JPH0222004B2 - - Google Patents
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- JPH0222004B2 JPH0222004B2 JP56037491A JP3749181A JPH0222004B2 JP H0222004 B2 JPH0222004 B2 JP H0222004B2 JP 56037491 A JP56037491 A JP 56037491A JP 3749181 A JP3749181 A JP 3749181A JP H0222004 B2 JPH0222004 B2 JP H0222004B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reactor
- trichlorosilane
- reaction
- sihcl
- hydrogen
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Description
この発明は、反応後の生成混合ガス中に塩化水
素（以下HClで示す）が実質的に含有せず、した
がつてHClの分離回収工程の必要がない、しかも
トリクロルシランの収量増大がもたらされるトリ
クロルシランの製造法に関するものである。 一般に、エレクトロニクス工業の分野で多量に
使用されている半導体用シリコン（以下Siで示
す）は、トリクロルシラン（以下SiHCl3で示す）
と水素（以下H2で示す）との反応により生成し
たSiを通電加熱されたSi棒上に析出させることに
よつて製造されているが、この場合反応に供給さ
れたSiHCl3の約70％の四塩化けい素（以下SiCl4
で示す）が発生する。この副成したSiCl4を前記
のSi析出反応による半導体用Siの製造に原料とし
て使用することは不可能ではないが、この場合反
応速度が遅く、しかも反応効率が低いことから、
ごく限られた需要分野でわずか用いられているに
すぎず、現在では、下記のように半導体用Siの原
料であるSiHCl3の製造に用いられている。 すなわち、第１図にSiCl4よりSiHCl3を製造す
る従来方法がフローシートで示されるように、
SiHCl3は、原料ガスたるSiCl4とH2とを混合蒸発
器Ａにて所定割合に混合して反応炉Ｂに導入し、
この反応炉Ｂにて、SiCl4＋H2→SiHCl3＋HClの
反応にしてがつてSiHCl3を合成し、次いでこの
結果の主要成分がSiCl4、SiHCl3、HCl、および
H2からなる反応混合ガスを凝縮器Ｃに導入して、
凝縮成分たるSiCl4とSiHCl3からなる混合液と、
非凝縮成分たるH2とHClからなる混合ガスに分
離し、前記凝縮混合液を蒸溜塔ＤにてSiHCl3と
SiCl4とに分離することによつて製造されている。
この場合、前記蒸溜塔Ｄで分離されたSiCl4は原
料として循環再使用され、一方前記非凝縮混合ガ
スは、スクラバＥに送られ、ここでHCl水溶液と
H2とに分離され、HCl水溶液は中和塔Ｆにて
NaClに変換され、またH2は乾燥器Ｇおよびコン
プレツサＨを通つて原料として循環再使用され
る。 このように従来のSiHCl3の製造法においては、
HClが副成するために、スクラバ、中和塔、およ
びH2乾燥器などの設備を必要とするばかりでな
く、HClによるこれら設備の腐食老化も著しく、
さらに廃棄物の無害化処理を必要とするなど種々
の問題点を有するものであつた。 そこで、本発明者等は、上述のような観点か
ら、SiHCl3の製造に際して副成するHClによつ
てもたらされる種々の問題点を解決すべく研究を
行なつた結果、主要成分がSiCl4、SiHCl3、HCl、
おおよびH2からなる反応混合ガスを、特定の条
件下で生成せしめ、かつ、この反応混合ガスを金
属Siの存在する反応炉に導入し、この反応炉に
て、特定の条件下で前記反応混合ガス中のHCl
と、前記金属Siとを反応せしめると、HCl以外の
成分が望ましくない反応を起すことなく、
SiHCl3が合成され、この結果反応後の生成混合
ガス中にはHClが全く存在しないので、HClに関
する処理が皆無となり、さらにSiHCl3の収量も
増大するようになるという知見を得たのである。 この発明は、上記知見にもとづいてなされたも
のであつて、SiCl4とH2とを４：１〜１：40の相
対モル比で混合したものからなる原料混合ガス
を、空筒式あるいは活性炭や貴金属などの触媒充
填式の第１反応炉に導入し、この反応炉にて、
500〜900℃未満の温度範囲内の温度にて反応を行
