JPH02220130A - 論理回路 - Google Patents

論理回路

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JPH02220130A
JPH02220130A JP4022989A JP4022989A JPH02220130A JP H02220130 A JPH02220130 A JP H02220130A JP 4022989 A JP4022989 A JP 4022989A JP 4022989 A JP4022989 A JP 4022989A JP H02220130 A JPH02220130 A JP H02220130A
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和男 矢野
Tetsuya Nakagawa
哲也 中川
Toshiaki Masuhara
増原 利明
Katsuhiro Shimohigashi
下東 勝博
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、集積回路一般に好適な高速かつ低消費電力の
論理回路に関する。
〔従来の技術〕
従来の公知例としては、[超高速化合物半導体デバイス
(培風館、1986.p281Jを挙げることができる
最近のデジタル演算用集積回路の高速化に伴い、算術演
算回路の最も基本的な構成要素である加算器の高速化が
望まれている。加算器は加算を行う所謂加算器のみなら
ず、ALU、乗算器など演算器の基本構成要素であり、
論理LSIの速度を支配している。
多ビットの加算器の高速動作性能は、良く知られている
ように、桁上げ信号の高速動作性能によって支配される
。従来、多ビットの加算器の桁上げ伝播速度を高速化す
る手段としては、桁上げ先見加算器(Carry Lo
ok Ahead : CL A )が良く知られてい
る。第2図には、「超高速化合物半導体デバイス」 (
培風館、1986.p281)に記載されている4ビツ
トCLAの論理図である。こPj=Aj■Bj AjsBjはjビット目の被加算数である。
〔発明が解決しようとする課題〕
第2図に示した従来技術は、多ビットの加算器に適用す
るとやはり十分な高速化が得られないという1問題点が
ある。これを以下に説明する。
CLA回路の遅延時間は、下位ビットからの桁上げ信号
Ciが入力してから最上位ビットへの桁上げ信号Coを
出力するまでの時間であり、最終段の回路によってきま
る。たとえば、第2図の回路においてはアンドゲートL
3とオアゲートL4の遅延時間によってきまる。しかし
従来回路ではこのL3.L4がファンイン数あるいはフ
ァンアウト数が大きい接続となっているため動作速度が
返くなる。
CLA回路は第3図に示す32ビット桁上げ先見回路の
ように、直列に接続されて用いることが多い、ここでは
8個の4ビット桁上げ先見回路が直列に接続され32ビ
ット桁上げ先見回路を構成している。この場合COには
次のCLAユニットのCiが接続される。従って、L3
は、ファンイン数5.ファンアウト数1となり、L4は
ファンイン数5.ファンアウト数4となる。このように
ファンアウト数ファンイン数が大きいゲートを用いてい
るため、CLA回路の遅延時間は単純なインバータ回路
の遅延時間tiの10倍以上となってしまう。
本発明の目的は、多ビットの加算においても高速に動作
する論理回路を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的は、桁上げ先見回路の最終階回路が、下位ビッ
トからの桁上げ信号とその反転信号を入力する端子を有
し、かつ上位ビットへ桁上げ信号とその反転信号を出力
する端子を有する構成とすることによって達成される。
〔作用〕
本発明では、下位からの桁上げ信号、および上位ビット
への桁上げ信号の反転信号を活用することによって、フ
ァンイン数、ファンアウト数の小さいゲートで、桁上げ
先見回路の最終段を構成する。これによりこの最終段を
高速化でき1桁上げ先見回路を高速化できる。
〔実施例〕
以下、本発明を実施例を用いて説明する。第一の実施例
の4ビット桁上げ先見回路を第1図に示す、以下の説明
においては、記号の最後にNを添えることにより論理の
反転した信号を表す0本回路は、下位ビットからの桁上
げ信号C1,その反転信号CiN、桁上げ伝幅信号PJ
