JPH02214958A - プロセツサのポートを拡張するためにそのプロセツサへ結合される装置 - Google Patents

プロセツサのポートを拡張するためにそのプロセツサへ結合される装置

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JPH02214958A
JPH02214958A JP32618589A JP32618589A JPH02214958A JP H02214958 A JPH02214958 A JP H02214958A JP 32618589 A JP32618589 A JP 32618589A JP 32618589 A JP32618589 A JP 32618589A JP H02214958 A JPH02214958 A JP H02214958A
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JP32618589A
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Robert E Larsen
ロバート・イー・ラールセン
Khandker N Quader
カーンドカー・エヌ・クエーダー
Joseph H Salmon
ジヨセフ・エイチ・サーモン
Terry L Kendall
テリー・エル・ケンダル
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Intel Corp
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    • G06F13/10Program control for peripheral devices
    • G06F13/12Program control for peripheral devices using hardware independent of the central processor, e.g. channel or peripheral processor
    • G06F13/124Program control for peripheral devices using hardware independent of the central processor, e.g. channel or peripheral processor where hardware is a sequential transfer control unit, e.g. microprocessor, peripheral processor or state-machine
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はメモリ装置の分野に関するもので1、とくにマ
イクロ制御器で構成される外部メモリに関するものであ
る。
〔従来の技術〕
半導体メモリの分野においては、消去可能なプログラマ
ブル読出し専用メモリ(EPROM)  の設計と製造
は周知である。それらのEPROM装置は半導体チップ
上に形成され、32Kまたは64にのような標準化され
た容量のメモリとして典型的に構成される。それらのメ
モリチップは典型的には標準的なパッケージ内に配置さ
れる。gPROMのような半導体メモリ装置は他の半導
体装置とともに動作するために結合される。はとんどの
場合に、EPROMとメモリ装置の間のデータの転送を
制御するプロセッサへEPROMが結合される。
基本的な構成においては、gPROMのあるメモリ場所
は、プロセッサがメモリへ結合されているアドレス線に
アドレス信号を発生した時に、プロセッサによりアクセ
スされる。プロセッサにより供給される制御信号に応じ
て、データは、メモリへ書込まれる、すなわちプログラ
ムされ、またはメモリから読出される。メモリへ結合さ
れているデータバスに適切な情報を置くことによりデー
タ転送が行われる。EPROMがプログラマブル論理ア
レイ装置のようなより大きい構造の一部でなければ、E
FROMは、アドレッシングおよびデータ転送を行うた
めに必要な回路以外の処理回路を含壕ない。
gPROMとともに動作するために用いられる1つのプ
ロセッサ群がマイクロ制御器として知られている。マイ
クロ制御器は、特注の応用を含めて、特別な応用に応え
るために用いられる特殊化されたプロセッサである。そ
れらの制御器は動作必要なものを全て含んでおり、プロ
セッサ、論理回路、タイミング回路、制御回路、バッフ
ァ、ラッチおよびオンチップメモリを典型的に含むこと
ができる。tlとんどの場合に、制御器チップに特定の
アプリケーションソフトウェアが埋込まれる。それらの
制御器は、情報をやシとシするための入力/出力(I 
/O )ポートも含む。
しかし、上記のEFROM  のような外部メモリが与
えられた制御器へ結合されると、それは制御器の1つま