なわしめて、主要成分がSiCl4と、SiHCl3と、
HClと、H2とからなる反応混合ガスを生成し、
最終生成混合ガス中のSiHCl3の収量増大をはか
る必要がある場合にはこれに所定量のHClを混合
し、ついで前記反応混合ガスを、金属Siを固定層
あるいは流動層を形成して存在せしめた第２反応
炉に導入し、この第２反応炉にて、400〜700℃の
温度範囲内の温度で前記反応混合ガス中のHCl
と、前記金属Siとを反応せしめてSiHCl3を合成
し、最終的に、この結果の主要成分がSiCl4と、
SiHCl3と、H2とからなる生成混合ガスから
SiHCl3を分離し、一方同様に分離されたSiCl4と
H2とをそれぞれ原料として循環再使用すること
に特徴を有するものである。 つぎに、この発明の方法において、製造条件を
上記の通りに限定した理由を以下に説明する。 (a) 原料混合ガスの相対モル比 この相対モル比は、第１反応炉における反応
式：SiCl4＋H2→SiHCl3＋HClによる反応効
率、および後工程の凝縮処理における分離効率
を適切なものとするために定められたものであ
つて、SiCl4／H2のモル比が４／１を越えて大
きくなると、相対的にH2の量が少なくなりす
ぎて、上記の反応の進行が極端に遅くなりす
ぎ、一方SiCl4／SiHCl3のモル比が１／40未満
では、相対的にSiCl4の量が少なすぎて、後工
程の凝縮工程における分離効率が著しく低化す
るようになるのである。 (b) 第１反応炉の反応温度 その温度が500℃未満では、反応混合ガス中
に占めるSiHCl3の割合が低く、効率的でなく、
一方900℃以上の温度にすると、反応炉の高温
対策が必要となるばかりでなく、エネルギーコ
ストの上昇を招くようになり、さらに高温にな
ると生成したSiHCl3の一部がH2還元または熱
分解されてSiが析出するようになることから、
その温度を500〜900℃未満と定めた。 (c) 第２反応炉の反応温度 第２反応炉においては、反応混合ガス中の
HCl、および必要に応じてこれに添加混合した
HClと金属Siとを、反応式：Si＋3HCl→
SiHCl3＋H2にしたがつて反応させてSiHCl3を
合成し、HClを皆無とする反応を行なわしめる
が、その温度が400℃未満では、前記の反応が
不十分であり、一方その温度が700℃を越える
と、Si＋3HCl→SiHCl3＋H2の反応よりもSi＋
4HCl→SiCl4＋2H2の反応が優先し、SiHCl3の
収量減少をもたらすことから、その温度を400
〜700℃と定めた。 また、第２図には、この発明のSiHCl3の製
造法がフローシートで示されているが、第１図
に示される従来SiHCl3の製造法のフローシー
トとの比較から明らかなように、この発明の方
法においては、第２反応炉Ｉを設けて、従来方
法では不可欠のスクラバＥ、中和塔Ｆ、および
H2乾燥器Ｇの設置を不必要とした点に特徴が
ある。 つぎに、この発明の方法を実施例により具体的
に説明する。 実施例 １ 第３図には、この発明の実施装置が概略断面図
で示されている。混合蒸発器にSiCl4とH2とをそ
れぞれ400モル／時と800モル／時（モル比１：
２）の割合で導入して混合調製した原料混合ガス
を、炉内天井より垂下された通電加熱式の黒鉛抵
抗体１によつて890℃の炉内温度に加納された第
１反応炉Ｂ内に、供給口２より12cm／秒の炉内流
速で導入した。一方、第１反応炉Ｂの排出口３か
ら排出され、導管４を通して第２反応炉Ｉの供給
口５より底部に導入された反応混合ガスは、
SiCl4：25.4％、SiHCl3：7.9％、HCl：7.9％、
H2：58.8％を含有する組成を有し、かつその温
度は自然冷却によつて770℃になつていた。さら
に、前記反応混合ガスが、冷却用管体（加熱用と
して用いてもよい）１０により第２反応炉Ｉ内で
温度：400℃に調節保持された金属Si固定層６を
通過する間に、前記反応混合ガス中のHClが前記
金属Siと反応してSiHCl3となることから、前記
第２反応炉Ｉの排出口７より排出された生成混合
ガス中にはHClが存在せず、しかもSiCl4：26.1
％、SiHCl3：10.8％、H2：63.1％を含有する組成
をもつものであつた。この結果を反応混合ガスお
よび生成混合ガスの成分収量の測定結果と共に本
発明法１として第１表および第２表に示した。得
られた生成混合ガスを凝縮器に導入して深令し、
SiCl4とSiHCl3からなる凝縮成分と、H2の非凝縮
成分とに分離し、さらに前記凝縮成分を蒸溜塔に
導入してSiHCl3を分離し、一方同時に分離され
たSiCl4と、前記のH2とをそれぞれ原料として再