 (j=1 4L桁上げ生成信号G j (j = 1
−4 )を入力信号とし、上位ビットへの桁上げ信号C
o、その反転信号Co N−1桁上げ信号Cj  (J
=1−3)を出力する。ここでP J w G jは被
加算数AJtBJを用いて次の論理式で定義される。
Gj=Aj−Bj          ・・・(1)P
j=AjOBj            ・・・(2)
本4ビット桁上げ先見回路は3ビット桁上げ先見回路と
最終段からなる。3ビット桁上げ先見回路は第2図に示
した従来の回路を用い、最終段の回路が従来と異なる。
3ビット桁上げ先見回路としては、この論理図と同じ論
理出力をする回路ならばどのような回路を用いても良く
、従来とまったく同様の動作をする。
次に最終段の論理回路動作について説明する。
初めにこの論理動作の説明に必要な論理式を導いておく
0桁上げ信号の一般式により次式が成り立つ Cj;Gj+Pj−Cj−1・・・(3)ここで−Aj
eBJはj桁目の被加算数、Cjはj桁目の桁上げ信号
である。また、(1) 、 (2)式により容易に次式
を得ることができる。
Gj−Pj=O・・・(4) (3)式を繰返し使うことによって、4桁目の桁上げ信
号C4(=Co)は次式で表される。
C4=G4+P4・[G3+P3・(G2+P2・(G
 1 + P 1・C1))] =G4+P4・(G 3 + P 3・(G2+P2・
G1))+P4・P3・P2・Pl・Ci      
・・・(5)次式によって論理値R,Sを定義すると、
R=G4+P4・(G 3 + P 3・(G2+P2
・G1))SmF3・P3・P2・PI C4は次式のように表される。
C4=R+5LIC1 更に、Co=C4であるから、 Co=R+5−Ci          −(6)とな
る、(4)式を用いれば容易に得られるようにRとSに
は次に示す関係が成り立つ R−8=O・・・(7) S+5N=1という関係を用いると R=R・(S + S N) 更に(7)式を用いると R=R拳SN             ・・・(8)
(6)式と(8)式により G o =R−8N+ S−Ci       −(9
)これをオイラー図に示すと第4図(A)のようになる
、この図を用いると、(9)式は次式と等価であること
が判る。
CoN−(R−5N+5−Ci)N     ・・(1
1)と表されるが、第4図(B)のオイラー図により次
式と等価であることが判る。
Co N=(R−8N)N・(S−C1)N ・・・(
12)本実施例では以上で導いた(10)、 (12)
式を用いて、論理回路を構成する。まず論理ゲートL1
3゜Li2によってRとSを生成する。このRとSはC
i、CiNとともに論理ゲートL5とL6の入力となる
。論理ゲートL5とL6はまったく同一の論理回路であ
り、入力信号が異なることによりそれぞれ式(12)と
(10)の論理式を示す、論理ゲートL5.L6の真理
値表を第1図(B)に示す。
上記L5.L6を実際のトランジスタ、FETを用いて
構成するには1例えば第5図、第6図。
第7図に示す回路を用いることができる。第5図は、n
チャネルMOSトランジスタによるトランスファゲート
のワイアード論理とCMOSインバータを用いたもので
あり、第6図はCMOSクロックドインバータのワイア
ード論理を用いたものであり、第7図はトランスファゲ
ートのワイアード論理とバイポー90M08回路のイン
バータを用いたものである。これらの回路構成と第1図
(A)に示した論理機能との対応関係は同図(B)に示
した真理値表に沿って容易に確かめることができる。こ
れらいずれの回路を用いても、単純なインバータ回路−
設置にほぼ等しい遅延時間によって、上位ビットへ桁上
げ信号を生成することができる。従って、従来回路より
大幅に高速になる。
上記実施例においては絶縁ゲート型電界効果トランジス
タによって、本発明の論理回路を構成した例を示したが
、接合型電界効果トランジスタ(JFET)、金属半導
体接合型電界効果トランジスタ(MESFET)を用い
ても同様の効果が得られることは、もちろんである。
また、第5図の回路において、nチャネルMOSトラン
ジスタMl、M2.M5.M6のしきい電圧をpチャネ
ルMOSトランジスタM3.M7のしきい電圧よりも低
くすることによって消費電力を小さくできる。何故なら
ば、ノードNl、N2のハイレベルは、ttt源電圧V
ccよりもnチャネルMOSトランジスタMl、M2.
