JPH0264006A - 太陽のシリコンの製造方法 - Google Patents
太陽のシリコンの製造方法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
- C01B33/033—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by reduction of silicon halides or halosilanes with a metal or a metallic alloy as the only reducing agents
-
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- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、一般式、s iH,X 4−[式中、Xはハ
ロゲンでありそしてnはO〜3の値を表してよい]を有
する気体のシリコン化合物をアルミニウムと反応させる
ことによるシリコンの製造方法に関する。
ロゲンでありそしてnはO〜3の値を表してよい]を有
する気体のシリコン化合物をアルミニウムと反応させる
ことによるシリコンの製造方法に関する。
発明の背景
地球での光電池の電流発生による太陽エネルギーの商業
的な利用のためには、現在のところシリコンが、経済的
及び生態上の理由の両者のためにただ一つの適当な半導
体材料である。その製造方法が半導体技術から知られて
いる半導体シリ、コンを起源とするシリコンがこれまで
のところほとんど排他的に使用されてきた。
的な利用のためには、現在のところシリコンが、経済的
及び生態上の理由の両者のためにただ一つの適当な半導
体材料である。その製造方法が半導体技術から知られて
いる半導体シリ、コンを起源とするシリコンがこれまで
のところほとんど排他的に使用されてきた。
半導体産業においては材料コストは重要性が小さいが、
それらは光電池において決定的に重要である。何故なら
ば太陽電池の電気出力はその面積にそしてそれ故関係す
る材料の量に比例するからである。
それらは光電池において決定的に重要である。何故なら
ば太陽電池の電気出力はその面積にそしてそれ故関係す
る材料の量に比例するからである。
従来のエネルギー源と価格及び効率において競合するこ
とができる太陽電池が首尾よく開発された時には、光電
池は地球のエネルギー問題を解決することに貢献するこ
とができる。従って、大規模での太陽エネルギーの利用
のための基礎的な前提条件は、太陽のシリコンの要件を
満たすシリコンの製造のための経済的方法である。
とができる太陽電池が首尾よく開発された時には、光電
池は地球のエネルギー問題を解決することに貢献するこ
とができる。従って、大規模での太陽エネルギーの利用
のための基礎的な前提条件は、太陽のシリコンの要件を
満たすシリコンの製造のための経済的方法である。
種々の方法が太陽のシリコンの製造のために提案されて
きI;。例えば: ■、高純度炭素での高純度石英砂の還元(DE−A 3
2、冶金のシリコンの精製(DE−A 2623413
)、アルミニウムでのSiO□の還元(EP−A 00
29182)、 3、ナトリウムでのS i F aまたは5iC1,の
還元(マテル、レス、プル、(Mater、Res、B
ull、)16(4)、437(1981) ; DE
−A 2800254)、4、亜鉛での5iC1,の還
元(US−A 3,012.862)、そして 5.360°Cでのアルミニウムでの5iC1,の還元
(P、パスカル(Pasca I )、ヌーベル トラ
イテデキミー ミネラーレ(Nouveau trai
te dechimie m1nerale)、■巻、
N002、シリコン、275頁)。
きI;。例えば: ■、高純度炭素での高純度石英砂の還元(DE−A 3
2、冶金のシリコンの精製(DE−A 2623413
)、アルミニウムでのSiO□の還元(EP−A 00
29182)、 3、ナトリウムでのS i F aまたは5iC1,の
還元(マテル、レス、プル、(Mater、Res、B
ull、)16(4)、437(1981) ; DE
−A 2800254)、4、亜鉛での5iC1,の還
元(US−A 3,012.862)、そして 5.360°Cでのアルミニウムでの5iC1,の還元
(P、パスカル(Pasca I )、ヌーベル トラ
イテデキミー ミネラーレ(Nouveau trai
te dechimie m1nerale)、■巻、
N002、シリコン、275頁)。
経済的に、これらの方法は、工業規模での太陽電池のだ
めのシリコンの製造のためには満足ではない。EP−A
−0123100は、固体アルミニウムを500〜66
0℃でSiハロゲン化物と反応させる方法を述べている
。太陽電池に適した純粋なシリコンがこの方法によって
経済的に得られる。
めのシリコンの製造のためには満足ではない。EP−A
−0123100は、固体アルミニウムを500〜66
0℃でSiハロゲン化物と反応させる方法を述べている
。太陽電池に適した純粋なシリコンがこの方法によって
経済的に得られる。
750〜1000℃での液体アルミニウムとS + C
l aとの反応がヨシザワ(Yoshizawa)らに
