JPS601865A - 密着形イメ−ジセンサ - Google Patents
密着形イメ−ジセンサInfo
- Publication number
- JPS601865A JPS601865A JP58108840A JP10884083A JPS601865A JP S601865 A JPS601865 A JP S601865A JP 58108840 A JP58108840 A JP 58108840A JP 10884083 A JP10884083 A JP 10884083A JP S601865 A JPS601865 A JP S601865A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image sensor
- distance
- contact type
- photoconductive film
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
Landscapes
- Facsimile Heads (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は密着形イメージセンサ、詳しくは、光導電素子
アレイの電極間距離を全ビットにわたって、光導電膜の
抵抗率分布のうねりを補償するように、テーパ状に形成
した密着形イメージセンサ素子の構成に関する。
アレイの電極間距離を全ビットにわたって、光導電膜の
抵抗率分布のうねりを補償するように、テーパ状に形成
した密着形イメージセンサ素子の構成に関する。
（２）技術の背景
従来の密着形の原稿読取り装置は第１図に示される構成
のものであり、同図において、符号１は発光ダイオード
（ＬＥＤ ’）の如き光源、２はセルフォックレンズア
レイ （ＳＬＡと呼称される）を用いた導光系、３は受
光素子アレイ （大形イメージセンサまたは密着形イメ
ージセンサ、Ｉｓと呼称される）を表し、図示しないロ
ーラによって送られてくる原稿４を光源１によって照射
し、原稿の白黒に対応した散乱光（反射光）を導光糸（
ＳＬＡ）２によって受光素子アレイ （Ｉｓ） ３に導
き、Ｉｓ上に正立等倍の実像を結ばせ、白黒に対応した
光を光電流の大小に変換し、この光電変換で原稿を読み
取る。
のものであり、同図において、符号１は発光ダイオード
（ＬＥＤ ’）の如き光源、２はセルフォックレンズア
レイ （ＳＬＡと呼称される）を用いた導光系、３は受
光素子アレイ （大形イメージセンサまたは密着形イメ
ージセンサ、Ｉｓと呼称される）を表し、図示しないロ
ーラによって送られてくる原稿４を光源１によって照射
し、原稿の白黒に対応した散乱光（反射光）を導光糸（
ＳＬＡ）２によって受光素子アレイ （Ｉｓ） ３に導
き、Ｉｓ上に正立等倍の実像を結ばせ、白黒に対応した
光を光電流の大小に変換し、この光電変換で原稿を読み
取る。
上記したイメージセンサの構成は第２図に示され、同図
において符号ＧとＳを付した側はそれぞれグループ側と
セレクト側を、ｔは時間を、Ｅは光導電膜を駆動する矩
形波電圧を示す。第２図に示す密着形（大形）イメージ
センサは、Ａ４幅解像度８本／ｍｍなら素子数１７２８
本で、１２５μｍピ・ノチで形成される。
において符号ＧとＳを付した側はそれぞれグループ側と
セレクト側を、ｔは時間を、Ｅは光導電膜を駆動する矩
形波電圧を示す。第２図に示す密着形（大形）イメージ
センサは、Ａ４幅解像度８本／ｍｍなら素子数１７２８
本で、１２５μｍピ・ノチで形成される。
イメージセンサの１ビツトを構成する素子の一つは第３
図（ａｌと（ｂｌの平面図と断面図に示され、同図にお
いて、１１は基板、１２は光導電膜、１３は引出し電極
を示し、図に点線で囲む領域が１ビツトの占有部分であ
る。また第３図ｆａ）において、Ｌは電極間距離を、Ｗ
は電極幅を示す。
図（ａｌと（ｂｌの平面図と断面図に示され、同図にお
いて、１１は基板、１２は光導電膜、１３は引出し電極
を示し、図に点線で囲む領域が１ビツトの占有部分であ
る。また第３図ｆａ）において、Ｌは電極間距離を、Ｗ