たは複数のポートへ常に結合される。
すなわち、制御器の与えられた機能のために、与えられ
たマイクロ制御器オフチップメモリを必要としたとする
と、オフチップメモリが制御器の1つまたは複数のポー
トへ結合される。Iloを使用するためにそれらのポー
トは失われる。別のオフチップ回路を用いないと、マイ
クロ制御器へ外部メモリを結合するにはそれのI/O性
能に厳しい制約が課される。その理由は、外部メモリが
マイクロ制御器の1つまたは複数のポートを独占するか
らである。
〔発明が解決しようとする課題〕
求められているのは、制御器のI/Oポートの数を減少
すること力しに、外部メモリをマイクロ制御器へ結合す
る技術である。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、マイクロ制御器へ結合すべき外部メモリを提
供するが、マイクロ制御器へポート拡張器を結合したこ
とにより使用されなくなったそれらのポートを再び使用
するようにするためのホト拡張器を提供するものである
。要するに、ホト拡張器はマイクロ制御器からのポート
の総数を増大し、しかも外部メモリをマイクロ制御器へ
結合するものである。本発明のポート拡張器は1つの半
導体装置で製造され、特殊な接着剤回路を使用すること
を要し力い。
好適な実施例のポート拡張器はマイクロ制御器の2つの
ポートへ結合される。各ポートは8ビツトポートである
。ポート拡張器をマイクロ制御器の2つのポートへ結合
するバスにおいて16ビツトアドレス信号と8ビツトデ
一タ信号が多重化される。ポート拡張器は32にパイ)
EPROMと、不揮発性構成のレジスタと、外部メモリ
性能およびポート拡張性能をマイクロ制御器に持たせる
特殊機能レジスタ/ポート制御器とを含む。ポート拡張
器のEPROMは外部メモリをマイクロ制御器に提供す
る。しかし、I/O装置と占められたポートの間のデー
タ転送がポート拡張器の拡張ポートを介して行われる。
ポート拡張器はI/O装置とマイクロ制御器の間のデー
タ転送点としてほぼ動作する。したがって、マイクロ制
御器とホト拡張器のgPROM 0間またはマイクロ制
御器とポート拡張器を介する外部装置の間でデータ転送
を行うことができる。構成レジスタは、マイクロ制御器
によp liEPROM tたは特殊機能レジスタを指
図お↓びアドレスするためにプログラム可能なレジスタ
セットを構成する。本発明のポート拡張器は、試験モー
ドに不意に入ることを阻止する特殊な試験起動回路も含
む。試験モードに入るためには、妥当ガ試験モードコー
ドを、マイクロ制御器へ結合されているポートラッチの
1つへ書込まねばならない。第2の条件として、マイク
ロ制御器へ結合されている他のポートラッチへ妥当な試
験モード可能化コードを書込まねばならない。
次に、電圧が約12ボルトである読出し信号を十分に長
い時間持続させねばならない。3つの条件の全てが満さ
れると、ポート拡張器はそれの試験モードに入る。グリ
ッチおよびノイズパルスのよウナ短いパルスが意図しな
いのに試験モードを起動しないように、読出し信号の持
続時間がパルス幅検出器により測定される。満さなけれ
ばならない3つの必要条件を設けることにより、意図し
ないのに試験モードに入ることを阻止するのに十分な安
全対策が講じられる。
以下の説明においてはポート拡張を行い、かつチップ外
部のメモリを提供する装置について説明する。本発明を
完全に理解できるようにするために、以下の説明におい
ては、特定のメモリ容量、信号線等のような特定の事項
の詳細について数多く述べである。しかし、そのよう々
特定の詳細事項なしに本発明を実施できることが当業者
には明らかであろう。その他の場合には、本発明を不必
要に詳しく説明して本発明をあいまいにしないようにす
るために、周矧の構造およびプロセスは詳しくは説明し
ない。
〔実施例〕
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
オす、外部メモリをマイクロ制御器へ結合する従来の技
術が示されている第1図を参照する。マイクロ制御器1
2へ結合される外部メモリとしてEPROM 11が示
されている。マイクロ制御器12は複数のポートを介し
て外部装置と通信する。第1図に示されている特定の例
は4つのポート0〜3を有するマイクロ制御器12を示
す。第1図に特定の例が示されているが、入力/邑力(
I/O)ポートを有する各種のマイクロ制御器が従来の
技術において良く知られている。従来のマイクロ制御器
の特定の例が、アメリカ合衆国カリホルニア州すンタ・
クララ(Santa C1ara)所在のインテルφコ
ーポレーション(Intel Corporation
)  にょシ製造されている8051 、8096 。
goissマイクロ制御器ファミリイに関連する装置を
含む。
第1図に示す例においては、マイクロ制御器12のポー
トのうちの2つのポー1−0と2がそれぞれバス13.
