ一
温度は確かに降下するが、その保磁力（Ｈｃ）は高まり
、レーザー光による記録が困難となる。この欠点を解消
するために、磁性酸化物のＦｅの一部をさらに少なくと
も１つのＭｎの元素、即ち、Ｂｉ、Ｔｂ、・Ｇ＋ｉ、
Ｄｙ、 Ｈｏ、Ｌａ、 Ｙ、ｃｏ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｓｃ、
Ｓｎ、Ｃａ、Ｉｎ。
しくはＡｔ、又はその両者で置換すると、そのキュリ一
温度は確かに降下するが、その保磁力（Ｈｃ）は高まり
、レーザー光による記録が困難となる。この欠点を解消
するために、磁性酸化物のＦｅの一部をさらに少なくと
も１つのＭｎの元素、即ち、Ｂｉ、Ｔｂ、・Ｇ＋ｉ、
Ｄｙ、 Ｈｏ、Ｌａ、 Ｙ、ｃｏ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｓｃ、
Ｓｎ、Ｃａ、Ｉｎ。
Ｏｒ、Ｎｉ又はＧｅで置換して保磁力（Ｈｃ ）を下げ
、かつ該磁性酸化物のファラデー回転角を含むｌｉ＆気
特性及び光磁気特性の改良を計っている。
、かつ該磁性酸化物のファラデー回転角を含むｌｉ＆気
特性及び光磁気特性の改良を計っている。
ここで、本発明の酸化物磁性体の代表的な例をあげれば
次のとお９である。
次のとお９である。
ＢａＡ＃ａ 、Ｆｅ 、０１９、ＳｒＡ／ｊ）ａ４．５
Ｆｅ５Ｃｚ ｇ、ＢａＡ＄ａ ２ Ｇｅ ５ Ｆｅ ６
０１ｑ、ＢａＡｂｅｓ、７ｓＦｅ６０＋ｖ ％ＰｂＡ／
ｊ）ｅ ４．５Ｆｅ ５ｏ １ ｇ 、Ｂａ Ａｔ２Ｇ
ａ ５ Ｆｅ ７０ ＋ ｇ、ＳｒＡ／！ｆ）ｅ３．７
５Ｆｅ６０＋ｔ 、 ５ｒＬａＧａｓ、ｙｓＦｅ６ｃｈ
ｑ ％Ｅ３ａＧａ５ＴｂＦｅ６０ Ｉｇ、 ＢａＧａ
３ＤｙＦｅ６０１ ｇ、５ｒＧａＴｂ５ＦｅＢＯ１ｇ、
ＢａＧａ３ＤｙＦｅ６０１、ＢａＹＧａ４Ｆｅ７０＋
？ 、 ＢａＧａ３ＢｉＦｅａＯ，ｇ、５ｒＧａ４Ｂｉ
２Ｆｅ６０１９、ＢａＧａ４Ｂｉ２Ｆｌｌ１６０＋９、
ＢａＧａｊ５５０ｏＦｅ７０．ｇ、 ５ｒＧａ４Ｉｎ２
Ｆｅ６０１９〜ＢａＧａ３ＥｆＣＪ８６０１ ｇ 、Ｂ
ａＧａ３ＺｎＦｅ６０１ ｇ、Ｍ 、ＢａＡυｅ３Ｆｅ
７０１ｇ、 ＰｂＡＡ）ｅ ｓＦｅ ｙｏ ＋ ｒ 、Ｅ３ｒｌ’Ｊ
ｆ）ｅ５ Ｆｅ ７０１ｇ、ＢａＧａ’３Ｇ（１４Ｆ８
６．３０１ｇ 、ＢａＧａ３Ｂｉ２Ｆｅ７０１ｐ、Ｂａ
Ｇａ４ＺｎＦｅ ７０１ｇ、 ＳｒＧ、ａ５Ｓｎ １．
５Ｆｅ５０１ｇ、ＳＳｒＧａ４Ｔｉ２Ｆ８６０１゜ 次に、本発明を図面について説明する。
Ｆｅ５Ｃｚ ｇ、ＢａＡ＄ａ ２ Ｇｅ ５ Ｆｅ ６
０１ｑ、ＢａＡｂｅｓ、７ｓＦｅ６０＋ｖ ％ＰｂＡ／
ｊ）ｅ ４．５Ｆｅ ５ｏ １ ｇ 、Ｂａ Ａｔ２Ｇ
ａ ５ Ｆｅ ７０ ＋ ｇ、ＳｒＡ／！ｆ）ｅ３．７
５Ｆｅ６０＋ｔ 、 ５ｒＬａＧａｓ、ｙｓＦｅ６ｃｈ
ｑ ％Ｅ３ａＧａ５ＴｂＦｅ６０ Ｉｇ、 ＢａＧａ
３ＤｙＦｅ６０１ ｇ、５ｒＧａＴｂ５ＦｅＢＯ１ｇ、
ＢａＧａ３ＤｙＦｅ６０１、ＢａＹＧａ４Ｆｅ７０＋
？ 、 ＢａＧａ３ＢｉＦｅａＯ，ｇ、５ｒＧａ４Ｂｉ
２Ｆｅ６０１９、ＢａＧａ４Ｂｉ２Ｆｌｌ１６０＋９、
ＢａＧａｊ５５０ｏＦｅ７０．ｇ、 ５ｒＧａ４Ｉｎ２
Ｆｅ６０１９〜ＢａＧａ３ＥｆＣＪ８６０１ ｇ 、Ｂ
ａＧａ３ＺｎＦｅ６０１ ｇ、Ｍ 、ＢａＡυｅ３Ｆｅ
７０１ｇ、 ＰｂＡＡ）ｅ ｓＦｅ ｙｏ ＋ ｒ 、Ｅ３ｒｌ’Ｊ
ｆ）ｅ５ Ｆｅ ７０１ｇ、ＢａＧａ’３Ｇ（１４Ｆ８
６．３０１ｇ 、ＢａＧａ３Ｂｉ２Ｆｅ７０１ｐ、Ｂａ
Ｇａ４ＺｎＦｅ ７０１ｇ、 ＳｒＧ、ａ５Ｓｎ １．