は電極幅を示す。
かかる素子の製造は、説明のため誇張して模式的に作っ
た第４図以下を参照すると（なお第４図以下においてス
ケールはそれぞれ異なるが既に図示した部分と同じ部分
は同じ符号を付して表示する）、基板１１にセレン化カ
ドミウム（ＣｄＳｅ）または硫化カドミウム（ＣｄＳ）
で光導電膜１２を形成する。なお同図ｆａｔと（ｂｌは
基板１工の平面図と断面図である。
た第４図以下を参照すると（なお第４図以下においてス
ケールはそれぞれ異なるが既に図示した部分と同じ部分
は同じ符号を付して表示する）、基板１１にセレン化カ
ドミウム（ＣｄＳｅ）または硫化カドミウム（ＣｄＳ）
で光導電膜１２を形成する。なお同図ｆａｔと（ｂｌは
基板１工の平面図と断面図である。
次いで蒸着によって電極１３を形成する金属膜１３ａを
第５図（ａ）と［ｂｌの平面図と断面図に示される如く
に形成する。
第５図（ａ）と［ｂｌの平面図と断面図に示される如く
に形成する。
次いで金属膜１３ａをメサエッチングによって個々の電
極Ｉ３が分離形成されうるようパターニングする−この
ようにして形成された電極は第６図に拡大して部分的に
示される。第２図を参照して説明した如く、大形イメー
ジセンサにおいてはががる電極が１７２８本作られる。
極Ｉ３が分離形成されうるようパターニングする−この
ようにして形成された電極は第６図に拡大して部分的に
示される。第２図を参照して説明した如く、大形イメー
ジセンサにおいてはががる電極が１７２８本作られる。
（３）従来技術と問題点
以上に説明した原稿読取り装置においては光導電膜の抵
抗値変化を光電変換に利用するものであり、光導電膜の
抵抗値を規定する形状因子Ｌ／Ｗ（Ｌは電極間距離、Ｗ
は電極幅；第３図参照）を全てのビットにわたって同一
値になるよう形成することが一般に行われる。
抗値変化を光電変換に利用するものであり、光導電膜の
抵抗値を規定する形状因子Ｌ／Ｗ（Ｌは電極間距離、Ｗ
は電極幅；第３図参照）を全てのビットにわたって同一
値になるよう形成することが一般に行われる。
しかし、イメージセンサの基板１１ば長尺のものである
ので、すべての光導電膜内で明抵抗率が同じ値であるよ
うに膜形成するごとはきわめて困難で、実際の製造にお
いては、明抵抗率が端部分（周辺部分）で大、中心部分
では小になったいわゆるうねりを発生する。それは第７
図の線図に示され、同図において横軸には基板上の位置
、また縦軸には光導電膜の明シート抵抗ρＳを表し、従
来技術によると光導電膜の明シート抵抗は曲線Ａに示さ
れる如くに変化した。なお横軸上でＣは基板の中心部分
を示す。
ので、すべての光導電膜内で明抵抗率が同じ値であるよ
うに膜形成するごとはきわめて困難で、実際の製造にお
いては、明抵抗率が端部分（周辺部分）で大、中心部分
では小になったいわゆるうねりを発生する。それは第７
図の線図に示され、同図において横軸には基板上の位置
、また縦軸には光導電膜の明シート抵抗ρＳを表し、従
来技術によると光導電膜の明シート抵抗は曲線Ａに示さ
れる如くに変化した。なお横軸上でＣは基板の中心部分
を示す。
また基板寸法が大なることを反映し、電極幅Ｗを決める
パターンエツチングが厳密には一様にできず、前記した
バターニングにおけるサイドエツチング（横方向エツチ
ング）の量が中心部分では小に、端部分では大になり、
素子幅すなわち電極幅Ｗが中心部分では大に、端部分で
ば小に形成されるイ頃向にある。
パターンエツチングが厳密には一様にできず、前記した
バターニングにおけるサイドエツチング（横方向エツチ
ング）の量が中心部分では小に、端部分では大になり、
素子幅すなわち電極幅Ｗが中心部分では大に、端部分で
ば小に形成されるイ頃向にある。
上述したことが原因となって、結果として出゛ζくる明
抵抗分布が端部分では高く中心部分では低い大なるうね
りをもった分布を示すことになり、２値化を決めるレベ
ル設定のマージン幅が著しく狭められ、鮮明な画像再生
を難しくする問題がある。
抵抗分布が端部分では高く中心部分では低い大なるうね
りをもった分布を示すことになり、２値化を決めるレベ
ル設定のマージン幅が著しく狭められ、鮮明な画像再生
