JPH0221693B2 - - Google Patents

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JPH0221693B2
JPH0221693B2 JP57154740A JP15474082A JPH0221693B2 JP H0221693 B2 JPH0221693 B2 JP H0221693B2 JP 57154740 A JP57154740 A JP 57154740A JP 15474082 A JP15474082 A JP 15474082A JP H0221693 B2 JPH0221693 B2 JP H0221693B2
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JP
Japan
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storage means
load
charge
pulse
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JP57154740A
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JPS5869110A (ja
Inventor
Robaato Yuujin Rezan Joojisu
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General Electric Co
Original Assignee
General Electric Co
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Publication date
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Publication of JPS5869110A publication Critical patent/JPS5869110A/ja
Publication of JPH0221693B2 publication Critical patent/JPH0221693B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/53Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of an energy-accumulating element discharged through the load by a switching device controlled by an external signal and not incorporating positive feedback
    • H03K3/57Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of an energy-accumulating element discharged through the load by a switching device controlled by an external signal and not incorporating positive feedback the switching device being a semiconductor device

Landscapes

  • Generation Of Surge Voltage And Current (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)
  • Thyristor Switches And Gates (AREA)
  • Manipulation Of Pulses (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は一般にパルス整形増幅回路に関するも
のであり、特にエネルギー効率の高いこのような
回路に関するものである。本発明の特定の用途と
しては、サイリスタを周期的に導通させるための
ゲート・パルス発生装置がある。
パルス整形増幅回路には多数の用途があるが、
非常に一般的な用途の1つはサイリスタを導通さ
せるためのゲート駆動用またはトリガ用の信号ま
たはパルスを発生することである。サイリスタの
最も普通の形はシリコン制御整流器(SCR)で
ある。サイリスタはアノード、カソード、および
ゲートの3つの電極を有する3端子の半導体素子
であつて、アノードとカソードの間に順方向バイ
アス電圧、およびゲート電極にゲート信号を同時
に印加することによつて導通状態になる。サイリ
スタは一旦導通すると、普通は、アノード端子と
