JPH0227751U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0227751U JPH0227751U JP10633888U JP10633888U JPH0227751U JP H0227751 U JPH0227751 U JP H0227751U JP 10633888 U JP10633888 U JP 10633888U JP 10633888 U JP10633888 U JP 10633888U JP H0227751 U JPH0227751 U JP H0227751U
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- JP
- Japan
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- region
- source
- offset
- field effect
- effect transistor
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Description
第１図は本考案の一実施例の構造説明図、第２
図は本考案の一実施例の製造工程図、第３図は従
来例の説明図である。 １……Ｐ型ウエル領域、２，２′……ソース領
域、３，３′……ドレイン領域、４……ゲート酸
化膜、５……ゲート電極、６，６′……ロコス絶
縁膜、７，７′……オフセツト領域、８……ソー
ス電極、９……ドレイン電極、１０……層間絶縁
膜。
図は本考案の一実施例の製造工程図、第３図は従
来例の説明図である。 １……Ｐ型ウエル領域、２，２′……ソース領
域、３，３′……ドレイン領域、４……ゲート酸
化膜、５……ゲート電極、６，６′……ロコス絶
縁膜、７，７′……オフセツト領域、８……ソー
ス電極、９……ドレイン電極、１０……層間絶縁
膜。
Claims (1)
- 半導体基板表面のドレイン領域とソース領域の
接合近傍にオフセツト領域を有し、このオフセツ
ト領域がチヤンネル領域により分離される構造の
プレーナ型高耐圧絶縁ゲート電界効果型トランジ
スタを有する半導体装置において、上記チヤンネ
ル領域とオフセツト領域との間に上記ソース・ド
レイン領域と同極性の同不純物濃度の領域を有す
ることを特徴とする絶縁ゲート電界効果型トラン
ジスタを具備する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10633888U JPH0227751U (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10633888U JPH0227751U (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0227751U true JPH0227751U (ja) | 1990-02-22 |
Family
ID=31339754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10633888U Pending JPH0227751U (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0227751U (ja) |
-
1988
- 1988-08-11 JP JP10633888U patent/JPH0227751U/ja active Pending