JPH02220242A - 光ディスク用基板の屈折率の検出方法 - Google Patents
光ディスク用基板の屈折率の検出方法Info
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- JPH02220242A JPH02220242A JP1040931A JP4093189A JPH02220242A JP H02220242 A JPH02220242 A JP H02220242A JP 1040931 A JP1040931 A JP 1040931A JP 4093189 A JP4093189 A JP 4093189A JP H02220242 A JPH02220242 A JP H02220242A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/21—Polarisation-affecting properties
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9506—Optical discs
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は屈折率楕円体の主軸を正確に検出することので
きる光ディスク用基板の屈折率の検出方法に関する。
きる光ディスク用基板の屈折率の検出方法に関する。
[従来技術]
近年光ビームを集光して光学式記録媒体に照射すること
によって、この記録媒体に情報を高密度に記録したり、
この記録媒体からの戻り光を光検出器で受光することに
よって、記録媒体に書込まれている記録情報を高速度で
読出す(再生づる)ことのできる光学式情報記録再生装
置が注目されるようになった。
によって、この記録媒体に情報を高密度に記録したり、
この記録媒体からの戻り光を光検出器で受光することに
よって、記録媒体に書込まれている記録情報を高速度で
読出す(再生づる)ことのできる光学式情報記録再生装
置が注目されるようになった。
上記記録媒体は、−度書込みを行うと、消去できないw
r;te−onceタイプのものと、光学的カー効果を
利用した磁化層を形成して消去可能な書込みを行うこと
のできる光磁気タイプのものとがある。
r;te−onceタイプのものと、光学的カー効果を
利用した磁化層を形成して消去可能な書込みを行うこと
のできる光磁気タイプのものとがある。
上記光磁気方式の媒体には、その基板としてPMMA
(Dolyaiethyl−iethacrilate
)等(7)7クリル謝脂が用いられることがある。この
樹脂は、光学的特性に優れているが、吸湿性が大きく、
記録媒体面が反ってしまうという欠点がある。
(Dolyaiethyl−iethacrilate
)等(7)7クリル謝脂が用いられることがある。この
樹脂は、光学的特性に優れているが、吸湿性が大きく、
記録媒体面が反ってしまうという欠点がある。
このため、反りが生じにくい形状安定性が優れ、且つ機
械的強度が大きい材料で基板を形成することが望ましい
。
械的強度が大きい材料で基板を形成することが望ましい
。
この場合、その基板の光学的特性が良好であることが望
まれる。
まれる。
特開昭62−203046@に開示されているように、
光磁気タイプ等の基板は、光ビームが集光されるため、
その場合の基板の複屈折が再生された信号のS/Nを低
下ささせる原因になる。
光磁気タイプ等の基板は、光ビームが集光されるため、
その場合の基板の複屈折が再生された信号のS/Nを低
下ささせる原因になる。
上記記録媒体の基板は、出射成形で形成される場合が多
く、この場合には歪が残り易く、このため複屈折となっ
て現われることが多い。
く、この場合には歪が残り易く、このため複屈折となっ
て現われることが多い。
光学的異方性を持つ物質は、一般に3つの異った互いに
直交する3つの主屈折率を有する。この3つを主軸とし
た楕円体が屈折率楕円体である。
直交する3つの主屈折率を有する。この3つを主軸とし
た楕円体が屈折率楕円体である。
上記複屈折の大きさは、その物質の屈折率楕円体の状態
により、容易に知ることができる。
により、容易に知ることができる。
第8図に示すように、Sの方向に光が進むとすると、そ
のSに垂直で(屈折率)楕円体IEの中心Oを通る平面
で、この楕円体IEを切断した切断面は一般に楕円であ
り、その長軸と短軸の差が複屈折に相当する。光学軸と
は、この切断面が円になるような光線の方向である。
のSに垂直で(屈折率)楕円体IEの中心Oを通る平面
で、この楕円体IEを切断した切断面は一般に楕円であ
り、その長軸と短軸の差が複屈折に相当する。光学軸と
は、この切断面が円になるような光線の方向である。
一軸性結晶の場合には、上記I、7J断面が円になる方
向は1つしかないが、二輪性結晶の場合にはそのような
方向が2つある。第8図でA1.A2がそれである。し
かして、仁のA1.A2を含む平面内において、ちょう
ど/’w 、A2から等しい角度θ^で2等分する方向
N3、つまり3つある主屈折率のうちの1つの方向とな
る。他の2つのN1、N2は、N3に垂直な面内にある
。
向は1つしかないが、二輪性結晶の場合にはそのような
方向が2つある。第8図でA1.A2がそれである。し
かして、仁のA1.A2を含む平面内において、ちょう
ど/’w 、A2から等しい角度θ^で2等分する方向
N3、つまり3つある主屈折率のうちの1つの方向とな
る。他の2つのN1、N2は、N3に垂直な面内にある
。
光ディスク用に射出成形されたPC基板の場合、N1と
N2の大ぎさはほぼ等しく、N3はそれよりら大きく、
屈折率楕円体はラグビーボールのような形をしている。
N2の大ぎさはほぼ等しく、N3はそれよりら大きく、
屈折率楕円体はラグビーボールのような形をしている。
しかもN3がディスク基板表面に対してほぼ垂11にな
る光学異方性を示すことが分っている。
る光学異方性を示すことが分っている。
[古沢昭彦、光磁気記録用PC基板の光学異方性の解析
、「光学」第15巻第3号(1986)。以下文献1と
記す。] そのため、従来の垂直入射による複屈折の測定では、屈
折率楕円体の状態はほとんど分らない。