14により外部メモリEPROM11へ結合される。バ
ス13.14は双方向バスであって、EPItOMll
  とマイクロ制御器12の双方向ポー)0.2との間
で情報を転送するためのものである。アドレス信号とデ
ータ信号をバス13と14へ結合するために種々の従来
技術が知られている。更に、与えられたバス13または
14がマイクロ制御器12からアドレス情報をEPRO
M 11へ結合するためにのみ用いられるものとすると
、それらのバスは双方向バスである必要はない。また、
マイクロ制御器12とF、PROM11の間で制御信号
が制御線15が結合される。
典型的な動作においては、マイクロ制御器12はアドレ
ス信号を発生する。それらのアドレス信号は、EPRO
M11のアドレス場所をアクセスするためにバス13と
14の少くとも一方を介してEPROM 11へ結合さ
れる。それからバス13と14の少くとも一方を介して
データがEPROM11 へ書込まれ、またはEPRO
M 11から読出される。与えられたバスへアドレス信
号とデータ信号を結合できるように、アドレス信号とデ
ータ信号を多重化できることを認めるべきである。
EPROM 11のような外部メモリを使用するには、
第1図に示されている例において2つのポートを専用す
ることを必要とする。マイクロ制御器12にはそれのI
/O通信のためにポート1と3だけが残される。Ilo
 データ転送を行うためにバス16と17がポート1と
3へそれぞれ結合される。第1図に示すように、外部メ
モリを4ポートマイクロ制御器12へ結合するために2
つのホトを用いると、マイクロ制御器12は他の2つの
ポート1と3を利用できるだけである。ポートOと2を
回復するために特殊化された「接着剤」回路を用いてI
loとEPROM 11をポートOと2へ必要な結合を
行うことを必要とする。
次に、第1図のマイクロ制御器12に等しい4ポートマ
イクロ制御器12aへ本発明のポート拡張器20が結合
されている状態が示されている第2図を参照する。ポー
ト拡張器20はEPROM21を含む。このEPROM
21は第1図に示されているEPROM11に等しい。
ポート拡張器20はバス13a、14aを介してマイク
ロ制御器12aのポート0と2へ結合される。制御信号
がマイクロ制御器12aとポート拡張器20の間で制御
線15aを介して結合される。ポート1と3はバス16
a。
17aをそれぞれ介して種々のI/O装置へ結合される
。第1図に示されている部分と同じ部分を他の図で示す
ために、第1図に示されている部分を表す参照番号に添
字raJをつけて、他の図の対応する部分を表すことに
する。
アドレス情報とデータ情報がマイクロ制御器12aのポ
ートOと2から供給され、EPROM 21が第1図を
参照して説明したようにしてアクセスされる。EPRO
M 21に加えて、ポート拡張器20はポートAとBを
含む。ポートAとBを有することの目的は、外部メモリ
21がポートOと2へ結合される時に、Iloのために
ポー)0と2を使用を再び行うことでおる。どれを行う
ために、本発明のポート拡張器20はポートOと2から
信号を受け、それらの信号の宛先を選択する。
マイクロ制御器12aのポート0.2とEPROM21
の態様の外部メモリの間でデータ転送を行う場合には、
ポート拡張器20はバス13a、14aを介して信号を
EPROM21へ送らせ、またはEPROM21 から
送らせる。しかし、Iloのためにポート0と2を用い
るものとすると、信号はバス13a、14a を介して
ポート拡張器20のポートA、Bへ結合される。ポート
AとBへそれぞれ結合されているバス18.19により
、I/O装置とボー)A、Hの間でデータ転送を行える
ようにする。バス13a、14aで動作するようにEP
ROM21 またはボー)Bと八を選択することにより
、マイクロ制御器12aのポート0と2は、EPROM
21 の態様の外部メモリをアクセスでき、またはボー
)BとAを介してI/O装置をアクセスできる。したが
って、本発明のポート拡張器は、外部メモリがマイクロ
制御器のそれらの同じポートへ結合される時に失われた
ポートを回復する。
次に、本発明のポート拡張器20が詳しく示されている
第3図を参照する。マイクロ制御器12aのポート2が
バス14mを介してポート拡張器20のアドレスバッフ
ァ25へ結合される。そのアドレスバッファ25はアド
レスラッチ27へ結合される。マイクロ制御器12a 
のポートOがバス13aを介してポート拡張器20のア
ドレスバッファ26へ結合され、このアドレスバッファ
26はアドレスラッチ28へ結合される。アドレスラッ
チ27と28の出力端子は特殊機能レジスタ/ホト制御
(SFR,/PC)器31へ結合される。
アドレッシングとデータ転送な行うために種々の技術を