５Ｆｅ５０１ｇ、ＳＳｒＧａ４Ｔｉ２Ｆ８６０１゜ 次に、本発明を図面について説明する。
本発明の光磁気記録媒体の層構成の一例を第１図に示す
、透明基板１上に磁性薄膜層２を設け、さらにこの上に
反射層３を順次設けたものである。透明基板としては石
英ガラス、パイレックスガラスなどを甲いることができ
る。磁性薄膜層２は本発明の上記酸化Ｑ’ｌ ｉ＋Ｈ性
体をスパッタリング法、蒸着法またはイオンビーム法等
によって透明基板１上に膜厚ｘ、ｏｏｏＸ 〜１ｏｏ、
ｏｏｏＫ −ｃ［ｌれる。
、透明基板１上に磁性薄膜層２を設け、さらにこの上に
反射層３を順次設けたものである。透明基板としては石
英ガラス、パイレックスガラスなどを甲いることができ
る。磁性薄膜層２は本発明の上記酸化Ｑ’ｌ ｉ＋Ｈ性
体をスパッタリング法、蒸着法またはイオンビーム法等
によって透明基板１上に膜厚ｘ、ｏｏｏＸ 〜１ｏｏ、
ｏｏｏＫ −ｃ［ｌれる。
反射膜層３としてはｃｕ、ｇ、ΔｇＸ Ａｕ、’ｐｔ等
の金属膜またはＴｉＮ 、ＴａＮ等の窒化物などが用い
られ好ましくは２００ｘ〜５，０００ Ｋ程度の厚さで
形成される。
の金属膜またはＴｉＮ 、ＴａＮ等の窒化物などが用い
られ好ましくは２００ｘ〜５，０００ Ｋ程度の厚さで
形成される。
また、第２図に示すように、磁性薄膜２の上に透明誘電
層４を光磁気特性の向上すなわちファラデー回転角をエ
ンハンスメント効果によシ増大する目的で設けることが
できる。
層４を光磁気特性の向上すなわちファラデー回転角をエ
ンハンスメント効果によシ増大する目的で設けることが
できる。
この透明誘電層としては５ｉ０２ 、ＳｉＯ、ＴｉＯ２
、Ｔｉ０１Ｃｅ０２等が用いられる。
、Ｔｉ０１Ｃｅ０２等が用いられる。
また、第３図に示すように、反射膜層３を保護するため
にプラスチック、ＴｉＮ 、 ５ｉ５Ｎ４、ＴａＮ Ｘ
ＳｉＯ２、ＳｉＯ等の保護膜６を設けることもできる。
にプラスチック、ＴｉＮ 、 ５ｉ５Ｎ４、ＴａＮ Ｘ
ＳｉＯ２、ＳｉＯ等の保護膜６を設けることもできる。
さらに、本発明の光磁気記録媒体には第３図に示すよう
に案内溝を有する案内層５を設けて記録、再生時のレー
ザー光をガイドすることもできる。この案内層５は磁性
薄膜層２上にＴＪ、Ｖポリマーを塗布した後凹凸の金型
を圧着し、硬化させた後金型を除去して得た凹凸プラス
チック策に反射膜層３をスパッタリング法または蒸着法
によって積層することによって作製することができる。
に案内溝を有する案内層５を設けて記録、再生時のレー
ザー光をガイドすることもできる。この案内層５は磁性
薄膜層２上にＴＪ、Ｖポリマーを塗布した後凹凸の金型
を圧着し、硬化させた後金型を除去して得た凹凸プラス
チック策に反射膜層３をスパッタリング法または蒸着法
によって積層することによって作製することができる。
以下に比較例と共に実施例を掲けて本発明をさらに詳し
く説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるも
のではない。
く説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるも
のではない。
実施例１
石英ガラス基板上に予めスパッタリングによって５１０
２を膜厚１．ｏｏｏＸで付着させ、その上にＢａＡ／Ｊ
ｌｌ）ａ４Ｆｅ７０＋ ９の組成よりなルター ケラト
を用いて、５５０℃の基板温度、０．３．ｍｍＴＯｒｒ
の酸素分圧および６０ ｍｍ Ｔｏｒｒの総ガス圧で２
５ｘ／分の膜作製速度において膜厚１０，０００Ｘの磁
性薄膜を積層した。次に、この磁性薄膜の上にさらにＵ