、「光学」第15巻第3号(1986)。以下文献1と
記す。] そのため、従来の垂直入射による複屈折の測定では、屈
折率楕円体の状態はほとんど分らない。
このため、いろいろな入射角を持つ収束光を用いる実際
の光学式ピッアクツブにおいて、再生信号に対して複屈
折がどの程反影響を与えるかを知ることができない。
の光学式ピッアクツブにおいて、再生信号に対して複屈
折がどの程反影響を与えるかを知ることができない。
一般には屈折率楕円体の状態を知るには、3つの主屈折
率すなわら楕円体の主軸の方向と、それらの大きさを知
らなければならない。一方、光ディスク用基板の場合、
その主軸方向がほぼ分かつていて、その大きさが問題と
なる場合がある。その大きさを決める方法の1つとして
特開昭62203046号公報に開示されたものがある
。またこの方法は、上記文献1で詳しく説明されている
。 ところで、上記公報では、−軸性を仮定していたが
、より正確な測定を行うためには、二軸性のモデルで測
定する必要がある。
率すなわら楕円体の主軸の方向と、それらの大きさを知
らなければならない。一方、光ディスク用基板の場合、
その主軸方向がほぼ分かつていて、その大きさが問題と
なる場合がある。その大きさを決める方法の1つとして
特開昭62203046号公報に開示されたものがある
。またこの方法は、上記文献1で詳しく説明されている
。 ところで、上記公報では、−軸性を仮定していたが
、より正確な測定を行うためには、二軸性のモデルで測
定する必要がある。
そこで理論式を二輪性の場合に合わせて以下に書き直し
てみる。
てみる。
二軸性を示す基板に偏光した光を入射させた場合の楕円
化の程度の計詐式: 1)前提■、■とパラメータの定義■ 前述の文献1の付録1と同様に、次の二つの仮定を前提
として計q式を求める。
化の程度の計詐式: 1)前提■、■とパラメータの定義■ 前述の文献1の付録1と同様に、次の二つの仮定を前提
として計q式を求める。
(I)境界面(光ディスク表面)と、入射する偏光面と
の接線は半径方向に対して垂直である(これは、前述の
実験の設定に合わせる為である)。
の接線は半径方向に対して垂直である(これは、前述の
実験の設定に合わせる為である)。
(n)二軸性において、その屈折率楕円体を考えた時、
三つのうち二つの主屈折率が半径方向に平行で、しかも
光ディスク表面に垂直な面内に存在する。
三つのうち二つの主屈折率が半径方向に平行で、しかも
光ディスク表面に垂直な面内に存在する。
これは、屈折率楕円体が半径方向にのみ傾くことを仮定
している。
している。
(I[[)パラメータの定れ
θ0:楕円体切所面での屈折率n″ (またはn’
)と偏光面のなす角 θ :透過光の光線方向から見た偏光面と楕円体長軸方
向のなす角 α :位相差 V:入射面と半径方向のなす角 θi :入射角 θt:屈折後の境界面法線と楕円体長軸とのなす角 φ :半径方向において、境界面の垂線と楕円体長軸と
のなす角 2)1円化した光の長軸短軸化 長軸を1とした場合、短軸長をr口とすると、1)のα
とθ0より、 二軸性の場合は角θと00は異なる。
)と偏光面のなす角 θ :透過光の光線方向から見た偏光面と楕円体長軸方
向のなす角 α :位相差 V:入射面と半径方向のなす角 θi :入射角 θt:屈折後の境界面法線と楕円体長軸とのなす角 φ :半径方向において、境界面の垂線と楕円体長軸と
のなす角 2)1円化した光の長軸短軸化 長軸を1とした場合、短軸長をr口とすると、1)のα
とθ0より、 二軸性の場合は角θと00は異なる。
これは、二輪性の場合、光線方向から見て屈折率n″と
03の方向が一致しない(第9図参照)為である。
03の方向が一致しない(第9図参照)為である。
3)位相差α及び角θ0の計算式
二軸性を示す場合、3つの主屈折率が存在する。
それらをni 、n2.n3とすると、屈折率楕円体は
、 X2 y2 12 湾τ 而T 而T−1・・・・・・(2)となる。一方
、位相差αは、入射するS偏光及びpH光に対する屈折
率n’、 n ” tfJ −I7、a−−2−E−(
n” −n’ ) h −・−(3)λ で表わされる。
、 X2 y2 12 湾τ 而T 而T−1・・・・・・(2)となる。一方
、位相差αは、入射するS偏光及びpH光に対する屈折
率n’、 n ” tfJ −I7、a−−2−E−(
n” −n’ ) h −・−(3)λ で表わされる。
ここでスは入射光の波長であり、hは入射した光が透過
する基板の厚さである。
する基板の厚さである。
この時の屈折率n LL 、 n ′は、光線方向に垂
直な面で、上記楕円体を切断した面(楕円面)の長軸と
短軸になる。第9図は、この場合の概念図(説明図)を
示す。ここで、屈折率nl 、 n2 。
直な面で、上記楕円体を切断した面(楕円面)の長軸と
短軸になる。第9図は、この場合の概念図(説明図)を
示す。ここで、屈折率nl 、 n2 。
n3は、互いに直交しており、屈折率nnとn′も互い
に直交している。
に直交している。
上記屈折率n 41 、 n l を求める方法である
が、ある角ψが与えられた時、次の2つのパメータが定
まれば計算できる。
が、ある角ψが与えられた時、次の2つのパメータが定
まれば計算できる。
θ′ :楕円体長軸に垂直な面において、光線方向と長
軸方向を含む平面との接線(第 10図におけるOR>と長軸方向と半径方向を含む平面
との接線(同図におけるOP)のなす角 φ′ :楕円体長軸方向を含む口内においで、楕円体長
軸方向に対する!l!線と光線方向のなす角 上記角θ′を使って、(2)式を座標変換していく。そ
の、際、光線方向を紙面の縦方向に、半径方向を横方向
に固定する。
軸方向を含む平面との接線(第 10図におけるOR>と長軸方向と半径方向を含む平面
との接線(同図におけるOP)のなす角 φ′ :楕円体長軸方向を含む口内においで、楕円体長
軸方向に対する!l!線と光線方向のなす角 上記角θ′を使って、(2)式を座標変換していく。そ
の、際、光線方向を紙面の縦方向に、半径方向を横方向
に固定する。
第11図に示すように座標系(X、V、Z)と座標系(
x’ 、y’ 、z’−z)との変換式%式% を(2)式に代入して を郷る。