カソード端子の間にゼロまたは逆方向の電圧バイ
アスを充分な時間にわたつて加えることによりサ
イリスタを通る電流が減少して実質的にゼロにな
るまで導通状態にとどまる。
1つの普通の型のパルス整形増幅回路では、通
常、コンデンサのような電荷蓄積手段を使つて電
荷を生じさせている。一旦コンデンサが機械的ま
たは電気的な適当なスイツチ手段によつて充電さ
れると、これは負荷(たとえばサイリスタ・ゲー
ト駆動装置)を通して放電することができ、その
結果電力パルスが負荷に与えられる。回路部品の
寸法と値を適切に定めることによつて、発生され
るパルスの形状、大きさ、および持続時間は所望
の機能に対して適切なものとなる。
多くの場合、パルスの形状、大きさ、および持
続時間の要求条件は、パルスの全電力が負荷が通
常必要とする電力をはるかに上廻つるように定め
られている。たとえば、サイリスタ・ゲート駆動
装置に対して指定されたパルス条件は実際にサイ
リスタをオンにするのに必要な電力より遥かに大
きい。このパルスの過大電力はサイリスタを確実
に導通させるための安全係数の性格がある。これ
らの場合には、この過大電力を何らかの方法で回
収しなければ、結果としてエネルギーが浪費さ
れ、望ましくない熱を除去しなければならないこ
とになる。
したがつて、本発明の目的は改良されたパルス
整形増幅回路を提供することにある。
もう1つの目的は、実際の負荷が必要とするパ
ルス・エネルギーを超えるエネルギーを回収する
ことによつて効率を向上させるパルス整形増幅回
路を提供することにある。
更にもう1つの目的は部品数が比較的少ない、
効率のよいパルス整形増幅回路を提供することに
ある。
更にもう1つの目的は、サイリスタのゲート駆
動装置に使うのに適した、比較的単純で低価格の
パルス整形増幅回路を提供することにある。
上記の目的および他の目的は本発明に従つて、
直流電源に接続されるようにされたパルス整形増
幅回路に、第1の誘導性手段と電荷蓄積手段とを
含む振動性の回路を設けることにより達成され
る。第1のスイツチ手段を使うことによつて電源
が電荷蓄積手段に接続され、この電荷蓄積手段に
第1の方向に電荷が形成される。第2のスイツチ
手段が第1のスイツチ手段と相互接続されて、ど
の時点でもこの2つのスイツチ手段のうち1つだ
けが導通するようにされている。第2のスイツチ
手段は電荷蓄積手段を負荷と直列に接続するよう
に動作することができ、その結果この電荷蓄積手
段からパルス形式の電力が負荷に与えられ、電荷
蓄積手段は第2の方向に再充電される。第1の誘
導性手段と磁気的に密に結合した第2の誘導性手
段を含むフライバツク経路(たとえば密結合の変
圧器)を、電荷蓄積手段と実効的に並列に接続す
ることにより、上記の負荷と振動性の回路の中で
消費されなかつた電気エネルギーを使つて該蓄積
手段を第1の方向に充電する。
上述の基本的な回路を改善するため、第1の電
荷蓄積手段と並列に第2の電荷蓄積手段を接続す
ることができる。これによりパルスの前部の立上
り時間が早くなり、回路の全体的な動作を向上す
ることができる。
本発明は請求範囲に具体的に記載してあるが、
添付の図面についての以下の説明により一層よく
理解できよう。
第1図は、本発明を理解するための助けとし
て、従来の方法による典型的なパルス整形増幅回
路を示したものである。この図に示してあるよう
に、適当な直流電源10が電流制限抵抗12およ
び母線14を介して、図ではコンデンサC1とし
て示してある電荷蓄積手段の一方のプレートに接
続されている。コンデンサC1の他方のプレート
は誘導性手段(インダクタンス・コイルL)に接
続されている。回路を完成するため、インダクタ
ンス・コイルLのもう一方の側は負荷RLおよび
母線16を介して直流電源10の負端子に接続さ
れている。コンデンサC2と抵抗18との直列構
成がコンデンサC1とインダクタンス・コイルL
との直列構成と並列に接続されている。母線14
と母線16との間に適当なスイツチ手段が接続さ
れ、これはここではゲート電極21を有するサイ
リスタ20として示してある。このスイツチ手段
は、適切にゲート駆動されたとき母線14から母
線16に電流を流す向きに接続されている。母線
14と母線16との間に、サイリスタ20と逆並
列関係にダイオード22が接続されている。
第1図の回路の動作は基本的に次の通りであ
る。電流が電源10の正端子から抵抗12、母線
14、コンデンサC1、インダクタンス・コイル
L、負荷RL、および母線16を通つて電源10
の負端子に流れ、その結果コンデンサC1の左側
のプレートが図に示すように正に充電される。母
線14からコンデンサC2と抵抗18を通る第2
の電流経路も存在し、このためコンデンサC2が
図示の方向に充電される。正パルスを負荷RL
印加したいときは、何か適切な手段(図示してな
い)によつてサイリスタ20のゲート電極21に
ゲート信号を印加することによりサイリスタ20