反射膜を膜厚１．ｏｏｏＸで積層して本発明による光磁
気記録媒体／Ｉ６１を作製した。
２を膜厚１．ｏｏｏＸで付着させ、その上にＢａＡ／Ｊ
ｌｌ）ａ４Ｆｅ７０＋ ９の組成よりなルター ケラト
を用いて、５５０℃の基板温度、０．３．ｍｍＴＯｒｒ
の酸素分圧および６０ ｍｍ Ｔｏｒｒの総ガス圧で２
５ｘ／分の膜作製速度において膜厚１０，０００Ｘの磁
性薄膜を積層した。次に、この磁性薄膜の上にさらにＵ
反射膜を膜厚１．ｏｏｏＸで積層して本発明による光磁
気記録媒体／Ｉ６１を作製した。
この光磁気記録媒体のキュリ一温度は２１０℃でＭＳは
８０ ｅｍｕ／ｃｃ ＸＨｃは４．５ ＫＯｅであり光
磁気記録媒体として良い特性であった。
８０ ｅｍｕ／ｃｃ ＸＨｃは４．５ ＫＯｅであり光
磁気記録媒体として良い特性であった。
本発明によるこの光磁気記録媒体／Ｉ６１にその表面に
対して垂直方向のｌ Ｑ ＫＯｅの磁界をかけて、該記
録媒体の磁化の方向を一定にし、次に、上記磁化方向と
は反対方向の０．５ ＫＯｅの磁界をかけながら、透明
基板方向から出力１０ｍＷ、波長ｓ ｏ ｏ ｎｍの半
導体レーザー光を媒体面約５・ｍＷで、周波数Ｉ ＭＨ
ｚのパルスで照射して、該記録媒体の磁界の方向を反転
させて、該記録媒体上に記録を行なったところ、ビット
径約１ ｓ、ｏ ｏ ｏ ７ｙの記録ビットが得られた
。
対して垂直方向のｌ Ｑ ＫＯｅの磁界をかけて、該記
録媒体の磁化の方向を一定にし、次に、上記磁化方向と
は反対方向の０．５ ＫＯｅの磁界をかけながら、透明
基板方向から出力１０ｍＷ、波長ｓ ｏ ｏ ｎｍの半
導体レーザー光を媒体面約５・ｍＷで、周波数Ｉ ＭＨ
ｚのパルスで照射して、該記録媒体の磁界の方向を反転
させて、該記録媒体上に記録を行なったところ、ビット
径約１ ｓ、ｏ ｏ ｏ ７ｙの記録ビットが得られた
。
実施例２
酸化物磁性体としてＳｒＡυａ４Ｆｅ７０＋９を使用す
る以外には実施例１と同様にして本発明による光磁気Ａ
２を作製した。キュリ一温度は２２０℃、ＭＳは１ ｔ
） Ｏｅｒｏｕ／ｃｃ’、 Ｈｃは４．０ｘｏｅ、＆、
光磁気記録媒体として優れた特性であった。
る以外には実施例１と同様にして本発明による光磁気Ａ
２を作製した。キュリ一温度は２２０℃、ＭＳは１ ｔ
） Ｏｅｒｏｕ／ｃｃ’、 Ｈｃは４．０ｘｏｅ、＆、
光磁気記録媒体として優れた特性であった。
実施例３
酸化物磁性体としてＢａａ２Ｇａ３Ｆｅ６０１ｇを使用
する以外には実施例１と同様にして本発明による光磁気
記録媒体／Ｉ６３を作製した。キュリ一温度は２２０℃
、Ｍｓは１０ ’Ｏｅｍｕ／ｃｃ 。
する以外には実施例１と同様にして本発明による光磁気
記録媒体／Ｉ６３を作製した。キュリ一温度は２２０℃
、Ｍｓは１０ ’Ｏｅｍｕ／ｃｃ 。
Ｈｃは４．０ ＫＯｅと、光磁気記録媒体として優れた
特性であった。
特性であった。
実施例４
酸化物磁性体としてＢａＧａ４Ｂｉ２Ｆｅ６０１ｇを使
用する以外には実施例１と同様にして本発明による光磁
気記録媒体Ａ４を作製した。キュリ一温度は２００℃、
Ｍｓは５０ ｅｍｕ／ｃｃ 、 Ｈｃは３．、ＱＫＯｅ
と、光磁気記録媒体として優れた特性であった。
用する以外には実施例１と同様にして本発明による光磁
気記録媒体Ａ４を作製した。キュリ一温度は２００℃、
Ｍｓは５０ ｅｍｕ／ｃｃ 、 Ｈｃは３．、ＱＫＯｅ
と、光磁気記録媒体として優れた特性であった。
実施例５
酸化物磁性体として５ｒＧａａＴｂＦｅ７０＋ ９を使
用する以外には実施例Ｉと同様にして本発明による光磁
