JPH02214827A - 反射型アクティブマトリクス液晶表示装置 - Google Patents
反射型アクティブマトリクス液晶表示装置Info
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- JPH02214827A JPH02214827A JP1036992A JP3699289A JPH02214827A JP H02214827 A JPH02214827 A JP H02214827A JP 1036992 A JP1036992 A JP 1036992A JP 3699289 A JP3699289 A JP 3699289A JP H02214827 A JPH02214827 A JP H02214827A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、各画素毎に非線型素子を設けたアクティブ
マトリクス液晶表示装置の表示品質の向上に関する。
マトリクス液晶表示装置の表示品質の向上に関する。
この発明は、非線型抵抗素子を用いたアクティブマトリ
クス液晶表示装置において、少ない工程で、影が無く見
易い反射型の液晶表示装置を実現するようにしたもので
ある。
クス液晶表示装置において、少ない工程で、影が無く見
易い反射型の液晶表示装置を実現するようにしたもので
ある。
第６図は、２端子の非線型抵抗装置を用いたアクティブ
マトリクス液晶表示装置の等価回路図であり、第６図の
１１は行電極群、１２は列電極群で、通常各々１００本
から１０００本の電極からなる。行電極と列電極の交叉
点には、液晶１３と非線型素子１４が直列に形成される
。この両端に電圧を加えて液晶１３を駆動すると、等価
抵抗と等価容量からなる非線型抵抗素子１４の急激な抵
抗変化により、液晶１３の立上がり特性が、液晶単独で
駆動した場合と比べ大幅に急峻になる。第４図＋ａ＋は
第６図の中の１画素の部分の非線型抵抗素子を設けた従
来の基板の斜視図、第４図（ｂｌは第４図（ａｌの図Ａ
−Ａ’部の断面構造図である。ＩＴＯ等の透明電極１５
の上に珪素と窒素の化合物からなる非線型な電流電圧特
性を持つ窒化シリコン膜１６１行電極１７がガラス基板
１８の上に設けられている。この素子の透明電極１５と
行電極１７の間の電流電圧ｎ性を第５図に示す。第５図
で横軸は電圧、縦軸は素子に流れる電流の対数が示して
あり、急峻な電流電圧特性を持っていることがわかる。
マトリクス液晶表示装置の等価回路図であり、第６図の
１１は行電極群、１２は列電極群で、通常各々１００本
から１０００本の電極からなる。行電極と列電極の交叉
点には、液晶１３と非線型素子１４が直列に形成される
。この両端に電圧を加えて液晶１３を駆動すると、等価
抵抗と等価容量からなる非線型抵抗素子１４の急激な抵
抗変化により、液晶１３の立上がり特性が、液晶単独で
駆動した場合と比べ大幅に急峻になる。第４図＋ａ＋は
第６図の中の１画素の部分の非線型抵抗素子を設けた従
来の基板の斜視図、第４図（ｂｌは第４図（ａｌの図Ａ
−Ａ’部の断面構造図である。ＩＴＯ等の透明電極１５
の上に珪素と窒素の化合物からなる非線型な電流電圧特
性を持つ窒化シリコン膜１６１行電極１７がガラス基板
１８の上に設けられている。この素子の透明電極１５と
行電極１７の間の電流電圧ｎ性を第５図に示す。第５図
で横軸は電圧、縦軸は素子に流れる電流の対数が示して
あり、急峻な電流電圧特性を持っていることがわかる。
これによりコントラスト比の優れた液晶表示装置が実現
できる。
できる。
このパネルの断面構造は第２図ｔａ＋に示すごとくであ
る。即ち、反射板１９．偏光板（５）２０．偏光板（Ｂ
２１、一方のガラス基板囚２２．他方のガラス基板（Ｂ
２３、ガラス基板ＡとＢに挟まれた液晶層２４がらなり
、この実施例では非線型抵抗素子はガラス基板（１３）
２３の上に設けられている。第２図（ａｌに示すごとく
、外部からパネルに入射した光は入射時と、反射板１９
で反則された後とに、行電極２５と列電極２６の間に電
圧を印加し、液晶Ｎ２，１で変調することができる。こ
こでガラス基板（Ｖが単位表示画素の大きざ（高精細タ
イプのパネルでは〜０．３ｍｍ）に比べて厚い場合（液
晶パネルで通常用いられているガラスの厚さは〜１鮪）
は入射光を変調してできる像と、反射光を変調してでき
る像では見掛けの位置に視差ができ、表示装置としては
隣合う画素の像が重なり合うので解像度が大幅に低下す
る。
る。即ち、反射板１９．偏光板（５）２０．偏光板（Ｂ
２１、一方のガラス基板囚２２．他方のガラス基板（Ｂ
２３、ガラス基板ＡとＢに挟まれた液晶層２４がらなり
、この実施例では非線型抵抗素子はガラス基板（１３）
２３の上に設けられている。第２図（ａｌに示すごとく
、外部からパネルに入射した光は入射時と、反射板１９
で反則された後とに、行電極２５と列電極２６の間に電