よって述べられている(カギョーカガク ザッシ(Ka
gyo Kagaku Zasshi)64(1961
)、1347〜1350)。四塩化ケイ素を反応温度で
液体アルミニウムの浴の上を通過させる。付着するアル
ミニウムと多くとも50重量%のシリコンが得られる。
l aとの反応がヨシザワ(Yoshizawa)らに
よって述べられている(カギョーカガク ザッシ(Ka
gyo Kagaku Zasshi)64(1961
)、1347〜1350)。四塩化ケイ素を反応温度で
液体アルミニウムの浴の上を通過させる。付着するアル
ミニウムと多くとも50重量%のシリコンが得られる。
このシリコンは残存するアルミニウムを酸中に溶解する
ことによって単離された。この方法は、経済的な方法と
しては実際的ではない。溶融アルミニウム中の溶解した
シリコンの拡散(D=IO−’cm”/S)がヨシザワ
らによって述べられた反応における速度決定因子である
ので、反応時間が比較的長い。経済的に納得のできる時
間でのアルミニウムの完全な転化は起きない。
ことによって単離された。この方法は、経済的な方法と
しては実際的ではない。溶融アルミニウム中の溶解した
シリコンの拡散(D=IO−’cm”/S)がヨシザワ
らによって述べられた反応における速度決定因子である
ので、反応時間が比較的長い。経済的に納得のできる時
間でのアルミニウムの完全な転化は起きない。
この反応は、温度、雰囲気及び5iC1,スループット
によって大きく決定される。上で述べた欠点は、述べら
れた最適化にもかかわらず存在し続ける。
によって大きく決定される。上で述べた欠点は、述べら
れた最適化にもかかわらず存在し続ける。
従って、本発明の目的は、上で述べられた欠点のいずれ
をも持たない経済的な方法を提供することであった。
をも持たない経済的な方法を提供することであった。
発明の詳細な説明
もし本方法を出来る限り大きなアルミニウム表面と反応
気体との間の密な接触を保証するやり方で実施すれば実
質的に定量的な転換を経済的に得ることができることが
、驚くべきことにここに見い出された。かくして、本発
明は、気体のシリコン化合物を、純アルミニウムまたは
アルミニウム/シリコン合金の細かく分散された粒子の
溶融表面と、反応の間、気体のシリコン化合物と密に接
触させて反応させることによって太陽電池における使用
に適したシリコンを製造する改良方法に関する。
気体との間の密な接触を保証するやり方で実施すれば実
質的に定量的な転換を経済的に得ることができることが
、驚くべきことにここに見い出された。かくして、本発
明は、気体のシリコン化合物を、純アルミニウムまたは
アルミニウム/シリコン合金の細かく分散された粒子の
溶融表面と、反応の間、気体のシリコン化合物と密に接
触させて反応させることによって太陽電池における使用
に適したシリコンを製造する改良方法に関する。
発明の詳細な説明
従って、本発明は、一般式
%式%
[式中、Xはハロゲンでありモしてnは0〜3の値を表
してよい] を有する気体のシリコン化合物をアルミニウムと反応さ
せることによってシリコンを製造する方法であって、該
反応の間、純アルミニウムまたはAl−Si合金から成
る細かく分散された溶融表面を気体のシリコン化合物と
密に接触させる方法に関する。本発明による方法の一つ
の好ましい実施態様においては、・この密な接触が、気
体のシリコン化合物を含む空間中の溶融アルミニウムの
細かい分散によって得られる。溶融表面が少なくとも1
0−”m”/gであると測定される時に特に良好な結果
が得られる。逆に、もちろん、溶融アルミニウム中にS
iCl、気体を細かく分散させてもよい。
してよい] を有する気体のシリコン化合物をアルミニウムと反応さ
せることによってシリコンを製造する方法であって、該
反応の間、純アルミニウムまたはAl−Si合金から成
る細かく分散された溶融表面を気体のシリコン化合物と
密に接触させる方法に関する。本発明による方法の一つ
の好ましい実施態様においては、・この密な接触が、気
体のシリコン化合物を含む空間中の溶融アルミニウムの
細かい分散によって得られる。溶融表面が少なくとも1
0−”m”/gであると測定される時に特に良好な結果
が得られる。逆に、もちろん、溶融アルミニウム中にS
iCl、気体を細かく分散させてもよい。
定量的な転換を得るためには、該溶融物中の気体のシリ
コン化合物の細かな分散によって密な接触が確立されね
ばならない。本発明によれば、これは、該溶融物中の最
大気泡分布を大きくとも5mmの気泡サイズに設定する
ことによって達成することができる。本発明による方法
の一つの好ましい実施態様においては、アルミニウムを
細かな小滴の形でそしてさらに好ましくは500μmよ
り小さなアルミニウム小滴の形で反応させる。アルミニ
ウム小滴の反応において得られる生成物は、容易に取り
扱える比肩する粒子サイズのシリコン゛小砂″である。
コン化合物の細かな分散によって密な接触が確立されね
ばならない。本発明によれば、これは、該溶融物中の最
大気泡分布を大きくとも5mmの気泡サイズに設定する
ことによって達成することができる。本発明による方法
の一つの好ましい実施態様においては、アルミニウムを
細かな小滴の形でそしてさらに好ましくは500μmよ
り小さなアルミニウム小滴の形で反応させる。アルミニ