気記録媒体／１６．５を作製した。キュリ一温度は２１
０℃、ＭＳば７ Ｑ ｅｍｕ／ｃｃ、 Ｈｃは１０．５
ＫＯｅと、光磁気記録媒体として優れた特性であった
。
用する以外には実施例Ｉと同様にして本発明による光磁
気記録媒体／１６．５を作製した。キュリ一温度は２１
０℃、ＭＳば７ Ｑ ｅｍｕ／ｃｃ、 Ｈｃは１０．５
ＫＯｅと、光磁気記録媒体として優れた特性であった
。
実施例６
酸化物磁性体としてＢａＧａ ４ ＤｙＦｅ ７０１９
を使用する以外には実施例１と同様にして本発明による
光磁気記録媒体４６を作製した。キュリ一温度は１８０
℃、Ｍｓは５０ ｅｍｕ／ｃｃ 、 Ｈｃはｌ ＫＯｅ
と、光磁気記録媒体として優れた特性であった。
を使用する以外には実施例１と同様にして本発明による
光磁気記録媒体４６を作製した。キュリ一温度は１８０
℃、Ｍｓは５０ ｅｍｕ／ｃｃ 、 Ｈｃはｌ ＫＯｅ
と、光磁気記録媒体として優れた特性であった。
実施例７
酸化物磁性体としてＢａＧａ３ＹＦｅ ＢＯＩ ９を使
用する以外には実施例１と同様にして本発明による光磁
気記録媒体／Ｉ６７を作製した。キュリ一温度は２１０
℃、Ｍｅは１００ ｅｍｕ／ｃｃ 、 Ｈｅは３ ＫＯ
ｅと、光磁気記録媒体として優れた特性であった。
用する以外には実施例１と同様にして本発明による光磁
気記録媒体／Ｉ６７を作製した。キュリ一温度は２１０
℃、Ｍｅは１００ ｅｍｕ／ｃｃ 、 Ｈｅは３ ＫＯ
ｅと、光磁気記録媒体として優れた特性であった。
比較例
ガラス基板上に、Ｔｂ／Ｆｅ−２２／７８の原子組成比
よりなる非晶質磁性膜をスパッタリング法により膜厚３
，００ＯＬで積層しさらにこの上に保護膜として５１０
２を膜厚２．０００大で積層して比較光磁気記録媒体を
作製した。
よりなる非晶質磁性膜をスパッタリング法により膜厚３
，００ＯＬで積層しさらにこの上に保護膜として５１０
２を膜厚２．０００大で積層して比較光磁気記録媒体を
作製した。
次に実施例１〜７および比較例において作製された光磁
気記録媒体をそれぞれ７０℃、９０％（ＲＨ）および２
００℃、常湿の環境下に４００時間加速保存テストした
後の酸化劣化の有無を磁気特性について判定した。その
結果を以下の表に記載する。
気記録媒体をそれぞれ７０℃、９０％（ＲＨ）および２
００℃、常湿の環境下に４００時間加速保存テストした
後の酸化劣化の有無を磁気特性について判定した。その
結果を以下の表に記載する。
（以下余白）
初期光磁気特性 加速保存テスト
ｍ（ｅｎｙ６ｃ） ）ｂ（ＫＯａ） 途（ｅｍ４ｃ）
Ｈｃ（ＫＯｓ） Ｍｓ（ｅ噌ｃ） ）ｂ（ＫＤｅ）卿１
１１ ８０ ４．５ ８０’ ５．０ ８５ ４５／）
０ 久０ ／ｌ）ｏ ￥０ ／／）Ｊ’ ４１．０〃２
替晰 栂憎 袷向 〃３ １００ ４．０ １００ ４．０ １１０ ４．
５＃４ ５０ ３．０ ５０ ３．０ ６５ ４．０〃
５ ７０．１０．５ ８０ ９．５ ８５１１．０／／
６ ５０ １．０ ５５ ０．９． ４５ １．２１７
１００ ３．０ ９０ ２．５ １００ ４．０比較
例 １５０ ２．０ ２００ ０．５ ２５０ ０．７
実施例１〜７の記録媒体については加速保存テスト後も
殆んど磁気特性の劣化は生じなかったが、比較例のもの
については５ｉ０２保護層山にピンホーβしが存在しこ
れからの酸化および磁性膜層内の酸素による酸化の促進
によってＨａが著しく低下した。
Ｈｃ（ＫＯｓ） Ｍｓ（ｅ噌ｃ） ）ｂ（ＫＤｅ）卿１
１１ ８０ ４．５ ８０’ ５．０ ８５ ４５／）
０ 久０ ／ｌ）ｏ ￥０ ／／）Ｊ’ ４１．０〃２