圧を印加し、液晶Ｎ２，１で変調することができる。こ
こでガラス基板（Ｖが単位表示画素の大きざ（高精細タ
イプのパネルでは〜０．３ｍｍ）に比べて厚い場合（液
晶パネルで通常用いられているガラスの厚さは〜１鮪）
は入射光を変調してできる像と、反射光を変調してでき
る像では見掛けの位置に視差ができ、表示装置としては
隣合う画素の像が重なり合うので解像度が大幅に低下す
る。
そこで、この発明は従来の欠点を解決するためになされ
たもので、少ない工程で反射像の見えない解像度とコン
１−ラスト壮に優れた、非線型２端子素子を用いた反射
型アクティブマトリクス液晶表示装置を提供することを
目的とするものである。
たもので、少ない工程で反射像の見えない解像度とコン
１−ラスト壮に優れた、非線型２端子素子を用いた反射
型アクティブマトリクス液晶表示装置を提供することを
目的とするものである。
上記問題点を解決するために、この発明は、アクティブ
マトリクス基板の液晶駆動電極として不透明な金属電極
を用い、反射板を液晶セル内に設ける。
マトリクス基板の液晶駆動電極として不透明な金属電極
を用い、反射板を液晶セル内に設ける。
液晶駆動電極として不透明な金属材料を用いることがで
きる。また不透明な非線型抵抗膜を表示領域から除去し
なくとも良いので製造工程を減らすことができる。また
反射板と液晶セルの間のガラスの厚さによる視差を実質
的にゼロにできる。
きる。また不透明な非線型抵抗膜を表示領域から除去し
なくとも良いので製造工程を減らすことができる。また
反射板と液晶セルの間のガラスの厚さによる視差を実質
的にゼロにできる。
第２図に、本発明による７１−リクス液晶表示装置の断
面構造図を示す。行電極１１列電極２．液晶セル３は第
２図（ａｌの従来の実施例と同様に配置されている。図
の入射光線の軌跡で示すように実質的に影を作らず表示
することが出来る。第１図（ａ）には単位セルに相当す
る絶縁基板の斜視図を、第１図（ｂｌにはその断面構造
図を示す。クロム、アルミニウム等の金属でできた信号
入力電極４の上に珪素、窒素、炭素などからなる非線型
抵抗膜５を全面に形成し、更にその上に非線型抵抗膜５
をはさんで、信号入力電極４と一部が重なるように液晶
駆動電極６を設は非線型素子を形成する。液晶駆動電極
６の材料としてはアルミニウム、モリブデン、クロム等
の金属からなる。非線型素子の設けられる絶縁基板７は
従来の液晶表示装置と異なり必ずしも透明である必要は
ない。液晶材料として電界効果型のゲストホスト型液晶
を用いると偏光板で偏光された状態により液晶中での染
料による吸収が異なるもので表示が可能となる。通例で
はセルに電圧が印加された状態では、電界効果型の液晶
分子は縦に配向し入射光は吸収されずに反射する状態に
なる。この場合、液晶駆動電極の表面を乱反射が可能な
粗面にしておくと電圧印加で白、電圧が印加されていな
い状態で黒の表示になる。
面構造図を示す。行電極１１列電極２．液晶セル３は第
２図（ａｌの従来の実施例と同様に配置されている。図
の入射光線の軌跡で示すように実質的に影を作らず表示
することが出来る。第１図（ａ）には単位セルに相当す
る絶縁基板の斜視図を、第１図（ｂｌにはその断面構造
図を示す。クロム、アルミニウム等の金属でできた信号
入力電極４の上に珪素、窒素、炭素などからなる非線型
抵抗膜５を全面に形成し、更にその上に非線型抵抗膜５
をはさんで、信号入力電極４と一部が重なるように液晶
駆動電極６を設は非線型素子を形成する。液晶駆動電極
６の材料としてはアルミニウム、モリブデン、クロム等
の金属からなる。非線型素子の設けられる絶縁基板７は
従来の液晶表示装置と異なり必ずしも透明である必要は
ない。液晶材料として電界効果型のゲストホスト型液晶
を用いると偏光板で偏光された状態により液晶中での染
料による吸収が異なるもので表示が可能となる。通例で
はセルに電圧が印加された状態では、電界効果型の液晶
分子は縦に配向し入射光は吸収されずに反射する状態に
なる。この場合、液晶駆動電極の表面を乱反射が可能な
粗面にしておくと電圧印加で白、電圧が印加されていな
い状態で黒の表示になる。
本発明の他の実施例としては液晶駆動電極の表面を偏光
性を有する反射電極とする。この実現手段としては可視
光の波長程度の間隔で電極に凹凸をつける。あるいはパ
ターンを形成することでなされる。他の偏光性の反射電
極を実現する手段としては偏光性を有する薄膜を電極の
上に塗布することができる。
性を有する反射電極とする。この実現手段としては可視
光の波長程度の間隔で電極に凹凸をつける。あるいはパ
ターンを形成することでなされる。他の偏光性の反射電
極を実現する手段としては偏光性を有する薄膜を電極の
上に塗布することができる。
第３図で、本発明のアクティブマトリクス液晶表示装置
製造方法の実施例について説明する。
製造方法の実施例について説明する。
