JPH02216619A - ハード磁気ディスクの製造方法 - Google Patents
ハード磁気ディスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH02216619A JPH02216619A JP3693389A JP3693389A JPH02216619A JP H02216619 A JPH02216619 A JP H02216619A JP 3693389 A JP3693389 A JP 3693389A JP 3693389 A JP3693389 A JP 3693389A JP H02216619 A JPH02216619 A JP H02216619A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic
- hard magnetic
- magnetic disk
- layer
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明はハード磁気ディスクの製造方法に関する。更に
詳細には、本発明は耐食性が向上されたハード磁気ディ
スクの製造方法に関する。
詳細には、本発明は耐食性が向上されたハード磁気ディ
スクの製造方法に関する。
[従来の技術]
従来から一般に言及している磁気記録媒体は、針状の磁
性粉と高分子結合剤とを主体とする磁性塗料を非磁性基
体上に塗布して磁性層を形成した塗布型の磁気記録媒体
である。
性粉と高分子結合剤とを主体とする磁性塗料を非磁性基
体上に塗布して磁性層を形成した塗布型の磁気記録媒体
である。
現在、磁気記録再生装置はますます高密度化の傾向にあ
り、短波長記録特性に優れた磁気記録媒体が要望されて
いる。
り、短波長記録特性に優れた磁気記録媒体が要望されて
いる。
しかし、塗布型磁気記録媒体における短波長記録特性の
改善には限界がある。これに対して、Co + Co
N l l Co N r P t Co Crなどの
Coを主成分とする強磁性体を真空蒸着、スパッタリン
グ、またはイオンブレーティング等のいわゆる物理蒸着
法によって非磁性基体上に形成する金属薄膜型の磁気記
録媒体は、その磁性層中に非磁性の結合剤が混入されて
いないので著しく高い残留磁束密度を得ることができ、
かつ、磁性層を極めて薄く形成することができるために
、高出力で短波長応答性に優れているという利点を有す
る。
改善には限界がある。これに対して、Co + Co
N l l Co N r P t Co Crなどの
Coを主成分とする強磁性体を真空蒸着、スパッタリン
グ、またはイオンブレーティング等のいわゆる物理蒸着
法によって非磁性基体上に形成する金属薄膜型の磁気記
録媒体は、その磁性層中に非磁性の結合剤が混入されて
いないので著しく高い残留磁束密度を得ることができ、
かつ、磁性層を極めて薄く形成することができるために
、高出力で短波長応答性に優れているという利点を有す
る。
この特徴により、最近は薄膜型磁気記録媒体が磁気媒体
の主流となりつつある。
の主流となりつつある。
[発明が解決しようとする課題]
薄膜型磁気記録媒体は磁気記録密度が大きく、優れた短
波長記録特性を有する反面、Coが比較的腐食され易り
、シかも、磁性層が露出しているために耐食性が悪く、
磁気的に劣化しやすい欠点を何しており、これが実用を
大きな問題点となっている。特に、多湿環境下ではCo
磁性層が腐食されやす(薄膜型磁気記録媒体の最大の問
題点として以前から指摘されてきた。
波長記録特性を有する反面、Coが比較的腐食され易り
、シかも、磁性層が露出しているために耐食性が悪く、
磁気的に劣化しやすい欠点を何しており、これが実用を
大きな問題点となっている。特に、多湿環境下ではCo
磁性層が腐食されやす(薄膜型磁気記録媒体の最大の問
題点として以前から指摘されてきた。
この問題点を解決するために例えば、カーボン系保護膜
を設けたり、磁性膜中に耐食性合金元素(例えば、Z
rl Cr等)を添加するなどの対策が講じられてきた
。
を設けたり、磁性膜中に耐食性合金元素(例えば、Z
rl Cr等)を添加するなどの対策が講じられてきた
。
