JPH0264006A - 太陽のシリコンの製造方法 - Google Patents

太陽のシリコンの製造方法

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JPH0264006A
JPH0264006A JP1177268A JP17726889A JPH0264006A JP H0264006 A JPH0264006 A JP H0264006A JP 1177268 A JP1177268 A JP 1177268A JP 17726889 A JP17726889 A JP 17726889A JP H0264006 A JPH0264006 A JP H0264006A
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aluminum
silicon
reaction
molten
gaseous silicon
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JP1177268A
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Guenter Kurz
ギユンター・クルツ
Martin Abels
マルテイン・アベルス
Ingo Schwirtlich
インゴ・シユビルトリツヒ
Peter Woditsch
ペーター・ボデイツチユ
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Bayer AG
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Bayer AG
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    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02Silicon
    • C01B33/021Preparation
    • C01B33/027Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
    • C01B33/033Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by reduction of silicon halides or halosilanes with a metal or a metallic alloy as the only reducing agents
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S423/00Chemistry of inorganic compounds
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    • Y10S423/12Molten media

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、一般式、s iH,X 4−[式中、Xはハ
ロゲンでありそしてnはO〜3の値を表してよい]を有
する気体のシリコン化合物をアルミニウムと反応させる
ことによるシリコンの製造方法に関する。
発明の背景 地球での光電池の電流発生による太陽エネルギーの商業
的な利用のためには、現在のところシリコンが、経済的
及び生態上の理由の両者のためにただ一つの適当な半導
体材料である。その製造方法が半導体技術から知られて
いる半導体シリ、コンを起源とするシリコンがこれまで
のところほとんど排他的に使用されてきた。
半導体産業においては材料コストは重要性が小さいが、
それらは光電池において決定的に重要である。何故なら
ば太陽電池の電気出力はその面積にそしてそれ故関係す
る材料の量に比例するからである。
従来のエネルギー源と価格及び効率において競合するこ
とができる太陽電池が首尾よく開発された時には、光電
池は地球のエネルギー問題を解決することに貢献するこ
とができる。従って、大規模での太陽エネルギーの利用
のための基礎的な前提条件は、太陽のシリコンの要件を
満たすシリコンの製造のための経済的方法である。
種々の方法が太陽のシリコンの製造のために提案されて
きI;。例えば: ■、高純度炭素での高純度石英砂の還元(DE−A 3
2、冶金のシリコンの精製(DE−A 2623413
)、アルミニウムでのSiO□の還元(EP−A 00
29182)、 3、ナトリウムでのS i F aまたは5iC1,の
還元(マテル、レス、プル、(Mater、Res、B
ull、)16(4)、437(1981) ; DE
−A 2800254)、4、亜鉛での5iC1,の還
元(US−A 3,012.862)、そして 5.360°Cでのアルミニウムでの5iC1,の還元
(P、パスカル(Pasca I )、ヌーベル トラ
イテデキミー ミネラーレ(Nouveau trai