第３図ｔａ＋〜（Ｃ）は、本発明のマトリクス液晶表示
装置の基板の製造工程順を示す一実施例の断面図で、絶
縁基板７の上にクロム、アルミニウム等の金属からなる
信号入力電極４を選択的に形成する工程（第３図（ａｌ
＞、非線型抵抗膜５と導電膜６を連続的に堆積する工程
（第３図ｆｂ））、フ、ｒ ）レジストを塗布し、液晶
駆動電極のパターンを露光、現像しフォトレジストをマ
スクとして導電膜６を選択的に除去し、液晶駆動電極６
を形成する工程（第３図（Ｃ））とからなる。液晶駆動
電極６の表面を粗にするには、 （１） スパッタ等の方法で成膜するときの条件を適
当なものにする。
装置の基板の製造工程順を示す一実施例の断面図で、絶
縁基板７の上にクロム、アルミニウム等の金属からなる
信号入力電極４を選択的に形成する工程（第３図（ａｌ
＞、非線型抵抗膜５と導電膜６を連続的に堆積する工程
（第３図ｆｂ））、フ、ｒ ）レジストを塗布し、液晶
駆動電極のパターンを露光、現像しフォトレジストをマ
スクとして導電膜６を選択的に除去し、液晶駆動電極６
を形成する工程（第３図（Ｃ））とからなる。液晶駆動
電極６の表面を粗にするには、 （１） スパッタ等の方法で成膜するときの条件を適
当なものにする。
（２） 膜形成後表面を軽度にエツチングする。
（３）膜形成後０．３〜５μのピンチの円形、四角等の
形状をマスクを用いて電極の上に形成する。
形状をマスクを用いて電極の上に形成する。
などがある。
（３）の方法はスリット状のパターンを用いると偏光性
の反射板を形成することにも同様の工程で実現できる。
の反射板を形成することにも同様の工程で実現できる。
以上に記した本発明の実施例ではフォトマスク工程が２
回のみでマスク合わせの必要な工程は１回である。
回のみでマスク合わせの必要な工程は１回である。
以上述べてきたように本発明によると、非線型抵抗素子
を用いた反射型アクティブマトリクス液晶表示装置に、
工程を増さずに反射電極を液晶セル内に形成できる。い
わゆる影の表示を妨げるので解像度とコンｉ・ラスト比
に優れた表示装置が実現できる。
を用いた反射型アクティブマトリクス液晶表示装置に、
工程を増さずに反射電極を液晶セル内に形成できる。い
わゆる影の表示を妨げるので解像度とコンｉ・ラスト比
に優れた表示装置が実現できる。
第１図（ａ）は本発明によるアクティブマトリクス液晶
表示装置の一実施例の基板の斜視図、第１図ｔｂ＋はそ
の斜視Ｘ−Ｘ”断面図、第２図（ａｌは従来の反射型ア
クティブ液晶表示装置の断面構造図、第２図（ｂｌは本
発明による反射型アクティブマトリクス液晶表示装置の
断面構造図、第３図（ａｌ〜［０１は本発明の反射型ア
クティブマトリクス表示装置の製造工程を示す図、第４
図ｆａｔは従来のアクティブマトリクス表示装置の非線
型素子を設けた基板の斜視図、第４図（ｂ）は従来のア
クティブマトリクス表示装置のＡ−Ａ’部分の断面図、
第５図は非線型素子の電流電圧特性を示すグラフ、第６
図は２端子型の非線型素子を用いたアクティブマトリク
ス表示装置の等価回路図である。 ■・・・行電極 ２・・・列電極 ３・・・液晶セル ４・・・信号入力電極 ５・・・非線型抵抗膜 ６・・・液晶駆動電極 ７・・・絶縁基板 以−に ２７一
表示装置の一実施例の基板の斜視図、第１図ｔｂ＋はそ
の斜視Ｘ−Ｘ”断面図、第２図（ａｌは従来の反射型ア
クティブ液晶表示装置の断面構造図、第２図（ｂｌは本
発明による反射型アクティブマトリクス液晶表示装置の
断面構造図、第３図（ａｌ〜［０１は本発明の反射型ア
クティブマトリクス表示装置の製造工程を示す図、第４
図ｆａｔは従来のアクティブマトリクス表示装置の非線
型素子を設けた基板の斜視図、第４図（ｂ）は従来のア
クティブマトリクス表示装置のＡ−Ａ’部分の断面図、
第５図は非線型素子の電流電圧特性を示すグラフ、第６
図は２端子型の非線型素子を用いたアクティブマトリク
ス表示装置の等価回路図である。 ■・・・行電極 ２・・・列電極 ３・・・液晶セル ４・・・信号入力電極 ５・・・非線型抵抗膜 ６・・・液晶駆動電極 ７・・・絶縁基板 以−に ２７一
Claims (3)
- （１）２端子非線型抵抗素子と液晶からなる画素をマト
リクス状に配置したアクティブマトリクス液晶表示装置
の非線型素子を形成した基板において、少なくとも信号
入力電極及び表示領域を被うように非線型抵抗膜が形成
され、非線型抵抗膜の上に不透明な液晶駆動電極が形成
されていることを特徴とする反射型アクティブマトリク
ス液晶表示装置。 - （２）反射電極には偏光性を有する層が設けられている
ことを特徴とする請求項１項記載のアクティブマトリク
ス液晶表示装置。 - （３）少なくとも （ａ）絶縁基板上に、第一導電膜からなる信号線電極を
選択的に形成する第一工程 （ｂ）非線型抵抗膜を堆積する第二工程 （ｃ）第二の不透明な導電膜を堆積し、液晶表示電極を