替晰 栂憎 袷向 〃３ １００ ４．０ １００ ４．０ １１０ ４．
５＃４ ５０ ３．０ ５０ ３．０ ６５ ４．０〃
５ ７０．１０．５ ８０ ９．５ ８５１１．０／／
６ ５０ １．０ ５５ ０．９． ４５ １．２１７
１００ ３．０ ９０ ２．５ １００ ４．０比較
例 １５０ ２．０ ２００ ０．５ ２５０ ０．７
実施例１〜７の記録媒体については加速保存テスト後も
殆んど磁気特性の劣化は生じなかったが、比較例のもの
については５ｉ０２保護層山にピンホーβしが存在しこ
れからの酸化および磁性膜層内の酸素による酸化の促進
によってＨａが著しく低下した。
実施例８
透明基板として使用する径１２０■の石英ガラス上に予
めスパッタリングによって、ＺｎＯのＣ−軸配向膜を膜
厚５００久で設け、次に、ＢａＡ７！Ｇａ ５Ｆｅ Ａ
０１９の組成のターゲット２枚を対向させ該ＺｎＯｃ
−軸配向膜上にＲｆ、マグネトロンスパッタリング法に
よって膜厚２ｏ、ｏｏｏＸの磁性膜を積層した。次に、
トランクピッチ３０，０００ＡＸｍＦ）Ｒさ１，０ＯＯ
Ｘ、トラック幅１０，０００ ’ｈの金型と該磁性薄膜
層上にＵ、Ｖ、ポリマーを塗布し互に圧着し、石英ガラ
ス基板側よりＵ、Ｖ、照射硬化後、金型を除去した。こ
のＵ、Ｖ、［化凹凸上に反射膜としてＡｇを膜厚ｘ、ｏ
ｏｏＸでスパッタリングにより積層し、更にこの上に保
護膜としてメチルメタクリレートホリマーをスピンコー
ドで１００μｍ付着させディスク状の本発明による光磁
気記録媒体Ａ６．８を作製した。
めスパッタリングによって、ＺｎＯのＣ−軸配向膜を膜
厚５００久で設け、次に、ＢａＡ７！Ｇａ ５Ｆｅ Ａ
０１９の組成のターゲット２枚を対向させ該ＺｎＯｃ
−軸配向膜上にＲｆ、マグネトロンスパッタリング法に
よって膜厚２ｏ、ｏｏｏＸの磁性膜を積層した。次に、
トランクピッチ３０，０００ＡＸｍＦ）Ｒさ１，０ＯＯ
Ｘ、トラック幅１０，０００ ’ｈの金型と該磁性薄膜
層上にＵ、Ｖ、ポリマーを塗布し互に圧着し、石英ガラ
ス基板側よりＵ、Ｖ、照射硬化後、金型を除去した。こ
のＵ、Ｖ、［化凹凸上に反射膜としてＡｇを膜厚ｘ、ｏ
ｏｏＸでスパッタリングにより積層し、更にこの上に保
護膜としてメチルメタクリレートホリマーをスピンコー
ドで１００μｍ付着させディスク状の本発明による光磁
気記録媒体Ａ６．８を作製した。
この光磁気記録媒体のキュリ一温度は２０５℃でＭｓは
７０ ｅｍＶｃｃ 、Ｈａは５．５ＫＯｅであり光磁気
記録媒体として良い特性であった。
７０ ｅｍＶｃｃ 、Ｈａは５．５ＫＯｅであり光磁気
記録媒体として良い特性であった。
本発明によるこの光磁気記録媒体４６．８にその表面に
対して垂直方向の１ＱＫＯｅの磁界をかけて、該記録媒
体の磁化の方向を一定にし、次に、上記磁化方向とは反
対方向の０．５ＫＯｅの磁界をかけながら、透明基板方
向から出力ｌＱｍＷ、波長８００ ｎｍの半導体レーザ
ー光を媒体面約５ ｍＷで周波数Ｉ ＭＨ２のパルスで
照射して、該記録媒体の磁界の方向を反転させて、該記
録媒体上に記録を行なったところ、ビット径約ｘ５．ｏ
ｏｏＫの記録ビットが得られた。
対して垂直方向の１ＱＫＯｅの磁界をかけて、該記録媒
体の磁化の方向を一定にし、次に、上記磁化方向とは反
対方向の０．５ＫＯｅの磁界をかけながら、透明基板方
向から出力ｌＱｍＷ、波長８００ ｎｍの半導体レーザ
ー光を媒体面約５ ｍＷで周波数Ｉ ＭＨ２のパルスで
照射して、該記録媒体の磁界の方向を反転させて、該記
録媒体上に記録を行なったところ、ビット径約ｘ５．ｏ
ｏｏＫの記録ビットが得られた。