ウム小滴の反応において得られる生成物は、容易に取り
扱える比肩する粒子サイズのシリコン゛小砂″である。
溶融アルミニウムは、公知の方法によって(A、ロウレ
イ(Lowley)、粉末冶金及び粉末技術の国際学会
誌、13巻(3)、1977年7月)、例えば溶融物を
−または二構成要素のノズルを通して噴霧することによ
っであるいは溶融物を遠心力によって分散することによ
って小滴に転換される。本発明による方法においては、
この分散工程は、反応が起きるシリコンハロゲン化物雰
囲気中で直接実施される。必要とされる定量的な転換は
、アルミニウム溶融物の粒径、滞留時間そしてシリコン
ハロゲン化物気体濃度に依存する。本発明による方法に
おける好ましい温度は、660℃以上そしてさらに好ま
しくは700と1000°Cの間である。
イ(Lowley)、粉末冶金及び粉末技術の国際学会
誌、13巻(3)、1977年7月)、例えば溶融物を
−または二構成要素のノズルを通して噴霧することによ
っであるいは溶融物を遠心力によって分散することによ
って小滴に転換される。本発明による方法においては、
この分散工程は、反応が起きるシリコンハロゲン化物雰
囲気中で直接実施される。必要とされる定量的な転換は
、アルミニウム溶融物の粒径、滞留時間そしてシリコン
ハロゲン化物気体濃度に依存する。本発明による方法に
おける好ましい温度は、660℃以上そしてさらに好ま
しくは700と1000°Cの間である。
滞留時間は、反応器中の溶融物粒子の飛行または降下経
路によって調節してよい。溶融物の粒径は、分散工程の
パラメータによって決定される。
路によって調節してよい。溶融物の粒径は、分散工程の
パラメータによって決定される。
噴霧法においては、それは、入り口圧力及びノズルの選
択によって調節することができる。
択によって調節することができる。
本発明による方法は、特定のシリコンハロゲン化物、ハ
ロ7ラン、シランあるいはそれらの任意の二または多成
分混合物の使用に限定されず、あるいはそれは、ある一
つの化学的または物理的方法によるそれらの製造に限定
されない。本発明の明細書中においては、ハロゲンは、
フッ素、塩素、臭素及びヨウ素であると理解される。気
体のシリコン化合物は、純粋な雰囲気であるいは反応に
参加しない不活性気体、例えばAr、SF、と−緒に反
応に引き渡してよい。シリコン化合物は好ましくは過剰
に使用される。
ロ7ラン、シランあるいはそれらの任意の二または多成
分混合物の使用に限定されず、あるいはそれは、ある一
つの化学的または物理的方法によるそれらの製造に限定
されない。本発明の明細書中においては、ハロゲンは、
フッ素、塩素、臭素及びヨウ素であると理解される。気
体のシリコン化合物は、純粋な雰囲気であるいは反応に
参加しない不活性気体、例えばAr、SF、と−緒に反
応に引き渡してよい。シリコン化合物は好ましくは過剰
に使用される。
本発明の一つの特に好ましい実施態様においては、四塩
化ケイ素S iC14をシリコン化合物として使用する
。純アルミニウムとの蒸留によって精製されたS iC
1,の反応においては、純AlCl、に加えて純シリコ
ンが生成する。この変形例は、本発明による方法の巧み
な循環方法(EP−Ao 123100)に成すことが
できる。この点に関するEP−A 0123100をし
のぐ本発明による方法の利点は、純AlCl3の電解に
よって得られる高純度アルミニウムを溶融した形で本方
法に直接返還することができることである。一つのプロ
セス工程、即ちアルミニウムの細かく分割された固体の
形への転換、の省略は、生成物の純度に関してかなりの
経済的そして品質の利点をもたらす。EP−AO123
100に対して製造能力がかなり増加する。
化ケイ素S iC14をシリコン化合物として使用する
。純アルミニウムとの蒸留によって精製されたS iC
1,の反応においては、純AlCl、に加えて純シリコ
ンが生成する。この変形例は、本発明による方法の巧み
な循環方法(EP−Ao 123100)に成すことが
できる。この点に関するEP−A 0123100をし
のぐ本発明による方法の利点は、純AlCl3の電解に
よって得られる高純度アルミニウムを溶融した形で本方
法に直接返還することができることである。一つのプロ
セス工程、即ちアルミニウムの細かく分割された固体の
形への転換、の省略は、生成物の純度に関してかなりの
経済的そして品質の利点をもたらす。EP−AO123
100に対して製造能力がかなり増加する。
以下の実施例は、本発明を全く限定することなしに本発
明を説明することを意図している。
明を説明することを意図している。
実施例1
気体入り口及び出口管を有する100リツトルの石英ガ
ラスの容器から成る800’Oに加熱された装置中に、
約0.’3kgの溶融アルミニウムをその中に設置され
た噴霧ノズルを通して(ノズル径1mm)4barの入
り口圧力で10sでS iC1,雰囲気中に噴霧する。
ラスの容器から成る800’Oに加熱された装置中に、
約0.’3kgの溶融アルミニウムをその中に設置され
た噴霧ノズルを通して(ノズル径1mm)4barの入
り口圧力で10sでS iC1,雰囲気中に噴霧する。
600°Cに加熱された精製された5iCI、の供給は
、200%の化学量論的なSiC!4過剰を保証するよ