使用僚するために循環させた。 実施例 ２ 混合蒸発器へのSiCl4とH2の導入割合、第１反
応炉の炉内温度およびその形態（第３図における
活性炭または／および貴金属で構成された触媒層
９の有無）、第１反応炉の下部導入口８から反応
混合ガスへのHClの添加の有無およびその添加
量、第２反応炉の供給口付近の反応混合ガスの温
度、さらに第２反応炉の金属Si層の温度およびそ
の形
素（以下HClで示す）が実質的に含有せず、した
がつてHClの分離回収工程の必要がない、しかも
トリクロルシランの収量増大がもたらされるトリ
クロルシランの製造法に関するものである。 一般に、エレクトロニクス工業の分野で多量に
使用されている半導体用シリコン（以下Siで示
す）は、トリクロルシラン（以下SiHCl3で示す）
と水素（以下H2で示す）との反応により生成し
たSiを通電加熱されたSi棒上に析出させることに
よつて製造されているが、この場合反応に供給さ
れたSiHCl3の約70％の四塩化けい素（以下SiCl4
で示す）が発生する。この副成したSiCl4を前記
のSi析出反応による半導体用Siの製造に原料とし
て使用することは不可能ではないが、この場合反
応速度が遅く、しかも反応効率が低いことから、
ごく限られた需要分野でわずか用いられているに
すぎず、現在では、下記のように半導体用Siの原
料であるSiHCl3の製造に用いられている。 すなわち、第１図にSiCl4よりSiHCl3を製造す
る従来方法がフローシートで示されるように、
SiHCl3は、原料ガスたるSiCl4とH2とを混合蒸発
器Ａにて所定割合に混合して反応炉Ｂに導入し、
この反応炉Ｂにて、SiCl4＋H2→SiHCl3＋HClの
反応にしてがつてSiHCl3を合成し、次いでこの
結果の主要成分がSiCl4、SiHCl3、HCl、および
H2からなる反応混合ガスを凝縮器Ｃに導入して、
凝縮成分たるSiCl4とSiHCl3からなる混合液と、
非凝縮成分たるH2とHClからなる混合ガスに分
離し、前記凝縮混合液を蒸溜塔ＤにてSiHCl3と
SiCl4とに分離することによつて製造されている。
この場合、前記蒸溜塔Ｄで分離されたSiCl4は原
料として循環再使用され、一方前記非凝縮混合ガ
スは、スクラバＥに送られ、ここでHCl水溶液と
H2とに分離され、HCl水溶液は中和塔Ｆにて
NaClに変換され、またH2は乾燥器Ｇおよびコン
プレツサＨを通つて原料として循環再使用され
る。 このように従来のSiHCl3の製造法においては、
HClが副成するために、スクラバ、中和塔、およ
びH2乾燥器などの設備を必要とするばかりでな
く、HClによるこれら設備の腐食老化も著しく、
さらに廃棄物の無害化処理を必要とするなど種々
の問題点を有するものであつた。 そこで、本発明者等は、上述のような観点か
ら、SiHCl3の製造に際して副成するHClによつ
てもたらされる種々の問題点を解決すべく研究を
行なつた結果、主要成分がSiCl4、SiHCl3、HCl、
おおよびH2からなる反応混合ガスを、特定の条
件下で生成せしめ、かつ、この反応混合ガスを金
属Siの存在する反応炉に導入し、この反応炉に
て、特定の条件下で前記反応混合ガス中のHCl
と、前記金属Siとを反応せしめると、HCl以外の
成分が望ましくない反応を起すことなく、
SiHCl3が合成され、この結果反応後の生成混合
ガス中にはHClが全く存在しないので、HClに関
する処理が皆無となり、さらにSiHCl3の収量も
増大するようになるという知見を得たのである。 この発明は、上記知見にもとづいてなされたも
のであつて、SiCl4とH2とを４：１〜１：40の相
対モル比で混合したものからなる原料混合ガス
を、空筒式あるいは活性炭や貴金属などの触媒充
填式の第１反応炉に導入し、この反応炉にて、
500〜900℃未満の温度範囲内の温度にて反応を行
なわしめて、主要成分がSiCl4と、SiHCl3と、
HClと、H2とからなる反応混合ガスを生成し、
最終生成混合ガス中のSiHCl3の収量増大をはか
る必要がある場合にはこれに所定量のHClを混合
し、ついで前記反応混合ガスを、金属Siを固定層
あるいは流動層を形成して存在せしめた第２反応
炉に導入し、この第２反応炉にて、400〜700℃の
温度範囲内の温度で前記反応混合ガス中のHCl
と、前記金属Siとを反応せしめてSiHCl3を合成
し、最終的に、この結果の主要成分がSiCl4と、
SiHCl3と、H2とからなる生成混合ガスから
SiHCl3を分離し、一方同様に分離されたSiCl4と
H2とをそれぞれ原料として循環再使用すること