選択的に形成する第三工程 とからなる反射型アクティブマトリクス液晶表示装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3699289A JP2844075B2 (ja) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | 反射型アクティブマトリクス液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3699289A JP2844075B2 (ja) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | 反射型アクティブマトリクス液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02214827A true JPH02214827A (ja) | 1990-08-27 |
| JP2844075B2 JP2844075B2 (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=12485239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3699289A Expired - Fee Related JP2844075B2 (ja) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | 反射型アクティブマトリクス液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2844075B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003029889A1 (fr) * | 2001-09-28 | 2003-04-10 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Procede de formation d'une electrode de reflexion et d'un afficheur a cristaux liquides |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55166626A (en) * | 1979-06-04 | 1980-12-25 | Timex Corp | Liquid crystal display device |
| JPS5835516A (ja) * | 1981-08-26 | 1983-03-02 | Canon Inc | 電気光学装置 |
| JPS634221A (ja) * | 1986-06-24 | 1988-01-09 | Canon Inc | 光学的情報記録担体 |
| JPS644721A (en) * | 1987-06-29 | 1989-01-09 | Seiko Epson Corp | Active device |
-
1989
- 1989-02-16 JP JP3699289A patent/JP2844075B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55166626A (en) * | 1979-06-04 | 1980-12-25 | Timex Corp | Liquid crystal display device |
| JPS5835516A (ja) * | 1981-08-26 | 1983-03-02 | Canon Inc | 電気光学装置 |
| JPS634221A (ja) * | 1986-06-24 | 1988-01-09 | Canon Inc | 光学的情報記録担体 |
| JPS644721A (en) * | 1987-06-29 | 1989-01-09 | Seiko Epson Corp | Active device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003029889A1 (fr) * | 2001-09-28 | 2003-04-10 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Procede de formation d'une electrode de reflexion et d'un afficheur a cristaux liquides |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2844075B2 (ja) | 1999-01-06 |
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