実施例９
酸化物磁性体としてＢａＧａ３ＹＦｅＢＯ１、を使用す
る以外には実施例８と同様にして磁性薄膜層を形成した
。この上にさらに透明誘電層として厚さ２，０００久の
５ｉ０２層および厚さ３，０００Ｘのａ反射膜をスパッ
タリングにより順次形成させて本発明による記録媒体／
１６９を作製した。この光（−気記録媒体の磁気特性は
、キュリ一温度が２１０℃で、Ｍｓが８０ ｅｍｕ７ｃ
ｃ 。
る以外には実施例８と同様にして磁性薄膜層を形成した
。この上にさらに透明誘電層として厚さ２，０００久の
５ｉ０２層および厚さ３，０００Ｘのａ反射膜をスパッ
タリングにより順次形成させて本発明による記録媒体／
１６９を作製した。この光（−気記録媒体の磁気特性は
、キュリ一温度が２１０℃で、Ｍｓが８０ ｅｍｕ７ｃ
ｃ 。
Ｈｃが４．５ ＫＯｅと光磁気記録媒体として優れてい
た。
た。
上述のようにして構成された本発明の光磁気記録媒体は
、従来の非晶質磁性層を有する記録媒体に比較して酸化
安定性および光磁気特性が優れている点で大きな利点を
有する。
、従来の非晶質磁性層を有する記録媒体に比較して酸化
安定性および光磁気特性が優れている点で大きな利点を
有する。
第１図は本発明の光磁気記録媒体の基本構成を示す断面
図でありそして第２図および第３図は本発明の光磁気記
録媒体の別の構成を示す断面図である。 １・・・透明基板、２・・・磁性薄膜層、３・・・反射
層、４・・・透明誘電層、５・・・案内層、６・・・保
脛層。 特許出願人 株式会社 リ コ − 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図 手続補正書（麓） 昭和５９年８月３０日 １、事件の表示 昭和５９年特許願第７４５５８号 ２、発明の名称 酸化物フェリ磁性及びこれを用いる光磁気記録媒体３、
補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 〒１４３ 東京都大田区中馬込−丁目３番６号名
称 （６７４） 株式会社 リコー ４、補正命令の日付（発送日） 昭和５９年７月３１日
５、補正の対象 明細書の「発明の名称」の欄 ６、補正の内容 （１）明細書 第１、発明の名称の欄 「酸化物フェリ磁性体及びこれに用いる光磁気記録媒体
」を 「酸化物フェリ磁性体及びこれを用いる光磁気記録媒体
」と、補正する。
図でありそして第２図および第３図は本発明の光磁気記
録媒体の別の構成を示す断面図である。 １・・・透明基板、２・・・磁性薄膜層、３・・・反射
層、４・・・透明誘電層、５・・・案内層、６・・・保
脛層。 特許出願人 株式会社 リ コ − 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図 手続補正書（麓） 昭和５９年８月３０日 １、事件の表示 昭和５９年特許願第７４５５８号 ２、発明の名称 酸化物フェリ磁性及びこれを用いる光磁気記録媒体３、
補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 〒１４３ 東京都大田区中馬込−丁目３番６号名
称 （６７４） 株式会社 リコー ４、補正命令の日付（発送日） 昭和５９年７月３１日
５、補正の対象 明細書の「発明の名称」の欄 ６、補正の内容 （１）明細書 第１、発明の名称の欄 「酸化物フェリ磁性体及びこれに用いる光磁気記録媒体
」を 「酸化物フェリ磁性体及びこれを用いる光磁気記録媒体
」と、補正する。
Claims (2)
