JPH0221661B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0221661B2 JPH0221661B2 JP58108839A JP10883983A JPH0221661B2 JP H0221661 B2 JPH0221661 B2 JP H0221661B2 JP 58108839 A JP58108839 A JP 58108839A JP 10883983 A JP10883983 A JP 10883983A JP H0221661 B2 JPH0221661 B2 JP H0221661B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- image sensor
- bit
- aggregates
- photoconductive film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
- H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
- H04N1/03—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array
- H04N1/031—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Image Input (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の技術分野
本発明は密着形イメージセンサ、より群しくは
小形原稿読取り系を構成する１部品である密着形
イメージセンサの素子形成に関する。
小形原稿読取り系を構成する１部品である密着形
イメージセンサの素子形成に関する。
(2) 技術の背景
従来の密着形の原稿読取り装置は第１図に示さ
れる構成のものであり、同図において、符号１は
発光ダイオード（LED）の如き光源、２はセル
フオツクレンズアレイ（SLAと呼称される）を
用いた導光系、３は受光素子アレイ（大形イメー
ジセンサまたは密着形イメージセンサー、ISと呼
称される）を表し、図示しないローラによつて送
られてくる原稿４を光源１によつて照射し、原稿
の白黒に対応した散乱光（反射光）を導光系
（SLA）２によつて受光素子アレイ（IS）３に導
き、IS上に正立等倍の実像を結ばせ、白黒に対応
した光を光電流の大小に交換し、この光電交換で
原稿を読取る。
れる構成のものであり、同図において、符号１は
発光ダイオード（LED）の如き光源、２はセル
フオツクレンズアレイ（SLAと呼称される）を
用いた導光系、３は受光素子アレイ（大形イメー
ジセンサまたは密着形イメージセンサー、ISと呼
称される）を表し、図示しないローラによつて送
られてくる原稿４を光源１によつて照射し、原稿
の白黒に対応した散乱光（反射光）を導光系
（SLA）２によつて受光素子アレイ（IS）３に導
き、IS上に正立等倍の実像を結ばせ、白黒に対応
した光を光電流の大小に交換し、この光電交換で
原稿を読取る。
従来のイメージセンサの１ビツトを構成する素
子は第２図ａの平面図と第２図ｂの断面図に示さ
れ、同図において、１１は基板、１２は光導電
膜、１３は引出し電極を示し、第２図ａとｂにお
いて点線で囲む領域は１ビツトの占有部分であ
り、Ａ４幅解像度８本／mmなら素子数1728本で
125μｍピツチ形成される。
子は第２図ａの平面図と第２図ｂの断面図に示さ
れ、同図において、１１は基板、１２は光導電
膜、１３は引出し電極を示し、第２図ａとｂにお
いて点線で囲む領域は１ビツトの占有部分であ
り、Ａ４幅解像度８本／mmなら素子数1728本で
125μｍピツチ形成される。
(3) 従来技術と問題点
上記した光導電体アレイからなる密着形イメー
ジセンサーの構成は、１ビツトに注目すると、第
２図に示す如く解像度をカバーする範囲内におい
て１個の光導電素子から成立するものである。例
えばセレン化カドミウム（CdSe）を基本とする
光導電膜１２は、イメージセンサ用としての特性
を出すために650℃程度の熱処理を行うが、この
熱処理によつて膜内に局部的な金属Cdの凝集体
（合金層）が点在して発生する。
ジセンサーの構成は、１ビツトに注目すると、第
２図に示す如く解像度をカバーする範囲内におい
て１個の光導電素子から成立するものである。例
えばセレン化カドミウム（CdSe）を基本とする