うなやり方で制御される。使用されるアルミニウムは、
はとんど完全にシリコンに反応してAlC1,を生成す
る。昇華し去るA1Cl、を過剰の5iC1,と共に除
去しそして適当な受は基中に凝縮する。生成されるシリ
コンは、反応器の出口で粒(100と800μmの間の
粒径)として取り出す。このシリコン中の不純物は使用
されるアルミニウム中の不純物によって決定される。超
純粋なアルミニウムを使用する場合には、高純度シリコ
ンが直接得られる。
、200%の化学量論的なSiC!4過剰を保証するよ
うなやり方で制御される。使用されるアルミニウムは、
はとんど完全にシリコンに反応してAlC1,を生成す
る。昇華し去るA1Cl、を過剰の5iC1,と共に除
去しそして適当な受は基中に凝縮する。生成されるシリ
コンは、反応器の出口で粒(100と800μmの間の
粒径)として取り出す。このシリコン中の不純物は使用
されるアルミニウム中の不純物によって決定される。超
純粋なアルミニウムを使用する場合には、高純度シリコ
ンが直接得られる。
実施例2
100gの溶融アルミニウムを700°Cで石英容器中
に導入する。この容器は、石英ガラスの入り口管を備え
ている。全部で1200gの5iC14を1時間の時間
にわたってこの入り口管を通して溶融物中に導入する。
に導入する。この容器は、石英ガラスの入り口管を備え
ている。全部で1200gの5iC14を1時間の時間
にわたってこの入り口管を通して溶融物中に導入する。
この間、温度は連続的に1460°Cに上昇する。オフ
ガスは出口を通って凝縮装置中に除去する。冷却の後で
、40gの高純度シリコンが金属状の塊の形で得られる
。
ガスは出口を通って凝縮装置中に除去する。冷却の後で
、40gの高純度シリコンが金属状の塊の形で得られる
。
本発明の主なる特徴及び態様は以下の通りである。
l)アルミニウムを式
S i H@ X 4− a
E式中、Xはハロゲンでありモしてnは0〜3の値であ
るt を有する気体のシリコン化合物と反応させることによっ
てシリコンを製造する改良方法であって、該改良が、該
反応の間、純アルミニウムまたはAl−5i合金の細か
く分散された溶融表面を該気体のシリコン化合物と密に
接触させることを有して成る、方法。
るt を有する気体のシリコン化合物と反応させることによっ
てシリコンを製造する改良方法であって、該改良が、該
反応の間、純アルミニウムまたはAl−5i合金の細か
く分散された溶融表面を該気体のシリコン化合物と密に
接触させることを有して成る、方法。
2)この密な接触が、気体のシリコン化合物を含む空間
中に溶融アルミニウムの細かい分散を供給することによ
る、上記1に記載の方法。
中に溶融アルミニウムの細かい分散を供給することによ
る、上記1に記載の方法。
3)溶融表面が少なくとも10−’m”/gアルミニウ
ムであると測定される、上記lに記載の方法。
ムであると測定される、上記lに記載の方法。
4)この密な接触が該溶融物中に気体のシリコン化合物
の細かな分散を供給することによる、上記lに記載の方
法。
の細かな分散を供給することによる、上記lに記載の方
法。
5)該溶融物中の最大気泡分布が大きくとも5mmの気
泡サイズを有する、上記4に記載の方法。
泡サイズを有する、上記4に記載の方法。
6)該反応を660°C以上の温度で実施する、上記l
に記載の方法。
に記載の方法。
7)該反応を700−1000℃の温度で実施する、上
記6に記載の方法。
記6に記載の方法。
8)溶融アルミニウムを噴霧によって小滴の形に転換す
る、上記lに記載の方法。
る、上記lに記載の方法。
9)該小滴が500μmより小さい、上記8に記載の方
法。
法。
10)溶融アルミニウムの小滴の形が遠心力によって得
られる、上記9に記載の方法。
られる、上記9に記載の方法。
11)霧状の溶融アルミニウムを、溶融アルミニウムと
の反応に必要とされる量の少なくとも200%の化学量
論的に過剰の気体のシリコンハロゲン・化物の雰囲気を
有する部屋の中に噴霧すること、かくして該アルミニウ
ムを実質的に完全に該シリコンハロゲン化物と反応させ
、副生成物AlCl3を過剰のシリコンハロゲン化物と
一緒に昇華させそしてシリコン生成物を粒として取り出
すことを有して成る、シリコンを製造する方法。
の反応に必要とされる量の少なくとも200%の化学量
論的に過剰の気体のシリコンハロゲン・化物の雰囲気を
有する部屋の中に噴霧すること、かくして該アルミニウ
ムを実質的に完全に該シリコンハロゲン化物と反応させ
、副生成物AlCl3を過剰のシリコンハロゲン化物と
一緒に昇華させそしてシリコン生成物を粒として取り出
すことを有して成る、シリコンを製造する方法。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 アルミニウムを式 SiH_nX_4_−_n [式中、Xはハロゲンでありそしてnは0〜3の値であ
る] を有する気体のシリコン化合物と反応させることによっ
てシリコンを製造する改良方法であって、該改良が、該
反応の間、純アルミニウムまたはAl−Si合金の細か
く分散された溶融表面を該気体のシリコン化合物と密に