M5.M6のしきい電圧分だけ低いところまでしか上が
らない。
従って、pチャネルMOSトランジスタのしきい電圧を
nチャネルよりも高くしておけば、 CMOSインバー
タM3.M4における漏れ電流を小さくすることができ
る。
また、本実施例を4ビツト以外の桁上げ先見回路に適用
するのも容易である。(5)式は容易に任意のビット長
に拡張できる。すなわち(3)式を繰返し用いることに
より1次式を得る。
Cj =Gj +Pj・[Gj−1+Pj−1・(G 
j −2+ P j −2・・・(G 2 + P 2
・Gl))]]+Pj−Pj−1・・P2・Pl・Ci
     ・・・(13)ここで、改めて。
R=Gj+Pj・[Gj −1+Pj−1・(aj−2
+pj−z・・・(G2+P2・G1))コ 5=Pj・P、j−1・・・P2・Plとおけば、(6
)式がそのまま適用できる。
以上説明した4ビット桁上げ先見回路を用いて、32ビ
ツト加算器を構成した例を第8図に示す。
この加算器は被加算数Aj*BJを入力とし、和信号S
jを出力する(jは1−32)、また、Gjは桁上げ生
成信号、Pjは桁上げ伝帳信号、Cjは桁上げ信号、V
ccは電源電圧である。
この加算器は、PG生成ブロック、4ビット桁上げ先見
回路ブロック、全加算器ブロックからなる。PC生成ブ
ロックでは1式(1) 、 (2)に従いP J e 
G jという信号を生成し1桁上げ先見回路に信号を出
力する1桁上げ先見ブロックでは桁上げ信号Cjを生成
し、全加算器に出力する。全加算器ブロックでは加算を
行い、和信号を出力する。
このとき同時に桁上げ信号が再度出力されるが、これは
桁上げ先見回路で既に出力しているため不要であり、結
線せずにオープン状態としておく。
実際の32ビツトの加算動作について次に説明する。全
ての入力信号Aj* Bj (j=1〜32)が同時に
入力されている場合、PG生成ブロックでPJ*GJと
いう信号が生成され、4ビット桁上げ先見回路U1・・
・U8に入力される。この入力を受けて第1図(A)の
ゲートL13.LL4が動作し、信号SおよびRがUl
・・・U8の中でほぼ同時に確定する。続いてUlでは
、Ciが接地されCiNがハイレベルに固定されている
ため、ゲートL5.L6が動作し桁上げ信号Co、Co
NをU2に出力する。このUlの動作速度はファンイン
数が大きいゲートL14の速度により律速され、従来の
桁上げ先見回路と同程度となる。これに対して、U2〜
U8の中では、信号SおよびRが既に確定しているため
、Ci、CiNが入力してからGo、CoNを出力する
のにL5.L6の動作に要する時間だけでよく、極めて
高速に動作する。L5.L6はほぼインバーター設置の
遅延時間で動作するので、U2〜U8はほぼインバータ
ー設置で動作し、32ビツト加算の時間も従来に比べて
大きく短縮化される。
以上、説明したように4ビット桁上げ先見回路に、第1
図に示した本発明を用いれば、極めて高速に動作する3
2ビツト加算器が実現できる0本発明では、下位ビット
からの桁上げ信号C1゜CiNが入力してから、上位ビ
ットへの桁上げ信号Go、CoNが出力するまでに、フ
ァンイン数ファンアウト数の小さいゲートが動作するだ
けでよく、高速である。
〔発明の効果〕
本発明では桁上げ先見回路の最終段回路において、下位
及δ桁上げ信号、および上位ピッiへの桁上げ信号の反
転信号を活用することによって、ファンイン数、ファン
アウト数の小さいゲートで。
桁上げ先見回路の最終段を構成する。これによりこの最
終段を高速化でき、桁上げ先見回路を高速化できる。4
ビットの桁上げ先見回路において、従来回路が単純イン