使用できるが、本発明の好適ガ実施例は、先に述べたマ
イクロ制御器に主として適する下記の技術を利用する。
第1の期間中にマイクロ制御器12a からアドレスビ
ットAQ〜7がバス13aへ供給され、アドレスビット
A8〜15がバス14aへ供給される。次に、アドレス
ラッチ27.28から出力させるために16のアドレス
ビットがそれらのラッチへ供給される。第2の期間中に
、データビットDQ〜7 がバス13aと、I/Oバッ
ファ32を介して内部双方向データバス39へ供給され
る。そのデータバス39はデータバスマルチプレクサ3
3へ結合される。このデータバスマルチプレクサはE’
FROM 21 、構成レジスタ30またはS FR/
PC31を選択してバス39へ接続し、データ転送を行
う。アドレスラッチ2Tの出力端子は、EPROM21
に加えて、主制御回路36へも結合される。アドレス信
号へ8〜.5の一部が構成レジスタ30内の予めプログ
ラムされているビットと比較され、EPROM 21 
 と、構成レジスタ3゜と、SFR/PC31とのどれ
をアクセスするかを決定する。好適な実施例においては
、上位5ビツトが用いられるが、用いるビット数は設計
上の選択の問題である。また、マイクロ制御器12a 
からの制御信号は線15aを介して主制御回路36へも
加えられる。主制御回路36は制御信号をアトv、x、
ラッf27.28と、I/Oバッファ32と、EPRO
M21と、構成レジスタ30と、S FvPc31と、
マルチプレクサ33と、ポートバッファ34.35とへ
加える。ポットバッファ34.35はボー)A、Bへそ
れぞれ結合される。ポートバッフ734.35は、SF
R/PC31とポートA。
Bの間でデータを転送するために、8FR/PC31へ
も双方向的に結合される。ポートバッファ34゜35は
双方向バス19.18へも結合される。信号を保持する
ためにI/Oバツフア32とポートバッファ34,35
へ結合されるラッチのような他の周知の回路は図示して
いない。
各種の制御信号を使用できるが、好適な実施例のポート
拡張器20により用いられる制御信号の代表的な例が第
3図に示されている。チップ可能化信号CE/(記号/
は低い起動された状態を示すために用いることにする)
が、アサートされた時に主装置を可能状態にする。信号
CE/がアサートされないと、ポート拡張器21は待機
状態にあるから、アクセスでき寿い。しかし、ポートは
それの現在の起動状態を保つ。S F R/P C器3
1からの読出し状態を示すためにRD/が用いられる。
ポート拡張器21に書込むため、すなわち、プログラム
するために(WR/CPGM/)が用いられる。アドレ
スがラッチ27.28を流れることができるようにする
ためにALE信号が用いられる。VPP(R8T)が、
プログラミング中に供給電圧をプログラムし、他のモー
ド中はリセットを行う。EPROM 21  ま友は構
成レジスタ30からの読出し状態を示すためにプログラ
ム格納可能化信号PSEN/が用いられ、かつ、その信
号は、RD/信号とともにある条件において用いられて
ポート拡張器21に読出し動作を行わせる。
次に動作を説明する。ポート拡張器20は、マイクロ制
御器12aからの16ビツトアドレス信号により3つの
メモリプレーンをアクセスさせる。
ポート拡張器20のマツプされる適切なユニット21.
304たは31を選択するために、メモリマツピングが
マイクロ制御器12aにより実際に行われる。3つのメ
モリプレーンはEPROM 21、構成レジスタ30お
よびS F R/P C器31に対応する。マツプされ
る3つのプレーンが第4図に示されている。それら3つ
のメモリプレーンはEPROMプレーン40、SFR/
RAMプレーン41および構成プレーン42によりそれ
ぞれ構成される。
SFR/RAMプレーンが選択されると、SFR/PC
器31の命令がプレーン内の2にバイトプレーンを占め
ることができる。好適な実施例においては、SFR/P
C器の命令のために5バイトだけが実際に用いられる。
使用されない部分はRAM用に用いることができる。他
のアドレス場所は、マイクロ制御器12a内部または外
部に設けられるRAMをアクセスするために利用できる
。第4図ではアドレス場所は16進法で示されている。
オた、ポート拡張器20に関する、製造者名、製品の型
式等のような情報を供給するために、プレーンのアドレ
ス0000に識別子が用いられる。
正常な動作モードにおいては構成プレーン42はアクセ
スできない。EPROMプレーン40とSFR/RAM
プレーン41だけをアクセスできる。
しかし、プログラミング/照合モード中はEPROMプ
レーン40と構成プレーン42をアクセスできる。好適
な実施例のEPROM21は32KX8バイトの素子で
ある。16ピツトアドレスは64にバイトをアクセスで