接触させることを有して成る、方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3824065A DE3824065A1 (de) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | Verfahren zur herstellung von solarsilicium |
| DE3824065.3 | 1988-07-15 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0264006A true JPH0264006A (ja) | 1990-03-05 |
Family
ID=6358778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1177268A Pending JPH0264006A (ja) | 1988-07-15 | 1989-07-11 | 太陽のシリコンの製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4919913A (ja) |
| EP (1) | EP0355337B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0264006A (ja) |
| DE (2) | DE3824065A1 (ja) |
| NO (1) | NO892669L (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007001093A1 (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-04 | Sumitomo Chemical Company, Limited | 高純度シリコンの製造方法 |
| WO2007013644A1 (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-01 | Sumitomo Chemical Company, Limited | 多結晶シリコンの製造方法 |
| JP2007039318A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-02-15 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 高純度シリコンの製造方法 |
| WO2007021035A1 (ja) * | 2005-08-19 | 2007-02-22 | Sumitomo Chemical Company, Limited | 珪素の製造方法 |
| JP2007077007A (ja) * | 2005-08-19 | 2007-03-29 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 珪素の製造方法 |
| JP2007084398A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Univ Of Tokyo | 多結晶シリコンの製造方法 |
| WO2007077957A1 (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Sumitomo Chemical Company, Limited | 多結晶シリコンの製造方法 |
| WO2007119605A1 (ja) * | 2006-04-12 | 2007-10-25 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | シリコンの製造方法及び製造装置 |
| WO2009028725A1 (ja) * | 2007-08-29 | 2009-03-05 | Sumitomo Chemical Company, Limited | シリコンの製造方法 |
| DE112007001239T5 (de) | 2006-05-26 | 2009-04-30 | Sumitomo Chemical Co., Ltd. | Verfahren zur Herstellung von Silicium |
| DE102009009183A1 (de) | 2008-02-15 | 2009-09-10 | Sumitomo Chemical Co., Ltd. | Verfahren zur Herstellung von mit Bor versetztem gereinigtem Silicium |
| WO2009110474A1 (ja) * | 2008-03-04 | 2009-09-11 | 住友化学株式会社 | シリコンの製造方法、及びシリコンの製造装置 |
| WO2010067842A1 (ja) * | 2008-12-10 | 2010-06-17 | 住友化学株式会社 | シリコンの製造方法 |
| JP2011140406A (ja) * | 2010-01-05 | 2011-07-21 | Sumitomo Chemical Co Ltd | シリコンの製造方法 |