に特徴を有するものである。 つぎに、この発明の方法において、製造条件を
上記の通りに限定した理由を以下に説明する。 (a) 原料混合ガスの相対モル比 この相対モル比は、第１反応炉における反応
式：SiCl4＋H2→SiHCl3＋HClによる反応効
率、および後工程の凝縮処理における分離効率
を適切なものとするために定められたものであ
つて、SiCl4／H2のモル比が４／１を越えて大
きくなると、相対的にH2の量が少なくなりす
ぎて、上記の反応の進行が極端に遅くなりす
ぎ、一方SiCl4／SiHCl3のモル比が１／40未満
では、相対的にSiCl4の量が少なすぎて、後工
程の凝縮工程における分離効率が著しく低化す
るようになるのである。 (b) 第１反応炉の反応温度 その温度が500℃未満では、反応混合ガス中
に占めるSiHCl3の割合が低く、効率的でなく、
一方900℃以上の温度にすると、反応炉の高温
対策が必要となるばかりでなく、エネルギーコ
ストの上昇を招くようになり、さらに高温にな
ると生成したSiHCl3の一部がH2還元または熱
分解されてSiが析出するようになることから、
その温度を500〜900℃未満と定めた。 (c) 第２反応炉の反応温度 第２反応炉においては、反応混合ガス中の
HCl、および必要に応じてこれに添加混合した
HClと金属Siとを、反応式：Si＋3HCl→
SiHCl3＋H2にしたがつて反応させてSiHCl3を
合成し、HClを皆無とする反応を行なわしめる
が、その温度が400℃未満では、前記の反応が
不十分であり、一方その温度が700℃を越える
と、Si＋3HCl→SiHCl3＋H2の反応よりもSi＋
4HCl→SiCl4＋2H2の反応が優先し、SiHCl3の
収量減少をもたらすことから、その温度を400
〜700℃と定めた。 また、第２図には、この発明のSiHCl3の製
造法がフローシートで示されているが、第１図
に示される従来SiHCl3の製造法のフローシー
トとの比較から明らかなように、この発明の方
法においては、第２反応炉Ｉを設けて、従来方
法では不可欠のスクラバＥ、中和塔Ｆ、および
H2乾燥器Ｇの設置を不必要とした点に特徴が
ある。 つぎに、この発明の方法を実施例により具体的
に説明する。 実施例 １ 第３図には、この発明の実施装置が概略断面図
で示されている。混合蒸発器にSiCl4とH2とをそ
れぞれ400モル／時と800モル／時（モル比１：
２）の割合で導入して混合調製した原料混合ガス
を、炉内天井より垂下された通電加熱式の黒鉛抵
抗体１によつて890℃の炉内温度に加納された第
１反応炉Ｂ内に、供給口２より12cm／秒の炉内流
速で導入した。一方、第１反応炉Ｂの排出口３か
ら排出され、導管４を通して第２反応炉Ｉの供給
口５より底部に導入された反応混合ガスは、
SiCl4：25.4％、SiHCl3：7.9％、HCl：7.9％、
H2：58.8％を含有する組成を有し、かつその温
度は自然冷却によつて770℃になつていた。さら
に、前記反応混合ガスが、冷却用管体（加熱用と
して用いてもよい）１０により第２反応炉Ｉ内で
温度：400℃に調節保持された金属Si固定層６を
通過する間に、前記反応混合ガス中のHClが前記
金属Siと反応してSiHCl3となることから、前記
第２反応炉Ｉの排出口７より排出された生成混合
ガス中にはHClが存在せず、しかもSiCl4：26.1
％、SiHCl3：10.8％、H2：63.1％を含有する組成
をもつものであつた。この結果を反応混合ガスお
よび生成混合ガスの成分収量の測定結果と共に本
発明法１として第１表および第２表に示した。得
られた生成混合ガスを凝縮器に導入して深令し、
SiCl4とSiHCl3からなる凝縮成分と、H2の非凝縮
成分とに分離し、さらに前記凝縮成分を蒸溜塔に
導入してSiHCl3を分離し、一方同時に分離され
たSiCl4と、前記のH2とをそれぞれ原料として再
使用僚するために循環させた。 実施例 ２ 混合蒸発器へのSiCl4とH2の導入割合、第１反
応炉の炉内温度およびその形態（第３図における
活性炭または／および貴金属で構成された触媒層
９の有無）、第１反応炉の下部導入口８から反応
混合ガスへのHClの添加の有無およびその添加
量、第２反応炉の供給口付近の反応混合ガスの温
度、さらに第２反応炉の金属Si層の温度およびそ
の形
【表】
【表】
【表】
【表】
態（固定層または粒度42ｍesh以下の金属Si粒に
よる流動層）を第１表に示される条件とする以外
は、実施例１における同様な条件で本発明法２〜
14をそれぞれ実施し、第１反応炉および第２反応