をオンにして、コンデンサC1およびC2の図示
した正のプレートから母線14、サイリスタ2
0、負荷RL、更にインダクタンス・コイルLま
たは抵抗18を通つてそれぞれのコンデンサの下
側のプレートに至る電流循環路ができるようにす
る。エネルギーの総量が負荷および回路部品によ
つて吸収されないと仮定すると、コンデンサC1
およびC2はこのとき、図示した極性と逆の方向
に充電されることになる。この充電電圧が充分大
きい場合には、その後リンギング電流がダイオー
ド22により負荷を通つて逆方向に流れ、コンデ
ンサC1およびC2は事実上、再び図示の方向に
正に再充電される。
この性質の回路では、コンデンサC1は普通、
コンデンサC2に比べて大きい(たとえば5倍の
値)。そのためコンデンサC1が主要な電荷蓄積
手段として働き、C2は2次的な容量として負荷
に与えられるパルスの立ち上り時間を早める役目
をする。このことは第2図により明瞭に示されて
いる。第2図には、同じ時間軸上に負荷RLの電
流とコンデンサC1の電圧を示してある。第2図
に示すように、時点t1以前はC1の電圧はある
一定レベルになつている。このレベルはたとえば
電源10の正電圧である。時点t1でサイリスタ
20が導通すると、C1の電圧は負の値に降下し
た後、前述したように再び上昇して正の一定値に
なる。
負荷電流は第2図にもう1つの線で表わされて
いる。コンデンサC2がない場合は時点t1近傍
の破線示したように負荷電流は一般にゆつくりと
立上つた後、反転して負になる。それから再び方
向を変えてOボルトに近づく。第2図の時点t1
から始まる実線の電流で表わしたような早い立上
り時間は、小さい容量の補助コンデンサC2の放
電によつて得られる。第2図の右側のゼロの線の
下にある影を付けた部分は、この種類のシステム
でコンデンサC1およびC2をもとの方向に再充
電するために帰還するように利用できるアンペア
秒を表わしている。図からわかるように、この量
はかなり小さいので、この型のシステムではかな
り大量のエネルギーが浪費される可能性がある。
この従来システムには、図示したようにスイツ
チ手段20がサイリスタであるときもう1つの欠
点がある。すなわち回路部品の値が非常に臨界的
になるということである。これは、負荷が利用可
能なエネルギーを実質的にすべて吸収した場合、
サイリスタ20が電源へ接続されていることによ
り導通状態にラツチされることがあるからであ
る。この型のシステムの更にもう1つの欠点は、
パルス繰り返し速度、すなわちサイリスタ20
(スイツチ手段)を反復動作できる速度が主とし
て素子C1およびLから成る振動性の回路の自然
周波数によつてきまるという点である。これは第
2図では、自然振動を制御している負荷電流の後
縁部分によつて例示されている。この後縁部分は
必要以上に長いので、パルス終了時に余分なエネ
ルギー損失が生じる。
第1図について述べた問題のいくつかを解決し
た既知の従来方法の1つを第3図に示してある。
第3図の類似の部品は第1図と同じ番号で示して
ある。回路素子の構成に多少の変更はあるが、第
1図の回路と第3図の回路の間の大きな違いは第
3のコンデンサC3を付け加えた点にある。この
コンデンサの付加によりサイリスタ電流が流れ得
る直流電流路がなくなるので、サイリスタが導通
状態にラツチされるという問題はなくなる。しか
し、他の点ではこの回路には基本的には第1図で
説明したものと同じ欠点がある。
次に第4図は本発明を基本形式で示したもので
ある。図示のように、電池30として示した直流
電源の正端子は抵抗36、第1のスイツチ手段3
8、および母線32を介してコンデンサC4とし
て示した電荷蓄積手段の上側プレートに接続され
ている。コンデンサC4の他方のプレートは、変
圧器44の一次巻線として示してある第1の誘導
性手段L1に接続されている。誘導性手段L1の
他端は母線34によつて電池30の負端子に接続
されている。この場合には、負荷RLは2つの母
線32と34との間に第2のスイツチ手段40と
直列に接続されている。2つのスイツチ手段38
と40は破線39で示すように、いつでもどちら
か一方だけが導通位置にあるように相互接続され
ている。スイツチ手段38および40は勿論、機
械的スイツチのような任意の適当な型のものでよ
いが、しかし、後述の第7図で述べるように、ト
ランジスタ・スイツチング回路のような電子的ス
イツチ手段を使う方が実用的である。従来例で述
べたのと同様に、第2の電荷蓄積手段(コンデン
サC5)と抵抗42とから成る直列回路がコンデ
ンサC4と誘導性手段L1とから成る振動性の回
路と並列に接続されている。フライバツク電流回
路がコンデンサC4と並列に接続されている。こ
のフライバツク回路は変圧器44の二次巻線とし
て示してある第2の誘導性手段L2とダイオード
43から構成されている。このダイオード43は
電流をコンデンサC4の上側のプレートに導くよ