しかし、カーボン保護膜の場合、−1−分な保護耐食効
果を得るには、膜厚を数百Å以上にしなければならず、
スペーシングロスが大きくり、電磁変換特性の観点から
、特に媒体の高密度化の観点から好ましくない。また、
耐食性合金元素の添加効果も多湿環境に対して完全な防
食は期待できず、腐食の軽減効果程度の域を出ない。
果を得るには、膜厚を数百Å以上にしなければならず、
スペーシングロスが大きくり、電磁変換特性の観点から
、特に媒体の高密度化の観点から好ましくない。また、
耐食性合金元素の添加効果も多湿環境に対して完全な防
食は期待できず、腐食の軽減効果程度の域を出ない。
高分子フィルムを基体とするフレキシブル薄膜型磁気記
録媒体(例えば、磁気テープあるいはフロッピーディス
クなど)については、耐食性を向−ヒさせる様々な方法
が提案されているが、アルミニウムまたはガラスなどの
ような硬質基板を用いたハード磁気ディスクについては
効果的な防食方法が未だ確立されていない。
録媒体(例えば、磁気テープあるいはフロッピーディス
クなど)については、耐食性を向−ヒさせる様々な方法
が提案されているが、アルミニウムまたはガラスなどの
ような硬質基板を用いたハード磁気ディスクについては
効果的な防食方法が未だ確立されていない。
従って、本発明の目的は磁気特性に悪影響を与えること
なく、保;1!膜性能を向りさせ、耐食性に優れたハー
ド磁気ディスクを提供することである。
なく、保;1!膜性能を向りさせ、耐食性に優れたハー
ド磁気ディスクを提供することである。
[課題を解決するための手段コ
前記目的を達成するために、本発明では、COを主成分
とする強磁性金属薄膜型ハード磁気ディスクの表面に耐
食性に優れたコバルト不働a膜を形成させる。
とする強磁性金属薄膜型ハード磁気ディスクの表面に耐
食性に優れたコバルト不働a膜を形成させる。
[作用コ
この不働態膜は、特に高温多湿雰囲気−ドのコバルト金
属の防食に非常に優れており、数十人程度の極薄膜で湿
度に起因する腐食をほとんど完全に防+hする。
属の防食に非常に優れており、数十人程度の極薄膜で湿
度に起因する腐食をほとんど完全に防+hする。
このコバルト不働態膜を構成するのはCo3+イオンを
含む含水酸化物であるが、その作成手段としては、基板
−ヒにCo磁性膜が形成された二枚のハード磁気ディス
クを、各Co磁性膜を向き合わせ、その間にプラスチッ
クフィルムを挾んで密着させてセルを形成し、電気化学
的にCo主成分の強磁性膜表面に3価のCoイオンを含
む酸化物を形成させる。酸化物を形成させる際、サンド
イッチ状の磁気ディスクを密閉容器内で酸化性雰囲気に
曝露することが好ましい。
含む含水酸化物であるが、その作成手段としては、基板
−ヒにCo磁性膜が形成された二枚のハード磁気ディス
クを、各Co磁性膜を向き合わせ、その間にプラスチッ
クフィルムを挾んで密着させてセルを形成し、電気化学
的にCo主成分の強磁性膜表面に3価のCoイオンを含
む酸化物を形成させる。酸化物を形成させる際、サンド
イッチ状の磁気ディスクを密閉容器内で酸化性雰囲気に
曝露することが好ましい。
磁気テープやフロッピーディスクディスクのような長尺
なフレキシブル磁気記録媒体を酸化性雰囲気に曝露する
ことにより磁性膜の表面に酸化物保護膜を形成させるこ
とは従来から行われてきた。
なフレキシブル磁気記録媒体を酸化性雰囲気に曝露する
ことにより磁性膜の表面に酸化物保護膜を形成させるこ
とは従来から行われてきた。
しかし、ハード磁気ディスクはその構造から、フレキシ
ブル磁気記録媒体の耐食性保M模形成方法をそのまま援
用することはできない。
ブル磁気記録媒体の耐食性保M模形成方法をそのまま援
用することはできない。
コバルト不働態膜の膜厚は特に限定されないが、−殻内
に20人〜100人の範囲内であることが好ましい。コ
バルト不働態膜が20人人情溝場合、耐食性改善効果は
不十分となる。一方、100人超では耐食性改暦効果が
飽和し、不経済となるだけであり、好ましくない。
に20人〜100人の範囲内であることが好ましい。コ
バルト不働態膜が20人人情溝場合、耐食性改善効果は
不十分となる。一方、100人超では耐食性改暦効果が
飽和し、不経済となるだけであり、好ましくない。