- （１）一般式 ”ＭＩｘＭ］ＩｙＦｅ Ｉ ２− （Ｂ
−Ｘ”？ ） ０１９５ （式中、ＭｅはＢａ、Ｓｒおよびｐｂからなる群よシ瑯
ばれた少なくとも１種の元素であシ、ＭｉはＧａおよび
ａからなる群よシ選ばれた少なくとも１種の元素であシ
、ＭＨはＢｉ、Ｇｄ。 Ｔｂ、 Ｄｙ、Ｈｏ、Ｌａ、Ｙ、 Ｃｏ、 ＺｎＸＴｉ
、 Ｓｃ。 ■ｎＸ Ｅｌｎ、Ｃａ、Ｃ！ｒ、ＮｉおよびＧｅからな
る群より選ばれた少なくとも１種の元素であシ、１≦Ｘ
≦８．０忘ｙ≦６および１怠ｘ＋ｙ≦８で、ｍはＭ（の
イオン価数、ｎはＭｌＨのイオン価数である）で表わさ
れる酸化物フェリ磁性体。 - （２） 透明基板、垂直磁気異方性磁性薄膜層および反
射層からなる光磁気記録媒体において、該垂直磁気異方
性磁性薄膜層が一般式 ％式％） （式中、ＭｅはＢａ、Ｓｒおよびｐｂからなる群より選
ばれた少なくとも１種の元素であり、Ｍ’ｉはＧａおよ
びａからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素であ
シ、ＭｌはＢ１、ＧＪＴｂ、 Ｄｙ、 Ｈｏ、 Ｌａ、
Ｙ、 Ｃｏ、 Ｚｎ、 Ｔｉ、Ｓｃ。 Ｉｎ、Ｓｎ、Ｃ！ａ、Ｏｒ、ＮｉおよびＧｅからなる群
よシ選ばれた少なくとも１３１の元素であり、１≦Ｘ≦
８、ｏ４ｙ≦６および１４ｘ＋ｙ≦８で、ｍはＭｌのイ
オン１曲数、ｎはＭＨのイオン価数である）で表わされ
る酸化物フェリ磁性体からなることを特徴とする、光磁
気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7455884A JPS60218807A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 酸化物フエリ磁性体及びこれを用いる光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7455884A JPS60218807A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 酸化物フエリ磁性体及びこれを用いる光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60218807A true JPS60218807A (ja) | 1985-11-01 |
Family
ID=13550676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7455884A Pending JPS60218807A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 酸化物フエリ磁性体及びこれを用いる光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60218807A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4764436A (en) * | 1985-05-20 | 1988-08-16 | Research Development Corporation Of Japan | Iron-oxygen based perpendicular magnetized anisotropic thin film |
-
1984