うな極性に接続されている。変圧器44は好まし
くは空心変圧器で、一次巻線と二次巻線を1つの
芯にバイフアイラ巻きして磁気的に非常に密に結
合して、それらの間の相互インダクタンスが殆ん
どないようにする。
第4図の回路の動作を第5図および第6図の波
形によつて説明する。スイツチ手段38が導通し
たとき、コンデンサC4およびC5はその上側の
プレートが正に充電され、その電圧値は電源すな
わち電池30の値にほぼ等しくなる。これを第5
図の「C4の電圧」として示す波形の時点t1以
前の波形で示してある。負荷に電力パルスを供給
したいとき、スイツチ40を閉じ(スイツチ38
を開き)、コンデンサC4を、その上側のプレー
トから母線32、負荷RL、スイツチ40、母線
34、および誘導性手段L1を介して放電する。
第5図においては、スイツチ40の閉成は時点t
1に対応している。C4の電圧が降下し始めるに
つれ、このコンデンサの下から上に流れる電流が
増加し始め、第1の誘導性手段L1を通る電流は
ダイオード43を非導通状態にバイアスする。L
1およびC4から成る振動性の回路を通るこの電
流(第5図に「C4の電流」として示す)はコン
デンサC4を第4図に示したのと逆の方向に充電
する傾向になる。コンデンサC4が逆方向に充電
し始めると直ちに、その電流は減少し始める。こ
の時点、すなわち第5図および第6図の時点t2
において、スイツチ40が開放され(スイツチ3
8が閉成され)、誘導性手段L1はその極性を反
転して極性が第4図の丸点と逆方向になるように
電流を維持しようとする。このL1(したがつて
L2)の極性反転によつてダイオード43が導通
状態にバイアスされる。このため振動性回路を通
る電流すなわちC4の電流は第5図の時点t2で
示すように直ちに方向を反転して、コンデンサC
4をそのもとの方向、すなわち上側のプレートが
正になる方向に充電するのを助ける。この電流反
転はほぼ瞬間的に起きる。この電流反転により、
C4の電流波形の時点t2に始まる影を付けた領
域で示すように、コンデンサC4の再充電を助け
るような充分な大きさのアンペア秒が得られ、エ
ネルギーを節約することができる。
時点t2の右側に示されているようにフライバ
ツク構成の性質により、負荷電流がゼロの値に近
づく時間は従来技術の場合よりもずつと短かくな
るので、回路の繰り返しサイクルを高めることが
できる。
第6図は負荷電流を示す。時点t1から始まる
左側の影を付けた領域は補助の電荷蓄積手段C5
の放電によるものであつて、従来技術について述
べたのとほぼ同じ方法で立上りを急峻にする。第
6図に示すようにt1からt2までの時間が負荷
電流として利用できるパルスである。
第7図はトランジスタ・スイツチを使つた本発
明の好ましい実施例を示し、直列接続された複数
のサイリスタのゲート駆動回路のパルスを供給す
るように適用したものである。明らかなように第
7図は実質的に第4図の回路を用いたものであり
(相異点については後述する)、トランジスタ・ス
イツチを動作させるのに必要な素子を付加してあ
る。第4図で素子を表わすのに用いた記号は実質
的に同一なものについては第7図でも使つてい
る。第7図において、直流電源は+Vの電圧で表
わされており、この電圧が母線32に印加され、
母線34が共通線に接続されている。この回路の
動作において、休止状態では、スイツチ40′
(トランジスタ)が非導通状態であり、スイツチ
38′(これもトランジスタである)が導通状態
である。+Vの電圧が母線32および抵抗36を
介してトランジスタ38′のコレクタに接続され、
トランジスタ38′のエミツタは主電荷蓄積手段
(コンデンサC4)の上側プレートに接続されて
いる。トランジスタ40′が非導通である場合、
トランジスタ38′は抵抗50を介して母線32
へ接続されていることより導通状態に保持され
る。このようにしてトランジスタ38′が導通し
ていると、電流が正端子+Vから母線32および
抵抗36を介して流れ、第4図について述べたの
と同様にコンデンサC4およびC5を充電する。
コンデンサC4の上側のプレートとトランジスタ
38′のエミツタとの接続点と線53との間にダ
イオード52が接続されている。線53は複数の
変圧器の1ターンの一次巻線を形成しており、こ
れらの変圧器は各々トロイダル磁心54と二次巻
線55を有する。各二次巻線55は点で示した極
性でダイオード56を介してサイリスタ60のゲ
ート端子に接続されている。正電圧源+V1と接
地点との間に数個のサイリスタが直列に接続され
ている。各サイリスタのゲート電極とカソードと
の間に抵抗58が接続されている。この回路は従
来技術でサイリスタのゲート回路またはトリガ回
路として良く知られているものである。
適切な電流が線53に存在していれば、サイリ
スタ60が導通状態にゲート駆動される。勿論、
電圧+V1はこの動作を行なうのに充分な値のも
のであると仮定している。注意すべきことは、こ