Co磁性膜の間に挟むプラスチックフィルムとしては、
フッ素系のプラスチックフィルム以外であれば全て使用
できる。フッ素系プラスチックフィルムは極めて電気抵
抗値が高く、導電性イオンの輸送が阻害されるため成膜
プロセスに適さないので使用することができない。フィ
ルムの厚さ自体は特に限定されないが、実用的な観点か
ら3μm〜100μmの範囲内が好ましい。3μm未満
では分離効果が不1−分であり効果的な耐食性保護膜が
形成されない恐れがある。一方、100μm超では耐食
性保護膜の形成効果も飽和し、不経済になるだけである
。
フッ素系のプラスチックフィルム以外であれば全て使用
できる。フッ素系プラスチックフィルムは極めて電気抵
抗値が高く、導電性イオンの輸送が阻害されるため成膜
プロセスに適さないので使用することができない。フィ
ルムの厚さ自体は特に限定されないが、実用的な観点か
ら3μm〜100μmの範囲内が好ましい。3μm未満
では分離効果が不1−分であり効果的な耐食性保護膜が
形成されない恐れがある。一方、100μm超では耐食
性保護膜の形成効果も飽和し、不経済になるだけである
。
プラスチックフィルムを挟んだ二枚のハード磁気ディス
クを密閉容器内で酸化性雰囲気に曝露する場合、密閉容
器内に所定量の酸素ガスを導入し、酸素富化雰囲気を形
成すればよい。密閉容器内の酸素ガスの濃度あるいは分
圧は特に限定されないが、−・殻内には1気圧〜10気
圧の範囲内であることが好ましい。酸素ガス分圧が1気
圧未填では十分な酸化が杼われない可能性があるばかり
か、酸化処理に長時間を要し、スループットが向」ユさ
れない。 ・方、酸素分圧が10気圧超では処理容器が
高額になるので好ましくない。
クを密閉容器内で酸化性雰囲気に曝露する場合、密閉容
器内に所定量の酸素ガスを導入し、酸素富化雰囲気を形
成すればよい。密閉容器内の酸素ガスの濃度あるいは分
圧は特に限定されないが、−・殻内には1気圧〜10気
圧の範囲内であることが好ましい。酸素ガス分圧が1気
圧未填では十分な酸化が杼われない可能性があるばかり
か、酸化処理に長時間を要し、スループットが向」ユさ
れない。 ・方、酸素分圧が10気圧超では処理容器が
高額になるので好ましくない。
前記の酸素分圧範囲内における、曝露時間は一般的に、
1時間〜100時間の範囲内である。酸化物の形成はあ
る時点までい(と飽和して、それ以上は生成されなくな
るので、徒に長時間酸化性雰囲気に曝露しても時間を無
駄にするだけで、メリットは何もない。
1時間〜100時間の範囲内である。酸化物の形成はあ
る時点までい(と飽和して、それ以上は生成されなくな
るので、徒に長時間酸化性雰囲気に曝露しても時間を無
駄にするだけで、メリットは何もない。
プラスチックフィルムを挟んだ二枚のハード磁気ディス
クを密閉容器内で酸化性雰囲気に曝露する場合、負荷を
かけながら、すなわち、二枚のディスクをできるだけし
っかりと密着させながら酸化性雰囲気に111露するこ
とが好ましい。
クを密閉容器内で酸化性雰囲気に曝露する場合、負荷を
かけながら、すなわち、二枚のディスクをできるだけし
っかりと密着させながら酸化性雰囲気に111露するこ
とが好ましい。
本発明のハード磁気ディスクに使用する基板はガラス類
、セラミック、アルミ、陽極酸化アルミ。
、セラミック、アルミ、陽極酸化アルミ。
黄銅などの金属板、Sim−結晶板9表面を熱酸化処理
したSi単結晶板などの硬質材料である。この非磁性基
体は必要に応じて、CrあるいはTiなどの下地層を設
けたり、甲面研磨やテクスチャリング加工を行うための
ニッケル・リン系合金層やアルマイト処理層等の下地研
磨層を設けることもできる。
したSi単結晶板などの硬質材料である。この非磁性基
体は必要に応じて、CrあるいはTiなどの下地層を設
けたり、甲面研磨やテクスチャリング加工を行うための
ニッケル・リン系合金層やアルマイト処理層等の下地研
磨層を設けることもできる。
[実施例]
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。
丈m
非磁性基板として、NiP/AJディスクを用い、スパ
ッタ装置斤の真空槽内を1xlO−”Torr以下に排