x’ 、y’ 、z’−z)との変換式%式% を(2)式に代入して を郷る。
次に、第12図に示すように、更にX′軸を中心に角φ
′だけ回転する座標変換を行なう。つまり座標系(xl
、 yl 、 zl )と座標系(X″y”、z”)
との変換式 %式% を(4)式に代入し、且つz”−0を代入すると、(謬
+Σづ、トイと−)X″2+2(層側←トJと−+(ゴ
3(ン4と一十謬) sinφ11 y#2を得る。
′だけ回転する座標変換を行なう。つまり座標系(xl
、 yl 、 zl )と座標系(X″y”、z”)
との変換式 %式% を(4)式に代入し、且つz”−0を代入すると、(謬
+Σづ、トイと−)X″2+2(層側←トJと−+(ゴ
3(ン4と一十謬) sinφ11 y#2を得る。
この楕円の方程式が屈折率n ′l 、 n ’ を含
む光線方向に垂直な面で、楕円体を切断した時の式−〇
ある。
む光線方向に垂直な面で、楕円体を切断した時の式−〇
ある。
この楕円の長軸と短軸方向を知るために、第13図に示
すようにZ II軸を中心にして角Φだけ回転する座標
変換を行なう。つまり、座標系(X″y”、z“)と座
標系(X、Y、4)との次の関係式を用いる。
すようにZ II軸を中心にして角Φだけ回転する座標
変換を行なう。つまり、座標系(X″y”、z“)と座
標系(X、Y、4)との次の関係式を用いる。
X″−XCO8ψ−y sinψ
V”X5in ψ+Ycos ψ
2“ −2
また、(5)式において
とおいて、(5)式に代入し、−整理すると、(ACO
32ψ)Bsin2ψ+(:、 sinψCO3ψ)X
2+ (Asin 2ψ+−Bcos2ψ−Q sin
ψcosψ) Y2+ (2(B−A、) sinψ
cos ψ+C(cos2 ψ−5in 2 ψ))X
Y−1・−・−(9)となり、これが楕円の標準形にな
った時の長軸と短軸の長さがn“とn′になる。
32ψ)Bsin2ψ+(:、 sinψCO3ψ)X
2+ (Asin 2ψ+−Bcos2ψ−Q sin
ψcosψ) Y2+ (2(B−A、) sinψ
cos ψ+C(cos2 ψ−5in 2 ψ))X
Y−1・−・−(9)となり、これが楕円の標準形にな
った時の長軸と短軸の長さがn“とn′になる。
上記(9)式が標準形になるためには、XY項の係数が
Oになることである。つまり、 2(B−A)sinψCOSψ+ C(CO32ψ−5in 2φ)−0 を整理して を得る。
Oになることである。つまり、 2(B−A)sinψCOSψ+ C(CO32ψ−5in 2φ)−0 を整理して を得る。
このような角ψを用いて、屈折率n′
n′−
111/を
n# 丑
sin + CO3−C3III C
O3ψ・・・(12) を求めることができる。
O3ψ・・・(12) を求めることができる。
尚、前述の角θ′とφ′は、第10図において、幾何学
的に求めることができる。つまり、関係式と、同図より θ′−軍’−IJ とから ・・・・・・(13) 一方、角φ′の方は、余弦定理を用いて次のように求め
られる。
的に求めることができる。つまり、関係式と、同図より θ′−軍’−IJ とから ・・・・・・(13) 一方、角φ′の方は、余弦定理を用いて次のように求め
られる。
φ’ ”=sin −’ (cosθt cosφ−c
os Vsinθt sinφ)−(14)ところで角
θとθ0は、−軸性の場合は、同じであるが、二軸性の
場合は、一般に異なる。その関係式は(10)式で求め
た角ψを用いて、θ0=θ−ψ ・・・・・
・(15)となる。
os Vsinθt sinφ)−(14)ところで角
θとθ0は、−軸性の場合は、同じであるが、二軸性の
場合は、一般に異なる。その関係式は(10)式で求め
た角ψを用いて、θ0=θ−ψ ・・・・・
・(15)となる。
特開昭62−203046号公報の11式に示すように
θ=
となる。従って、
θ〇−
どなる。また、(3)式、つまり
であり、(11)式、(12)式、(10)式を店くと
、n′ = ・・・(11) n″ = sin ψ+3 cos Csin φCOS ψ ・・・(12) である。
、n′ = ・・・(11) n″ = sin ψ+3 cos Csin φCOS ψ ・・・(12) である。
以上の結果から、角θ0とαとは各々W、φ。
θi、θt、nl、n2.n3をパラメータとする関数
であり、(1)式によればr口も同じパラメータを持つ
ことが分る。
であり、(1)式によればr口も同じパラメータを持つ
ことが分る。
さて、短軸方向の光用1を求めると、特伺昭62−20
3046号公報の0式に示すようにI=ls/(1ト
Is) ・・・・・・ (18)
となり、Iもψ、φ、θi、θt、n1.n2゜n3の
関数である。
3046号公報の0式に示すようにI=ls/(1ト
Is) ・・・・・・ (18)
となり、Iもψ、φ、θi、θt、n1.n2゜n3の
関数である。
そこで、φ−0°、θ1−30°、 sin +9t
−5inθi /n (ここでnttm板の屈折率で1
.5806とする)と仮定し、第1表に示した屈折率n
l。
−5inθi /n (ここでnttm板の屈折率で1
.5806とする)と仮定し、第1表に示した屈折率n
l。
n2.n3の各々の組合わせNQ 1〜5について、角
ψの値をO〜180°まで変化させた時の1の値を第1
4図に示す。
ψの値をO〜180°まで変化させた時の1の値を第1
4図に示す。
〜a N3
1 1.58060
2 同上
3 同上
4 同上
第1表
N2 N1
1.58000 1.58000
同上 1.58001
同上 1.58002
1.58001 1.58000
5 同上 1.58002 同上[発明
が解決しようとする問題点] 特開昭62−203046号公報の方法では、ディスク
基板の表面に垂直な方向にある主屈折率N3がNl 、
N2に対して大きい場合、lN5−N1 lの大きさ、
すなわちディスク基板の厚み方向と面内方向の主屈折率
の差を求めるには非常に有効であったが、面内方向の2
つの主屈折率Nl。
が解決しようとする問題点] 特開昭62−203046号公報の方法では、ディスク
基板の表面に垂直な方向にある主屈折率N3がNl 、