te dechimie m1nerale)、■巻、
N002、シリコン、275頁)。
経済的に、これらの方法は、工業規模での太陽電池のだ
めのシリコンの製造のためには満足ではない。EP−A
−0123100は、固体アルミニウムを500〜66
0℃でSiハロゲン化物と反応させる方法を述べている
。太陽電池に適した純粋なシリコンがこの方法によって
経済的に得られる。
750〜1000℃での液体アルミニウムとS + C
l aとの反応がヨシザワ(Yoshizawa)らに
よって述べられている(カギョーカガク ザッシ(Ka
gyo Kagaku Zasshi)64(1961
)、1347〜1350)。四塩化ケイ素を反応温度で
液体アルミニウムの浴の上を通過させる。付着するアル
ミニウムと多くとも50重量%のシリコンが得られる。
このシリコンは残存するアルミニウムを酸中に溶解する
ことによって単離された。この方法は、経済的な方法と
しては実際的ではない。溶融アルミニウム中の溶解した
シリコンの拡散(D=IO−’cm”/S)がヨシザワ
らによって述べられた反応における速度決定因子である
ので、反応時間が比較的長い。経済的に納得のできる時
間でのアルミニウムの完全な転化は起きない。
この反応は、温度、雰囲気及び5iC1,スループット
によって大きく決定される。上で述べた欠点は、述べら
れた最適化にもかかわらず存在し続ける。
従って、本発明の目的は、上で述べられた欠点のいずれ
をも持たない経済的な方法を提供することであった。
発明の詳細な説明 もし本方法を出来る限り大きなアルミニウム表面と反応
気体との間の密な接触を保証するやり方で実施すれば実
質的に定量的な転換を経済的に得ることができることが
、驚くべきことにここに見い出された。かくして、本発
明は、気体のシリコン化合物を、純アルミニウムまたは
アルミニウム/シリコン合金の細かく分散された粒子の
溶融表面と、反応の間、気体のシリコン化合物と密に接
触させて反応させることによって太陽電池における使用
に適したシリコンを製造する改良方法に関する。
発明の詳細な説明 従って、本発明は、一般式 %式% [式中、Xはハロゲンでありモしてnは0〜3の値を表
してよい] を有する気体のシリコン化合物をアルミニウムと反応さ
せることによってシリコンを製造する方法であって、該
反応の間、純アルミニウムまたはAl−Si合金から成
る細かく分散された溶融表面を気体のシリコン化合物と
密に接触させる方法に関する。本発明による方法の一つ
の好ましい実施態様においては、・この密な接触が、気
体のシリコン化合物を含む空間中の溶融アルミニウムの
細かい分散によって得られる。溶融表面が少なくとも1
0−”m”/gであると測定される時に特に良好な結果
が得られる。逆に、もちろん、溶融アルミニウム中にS
 iCl、気体を細かく分散させてもよい。
定量的な転換を得るためには、該溶融物中の気体のシリ
コン化合物の細かな分散によって密な接触が確立されね
ばならない。本発明によれば、これは、該溶融物中の最
大気泡分布を大きくとも5mmの気泡サイズに設定する
ことによって達成することができる。本発明による方法
の一つの好ましい実施態様においては、アルミニウムを
細かな小滴の形でそしてさらに好ましくは500μmよ
り小さなアルミニウム小滴の形で反応させる。アルミニ
ウム小滴の反応において得られる生成物は、容易に取り
扱える比肩する粒子サイズのシリコン゛小砂″である。
溶融アルミニウムは、公知の方法によって(A、ロウレ
イ(Lowley)、粉末冶金及び粉末技術の国際学会
誌、13巻(3)、1977年7月)、例えば溶融物を
−または二構成要素のノズルを通して噴霧することによ
っであるいは溶融物を遠心力によって分散することによ
って小滴に転換される。本発明による方法においては、
この分散工程は、反応が起きるシリコンハロゲン化物雰
囲気中で直接実施される。必要とされる定量的な転換は
、アルミニウム溶融物の粒径、滞留時間そしてシリコン
ハロゲン化物気体濃度に依存する。本発明による方法に
おける好ましい温度は、660℃以上そしてさらに好ま
しくは700と1000°Cの間である。
滞留時間は、反応器中の溶融物粒子の飛行または降下経
路によって調節してよい。溶融物の粒径は、分散工程の
パラメータによって決定される。
噴霧法においては、それは、入り口圧力及びノズルの選
択によって調節することができる。
本発明による方法は、特定のシリコンハロゲン化物、ハ
ロ7ラン、シランあるいはそれらの任意の二または多成
分混合物の使用に限定されず、あるいはそれは、ある一
つの化学的または物理的方法によるそれらの製造に限定
されない。本発明の明細書中においては、ハロゲンは、
フッ素、塩素、臭素及びヨウ素であると理解される。気
体のシリコン化合物は、純粋な雰囲気であるいは反応に
参加しない不活性気体、例えばAr、SF、と−緒に反
応に引き渡してよい。シリコン化合物は好ましくは過剰
に使用される。
本発明の一つの特に好ましい実施態様においては、四塩
化ケイ素S iC14をシリコン化合物として使用する
。純アルミニウムとの蒸留によって精製されたS iC