光導電膜１２は、イメージセンサ用としての特性
を出すために650℃程度の熱処理を行うが、この
熱処理によつて膜内に局部的な金属Cdの凝集体
（合金層）が点在して発生する。
かかるCdの凝集体は第３図の平面図に示され、
同図ａは凝集体の存在しない状態（かかる状態は
例外といいうる程度にすくない）、同図ｂとｃは
凝集体１４の存在する状態を示す。なお第３図以
下において既に図示した部分と同じ部分は同一符
号を付して表示する、凝集体１４の部分は金属化
しているために電気的にはきわめて低抵抗となつ
て読取りに寄与するところがなく、またセンサア
レイの抵抗値分布（バラツキ）を悪化させ、細線
の読取りができなくなる等の原因となつている。
また凝集体１４が第３図ｂに点線で示す如くに両
電極にまたがつて電極を短絡すると、黒い原稿が
白くでることになる。
同図ａは凝集体の存在しない状態（かかる状態は
例外といいうる程度にすくない）、同図ｂとｃは
凝集体１４の存在する状態を示す。なお第３図以
下において既に図示した部分と同じ部分は同一符
号を付して表示する、凝集体１４の部分は金属化
しているために電気的にはきわめて低抵抗となつ
て読取りに寄与するところがなく、またセンサア
レイの抵抗値分布（バラツキ）を悪化させ、細線
の読取りができなくなる等の原因となつている。
また凝集体１４が第３図ｂに点線で示す如くに両
電極にまたがつて電極を短絡すると、黒い原稿が
白くでることになる。
(4) 発明の目的
本発明は上記従来の問題に鑑み、密着形イメー
ジセンサにおいて、光導電膜を熱処理しその結果
金属Cdの凝集体が形成されても、それの影響が
抑制され、細線の読落し確率を小にし、抵抗値分
布が均一化される素子構造を提供することを目的
とする。
ジセンサにおいて、光導電膜を熱処理しその結果
金属Cdの凝集体が形成されても、それの影響が
抑制され、細線の読落し確率を小にし、抵抗値分
布が均一化される素子構造を提供することを目的
とする。
(5) 発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、〔センサ特
性を付与する熱処理により、電気的に低抵抗の凝
集体を局部的に生ずる光導電膜と該光導電膜の引
出し電極とからなる原稿読取り装置の密着形イメ
ージセンサであつて、１ビツト内の引出し電極間
の距離を副走査線と同一またはやや小で、かつ、
該凝集体の最大粒径より大に設定し、１ビツト内
の引出し電極間の中間部分に抵抗値分布のバラツ
キを抑制する中間電極パターンを設けたことを特
徴とする密着形イメージセンサ〕を提供すること
によつて達成される。
性を付与する熱処理により、電気的に低抵抗の凝
集体を局部的に生ずる光導電膜と該光導電膜の引
出し電極とからなる原稿読取り装置の密着形イメ
ージセンサであつて、１ビツト内の引出し電極間
の距離を副走査線と同一またはやや小で、かつ、
該凝集体の最大粒径より大に設定し、１ビツト内
の引出し電極間の中間部分に抵抗値分布のバラツ
キを抑制する中間電極パターンを設けたことを特
徴とする密着形イメージセンサ〕を提供すること
によつて達成される。
(6) 発明の実施例
以下本発明実施例を図面によつて詳説する。
本願発明者らが点在するCd合金層すなわち第
３図に示す凝集体１４を観測したところ、その粒
径は大部分のものが直径100μｍ以下であること
が認められた。ということは、電極１３の間の距
離を100μｍ以下にすると、前述した凝集体１４
による両電極１３の短絡の確率が増大することを
意味する。短絡すると当該ビツトは抵抗が1KΩ
から100Ω程度に減少し、感光性がなくなり、当
該センサ基板はイメージセンサの基板としての機
能を果さなくなる。
３図に示す凝集体１４を観測したところ、その粒
径は大部分のものが直径100μｍ以下であること
が認められた。ということは、電極１３の間の距
離を100μｍ以下にすると、前述した凝集体１４
による両電極１３の短絡の確率が増大することを
意味する。短絡すると当該ビツトは抵抗が1KΩ
から100Ω程度に減少し、感光性がなくなり、当
該センサ基板はイメージセンサの基板としての機
能を果さなくなる。
そこで、解像度を犠牲にすることなく凝集体１
４の悪影響を是正するには、副走査線幅（例えば
８本／mmならば125μｍのピツチ）程度の幅に電
極間距離を形成すればよく、そうすると凝集体に
よる電極短絡障害は激減し、明暗抵抗比をもつた
ビツトが再現性よく形成されることになる。しか