きるから、好適力実施例の32バイトをEPROMプレ
ーン40の種々の場所にマツプできる。不揮発性レジス
タとして示されている構成レジスタ30の1つが、プレ
ーン40内のEPROM21をマツプするための開始ア
ドレスを供給する。省略時場所がEPROMプレーン4
0の下半分、アドレス0000−7 FETで示されて
いる、にあるのが示されている。EPROMプレーン4
0は2つの32にバイトFJPROM  をマツプでき
る。
好適な実施例においては、特殊機能レジスタ(8FR)
はSFR/RAMプレーン41の2にバイト場所に設け
られる。省略時場所はSFR/RAMフレーンの上側の
2にバイト場所にある。別の構成レジスタ30は2にバ
イトSFRブロックの場所を決定する。ポート拡張器2
0のポー)AとBはSFRに対する読出しまたは書込み
によりアクセスされる。S F R/P C器31はそ
れとポートA。
Bの間の情報の転送をSFHに従って制御する。
初めに、本発明のポート拡張器20がマイクロ制御器1
2aへ結合されると、構成レジスタ3゜はポート拡張器
20の動作を構成するためにプログラムされる。この実
施例においては、3つの不揮発性レジスタが構成レジス
タ30を構成する。
第1のレジスタはブレーン40内の32にバイトEPR
OM21をマツプするために用いられる。省略時位置は
アドレス場所ooooにある。 この実施例では、この
第1のレジスタは、PSgN/信号とRD/信号を内部
で組合わせることにより、EPROMプレーンとSFR
/RAMブレーンを組合わせるためにも用いられる。第
2の構成レジスタは特殊機能レジスタにベースアドレス
を供給するためにも用いられる。先に述べたように、こ
の実施例は、SFR/RAMブレーン41の任意の2に
バイト境界にSFRを設けることができるように、2に
バイト境界を用いる。デフオールドはアドレスF800
にある。第3の構成レジスタは、トランジスタートラン
ジスターロジック(TTL)または相補金属−酸化物一
半導体(0MO8)に適合するレベルのI /O性能を
得るために、各ボー)AとBを構成するために用いられ
る。更に、この第3のレジスタは、プログラム可能なり
ビットを行うためにR8Tの極性を補うことも許す。
構成レジスタがプログラムされると、EPROM21と
特殊機能レジスタ31をアクセスするアドレスはプログ
ラムされている。マイクロ制御器12aがEPROMを
アクセスすることを望んだとすると、マイクロ制御器1
2a からのアドレス信号をマツプされるアドレスに一
致させねば々らない。たとえば、EPROMがそれのデ
フオールド場所にあるとすると、0000−7FFF 
 のアドレスがgPROM 21をアクセスできる。あ
るいは、ボー)AとBの少くとも一方がデータ転送を行
うものとすると、マイクロ制御器12aはSFR/RA
Mブレーン41内のSFHに対応するアドレスを供給す
る。そのSFRは、SFR/RAMプレーン41にある
とすると、F2O3−FFFFの間に存在する。マイク
ロ制御器12aと、ポートAとBの少くとも一方との間
のデータ転送が、SFR場所のアクセスと、SFRにデ
ータを格納することによって行われる。ポートは双方向
性であって、読出しと書込みを行うことができる。
SFR/RAMプレーン41の他のアドレス場所が、マ
イクロ制御器12aまたは他のメモリマツプされる装置
のRAM場所をアドレスするために用いられる。したが
って、本発明のポート拡張器20は外部EPROMメモ
リを関連するマイクロ制御器へ提供でき、しかもそれと
同時に特殊機能レジスタがマイクロ制御器と拡張された
2つのボー)A、Bの間でデータを転送できるようにす
る。
特殊機能レジスタとBPROM 21を種々の場所にマ
ツプできるように構成プログラム30がプログラムされ
る。このプログラムされるマツピング技術によυ、gP
ROM21 と拡張されたポートA2Beアドレッシン
グする際の融通性を高くできる。
この好適な実施例においては1つのマツピング技術につ
いて説明したが、gPROM21とSFR/PC器31
をア器上1するために各洩のマツピング技術をオU用で
きることを理解すべきである。たとえば、EPROMプ
レーンの未使用部分にSFRレジスタをマツプできるよ
うに、またはEPROMとSFRレジスタを上に置くこ
とができるように重畳技術を使用できる。更に、第2図
に糸す4ポートマイクロ制御器装置では、ボー)0と2
が第2のポート拡張器で動作してポートOと2を拡張L
、E:FROMの64にバイトをアクセススルホトを形
成するように、第2のポート拡張器をバス13aと14
aに結合できることを理解すべきである。その場合には
、第4図のアドレス8000− FFFF0間のアドレ
ス信号によりアクセスするためKM2(7) EPRO