- 1984-04-13 JP JP7455884A patent/JPS60218807A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4764436A (en) * | 1985-05-20 | 1988-08-16 | Research Development Corporation Of Japan | Iron-oxygen based perpendicular magnetized anisotropic thin film |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS59188106A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0514407B2 (ja) | ||
| US5710746A (en) | Magneto-optical recording medium and reading method with magnetic layers of different coercivity | |
| JPH0550400B2 (ja) | ||
| JPS62175949A (ja) | 複合酸化物で保護された光磁気記録媒体 | |
| JPH0350344B2 (ja) | ||
| JPH0350343B2 (ja) | ||
| US4999260A (en) | Magneto-optical recording medium comprising a rare-earth-transition metal dispersed in a dielectric | |
| JPH02265052A (ja) | 光記録媒体の製造方法 | |
| JPS62170050A (ja) | 光磁気デイスク | |
| JPH03122846A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3381960B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3657667B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0660452A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS63269348A (ja) | 光磁気記録用媒体 | |
| Lin | Materials for magneto-optic data storage | |
| JPS60231936A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS62226449A (ja) | 光学的磁気記録媒体 | |
| JPH02110842A (ja) | 光磁気記録媒体および光磁気記録方法 | |
| JPS60202559A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH08213236A (ja) | 磁性多層膜およびその製造方法ならびに光磁気記録媒体 | |
| JPH01146145A (ja) | 光磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JPH04255933A (ja) | 二層式光磁気記録媒体 | |
| JPH0644624A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH07130015A (ja) | 光磁気記録媒体 |