炉からそれぞれ排出された反応混合ガスおよび生
成混合ガスの成分組成および成分収量を測定し
た。この測定結果を第２表に合せて示した。 第１表および第２表に示される結果から、第１
反応炉から排出された反応混合ガスを、金属Siの
存在する第２反応炉に導入し、反応を行なわしめ
ることによつて、前記第２反応炉から排出される
生成混合ガス中にはHClがほとんど存在せず、か
つSiHCl3の収量が増大していることが明らかで
ある。 上述のように、この発明の方法によれば、生成
混合ガス中にHClが存在しないので、凝縮工程で
分離された非凝縮成分中にHClが含有することが
なく、したがつてスクラバ、中和塔、およびH2
乾燥器などの装置を必要とすることなく、さら
に、SiHCl3の収量も増大するなど工業上有用な
効果がもたらされるのである。
よる流動層）を第１表に示される条件とする以外
は、実施例１における同様な条件で本発明法２〜
14をそれぞれ実施し、第１反応炉および第２反応
炉からそれぞれ排出された反応混合ガスおよび生
成混合ガスの成分組成および成分収量を測定し
た。この測定結果を第２表に合せて示した。 第１表および第２表に示される結果から、第１
反応炉から排出された反応混合ガスを、金属Siの
存在する第２反応炉に導入し、反応を行なわしめ
ることによつて、前記第２反応炉から排出される
生成混合ガス中にはHClがほとんど存在せず、か
つSiHCl3の収量が増大していることが明らかで
ある。 上述のように、この発明の方法によれば、生成
混合ガス中にHClが存在しないので、凝縮工程で
分離された非凝縮成分中にHClが含有することが
なく、したがつてスクラバ、中和塔、およびH2
乾燥器などの装置を必要とすることなく、さら
に、SiHCl3の収量も増大するなど工業上有用な
効果がもたらされるのである。
第１図は従来SiHCl3の製造法を示すフローシ
ート、第２図はこの発明のSiHCl3の製造法を示
すフローシート、第３図はこの発明の実施装置を
示す概略断面図である。図面において、 Ａ……混合蒸発器、Ｂ……（第１）反応炉、Ｃ
……凝縮器、Ｄ……蒸溜塔、Ｅ……スクラバ、Ｆ
……中和塔、Ｇ……H2乾燥器、Ｈ……コンプレ
ツサ、Ｉ……第２反応炉、１……通電加熱式黒鉛
抵抗体、６……金属Si層、８……反応混合ガスへ
HClを添加するための第１反応炉の下部導入口、
９……触媒層、１０……冷却・加熱用管体。
ート、第２図はこの発明のSiHCl3の製造法を示
すフローシート、第３図はこの発明の実施装置を
示す概略断面図である。図面において、 Ａ……混合蒸発器、Ｂ……（第１）反応炉、Ｃ
……凝縮器、Ｄ……蒸溜塔、Ｅ……スクラバ、Ｆ
……中和塔、Ｇ……H2乾燥器、Ｈ……コンプレ
ツサ、Ｉ……第２反応炉、１……通電加熱式黒鉛
抵抗体、６……金属Si層、８……反応混合ガスへ
HClを添加するための第１反応炉の下部導入口、
９……触媒層、１０……冷却・加熱用管体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 四塩化けい素と水素とを４：１〜１：40の相
対モル比で混合したものからなる原料混合ガス
を、第１反応炉に導入し、この第１反応炉にて、
500〜900℃未満の範囲内の温度で反応させて、主
要成分が四塩化けい素、トリクロルシラン、塩化
水素、および水素からなる反応混合ガスを生成せ
しめ、引続いて、この反応混合ガスを第２反応炉
に導入し、この第２反応炉にて、金属けい素の存
在下、400〜700℃の範囲内の温度で、前記反応混
合ガス中の塩化水素と前記金属けい素とを反応さ
せてトリクロルシランを合成し、最終的に、この
結果得られた主要成分が四塩化けい素、トリクロ
ルシラン、および水素からなる生成混合ガスより
トリクロルシランを分離することを特徴とするト
リクロルシランの製造法。 ２ 四塩化けい素と水素とを４：１〜１：40の相
対モル比で混合したものからなる原料混合ガス
を、第１反応炉に導入し、この第１反応炉にて、
500〜900℃未満の範囲内の温度で反応させて、主
要成分が四塩化けい素、トリクロルシラン、塩化
水素、および水素からなる反応混合ガスを生成せ
しめ、引続いて、この反応混合ガスに、トリクロ
ルシランの収量増大をはかる目的で、塩化水素を
混合して第２反応炉に導入し、この第２反応炉に
て、金属けい素の存在下、400〜700℃の範囲内の
温度で、前記反応混合ガス中の塩化水素と前記金
属けい素とを反応させてトリクロルシランを合成
し、最終的に、この結果得られた主要成分が四塩
化けい素、トリクロルシラン、および水素からな
る生成混合ガスよりトリクロルシランを分離する