を難しくする問題がある。
（４）発明の目的
本発明は上記従来の問題に鑑み、密着形イメージセンサ
において、従来イメージセンサアレイの抵抗値分布が中
心部分で小、端（周辺）部分で大にうねり分布していた
ものを改良し、抵抗値分布がイメージセンサの全部分に
わたってほぼ一定となり、鮮明な画像再生が可能な如く
に素子を形成した密着形イメージセンサを提供すること
を目的とする。
において、従来イメージセンサアレイの抵抗値分布が中
心部分で小、端（周辺）部分で大にうねり分布していた
ものを改良し、抵抗値分布がイメージセンサの全部分に
わたってほぼ一定となり、鮮明な画像再生が可能な如く
に素子を形成した密着形イメージセンサを提供すること
を目的とする。
（５）発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、光導電膜からなるイ
メージセンサにして、光導電素子アレイの電極間距離を
全ビットにわたって中心部分から端部分に向けて小なる
如くにテーパした形状に形成して光導電膜の抵抗率分布
のうねりを補償することを特徴とする密着形イメージセ
ンサを提供することによって達成される。
メージセンサにして、光導電素子アレイの電極間距離を
全ビットにわたって中心部分から端部分に向けて小なる
如くにテーパした形状に形成して光導電膜の抵抗率分布
のうねりを補償することを特徴とする密着形イメージセ
ンサを提供することによって達成される。
（６）発明の実施例
以下本発明実施例を図面によって詳説する。
本願発明者らは、従来の密着形イメージセンサにおいて
、■明抵抗率の分布は中心部分が小、端（周辺）部分が
大なる分布をなし、■エツチングによる電極形成におい
て電極幅Ｗは中心部分が大、端部分が小なる如くサイド
エツチングの影響かあり、０以上を反映して、イメージ
センザアレイの抵抗値分布は中心部分が小、端部分が大
なるうねり分布をなす事実に着目し、上記のうねり分布
を是正するために、密着形イメージセンサ素子の電極間
距離りを全ビットにわたってすなわち全電極について変
化させることを考えた。
、■明抵抗率の分布は中心部分が小、端（周辺）部分が
大なる分布をなし、■エツチングによる電極形成におい
て電極幅Ｗは中心部分が大、端部分が小なる如くサイド
エツチングの影響かあり、０以上を反映して、イメージ
センザアレイの抵抗値分布は中心部分が小、端部分が大
なるうねり分布をなす事実に着目し、上記のうねり分布
を是正するために、密着形イメージセンサ素子の電極間
距離りを全ビットにわたってすなわち全電極について変
化させることを考えた。
密着形イメージセンサにおける明抵抗分布＋＜ｐは１？
ｐ＝ρｓ−Ｌ／Ｗ で現される。ここで、電極の幅Ｗはサイドエツチングの
結果中心部分で大、端部分では小に形成されることは既
に説明した。従来はＬの値は一定にとられたために、Ｗ
の影響を相殺しえなかったのであるが、本発明において
は、Ｌの値を中心部分で犬、端部分で小になる如くに変
化させ、ρｓ／Ｗが中心部分で小、端（周辺）部分で大
になるうねり現象を相殺するものである。
ｐ＝ρｓ−Ｌ／Ｗ で現される。ここで、電極の幅Ｗはサイドエツチングの
結果中心部分で大、端部分では小に形成されることは既
に説明した。従来はＬの値は一定にとられたために、Ｗ
の影響を相殺しえなかったのであるが、本発明において
は、Ｌの値を中心部分で犬、端部分で小になる如くに変
化させ、ρｓ／Ｗが中心部分で小、端（周辺）部分で大
になるうねり現象を相殺するものである。
そのためには、電極１３を第８図の平面図に示される如
くに、ずなわぢ電極間距離をみると、中心部分の電極間
距離Ｌｃが端部分の電極間距離Ｌｅよりかなり大になる
ように形成する。かくして電極の両端部分の輪郭を全体
的に観察すると、中心部分の幅ガ最大で両端部分に向け
て減少するテーパ状の形態を現出する。
くに、ずなわぢ電極間距離をみると、中心部分の電極間
距離Ｌｃが端部分の電極間距離Ｌｅよりかなり大になる
ように形成する。かくして電極の両端部分の輪郭を全体
的に観察すると、中心部分の幅ガ最大で両端部分に向け
