JPH028058U - - Google Patents

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JPH028058U
JPH028058U JP1988083248U JP8324888U JPH028058U JP H028058 U JPH028058 U JP H028058U JP 1988083248 U JP1988083248 U JP 1988083248U JP 8324888 U JP8324888 U JP 8324888U JP H028058 U JPH028058 U JP H028058U
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oxide film
impurity diffusion
diffusion region
field oxide
semiconductor device
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【図面の簡単な説明】
第１図は本考案による半導体装置の一実施例の
要部を示す断端面図、第２図は第１図例の製造方
法を示す断端面図、第３図は第１図例を使用して
ｎＭＯＳ ＦＥＴを製造する工程を示す断端面図
、第４図は従来の半導体装置の要部を示す断端面
図、第５図は第４図例を使用してｎＭＯＳ ＦＥ
Ｔを製造する工程を示す断端面図である。 １……Ｐ型シリコン基板、１２……ソース領域
（不純物拡散領域）、１３……ドレイン領域（不
純物拡散領域）、１４……ＰＳＧ膜（酸化シリコ
ン膜）、１８，１９……コンタクトホール、２２
，２４……アルミニウム配線層（金属配線層）、
２５，２６……フイールド酸化膜、２７，２８…
…酸素イオン注入層。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 シリコン基板から成り、 該シリコン基板にフイールド酸化膜を形成した
    後、該フイールド酸化膜に隣接して不純物拡散領
    域を形成し、その後、該不純物拡散領域上に酸化
    シリコン膜を形成し、次いで、該酸化シリコン膜
    にコンタクトホールを形成した後、該コンタクト
    ホールを介して、金属配線層を上記不純物拡散領
    域にコンタクトさせるように成された半導体装置
    において、 上記シリコン基板の上記フイールド酸化膜を形
    成すべき部分の端部に酸素イオン注入層を設けた
    ことを特徴とする半導体装置。
JP1988083248U 1988-06-23 1988-06-23 Pending JPH028058U (ja)

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JPH028058U true JPH028058U (ja) 1990-01-18

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