N2に対して大きい場合、lN5−N1 lの大きさ、
すなわちディスク基板の厚み方向と面内方向の主屈折率
の差を求めるには非常に有効であったが、面内方向の2
つの主屈折率Nl。
N2の差(N2−Nt )については不正確になる傾向
があった。
があった。
第14図はこの点を示している。すなわち、屈折率N3
を固定値とし、他の2つの屈折率N+。
を固定値とし、他の2つの屈折率N+。
N2を微小量変化させても、この図のグラフ形状は殆ん
ど変化していない。特開昭62−203046号の方法
は、実験を行って得られたグラフと、理論式から得られ
るグラフとを理論式のパラメータを適宜変化さけて比較
し、両グラフが最も一致するときのパラメータの値を測
定値として採用づるものである。
ど変化していない。特開昭62−203046号の方法
は、実験を行って得られたグラフと、理論式から得られ
るグラフとを理論式のパラメータを適宜変化さけて比較
し、両グラフが最も一致するときのパラメータの値を測
定値として採用づるものである。
従って、屈折率N1.N2を変化させて、グラフ形状の
差が小さいということはI N2−Njの値を正確に求
めることがガかしいということになる。
差が小さいということはI N2−Njの値を正確に求
めることがガかしいということになる。
本発明は上述した点にかんがみてなされたもので、面内
方向の2つの屈折率の差を正確に求めることが可能にな
る光ディスク用基板の屈折率の検出方法を提供すること
を目的とする。
方向の2つの屈折率の差を正確に求めることが可能にな
る光ディスク用基板の屈折率の検出方法を提供すること
を目的とする。
[問題点を解決する手段及び作用]
この発明では、基本的には第1図に示すように直線偏光
をディスク基板にその表面に垂直でなく、斜めの入射角
で入射し、その際直線偏光の偏光面と入射面とのなす角
にを一定に保持し、前記直線偏光に対してクロスニコル
状態に設定した検光子を通したもれ光量を、入射面とデ
ィスク基板のディスク半径方向とのなす角(方位角ψと
記す)を変化させて測定する。この測定による値と、理
論式とから尋かれる計算値とを比較して、3つの主屈折
率の各々の大きさを求めることができる。
をディスク基板にその表面に垂直でなく、斜めの入射角
で入射し、その際直線偏光の偏光面と入射面とのなす角
にを一定に保持し、前記直線偏光に対してクロスニコル
状態に設定した検光子を通したもれ光量を、入射面とデ
ィスク基板のディスク半径方向とのなす角(方位角ψと
記す)を変化させて測定する。この測定による値と、理
論式とから尋かれる計算値とを比較して、3つの主屈折
率の各々の大きさを求めることができる。
このようにして、屈折率楕円体の状態を知ることができ
る。
る。
[実施例]
以下、図面を参照して本発明を具体的に説明する。
第1図ないし第7図は本発明の1実施例に係り、第1図
及び第2図は1実施例における方法を説明するために基
板に入射される入射光、入射面、偏光面等の関係を示す
説明図、第3図は1実施例に係る装置を示し、第3図(
a)は、平面図、第3図(b) 、 (c) 、 (d
)は正面図、第4図は第3図に対応した偏光面、入射面
、半径方向等の関係を示す説明図、第5図は測定結果を
グラフで示す図、第6図はこの方法における理論式をグ
ラフで示1J図、第7図は基板に光ビームが入射した際
の屈折前後の偏光面の関係を示す説明図である。
及び第2図は1実施例における方法を説明するために基
板に入射される入射光、入射面、偏光面等の関係を示す
説明図、第3図は1実施例に係る装置を示し、第3図(
a)は、平面図、第3図(b) 、 (c) 、 (d
)は正面図、第4図は第3図に対応した偏光面、入射面
、半径方向等の関係を示す説明図、第5図は測定結果を
グラフで示す図、第6図はこの方法における理論式をグ
ラフで示1J図、第7図は基板に光ビームが入射した際
の屈折前後の偏光面の関係を示す説明図である。
第3図に示すように1実施例の方法に係る屈折率楕円体
@1は、コヒーレントな光を発生する光源としての@e
−Neし〜ザ2から出射されるレーザ光を偏光子3で直
線偏光の光にし、回転可能なステージ(以下θステージ
)4に取付けたディスク用基板(ディスク基板とも記す
。)5に入射させる。
@1は、コヒーレントな光を発生する光源としての@e
−Neし〜ザ2から出射されるレーザ光を偏光子3で直
線偏光の光にし、回転可能なステージ(以下θステージ
)4に取付けたディスク用基板(ディスク基板とも記す
。)5に入射させる。
上記He −Ne 2は、市販されているもので、その
ビーム径は11aIR程度であり、この程庶であれば使
用できる。
ビーム径は11aIR程度であり、この程庶であれば使
用できる。
上記レーザ光がθステージ4の回転中心と交わる(交点
となる)ようにHe−N0レーザ2又はθステージ4を
セットする。この時の交点はディスク基板5への入射点
となる様にして、測定が行われるディスク基板5を円板
状のθステージ4に取付ける。
となる)ようにHe−N0レーザ2又はθステージ4を
セットする。この時の交点はディスク基板5への入射点
となる様にして、測定が行われるディスク基板5を円板
状のθステージ4に取付ける。
又、レーザ光は、ディスク基板5に対して垂直な状態か
ら傾け、この傾き角が入射角θiとなる。
ら傾け、この傾き角が入射角θiとなる。
上記θステージ4の中央部には開口が設けてあり、ディ
スク基板5を通ったレーザ光は、この開口を通り、上記
偏光子3とクロスニコル状態に設定した検光子6に入射
される。この検光子6を通ったレーザ光(もれ光)はフ
ォトディテクタ7で受光される。
スク基板5を通ったレーザ光は、この開口を通り、上記
偏光子3とクロスニコル状態に設定した検光子6に入射
される。この検光子6を通ったレーザ光(もれ光)はフ
ォトディテクタ7で受光される。
今、He−Neレーザ2、偏光子3、検光子6、フォト
ディテクタ7を水平な定盤の上に乗せ、レーザ光の光路
上、つまり直線上に並べたとJる。
ディテクタ7を水平な定盤の上に乗せ、レーザ光の光路
上、つまり直線上に並べたとJる。
この場合、θステージ4は、その水平面上に垂直に立設
し、そのステージ面は入射角θiだけ傾けておく。この