ことを特徴とするトリクロルシランの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3749181A JPS57156318A (en) | 1981-03-16 | 1981-03-16 | Production of trichlorosilane |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3749181A JPS57156318A (en) | 1981-03-16 | 1981-03-16 | Production of trichlorosilane |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57156318A JPS57156318A (en) | 1982-09-27 |
| JPH0222004B2 true JPH0222004B2 (ja) | 1990-05-17 |
Family
ID=12498986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3749181A Granted JPS57156318A (en) | 1981-03-16 | 1981-03-16 | Production of trichlorosilane |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57156318A (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2530638A1 (fr) * | 1982-07-26 | 1984-01-27 | Rhone Poulenc Spec Chim | Procede de preparation d'un melange a base de trichlorosilane utilisable pour la preparation de silicium de haute purete |
| US4526769A (en) * | 1983-07-18 | 1985-07-02 | Motorola, Inc. | Trichlorosilane production process |
| DE3828344C1 (ja) * | 1988-08-20 | 1989-07-06 | Huels Ag, 4370 Marl, De | |
| WO2003040036A1 (fr) | 2001-10-19 | 2003-05-15 | Tokuyama Corporation | Procede de production de silicium |
| JP5428146B2 (ja) * | 2006-10-31 | 2014-02-26 | 三菱マテリアル株式会社 | トリクロロシラン製造装置 |
| JP5205910B2 (ja) * | 2006-10-31 | 2013-06-05 | 三菱マテリアル株式会社 | トリクロロシラン製造装置 |
| JP5428145B2 (ja) * | 2006-10-31 | 2014-02-26 | 三菱マテリアル株式会社 | トリクロロシラン製造装置 |
| JP5205906B2 (ja) * | 2006-10-31 | 2013-06-05 | 三菱マテリアル株式会社 | トリクロロシラン製造装置 |
| JP5601438B2 (ja) * | 2006-11-07 | 2014-10-08 | 三菱マテリアル株式会社 | トリクロロシランの製造方法およびトリクロロシラン製造装置 |
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Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57118017A (en) * | 1981-01-16 | 1982-07-22 | Koujiyundo Silicon Kk | Manufacture of trichlorosilane |
-
1981
- 1981-03-16 JP JP3749181A patent/JPS57156318A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57156318A (en) | 1982-09-27 |
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