こにはサイリスタ60は2つだけ示してあるが、
普通はもつと多数(たとえば6個)のサイリスタ
が直列接続される。
線53に電流を流すにはトランジスタ40′を
導通させることによつて行なわれる。これには第
7図に示すように適当なパルス増幅器62を使う
が、パルス増幅器としては公知のものどれでもよ
い。導通させたいとき、パルス増幅器は変圧器6
4の一次巻線66に電気パルスを供給する。この
パルスの持続時間は、パルス増幅器62の設計に
よつて時点t1とt2の間の時間(第5図および
第6図)に相当するようになつている。時点t1
とt2の間の時間は使用する特定の回路に用いら
れる電気部品の値から計算することができる。ト
ランジスタ40′のベースは変圧器64の二次巻
線68を介してそのエミツタに接続されているの
で、トランジスタ40′は通常非導通状態にある。
変圧器64の一次巻線66に正のパルスが加えら
れたとき、二次巻線68はトランジスタ40′の
ベースに正のバイアスを供給する。この正バイア
スの印加によりトランジスタ40′が導通すると、
トランジスタ38′のベースが母線34の共通線
電圧にまで引き下げられ、その結果トランジスタ
38′は非導通になる。コンデンサC4およびC
5に存在していた電荷によつて、電流がダイオー
ド52、線53、およびトランジスタ40′のコ
レクタからエミツタを通つて、インダクタンス・
コイルL1およびコンデンサC4から成る振動性
回路に流れる。電流が反転してコンデンサC4が
上のプレートが正に再充電されるのは第4図で説
明したのと同じである。またこの回路の残りの動
作第4図で説明したのと同様である。この状態
で、パルス増幅器62からのパルス終了時点に対
応してC4の電流(第5図)が減少し始めたと
き、トランジスタ40′が導通しなくなるのでト
ランジスタ38′は導通状態に戻る。そしてコン
デンサC4(およびコンデンサC5)は再び正の
充電電流を電源+Vから受ける。ダイオード70
は変圧器64に対するバイパス路を提供し、トラ
ンジスタ40′を保護するために設けてある。
このようにして、この回路は比較的低価格で、
効率の高いパルス整形増幅回路であり、フライバ
ツク経路により負荷内で消費されなかつたエネル
ギーを保存する働きをする。
本発明の現在好ましい実施例と考えられるもの
につき図示し説明したが、当業者がこれに変更を
加えることは容易であろう。したがつて、本発明
は図示し説明した特定の回路に限定されるべきも
のでなく、請求範囲および本発明の真の精紳と範
囲内にあるすべての変更を包含するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来技術の代表的なパルス整形増幅回
路を示した基本的な回路図である。第2図は第1
図の回路の動作を説明するための電気的な波形図
である。第3図は従来技術により第1図の回路を
変形した基本回路である。第4図は本発明をその
基本的な形式で示した回路図である。第5図およ
び第6図は第4図の動作を説明するための電気的
な波形図である。第7図は本発明の好ましい実施
例の回路図で、直列接続されたサイリスタのゲー
ト駆動回路に接続した場合を示す。 符号の説明、L1……第1の誘導性手段、(イ
ンダクタンス・コイル)、L2……第2の誘導性
手段(インダクタンス・コイル)、C4……第1
の電荷蓄積手段(コンデンサ)、C5……第2の
電荷蓄積手段(コンデンサ)、RL……負荷、38
……第1のスイツチ手段、38′……トランジス
タ、40……第2のスイツチ手段、40′……ト
ランジスタ、43……フライバツク用ダイオー
ド、60……サイリスタ、62……パルス増幅
器。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 直流電源に接続されるようになつていて、選
    択的に負荷に電力パルスを供給するパルス整形増
    幅回路において、 (a) 第1の誘導性手段と電荷蓄積手段とを含む振
    動性回路と、 (b) 電荷蓄積手段に電源を接続することにより電
    荷蓄積手段に第1の方向に電荷を蓄積させるよ
    うに動作する第1のスイツチ手段と、 (c) 電荷蓄積手段を負荷と直列に接続することに
    より電荷蓄積手段からの電力を負荷に与え、ま
    た電荷蓄積手段を第2の方向に充電するように
    動作する第2のスイツチ手段と、 (d) 第1および第2のスイツチ手段を相互接続し
    て、常にその一方のスイツチ手段だけが電気的
    に導通するようにする手段と、 (e) 第1の誘導性手段と磁気的に密に結合した第
    2の誘導性手段を含むフライバツク経路であつ
    て、電荷蓄積手段と実効的に並列に接続されて
    いて、もつて負荷および振動性回路で消費され
    ない電気エネルギーが電荷蓄積手段を第1の方
    向に充電するのに使用されるようにしたフライ