| DE112009003570T5 (de) | 2008-12-01 | 2012-09-06 | Sumitomo Chemical Co., Ltd. | Silicium for n-Typ Solarzellen und ein Verfahren zur Herstellung von mit Phosphor dotiertem Silicium |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5420031A (en) * | 1993-02-08 | 1995-05-30 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Agriculture | Gypsy moth virus with enhanced polyhedra production stability |
| WO2010018815A1 (ja) * | 2008-08-11 | 2010-02-18 | 住友化学株式会社 | 半金属元素又は金属元素を主成分とする材料の精製方法 |
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Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE874137C (de) * | 1950-06-18 | 1953-04-20 | Heinrich Gerdemann J | Verfahren zur Herstellung von amorphem Silicium |
| FR2407893A1 (fr) * | 1977-11-04 | 1979-06-01 | Rhone Poulenc Ind | Silicium polycristallin en couche mince pour conversion photovoltaique |
| DE3310828A1 (de) * | 1983-03-24 | 1984-09-27 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren zur herstellung von silicium |
-
1988
- 1988-07-15 DE DE3824065A patent/DE3824065A1/de not_active Withdrawn
-
1989
- 1989-06-27 NO NO89892669A patent/NO892669L/no unknown
- 1989-07-01 EP EP89112082A patent/EP0355337B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-07-01 DE DE8989112082T patent/DE58901324D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-07-03 US US07/375,281 patent/US4919913A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-07-11 JP JP1177268A patent/JPH0264006A/ja active Pending
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007039318A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-02-15 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 高純度シリコンの製造方法 |
| WO2007001093A1 (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-04 | Sumitomo Chemical Company, Limited | 高純度シリコンの製造方法 |
| WO2007013644A1 (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-01 | Sumitomo Chemical Company, Limited | 多結晶シリコンの製造方法 |
| WO2007021035A1 (ja) * | 2005-08-19 | 2007-02-22 | Sumitomo Chemical Company, Limited | 珪素の製造方法 |
| JP2007077007A (ja) * | 2005-08-19 | 2007-03-29 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 珪素の製造方法 |
| DE112006002203T5 (de) | 2005-08-19 | 2008-07-17 | Sumitomo Chemical Co. Ltd. | Verfahren zur Herstellung von Silicium |
| JP2007084398A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Univ Of Tokyo | 多結晶シリコンの製造方法 |
