JPH0221732U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0221732U JPH0221732U JP10036288U JP10036288U JPH0221732U JP H0221732 U JPH0221732 U JP H0221732U JP 10036288 U JP10036288 U JP 10036288U JP 10036288 U JP10036288 U JP 10036288U JP H0221732 U JPH0221732 U JP H0221732U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating layer
- high concentration
- impurity region
- concentration impurity
- semiconductor device
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
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- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
第１図は本考案による半導体装置の一実施例で
あるｎＭＯＳ ＦＥＴを示す断端面図、第２図は
第１図例の製造方法を示す断端面図、第３図は本
考案の他の実施例であるｎＭＯＳ ＦＥＴを示す
断端面図、第４図は従来のｎＭＯＳ ＦＥＴを示
す断端面図である。 ２……ソース領域、３……ドレイン領域、６…
…ゲート電極、１０，１１，１２……アルミニウ
ム配線層、１８，３１……多結晶シリコン層、２
０，２１，２２……Ｎ＋領域、３２，３３，３４
……Ｎ＋領域。
あるｎＭＯＳ ＦＥＴを示す断端面図、第２図は
第１図例の製造方法を示す断端面図、第３図は本
考案の他の実施例であるｎＭＯＳ ＦＥＴを示す
断端面図、第４図は従来のｎＭＯＳ ＦＥＴを示
す断端面図である。 ２……ソース領域、３……ドレイン領域、６…
…ゲート電極、１０，１１，１２……アルミニウ
ム配線層、１８，３１……多結晶シリコン層、２
０，２１，２２……Ｎ＋領域、３２，３３，３４
……Ｎ＋領域。
Claims (1)
- 真性半導体からなる絶縁層を設け、該絶縁層に
表面部から裏面部に至る高濃度不純物領域を選択
的に形成し、該高濃度不純物領域をコンタクト用
の導体部として成る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10036288U JPH0221732U (ja) | 1988-07-28 | 1988-07-28 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10036288U JPH0221732U (ja) | 1988-07-28 | 1988-07-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0221732U true JPH0221732U (ja) | 1990-02-14 |
Family
ID=31328370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10036288U Pending JPH0221732U (ja) | 1988-07-28 | 1988-07-28 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0221732U (ja) |
-
1988
- 1988-07-28 JP JP10036288U patent/JPH0221732U/ja active Pending