Mをマツプできるように、2つのマツピング技術を組合
わせることができる。
32にバイトのEPROMを使用することにより、その
ようなiROMを2つ16ビツトアドレツシンク技術で
アクセスできる。
以上述べた種々のマツピング技術は説明のためであって
、本発明を限定するだめのものではないことを理解すべ
きである。本発明の要旨を逸脱することなしに他の種々
の技術を容易に夾現できる。
更に、既存の装置の代シに、EPROM 21の代シに
スタチックRAMを用いるというように、本発明の要旨
を逸脱することなしに他のユニットを容易に用いること
ができる。また、gPROMの容量、アドレス線および
データ線のビット数を特定の値として好適な実施例を説
明したが、それらの例は説明のためだけのものであって
、実際の値は設計上の選択の問題である。
試験モード可能化 試験モードというのは、部品にストレスを加えたり、部
品の余裕を判定するために用いるのが普逆である非ユー
ザーモードである。試験モードは、製造された部品を試
験するために厳密に用いられるものであるから、部品の
使用者がその試験モトに部品を入れることがないように
注意すべきである。意図すると否とを問わず、部品を試
験モトで使用すると、その部品に関連する装置に損傷を
加えることがある。いくつかの試験モード可能化技術は
、部品を特定の試験モードに置くために高電圧検出器を
利用する。ある場合には、ノイズの多い状態のために装
置が試験モードに置かれることがあシ、それによってそ
の装置自体または関連する装置が損傷を受けたυ、不正
確な情報を読出させられたり、書込ませられたシするこ
ともある。
意図しないのに試験モードにさせられることを阻止する
ために、本発明のポート拡張器20はそれを阻止する特
殊な回路を利用する。特殊な試験起動回路が、試験モー
ドを可能にする試験モード可能化信号を発生するために
ポート拡張器20に設けられる。ここで第5図を参照す
る。2つのホトラッチ51.52がI/Oバッファ32
の出力を受けるために結合される。ラッチ52の出力端
子が試験モード可能化回路55へ結合され、ラッチ51
の出力端子が、特定の試験を行うために試験モードコー
ドを必要とする各種の回路へ結合される。高電圧検出器
回路53への入力として読出し信号RD/が結合される
。高電圧検出器回路53は、試験モードに入るために必
要な高電圧の存在を検出する。高電圧検出信号がフィル
タ54へ加えられ、そのフィルタによJJF波された信
号が試験モード可能化回路55へ加えられる。動作時に
は、好適な実施例のポート拡張器20がそれの試験モ・
−ドに入るまでに3つの条件が存在せねばならない。第
1の条件は、特定の試験を行うために適正な試験モード
(TM)コードをラッチ51に書込まなければならない
ことである。第2の条件は、試験モード可能イしくTM
E)コードを他のラッチ52に書込まなければならない
ことである。
ポートラッチ51.52への入力はマイクロ制御器また
は他の信号発生器(試験用)によりバス14a、13a
を介して供給される。好適力実旋例においては、ラッチ
51と52はボー)A、Bのためのラッチによりそれぞ
れドライブされる。しかし、ランチ51と52はポート
ラッチの使用に限定されるものでは々いことを理解すべ
きである。
適切なTMEコードがラッチ52により供給された時だ
け試験モード可能化「1路55が起動されるように、そ
の回路55は予めプログラムされる。
第3の条件は、高電圧検出器回路53へ高電圧を供給せ
ねばならないことである。電源電圧■CCより高い電圧
のような高い電圧状態にRD/信号がなった時に高電圧
が存在する。好適な実施例においては直流の12Vが用
いられる。RD/信号が12ボルトの時は、RD/信号
は高電圧検出器回路53に検出信号を発生させる。その
検出信号はフィルタ54を介して試験モード可能化回路
55へ結合される。高電圧検出信号が試験モード可能化
回路55へ加えられ、かつ適切なTMコードが存在する
時に、試験モード可能化回路は試験モードを可能にする
試験モード可能化信号を常に発生する。
フィルタ回路54は、直列結合された一連のインバータ
(第5図には2つのインバータ57.58だけが示され
ている)とナントゲート59で構成されたパルス幅検出
器56を含む。ナントゲート59の入力端子は第1のイ
ンバータ5了の入力端子でアシ、ナントゲート59の出
力端子は最後のインバータ58の出力端子である。意図
しないのに高電圧が発生されることが起きないように、
グリッチのよう々短いパルスを除去するためにノくルス
幅検出器56は動作する。すなわち、電圧スノくイクの
ために信号RD/が電源電圧vCCよシ高くなったり、
電源電圧■CCが低くなって、高電圧検出回路53から
高電圧検出信号が発生されたとすると、所定のパルス幅