| WO2007077957A1 (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Sumitomo Chemical Company, Limited | 多結晶シリコンの製造方法 |
| DE112006003557T5 (de) | 2005-12-27 | 2008-11-20 | Sumitomo Chemical Co., Ltd. | Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Silicium |
| US8173094B2 (en) | 2005-12-27 | 2012-05-08 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Method for producing polycrystalline silicon |
| WO2007119605A1 (ja) * | 2006-04-12 | 2007-10-25 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | シリコンの製造方法及び製造装置 |
| DE112007001239T5 (de) | 2006-05-26 | 2009-04-30 | Sumitomo Chemical Co., Ltd. | Verfahren zur Herstellung von Silicium |
| WO2009028725A1 (ja) * | 2007-08-29 | 2009-03-05 | Sumitomo Chemical Company, Limited | シリコンの製造方法 |
| DE112008002370T5 (de) | 2007-08-29 | 2010-07-08 | Sumitomo Chemical Co., Ltd. | Verfahren zur Herstellung von Silicium |
| JP2009073728A (ja) * | 2007-08-29 | 2009-04-09 | Sumitomo Chemical Co Ltd | シリコンの製造方法 |
| DE102009009183A1 (de) | 2008-02-15 | 2009-09-10 | Sumitomo Chemical Co., Ltd. | Verfahren zur Herstellung von mit Bor versetztem gereinigtem Silicium |
| US8187564B2 (en) | 2008-02-15 | 2012-05-29 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Process for producing boron added purified silicon |
| WO2009110474A1 (ja) * | 2008-03-04 | 2009-09-11 | 住友化学株式会社 | シリコンの製造方法、及びシリコンの製造装置 |
| DE112009003570T5 (de) | 2008-12-01 | 2012-09-06 | Sumitomo Chemical Co., Ltd. | Silicium for n-Typ Solarzellen und ein Verfahren zur Herstellung von mit Phosphor dotiertem Silicium |
| WO2010067842A1 (ja) * | 2008-12-10 | 2010-06-17 | 住友化学株式会社 | シリコンの製造方法 |
| JP2010159204A (ja) * | 2008-12-10 | 2010-07-22 | Sumitomo Chemical Co Ltd | シリコンの製造方法 |
| DE112009003720T5 (de) | 2008-12-10 | 2012-06-14 | National Institute For Materials Science | Verfahren zur Herstellung von Silicium |
| JP2011140406A (ja) * | 2010-01-05 | 2011-07-21 | Sumitomo Chemical Co Ltd | シリコンの製造方法 |
Also Published As
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|---|---|
| EP0355337B1 (de) | 1992-05-06 |
| NO892669D0 (no) | 1989-06-27 |
| DE58901324D1 (de) | 1992-06-11 |
| DE3824065A1 (de) | 1990-01-18 |
| US4919913A (en) | 1990-04-24 |
| EP0355337A1 (de) | 1990-02-28 |
| NO892669L (no) | 1990-01-16 |
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