    バツク経路と、を有するパルス整形増幅回路。 2 第1および第2のスイツチ手段がそれぞれ第
    1および第2のトランジスタから成る、特許請求
    の範囲第1項に記載のパルス整形増幅回路。 3 第1および第2の誘導性手段が密に結合した
    空心変圧器より成る、特許請求の範囲第1項に記
    載のパルス整形増幅回路。 4 電荷蓄積手段がコンデンサより成る、特許請
    求の範囲第1項に記載のパルス整形増幅回路。 5 直流電源に接続されるようになつていて、選
    択的に負荷に電力パルスを供給するパルス整形増
    幅回路において、 (a) 電荷蓄積手段と誘導性手段とを含む直列接続
    された振動性回路と、 (b) 振動性回路に電源を接続することにより電荷
    蓄積手段が第1の方向に電荷を蓄積するように
    動作する第1のスイツチ手段と、 (c) 振動性回路に直列に負荷を接続するように動
    作する第2のスイツチ手段であつて、動作した
    ときに電荷蓄積手段の電荷の放電により電力パ
    ルスが負荷に与えられ、また電荷蓄積手段に第
    2の方向に電荷が蓄積されるようにする第2の
    スイツチ手段と、 (d) 第1および第2のスイツチ手段を相互接続し
    て、常にその一方のスイツチ手段だけが電気的
    に導通するようにする手段と、 (e) 振動性回路と実効的に並列に接続された第2
    の誘導性手段を含むフライバツク電流経路であ
    つて、第2の誘導性手段が第1の誘導性手段と
    磁気的に密に結合され、当該フライバツク電流
    経路が第2の方向に充電された電荷蓄積手段か
    らの電流を電荷蓄積手段に戻して電荷蓄積手段
    を第1の方向に再充電するように作用するフラ
    イバツク電流経路、とを有するパルス整形増幅
    回路。 6 第1の電荷蓄積手段と実効的に並列に接続さ
    れて、負荷に供給されるパルスの立上り時間を早
    くする第2の電荷蓄積手段を含む、特許請求の範
    囲第5項に記載のパルス整形増幅回路。 7 第1および第2のスイツチ手段がそれぞれ第
    1および第2のトランジスタから成る、特許請求
    の範囲第5項に記載のパルス整形増幅回路。 8 第1および第2の誘導性手段が密結合の空心
    変圧器である、特許請求の範囲第5項に記載のパ
    ルス整形増幅回路。 9 第2のトランジスタに電気パルスを与えて、
    これを導通させる手段を含む、特許請求の範囲第
    7項に記載のパルス整形増幅回路。 10 電荷蓄積手段がコンデンサより成る、特許
    請求の範囲第5項に記載のパルス整形増幅回路。 11 フライバツク経路が第2の誘導性手段と直
    列に接続されたダイオードを含む、特許請求の範
    囲第5項に記載のパルス整形増幅回路。 12 (a) 直流電源と、 (b) コンデンサと変圧器の一次巻線とを含む振動
    性の回路と、 (c) 振動性回路に前記電源を接続するための第1
    のトランジスタ・スイツチであつて、電源に接
    続されていることにより通常は導通していて、
    電源からの電流をコンデンサを第1の方向に充
    電するように流す第1のトランジスタ・スイツ
    チと、 (d) 外部から印加される信号に応動して導通する
    第2のトランジスタ・スイツチと、 (e) 第2のトランジスタ・スイツチが導通すると
    第1のトランジスタ・スイツチが非導通になる
    ように第1および第2のトランジスタを相互接
    続する手段と、 (f) 第2のトランジスタ・スイツチが導通したと
    きコンデンサの電荷によつて電力パルスが負荷
    に供給されるように、第2のトランジスタ・ス
    イツチ、振動性回路、および電気的負荷を相互
    接続する手段と、 (g) 変圧器の一次巻線と磁気的に密に結合した二
    次巻線とダイオードとを含み、コンデンサ上の
    電荷を第2の方向から第1の方向に反転するフ
    ライバツク回路手段と、の組み合せよりなる回
    路。
JP57154740A 1981-09-24 1982-09-07 パルス整形増幅回路 Granted JPS5869110A (ja)

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US06/305,091 US4404476A (en) 1981-09-24 1981-09-24 Pulse shaping and amplifying circuit

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CA1192610A (en) 1985-08-27
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