状態は第3図(a)の平面図、又は同図(b)の正面図
に示すようになる。
し、そのステージ面は入射角θiだけ傾けておく。この
状態は第3図(a)の平面図、又は同図(b)の正面図
に示すようになる。
この時、入射面、つまり入射点でのディスク基板5の法
線と、入射光線を含む平面は入射角θの大きさとかθス
テージ4の回転角に依らず、第3図(a)では水平であ
る(第3図(a)では入射面は紙面に平行な面となる)
。又、第3図(b)では、紙面に垂直な面となる。この
様子を第4図(A)で示す。尚、第3図(a)において
、01.02はθステージ4及びディスク基板5の中心
軸を表わしている。
線と、入射光線を含む平面は入射角θの大きさとかθス
テージ4の回転角に依らず、第3図(a)では水平であ
る(第3図(a)では入射面は紙面に平行な面となる)
。又、第3図(b)では、紙面に垂直な面となる。この
様子を第4図(A)で示す。尚、第3図(a)において
、01.02はθステージ4及びディスク基板5の中心
軸を表わしている。
又、偏光面も水平であるように偏光子3をセットすると
、入射面と偏光面のなす角にはOoである。
、入射面と偏光面のなす角にはOoである。
また、入射面とディスク半径方向とのなす角、つまり方
位角ψもOoである。
位角ψもOoである。
しかして、第3図(a)又は第3図(b)に示す状態か
ら、θステージ4をその中心軸01の回りで回転してい
くと、ディスク基板5の入射点、入射角θi及び入射面
が変化しないまま、ディスク基板5のディスクの半径方
向が回転していく(つまリディスク基板5の中心がθス
テージ4の中心軸01の回りで円弧を描くように回転移
動する)。
ら、θステージ4をその中心軸01の回りで回転してい
くと、ディスク基板5の入射点、入射角θi及び入射面
が変化しないまま、ディスク基板5のディスクの半径方
向が回転していく(つまリディスク基板5の中心がθス
テージ4の中心軸01の回りで円弧を描くように回転移
動する)。
従って、入射面と偏光面のなす角にを変えないで、入(
ト)面と半径方向のなす角(方位角)東を変えることが
できる。第3図(b)で方位角ψ=0であるとすると、
この状態から矢印りで示す方向に、θステージ4を90
° (π/2)だけ回転すると、第3図(C)に示す状
態又は第4図(B)に示す状態、つまり方位角ψ=π/
2になり、さらに90゛(π/2)だけ回転すると、第
3図(d)又は第4図(C)に示す状態、つまり方位角
W=πの状態になる。
ト)面と半径方向のなす角(方位角)東を変えることが
できる。第3図(b)で方位角ψ=0であるとすると、
この状態から矢印りで示す方向に、θステージ4を90
° (π/2)だけ回転すると、第3図(C)に示す状
態又は第4図(B)に示す状態、つまり方位角ψ=π/
2になり、さらに90゛(π/2)だけ回転すると、第
3図(d)又は第4図(C)に示す状態、つまり方位角
W=πの状態になる。
上記入射面は、θステージ4が垂直になっている限り、
入射角θiを変えても水平のままであるが、偏光面は、
偏光子3を回転するだけで入射面と偏光面のなす角にを
任意に変えることができる。
入射角θiを変えても水平のままであるが、偏光面は、
偏光子3を回転するだけで入射面と偏光面のなす角にを
任意に変えることができる。
この角にを固定した状態で、θステージ4を回転させた
時の様子を偏光面、入射面、半径方向を使って表わすと
、第4図に示すようになる。つまり第3図(b)は第4
図(A)に、第3図(C)は第4図(B)に、第3図(
d)は第4図(C)にそれぞれ対応する。
時の様子を偏光面、入射面、半径方向を使って表わすと
、第4図に示すようになる。つまり第3図(b)は第4
図(A)に、第3図(C)は第4図(B)に、第3図(
d)は第4図(C)にそれぞれ対応する。
第4図(A) 、 (B) 、 (C)では、入射面と
偏光面のなす角にが一定のまま、方位角ψからπ(18
0゛)まで変化している。この間、偏光子3、検光子6
は固定しておく。しかして、方位角ψの変化に応じて、
検光子6を通過するもれ光量をフォトディテクタ7で測
定づる。つまり、入射面と偏光角とのなす角には一定に
保ち、方位角ψを変化させていった時のフォトディテク
タ7に入射する光量を測定する。このディテクタ基板に
入射される入射光、入射面、偏光面、方位角甲の関係を
第1図に示しである。又、第1図における方位角ψを第
2図でも示している。
偏光面のなす角にが一定のまま、方位角ψからπ(18
0゛)まで変化している。この間、偏光子3、検光子6
は固定しておく。しかして、方位角ψの変化に応じて、
検光子6を通過するもれ光量をフォトディテクタ7で測
定づる。つまり、入射面と偏光角とのなす角には一定に
保ち、方位角ψを変化させていった時のフォトディテク
タ7に入射する光量を測定する。このディテクタ基板に
入射される入射光、入射面、偏光面、方位角甲の関係を
第1図に示しである。又、第1図における方位角ψを第
2図でも示している。
第5図は入射角θ1=30°で、偏光面と入射面とのな
す角をに一45°で、φ130のポリカ−ボネート基板
の半径30ay、45M、601111の所にある3点
について方位角ψを横軸に、各々の方位角ψにおける検
光子6を通過してくるもれ光量lを測定した結果を示す
。半径45mgg+、60amの所ではv−oo、18
0”付近で、光falが大きく、v−90°付近で極小
になっている。
す角をに一45°で、φ130のポリカ−ボネート基板
の半径30ay、45M、601111の所にある3点
について方位角ψを横軸に、各々の方位角ψにおける検
光子6を通過してくるもれ光量lを測定した結果を示す
。半径45mgg+、60amの所ではv−oo、18
0”付近で、光falが大きく、v−90°付近で極小
になっている。
一方、半径30履の所では、逆に甲=0° 180”付
近で光ff1lが極小になっていて、ψ=90゛付近で
極大になっている。
近で光ff1lが極小になっていて、ψ=90゛付近で
極大になっている。
次に、屈折率楕円体3つの主屈折率の大きさを定めて(
パラメータとして)、検光子6を通過する光ff1lを
計算で求めた結果を第6図に示す。