バータ回路の約10倍の遅延時間を要していたのに対し
て、本発明は単純インバーター段分の遅時間で動作する
。すなわち、従来より約−桁の高速化が得られる0本桁
上げ先見回路は加算器、算術論理演算ユニット(ALU
)。
並列乗算器など、論理LSIにおいて最も高速化を要求
される部分に適用することができそれらを大きく高速化
できる。
【図面の簡単な説明】
第1図(A)は、本発明の第一の実施例の桁上げ先見回
路を示す図、第1図(B)は、第一の実施例論理ゲート
L5.L6の真理値表を示す図、第2図は従来の桁上げ
先見回路を示す図、第3図は、従来の4ビットの桁上げ
先見回路を用いて、32ビツトの桁上げ先見回路を構成
した図、第4図は本発明の桁上げ先見回路の基本論理式
を証明するオイラー図、第5図、第6図、第7図は、第
4図に示した本発明の桁上げ先見回路において用いる論
理回路をトランジスタによって構成した例を示す図、第
8図は、本発明の第一の実施例の桁上げ先見回路を用い
て32ビツト加算器を構成した一例を示す図である。 L3.L8.Lll、L13・・・ANDゲート、L4
・・・ORゲート、L5.L6.L14・・・論理ゲー
ト、L7.L9.LIO,L12・・・NANDゲート
、L 4 =・ORゲー ト、vcc・・・電源線、C
L・・・下位ビットからの桁上げ入力信号、CiN・・
・下位ビットからの桁上げ信号の反転入力信号、Pl−
32・・・桁上げ伝帳信号、G1−32・・・桁上げ生
成信号、Go・・・上位ビットへの桁上げ出力信号。 CoN・・・上位ビットへの桁上げ信号の反転出力信号
、C1−32・・・桁上げ信号、[1−8・・・4ビッ
ト桁上げ先見回路、Ml、M2.M4−6.M8−10
.Ml2−16.Ml8−M2O,M23−24.M2
7−28.31−32.M2S−36・・・nチャネル
MOSトランジスタ、M3゜M7.Mll、Ml7.M
21.M22.M2S。 M26.M29−30.M2S−34,・・・pチャネ
ルMOSトランジスタ、Q 1−Q4・・・npnバイ
ポーラトランジスタ。 (Co) 第 (in C3+ Lおし?? し81..7 C41=に しa に3 Lx し1 (A) 奉 図 第 第 引

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、桁上げ先見回路において、下位ビットからの桁上げ
    信号を入力する端子及びこれの反転信号を入力する端子
    、上位ビットへの桁上げ信号を出力する端子および、こ
    れの反転信号を出力する端子を有することを特徴とする
    論理回路。 2、nビットの桁上げ先見回路において、j桁目の被加
    算数をAj、Bjとし、Pj=Aj■Bj、Gj=Aj
    ・Bjで論理値Pj、Gjを定義したとき、Gn+Pn
    ・[Gn−1+Pn−1・{Gn−2+Pn−3・・・
    (G2+P2・G1)・・・}]という論理あるいはこ
    れの反転信号などの類似の論理とPn・Pn−1・・・
    Pnという論理あるいはこれに類似の論理を生成し、こ
    れを用いて最上位の桁上げ信号を生成することを特徴と
    する論理回路。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04296933A (ja) * 1991-03-04 1992-10-21 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路装置

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