気し、次いで、真空槽内にArガスを1x l O−3
Torr導入し、基板温度を300℃に制御して、まず
Crド地層を2000人設け、つづい”CCoCCo−
2ONiターゲットを用いて、co−Ni層を500人
設けた。
ッタ装置斤の真空槽内を1xlO−”Torr以下に排
気し、次いで、真空槽内にArガスを1x l O−3
Torr導入し、基板温度を300℃に制御して、まず
Crド地層を2000人設け、つづい”CCoCCo−
2ONiターゲットを用いて、co−Ni層を500人
設けた。
このようにしてCo−N i/Cr/N i P/Aλ
からなるディスクを形成した。こうして形成した2枚の
ディスクの間に、厚さ10μInのポリエチレンフィル
ムを挟み、荷重をかけて密着させ、そのまま酸素富化雰
囲気(酸素分圧=2.0気圧)下で31’J間静置した
。
からなるディスクを形成した。こうして形成した2枚の
ディスクの間に、厚さ10μInのポリエチレンフィル
ムを挟み、荷重をかけて密着させ、そのまま酸素富化雰
囲気(酸素分圧=2.0気圧)下で31’J間静置した
。
得られたハード磁気ディスクの模式的断面構造を第1図
に示す。Cr/Ni P/AJの三層構造からなる基板
1の上にGo−Ni磁性層2が積層されており、このC
o−Ni磁性層の表面付近にCo不働態膜3が形成され
ている。
に示す。Cr/Ni P/AJの三層構造からなる基板
1の上にGo−Ni磁性層2が積層されており、このC
o−Ni磁性層の表面付近にCo不働態膜3が形成され
ている。
実11舛2−
ポリエチレンフィルムの代わりにナイロン66フィルム
を使用したこと以外は実施例1に述べた通りの条件によ
りハード磁気ディスクを作製した。
を使用したこと以外は実施例1に述べた通りの条件によ
りハード磁気ディスクを作製した。
比玉〃1一
実施例1と同様にしてCo−Ni/Cr/NiP/A1
ディスクを形成した後、更にグラファイトターゲットを
用いてカーボン保護層を300人設けることによりハー
ド磁気ディスクを作製した。
ディスクを形成した後、更にグラファイトターゲットを
用いてカーボン保護層を300人設けることによりハー
ド磁気ディスクを作製した。
比16組2一
実施例1と同様にしてCrF地膜を設けた後、この下地
層ヒに、Crを wt%含有するCoNiCrターゲッ
トを用いてCoNiCrMi性層を500人の膜厚にな
るように形成し、ハード磁気ディスクを作製した。
層ヒに、Crを wt%含有するCoNiCrターゲッ
トを用いてCoNiCrMi性層を500人の膜厚にな
るように形成し、ハード磁気ディスクを作製した。
比1石舛J−
実施例1と同様にしてCoNi/Cr/Nip/Aλデ
ィスクを作製したが、酸化処理は省略し、そのままハー
ド磁気ディスクとして使用した。
ィスクを作製したが、酸化処理は省略し、そのままハー
ド磁気ディスクとして使用した。
実施例1、実施例2及び比較例3の各ハード磁気ディス
クの磁性膜表面をX線光電子分光法により分析した。そ
の結果、比較例3の磁性膜表面は、金FACoとNiが
主体で、自然酸化によって生成した酸化コバルトCoo
と酸化ニッケルNiOのピークが極僅かに認められた。
クの磁性膜表面をX線光電子分光法により分析した。そ
の結果、比較例3の磁性膜表面は、金FACoとNiが
主体で、自然酸化によって生成した酸化コバルトCoo
と酸化ニッケルNiOのピークが極僅かに認められた。
これに対し、実施例1および実施例2の表面はC03+
イオンを含む酸化物の生成を示す% Co2 p3/2
のサテライトビークの顕著な減少が認められた。
イオンを含む酸化物の生成を示す% Co2 p3/2
のサテライトビークの顕著な減少が認められた。
前記の実施例および比較例で作製したディスクを60℃
、90%RHの多湿雰囲気下に曝露し、耐食性を調べた
。ディスクを毎日取り出し、磁性膜の表面を光学顕微鏡
で観察し、錆の発生の有無を検査した。結果を下記の表
1に要約して示す。
、90%RHの多湿雰囲気下に曝露し、耐食性を調べた
。ディスクを毎日取り出し、磁性膜の表面を光学顕微鏡
で観察し、錆の発生の有無を検査した。結果を下記の表
1に要約して示す。