パラメータとして)、検光子6を通過する光ff1lを
計算で求めた結果を第6図に示す。
第6図は、主屈折率N3が基板表面に対して垂直であり
、主屈折率N2が基板の半径方向と一致し、主屈折率N
1が基板の面内で半径方向に垂直と仮定した上で、第5
図のグラフと最も良く一致するように、主屈折率N3の
値として1.58060を選択し、他の2つの主屈折率
N1とN2の各々の大きさに対して、検光子6を通過す
る光mlを計算した結果を表わしたものである。
、主屈折率N2が基板の半径方向と一致し、主屈折率N
1が基板の面内で半径方向に垂直と仮定した上で、第5
図のグラフと最も良く一致するように、主屈折率N3の
値として1.58060を選択し、他の2つの主屈折率
N1とN2の各々の大きさに対して、検光子6を通過す
る光mlを計算した結果を表わしたものである。
この時、入射角θiは30°、偏光面と入射面のなず角
Wを45°とし、先程の測定条件と同じにしている。
Wを45°とし、先程の測定条件と同じにしている。
又、上記主屈折率N3.N2.N+としては、次の第2
表のような値について行っている。
表のような値について行っている。
第2表
?4a N 3N 2 N sl
1.58060 1.58000 1.58000
2 同上 1.58000 1.58001
3 1.58000 .58002.4
1.58000 .580035
1.58001 .580006
1.58002 .580007
1.58003 .58000先程の第5図と比較
すると、第5図の測定結果の半径30JIIの所では、
第6図のNα3のもの、(つまり表2のNα3)に最も
良く一致する。このことから、1N21−lNtlは一
2X10−”程度、1N31−lN1 lは5.8X1
0−4程度であることが分る。
1.58060 1.58000 1.58000
2 同上 1.58000 1.58001
3 1.58000 .58002.4
1.58000 .580035
1.58001 .580006
1.58002 .580007
1.58003 .58000先程の第5図と比較
すると、第5図の測定結果の半径30JIIの所では、
第6図のNα3のもの、(つまり表2のNα3)に最も
良く一致する。このことから、1N21−lNtlは一
2X10−”程度、1N31−lN1 lは5.8X1
0−4程度であることが分る。
一方、第5図における半径45m5+、60#I#+の
所では、第6図の1llQ5とIt+、#−=致するこ
とが分る。
所では、第6図の1llQ5とIt+、#−=致するこ
とが分る。
従って、第2表のN1 、N2 、N3の数値テーブル
から半径45履、60amの所ではlN2N1 lが1
X10−5程度、l N3 1− INtが6.0X1
0−4程度であることが分る。
から半径45履、60amの所ではlN2N1 lが1
X10−5程度、l N3 1− INtが6.0X1
0−4程度であることが分る。
上記計算結果及び計算式を次に示す。計算式についは、
従来技術の欄で示したものを若干変更するだけで良い。
従来技術の欄で示したものを若干変更するだけで良い。
(16)式の導き方は、特開昭62−203046号公
報に示され、第7図に示すように角を定義する。つまり
、 ε:光学軸と入射面との角 γ:光線方向から見た屈折前の偏光面と入射面との角 に:#f1折後の光線方向から見た偏光面と入射面との
角 β:屈折後の光線方向から見た光学軸と入射面との角 θ【:屈折後の光線が境界法線となす角である。
報に示され、第7図に示すように角を定義する。つまり
、 ε:光学軸と入射面との角 γ:光線方向から見た屈折前の偏光面と入射面との角 に:#f1折後の光線方向から見た偏光面と入射面との
角 β:屈折後の光線方向から見た光学軸と入射面との角 θ【:屈折後の光線が境界法線となす角である。
上記においで
θ=β十に ・・・・・・(19)一方、には
γ、θi、0【及びフレネルの式からtan A:=C
O3(θ1−θt)−tan7従って tc = jan (cos (θi−θt ) −t
an 7 ) −(20)光学軸が半径方向を含む境界
面に垂直な面内において境界面と成る角度を有して傾い
ているとして、半径り向において境界面の垂線と光学軸
とのなJ角をφとすると、φとψ及びεは sinε= sinφ−sin v・・−・・(21)
の関係となる。
γ、θi、0【及びフレネルの式からtan A:=C
O3(θ1−θt)−tan7従って tc = jan (cos (θi−θt ) −t
an 7 ) −(20)光学軸が半径方向を含む境界
面に垂直な面内において境界面と成る角度を有して傾い
ているとして、半径り向において境界面の垂線と光学軸
とのなJ角をφとすると、φとψ及びεは sinε= sinφ−sin v・・−・・(21)
の関係となる。
ここで、光学軸を含み入射面に垂直な面(第7図中の面
A)と、境界面の垂線とのな1角をΔとすると、Δとε
及びψは下記である。
A)と、境界面の垂線とのな1角をΔとすると、Δとε
及びψは下記である。
sinΔ= tan 6 、、、 、、、
(22)tan v また、光学軸を含み人(ト)面に垂直な面の垂線(入射
面内)と屈折後の光線方向とのなす角をyとすると、β
とε及びyは下記の関係となる。
(22)tan v また、光学軸を含み人(ト)面に垂直な面の垂線(入射
面内)と屈折後の光線方向とのなす角をyとすると、β
とε及びyは下記の関係となる。
即ち、
V=(π/2−(θt+Δ))より
tanβ−tanε・1/5in(θ【+Δ) ・(2
3)(21)、 (22)及び(23)式からtanβ
= ・・・(24) 収束される前の偏光面は、半径方向に垂直と仮定すると tanγ−tan (π/2−v) o 1 ・・・(25)従って、(19
)、 (20)、 (24)及び(25)式よりθはθ
−1,。−1 4tan −1(CO3(θi−θt)−■「マ了コ丁
下下) ・・・(26) 但し、 θt =sin−1(sinθi/n ) テアル。
3)(21)、 (22)及び(23)式からtanβ
= ・・・(24) 収束される前の偏光面は、半径方向に垂直と仮定すると tanγ−tan (π/2−v) o 1 ・・・(25)従って、(19