て減少するテーパ状の形態を現出する。
このテーバ形状をいかに設定するか、すなわち電極間距
離ＬＣ％ Ｌ（ｌをいかなる値にとりそれをいかに変化
させるかは、ρＳおよびＷの値の変形を実験により測定
した上で計測する。
離ＬＣ％ Ｌ（ｌをいかなる値にとりそれをいかに変化
させるかは、ρＳおよびＷの値の変形を実験により測定
した上で計測する。
（７）発明の効果
以上詳細に説明した如く、本発明によると、密着形イメ
ージセンサにおいて、光導電膜の抵抗率変化、電極の幅
のサイドエツチングによる変化を計算に入れ、その結果
に基づいて電極間距離を中心部分で大、端部分で小に設
定することにより、明１夜抗分布を全ビットにわたって
ほぼ一定にすることが可能となり、２値化が容易化され
、鮮明な画像再生が可能になるものである。
ージセンサにおいて、光導電膜の抵抗率変化、電極の幅
のサイドエツチングによる変化を計算に入れ、その結果
に基づいて電極間距離を中心部分で大、端部分で小に設
定することにより、明１夜抗分布を全ビットにわたって
ほぼ一定にすることが可能となり、２値化が容易化され
、鮮明な画像再生が可能になるものである。
第１図は原稿読取り装置の断面図、第２図は密着形イメ
ージセンサの構成を示す図、第３図＋ａ＋と（ｂｌは第
２図のイメージセンサの１ビットを構成する素子の平面
図と断面図、第４図と第５図の＋ａ＋と（ｂ）は第３図
の素子を製造する工程における同素子の平面図と断面図
、第６図は前記工程における同素子の平面図、第７図は
第６図の素子の光導電膜の抵抗率分布を示す線図、第８
図は本発明の実施例の平面図である。 ＬＬ−一基板、１２−光導電膜、１３−電極第５図 （Ｑ）（ １ 第６図 ：ｂ） １ １３ １３
ージセンサの構成を示す図、第３図＋ａ＋と（ｂｌは第
２図のイメージセンサの１ビットを構成する素子の平面
図と断面図、第４図と第５図の＋ａ＋と（ｂ）は第３図
の素子を製造する工程における同素子の平面図と断面図
、第６図は前記工程における同素子の平面図、第７図は
第６図の素子の光導電膜の抵抗率分布を示す線図、第８
図は本発明の実施例の平面図である。 ＬＬ−一基板、１２−光導電膜、１３−電極第５図 （Ｑ）（ １ 第６図 ：ｂ） １ １３ １３
Claims (1)
- 光導電膜からなるイメージセンサにして、光導電素子ア
レイの電極間距離を全ビットにわたって中心部分から端
部分に向けて小なる如くにテーパした形状に形成して光
導電膜の抵抗率分布のうねりを補償することを特徴とす
る密着形イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58108840A JPS601865A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 密着形イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58108840A JPS601865A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 密着形イメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS601865A true JPS601865A (ja) | 1985-01-08 |
Family
ID=14494903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58108840A Pending JPS601865A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 密着形イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS601865A (ja) |
-
1983
- 1983-06-17 JP JP58108840A patent/JPS601865A/ja active Pending
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