より狭いノくルスを通過させないように存在するパルス
幅検出器56のために、その高電圧検出信号はフィルタ
54を介して結合することはできない。パルス幅検出器
56を通過できる最小パルス幅は直列インバータ列にお
ける遅延により決定される。パルス幅検出器56を通過
できる信号のパルス幅は、インバータ57と58で表さ
れているインバータ列の遅延を受けた後で、パルスがイ
ンバータ5Tの入力端子にいぜんとして存在するように
十分な幅でなければならない。
したがって、正しい試験を行うために試験モードに入る
ためには、3つの条件が存在せねばならない。すなわち
、ポート拡張器20が特定の試験を行うために有効な試
験モードコードを受けること、予めプログラムされたコ
ードに一致する有効な試験モード可能化コードを受ける
こと、および、12Vの読出し信号を十分に長い間有す
ること、がそれである。それら3つの条件が存在する時
だけ、このポート拡張器は正しい試験を行うことができ
る。別の実施例においては、試験モード可能化回路55
からの試験モード可能化信号を用いてTMコードをラッ
チ51に保持させることができる。すなわち、ラッチ5
1は、試験モード可能化信号が発生されるまでは7Mコ
ードを受けることができない。
本発明の試験モード可能化技術をポート拡張器について
説明したが、試験モード可能(?、核技術他の装置で容
易に実現できる。たとえば、EPROMまたはスタチッ
クRAMのようなメモリを、有効なコードをそれのラッ
チに岩、込むことを要求することにより、それの試験モ
ードに入れることができ、それから、読出し信号のよう
な制御信号を十分カ時間だけ所定レベルへ移行させるこ
とができる。それら3つの条件がととのった時だけポー
ト拡張器は希望の試験を行う。更に、本発明の「保持可
能化」技術を実行するために他の装置をラッチの代シに
使用できる。
以上、内部メモリと、意図しないのに試験モードに入る
ことを禁止する特殊な保護回路とを有するポート拡張器
について説明した。関連する装置に外部メモリを設ける
ことにより関連するプロセッサすなわち装置とともに動
作するためにポート拡張器が結合されるが、外部メモリ
へ結合したことにより失われたポートの使用も回復する
。別の接着回路は不要である。本発明のポート拡張器は
1つの半導体チップで製造されるが、本発明の実施のた
めにはそうすることは重要では々い。
【図面の簡単な説明】
第1図は外部メモリがマイクロ制御器へ結合された時に
2つのポートが失われる様子を示す略図、第2図は本発
明のポート拡張器に含まれるEPROMの態様の外部メ
モリがマイクロ制御器の2つのポートへ結合される時に
失われるポートを再び使用できるようにした様子を示す
略図、第3図は本発明のポート拡張器を示すブロック図
、第4図は本発明のポート拡張器を用いる時に利用でき
る3つのメモリマツピングプレーンを示す略図、第5図
は本発明のポート拡張器の試験モードの起動を示すブロ
ック図である。 20・111トポート拡張器、25.26−−−φアド
レスバツフア、27.28−・・−アドレスラッチ、3
0・Φe−構成レジスタ、31・−・・特殊機能レジス
タおよびポート制御器、32・・・・I/Oバッファ、
34,35・・・・ホトバッファ、36・・・・主制御
回路、51゜52−・・・ポートラッチ、53・・・・
高電圧検出器 54**s争フイルタ、55・・・−E
験モード可能化回路、56・・・・パルス幅検出器。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)プロセッサのポートへ結合されて前記プロセッサ
    との間で情報を転送する第1のポートと、この第1のポ
    ートへ結合されて外部メモリを前記プロセツサへ供給す
    るメモリと、 前記メモリへ結合することにより前記プロセッサの前記
    ポートが占められた時に開放ポートを供給する第2のポ
    ートと、 前記第1のポートと前記第2のポートへ結合され、前記
    第1のポートと前記第2のポートの間で転送する情報を
    格納する機能レジスタと、 前記第1のポートへ結合され、前記メモリと前記機能レ
    ジスタをアクセスするマッピングアドレスを構成する構
    成レジスタと、 を備え、前記プロセッサにより第1の所定アドレスが供
    給された時に前記プロセッサは前記メモリをアクセスし
    、第1の所定アドレスが供給された時に前記プロセッサ
    はデータ転送のために前記第2のポートをアクセスする
    ことを特徴とする外部メモリが前記プロセッサの前記第
    1のポートへ結合された時にプロセッサのポートを拡張
    するためにプロセツサへ結合される装置。
  2. (2)外部メモリへ結合されるプロセッサポートを有す