1,の反応においては、純AlCl、に加えて純シリコ
ンが生成する。この変形例は、本発明による方法の巧み
な循環方法(EP−Ao 123100)に成すことが
できる。この点に関するEP−A 0123100をし
のぐ本発明による方法の利点は、純AlCl3の電解に
よって得られる高純度アルミニウムを溶融した形で本方
法に直接返還することができることである。一つのプロ
セス工程、即ちアルミニウムの細かく分割された固体の
形への転換、の省略は、生成物の純度に関してかなりの
経済的そして品質の利点をもたらす。EP−AO123
100に対して製造能力がかなり増加する。
以下の実施例は、本発明を全く限定することなしに本発
明を説明することを意図している。
実施例1 気体入り口及び出口管を有する100リツトルの石英ガ
ラスの容器から成る800’Oに加熱された装置中に、
約0.’3kgの溶融アルミニウムをその中に設置され
た噴霧ノズルを通して(ノズル径1mm)4barの入
り口圧力で10sでS iC1,雰囲気中に噴霧する。
600°Cに加熱された精製された5iCI、の供給は
、200%の化学量論的なSiC!4過剰を保証するよ
うなやり方で制御される。使用されるアルミニウムは、
はとんど完全にシリコンに反応してAlC1,を生成す
る。昇華し去るA1Cl、を過剰の5iC1,と共に除
去しそして適当な受は基中に凝縮する。生成されるシリ
コンは、反応器の出口で粒(100と800μmの間の
粒径)として取り出す。このシリコン中の不純物は使用
されるアルミニウム中の不純物によって決定される。超
純粋なアルミニウムを使用する場合には、高純度シリコ
ンが直接得られる。
実施例2 100gの溶融アルミニウムを700°Cで石英容器中
に導入する。この容器は、石英ガラスの入り口管を備え
ている。全部で1200gの5iC14を1時間の時間
にわたってこの入り口管を通して溶融物中に導入する。
この間、温度は連続的に1460°Cに上昇する。オフ
ガスは出口を通って凝縮装置中に除去する。冷却の後で
、40gの高純度シリコンが金属状の塊の形で得られる
本発明の主なる特徴及び態様は以下の通りである。
l)アルミニウムを式 S  i  H@ X 4− a E式中、Xはハロゲンでありモしてnは0〜3の値であ
るt を有する気体のシリコン化合物と反応させることによっ
てシリコンを製造する改良方法であって、該改良が、該
反応の間、純アルミニウムまたはAl−5i合金の細か
く分散された溶融表面を該気体のシリコン化合物と密に
接触させることを有して成る、方法。
2)この密な接触が、気体のシリコン化合物を含む空間
中に溶融アルミニウムの細かい分散を供給することによ
る、上記1に記載の方法。
3)溶融表面が少なくとも10−’m”/gアルミニウ
ムであると測定される、上記lに記載の方法。
4)この密な接触が該溶融物中に気体のシリコン化合物
の細かな分散を供給することによる、上記lに記載の方
法。
5)該溶融物中の最大気泡分布が大きくとも5mmの気
泡サイズを有する、上記4に記載の方法。
6)該反応を660°C以上の温度で実施する、上記l
に記載の方法。
7)該反応を700−1000℃の温度で実施する、上
記6に記載の方法。
8)溶融アルミニウムを噴霧によって小滴の形に転換す
る、上記lに記載の方法。
9)該小滴が500μmより小さい、上記8に記載の方
法。
10)溶融アルミニウムの小滴の形が遠心力によって得
られる、上記9に記載の方法。
11)霧状の溶融アルミニウムを、溶融アルミニウムと
の反応に必要とされる量の少なくとも200%の化学量
論的に過剰の気体のシリコンハロゲン・化物の雰囲気を
有する部屋の中に噴霧すること、かくして該アルミニウ
ムを実質的に完全に該シリコンハロゲン化物と反応させ
、副生成物AlCl3を過剰のシリコンハロゲン化物と
一緒に昇華させそしてシリコン生成物を粒として取り出
すことを有して成る、シリコンを製造する方法。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 アルミニウムを式 SiH_nX_4_−_n [式中、Xはハロゲンでありそしてnは0〜3の値であ
    る] を有する気体のシリコン化合物と反応させることによっ
    てシリコンを製造する改良方法であって、該改良が、該
    反応の間、純アルミニウムまたはAl−Si合金の細か
    く分散された溶融表面を該気体のシリコン化合物と密に
    接触させることを有して成る、方法。
JP1177268A 1988-07-15 1989-07-11 太陽のシリコンの製造方法 Pending JPH0264006A (ja)

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DE3824065A DE3824065A1 (de) 1988-07-15 1988-07-15 Verfahren zur herstellung von solarsilicium
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