し、この程度に電極間距離を大にすると、凝集体
が形成されなかつたビツトの抵抗は大になり、電
流が流れ難くなり、ノイズが多くなり読取り精度
を低下させることになり、凝集体が形成された明
暗抵抗比の大なる低抵抗のビツトに比べて抵抗値
が大になりすぎて、抵抗値分布（バラツキ）も悪
くなる。
４の悪影響を是正するには、副走査線幅（例えば
８本／mmならば125μｍのピツチ）程度の幅に電
極間距離を形成すればよく、そうすると凝集体に
よる電極短絡障害は激減し、明暗抵抗比をもつた
ビツトが再現性よく形成されることになる。しか
し、この程度に電極間距離を大にすると、凝集体
が形成されなかつたビツトの抵抗は大になり、電
流が流れ難くなり、ノイズが多くなり読取り精度
を低下させることになり、凝集体が形成された明
暗抵抗比の大なる低抵抗のビツトに比べて抵抗値
が大になりすぎて、抵抗値分布（バラツキ）も悪
くなる。
もともと光導電膜の熱処理によつて凝集体が形
成されないことが理相的であるが、凝集体の発生
はやむをえない現象で、現在それを皆無にするこ
とはできない、そこで、本願発明者らは凝集体が
形成され存在するという事実を前提とし、抵抗値
分布を改善することを考えた。
成されないことが理相的であるが、凝集体の発生
はやむをえない現象で、現在それを皆無にするこ
とはできない、そこで、本願発明者らは凝集体が
形成され存在するという事実を前提とし、抵抗値
分布を改善することを考えた。
第４図に本発明の第１実施例が平面図で示され
る。本発明の基本原理はビツト内に意識的に凝集
体に相当する低抵抗の中間電極パターンを設ける
にある。実際にはグループ側セレクト側両電極を
形成したと同じ材料で幅l′の中間電極すなわち細
線パターン１５を形成し、それでビツト内をｌ／
２ずつに２分割する。そして電極間距離ｌ／２＋
ｌ／２＋l′を副走査線幅と同一かそれよりやや小
に設定する。なお第４図において、ａには凝集体
皆無の状態、ｂ，ｃ，ｄには凝集体１４が存在す
る状態が示される。
る。本発明の基本原理はビツト内に意識的に凝集
体に相当する低抵抗の中間電極パターンを設ける
にある。実際にはグループ側セレクト側両電極を
形成したと同じ材料で幅l′の中間電極すなわち細
線パターン１５を形成し、それでビツト内をｌ／
２ずつに２分割する。そして電極間距離ｌ／２＋
ｌ／２＋l′を副走査線幅と同一かそれよりやや小
に設定する。なお第４図において、ａには凝集体
皆無の状態、ｂ，ｃ，ｄには凝集体１４が存在す
る状態が示される。
第４図ａに示されるビツトにおいては、凝集体
１４が存在しないので、中間電極パターンとして
細線１５パターンを設けなかつたとする抵抗が大
になりすぎて前述した問題が発生するのである
が、細線パターン１５が設けられているので、高
抵抗比が回避されている。
１４が存在しないので、中間電極パターンとして
細線１５パターンを設けなかつたとする抵抗が大
になりすぎて前述した問題が発生するのである
が、細線パターン１５が設けられているので、高
抵抗比が回避されている。
第４図ｂに示すビツトにおいて、凝集体１４に
よつて電極１３と細線パターン１５とは短絡して
いるが、それによる影響は図の下方の光導電膜１
２によつて補償され、黒い原稿が白く出るような
ことはない。
よつて電極１３と細線パターン１５とは短絡して
いるが、それによる影響は図の下方の光導電膜１
２によつて補償され、黒い原稿が白く出るような
ことはない。
第４図ｃとｄに示される各ビツトはすべて凝集
体を含むので、その部分は光電変換には寄与せず
むしろ低抵抗比に寄与し、抵抗値分布のバラツキ
抑制に寄与することになる。
体を含むので、その部分は光電変換には寄与せず
むしろ低抵抗比に寄与し、抵抗値分布のバラツキ
抑制に寄与することになる。
細線パターン１５に代えて、ビツト内中間部に
低抵抗部１５ａ，１５ｂ，１５ｃを第５図ａ，
ｂ，ｃに示す如く矩形、円形または左右対称三角
形パターンで形成してもよい。
低抵抗部１５ａ，１５ｂ，１５ｃを第５図ａ，
ｂ，ｃに示す如く矩形、円形または左右対称三角
形パターンで形成してもよい。
なお以上においては光導電膜をCdSeで形成し
た場合について説明したが、本発明の適用範囲は
その場合に限定されるものでなく、他の材料例え
ば硫化カドミウム（CdS）で光導電膜を形成する
場合にも及ぶものである。
た場合について説明したが、本発明の適用範囲は
その場合に限定されるものでなく、他の材料例え
ば硫化カドミウム（CdS）で光導電膜を形成する