    ることにより前記プロセッサポートが占められた時に前
    記プロセツサへ開放ポートを供給するためにプロセツサ
    へ結合されるポート拡張器において、 前記プロセツサポートへ結合されて前記プロセッサとの
    間で情報を転送する第1のポートと、この第1のポート
    へ結合されるアドレスバスと、このアドレスバスへ結合
    されて前記外部メモリを前記プロセツサへ供給するメモ
    リと、 前記開放ポートを前記プロセツサへ供給する入力/出力
    (I/O)ポートと、 前記第1のポートと、前記メモリと、前記I/Oポート
    とへ結合されてデータを転送するデータバスと、 を備え、前記データバスは前記プロセッサと前記メモリ
    の間でデータ転送を行うために前記メモリをアドレスし
    、 前記プロセッサと前記I/Oポートの間でデータ転送を
    行うために前記プロセッサは前記I/Oポートをアクセ
    スすることを特徴とするプロセツサへ結合されるポート
    拡張器。
  3. (3)外部メモリへ結合されるプロセッサポートを有す
    ることにより前記プロセッサポートが占められた時に前
    記プロセツサへ少くとも1つの開放ポートを供給するた
    めにプロセツサへ結合されるポート拡張器において、 前記プロセツサポートへ結合されて前記プロセッサとの
    間で情報を転送する第1のポートと、第2のプロセツサ
    ポートへ結合されて前記プロセッサとの間で情報を転送
    する第2のポートと、前記第1のポートへ結合されるア
    ドレスバスと、前記第2のポートへ結合されるデータバ
    スと、前記アドレスバスと前記データバスへ結合されて
    前記外部メモリを前記プロセツサへ供給するメモリと、 第1の入力/出力(I/O)ポートと、 第2のI/Oポートと、 前記アドレスバスと、前記データバスと、前記第1のI
    /Oポートと、前記第2のI/Oポートとへ結合されて
    前記I/Oポートと前記データバスの間で情報を転送す
    る機能レジスタと、 を備え、前記プロセッサは前記プロセッサと前記メモリ
    の間でデータ転送を行うために前記メモリをアドレスし
    、 前記プロセッサと前記I/Oポートの間でデータ転送を
    行うために前記プロセッサは前記I/Oポートをアクセ
    スすることを特徴とするプロセツサへ結合されるポート
    拡張器。
JP32618589A 1988-12-30 1989-12-18 プロセツサのポートを拡張するためにそのプロセツサへ結合される装置 Pending JPH02214958A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US29236588A 1988-12-30 1988-12-30
US292,365 1988-12-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02214958A true JPH02214958A (ja) 1990-08-27

Family

ID=23124356

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP32618589A Pending JPH02214958A (ja) 1988-12-30 1989-12-18 プロセツサのポートを拡張するためにそのプロセツサへ結合される装置

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JP (1) JPH02214958A (ja)
GB (1) GB2227582B (ja)
HK (1) HK1000475A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6785764B1 (en) 2000-05-11 2004-08-31 Micron Technology, Inc. Synchronous flash memory with non-volatile mode register
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Also Published As

Publication number Publication date
GB2227582A (en) 1990-08-01
GB2227582B (en) 1992-11-04
GB8924745D0 (en) 1989-12-20
HK1000475A1 (en) 1998-03-27

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