)、 (20)、 (24)及び(25)式よりθはθ
−1,。−1 4tan −1(CO3(θi−θt)−■「マ了コ丁
下下) ・・・(26) 但し、 θt =sin−1(sinθi/n ) テアル。
この実施例では、偏光面と入射面とのなす角には一定で
ある(例えば45°とづる)。
ある(例えば45°とづる)。
これに合わせて、上記(26)式を書き直すと、θ−t
an −1 十に ・・・(27)
となる。
an −1 十に ・・・(27)
となる。
この実施例の方法によれば、従来例に基づく測定方法に
比べる(つまり第6図と第14図とを比べる)ことから
容易に分るように、屈折率N1゜N2を変化させた時に
得られる光間の変化量が、第6図に示すものが第14図
に示すものよりはるかに大きくできるので、光ディスク
基板の光学物性を知るうえで重要な屈折率楕円体の3つ
の主屈折率N1 、N2 、N3の差を正確に知ること
ができる。
比べる(つまり第6図と第14図とを比べる)ことから
容易に分るように、屈折率N1゜N2を変化させた時に
得られる光間の変化量が、第6図に示すものが第14図
に示すものよりはるかに大きくできるので、光ディスク
基板の光学物性を知るうえで重要な屈折率楕円体の3つ
の主屈折率N1 、N2 、N3の差を正確に知ること
ができる。
尚、第3図に示す装置1は、光源としてト1e−Neレ
ーザ2を用いたが、光ディスク装置等に広く用いられて
いる半導体レーザを用いて、その半導体レーザの波長に
対する屈折率を求めるようにしても良い。
ーザ2を用いたが、光ディスク装置等に広く用いられて
いる半導体レーザを用いて、その半導体レーザの波長に
対する屈折率を求めるようにしても良い。
半導体レーザを用いた場合には、偏光子は必ずしも必要
でない。又、この半導体レーザを用いた場合には」リメ
ータレンズが必要になる場合がある。
でない。又、この半導体レーザを用いた場合には」リメ
ータレンズが必要になる場合がある。
尚、この検出方法は、第14図に示すものと比べて、は
るかに高精度で3つの主屈折率の差を知ることができる
ので、より低い精度で十分な場合には上記方位角ψを変
えることと、他の角を変えることを組み合わせて測定を
行うようにしても良い(例えば、方位自軍を変え、且つ
入射角を変える等して測定したものと、その入射角を変
えた場合のの理論式とを比較する等して屈折率を検出す
る)。これらについても本発明に属する。
るかに高精度で3つの主屈折率の差を知ることができる
ので、より低い精度で十分な場合には上記方位角ψを変
えることと、他の角を変えることを組み合わせて測定を
行うようにしても良い(例えば、方位自軍を変え、且つ
入射角を変える等して測定したものと、その入射角を変
えた場合のの理論式とを比較する等して屈折率を検出す
る)。これらについても本発明に属する。
尚、光ディスク基板の透過光を反射部財で反射させ、再
び基板を透過させた戻り光に対して本発明を適用づるよ
うにしても良い。
び基板を透過させた戻り光に対して本発明を適用づるよ
うにしても良い。
又、上記説明では主屈折率の主軸方向を仮定したが、そ
れらをパラメータとして理論式からも光ff1lを求め
、測定値と比較することにより、主屈折率の大きさ及び
それらの主軸方向を決定するようにしても良い。
れらをパラメータとして理論式からも光ff1lを求め
、測定値と比較することにより、主屈折率の大きさ及び
それらの主軸方向を決定するようにしても良い。
尚、本発明に係る光ディスク(用)υ板は、光磁気方式
の記録媒体に限らず光学的に記録/再生を行う光学式記
録媒体の基板を意味している。
の記録媒体に限らず光学的に記録/再生を行う光学式記
録媒体の基板を意味している。
[発明の効果]
以上述べたように本発明によれば、光ディスク基板の′
l′径方向と入射面とのなη角を変えて光ディスク基板
を通した光を検光子を経てそのもれ光へ1を測定し、理
論値と比較1゛ることににす、微小な主屈折率の差を正
確に検出することができる。
l′径方向と入射面とのなη角を変えて光ディスク基板
を通した光を検光子を経てそのもれ光へ1を測定し、理
論値と比較1゛ることににす、微小な主屈折率の差を正
確に検出することができる。
4、図面のl!!i’lな説明
第1図ないし第7図は本発明の1実施例に係り、第1図
及び第2図は1実施例にお1ノる方法を説明するために
基板に入射される入射光、入射面、偏光面等の関係を示
J説明図、第3図は1実施例に係る装置を示し、第3図
(a)は平面図、第3図(b) 、 (C) 、 (d
)は正面図、第4図は第3図に対応した偏光面、入射面
、半径方向等の関係を示す説明図、第5図は測定結果を
グラフで示1図、第6図はこの方法における理論式をグ
ラフで示す図、第7図は基板に光ビームが入射した際の
屈折前後の偏光面の関係を示す説明図、第8図ないし第
10図は公報をもとに3つの主屈折率の場合における光
量を求めるための屈折率楕円体等を示す説明図、第11
図ないし第13図は座標変換を行うための座標軸を示す
説明図、第14図は上記公報の内容を3つの主屈折率の
場合に拡張した理論式から得られる光量の関係を示すグ
ラフの図である。
及び第2図は1実施例にお1ノる方法を説明するために
基板に入射される入射光、入射面、偏光面等の関係を示
J説明図、第3図は1実施例に係る装置を示し、第3図
(a)は平面図、第3図(b) 、 (C) 、 (d
)は正面図、第4図は第3図に対応した偏光面、入射面
、半径方向等の関係を示す説明図、第5図は測定結果を
グラフで示1図、第6図はこの方法における理論式をグ
ラフで示す図、第7図は基板に光ビームが入射した際の
屈折前後の偏光面の関係を示す説明図、第8図ないし第
10図は公報をもとに3つの主屈折率の場合における光
量を求めるための屈折率楕円体等を示す説明図、第11
図ないし第13図は座標変換を行うための座標軸を示す
説明図、第14図は上記公報の内容を3つの主屈折率の
場合に拡張した理論式から得られる光量の関係を示すグ
ラフの図である。
1・・・屈折率測定装置 2・・・He−Neレーザ
3・・・偏光子 4・・・θステージ5・・
・(光)ディスク(用)基板 6・・・検光子 7・・・フォトディスクに