場合にも及ぶものである。
(7) 発明の効果
以上詳細に説明した如く、本発明によれば、電
極形成材料でビツト内を２分割する如くにパター
ンを設けることによつて、新たな工程を導入する
ことなくビツト内に低抵抗部分を電極形成の段階
で形成するものであり、それによつて、細線の読
落し確率を小にし、抵抗値の分布すなわち読取り
精度の均一化が実現され、フアクシミリ装置の小
型化、高信頼化に効果大である。
極形成材料でビツト内を２分割する如くにパター
ンを設けることによつて、新たな工程を導入する
ことなくビツト内に低抵抗部分を電極形成の段階
で形成するものであり、それによつて、細線の読
落し確率を小にし、抵抗値の分布すなわち読取り
精度の均一化が実現され、フアクシミリ装置の小
型化、高信頼化に効果大である。
第１図に原稿読取り装置の断面図、第２図ａと
ｂは従来のイメージセンサのビツトを構成する素
子の平面図と断面図、第３図はビツト内の合金層
凝集体の平面図、第４図と第５図は本発明実施例
の平面図である。 １……光源、２……導光系（SLA）、３……受
光素子（IS）、４……原稿、１１……基板、１２
……光導電膜、１３……電極、１４……凝集体、
１５……細線パターン。
ｂは従来のイメージセンサのビツトを構成する素
子の平面図と断面図、第３図はビツト内の合金層
凝集体の平面図、第４図と第５図は本発明実施例
の平面図である。 １……光源、２……導光系（SLA）、３……受
光素子（IS）、４……原稿、１１……基板、１２
……光導電膜、１３……電極、１４……凝集体、
１５……細線パターン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ センサ特性を付与する熱処理により、電気的
に低抵抗の凝集体を局部的に生ずる光導電膜と該
光導電膜の引出し電極とからなる原稿読取り装置
の密着形イメージセンサであつて、１ビツト内の
引出し電極間の距離を副走査線と同一またはやや
小で、かつ、該凝集体の最大粒径より大に設定
し、１ビツト内の引出し電極間の中間部分に抵抗
値分布のバラツキを抑制する中間電極パターンを
設けたことを特徴とする密着形イメージセンサ。 ２ 上記中間電極パターンが細線パターン、矩形
パターン、円形パターン、もしくは左右対称三角
形パターンであることを特徴とする第１項記載の
密着形イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58108839A JPS601969A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 密着形イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58108839A JPS601969A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 密着形イメ−ジセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS601969A JPS601969A (ja) | 1985-01-08 |
| JPH0221661B2 true JPH0221661B2 (ja) | 1990-05-15 |
Family
ID=14494875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58108839A Granted JPS601969A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 密着形イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS601969A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0681216B2 (ja) * | 1989-09-25 | 1994-10-12 | 松下電送株式会社 | 撮像装置 |
-
1983
- 1983-06-17 JP JP58108839A patent/JPS601969A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS601969A (ja) | 1985-01-08 |
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