表1に示された結果から明らかなように、実施例で得ら
れた本発明のハード磁気ディスクは、従来の方法により
作製されたディスクに比べて、耐食性が著しく向上され
ている。
れた本発明のハード磁気ディスクは、従来の方法により
作製されたディスクに比べて、耐食性が著しく向上され
ている。
[発明の効果]
以1−説明したように、硬質基板上にCo系磁性膜が形
成されているハード磁気ディスクにおいて、二枚のディ
スクを磁性膜を対向させ、その間にプラスチックフィル
ムを挾んで密着させ、酸化性雰囲気に曝露することによ
りCo系磁性膜の表面にCo不働態膜を効率的に生成さ
せることができ、その耐食性が著しく向上される。Co
系磁性膜を有するハードディスクの耐食性を向−ヒさせ
る方法として、本発明のような簡単で、しかも、効率的
な方法は未だ知られていない。
成されているハード磁気ディスクにおいて、二枚のディ
スクを磁性膜を対向させ、その間にプラスチックフィル
ムを挾んで密着させ、酸化性雰囲気に曝露することによ
りCo系磁性膜の表面にCo不働態膜を効率的に生成さ
せることができ、その耐食性が著しく向上される。Co
系磁性膜を有するハードディスクの耐食性を向−ヒさせ
る方法として、本発明のような簡単で、しかも、効率的
な方法は未だ知られていない。
第1図は本発明のハード磁気ディスクの一例の模式的構
造を示す断面図である。 1・・・基板、2・・・Co系磁性膜。 3・・・コバルト不働!S膜
造を示す断面図である。 1・・・基板、2・・・Co系磁性膜。 3・・・コバルト不働!S膜
Claims (4)
- (1)硬質の非磁性基板にコバルトを主体とする強磁性
金属薄膜層を設けてなるハード磁気ディスクの製造方法
において、非磁性基板上に強磁性金属薄膜層を被着した
二枚のディスクを、該強磁性金属薄膜層を向かい合わせ
、その間にプラスチックフィルムを介して密着させ、酸
化性雰囲気中で酸化処理することにより、該強磁性金属
薄膜層表面近傍に酸化物層を形成させることを特徴とす
るハード磁気ディスクの製造方法。 - (2)酸化物がコバルト酸化物からなり、その酸化物が
3価のコバルトイオンを含む含水酸化物が主体であるこ
とを特徴とする請求項1記載のハード磁気ディスクの製
造方法。 - (3)酸素富化雰囲気下で酸化処理を行うことを特徴と
する請求項1記載のハード磁気ディスクの製造方法。 - (4)プラスチックフィルムはフッ素系プラスチックフ
ィルム以外のフィルムであることを特徴とする請求項1
記載のハード磁気ディスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3693389A JPH02216619A (ja) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | ハード磁気ディスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3693389A JPH02216619A (ja) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | ハード磁気ディスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02216619A true JPH02216619A (ja) | 1990-08-29 |
Family
ID=12483559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3693389A Pending JPH02216619A (ja) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | ハード磁気ディスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02216619A (ja) |
-
1989
- 1989-02-16 JP JP3693389A patent/JPH02216619A/ja active Pending
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