・・・入射面と偏光面のなす角 W・・・方位角(入射面と半径方向のなす角)第5図 ン (deg) 第6図 (deg) ei(入射角)富30″ に(’1Jtltffifflj入IFT面ty+rx
j %) 冨45゜第11 図 第12図 第13図
3・・・偏光子 4・・・θステージ5・・
・(光)ディスク(用)基板 6・・・検光子 7・・・フォトディスクに
・・・入射面と偏光面のなす角 W・・・方位角(入射面と半径方向のなす角)第5図 ン (deg) 第6図 (deg) ei(入射角)富30″ に(’1Jtltffifflj入IFT面ty+rx
j %) 冨45゜第11 図 第12図 第13図
Claims (1)
- 直線偏光をディスク基板に入射し、該ディスク基板の透
過光を前記直線偏光とクロスニコル状態に配設した検光
子を通し、該検光子を通した漏れる光量を測定する方法
であつて、前記直線偏光と入射面とのなす角を一定に保
持して、前記直線偏光を前記ディスク基板の表面に垂直
とは異る入射角で入射した際の前記検光子を通したもれ
光量を測定する第1の測定プロセスと、前記入射面と前
記ディスク基板の半径方向とのなす角としての方位角を
変えて、前記検光子を通したもれ光量を測定する第2の
測定プロセスと、前記第1及び第2の測定プロセスで得
た測定値と理論式らか得られる計算値とを比較すること
により、3つの主屈折率の各々の大きさを求める光ディ
スク用基板の屈折率の検出方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1040931A JPH02220242A (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | 光ディスク用基板の屈折率の検出方法 |
| US07/478,318 US5028774A (en) | 1989-02-21 | 1990-02-12 | Method and apparatus for detecting and measuring the refractive index of an optical disc substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1040931A JPH02220242A (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | 光ディスク用基板の屈折率の検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02220242A true JPH02220242A (ja) | 1990-09-03 |
Family
ID=12594247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1040931A Pending JPH02220242A (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | 光ディスク用基板の屈折率の検出方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5028774A (ja) |
| JP (1) | JPH02220242A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001042769A1 (en) * | 1999-12-09 | 2001-06-14 | Corning Incorporated | Automated system for measurement of an optical property |
| US6317209B1 (en) * | 1999-12-09 | 2001-11-13 | Corning Incorporated | Automated system for measurement of an optical property |
| US6765671B2 (en) * | 2000-05-16 | 2004-07-20 | Corning Incorporated | Automated system for measurement of an optical property |
| FR2994263B1 (fr) * | 2012-08-02 | 2018-09-07 | Vit | Procede et dispositif d'identification de materiaux dans une scene |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3724952A (en) * | 1971-06-14 | 1973-04-03 | C Vossberg | Method for polarimetric analysis |
| US4053232A (en) * | 1973-06-25 | 1977-10-11 | International Business Machines Corporation | Rotating-compensator ellipsometer |
| JPH0820358B2 (ja) * | 1986-03-03 | 1996-03-04 | オリンパス光学工業株式会社 | 光学的記録媒体用基盤の屈折率の測定装置 |
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1989
- 1989-02-21 JP JP1040931A patent/JPH02220242A/ja active Pending
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1990
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5028774A (en) | 1991-07-02 |
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