JPH02220433A - 薄膜形成用装置 - Google Patents
薄膜形成用装置Info
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- JPH02220433A JPH02220433A JP4060289A JP4060289A JPH02220433A JP H02220433 A JPH02220433 A JP H02220433A JP 4060289 A JP4060289 A JP 4060289A JP 4060289 A JP4060289 A JP 4060289A JP H02220433 A JPH02220433 A JP H02220433A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、原料ガスをプラズマ化させて活性化粒子を生
成させ、その活性化粒子を基板に向わせることによって
基板上に成膜を得るようにした薄膜形成用装置に関する
。
成させ、その活性化粒子を基板に向わせることによって
基板上に成膜を得るようにした薄膜形成用装置に関する
。
従来、第５図を伴って次に述べる薄膜形成用装置が提案
されている。 すなわち、外部からの原料ガスを原料ガス導入管２を介
して導入し、その原料ガスをプラズマ化させて活性化粒
子を生成させるために用いるプラズマ化用容器１を有す
る。 この場合、プラズマ化用容器１は導電性を有し、また、
後述する成膜用容器１０に連通する窓３を有する。 また、プラズマ化用容器１内に磁場を与える磁場付与手
段としての電磁コイル４を有する。 この場合、電Ｕ！コイル４は、プラズマ化用容器１の周
りに配されている。 さらに、部容器１内に電磁波（マイクロ波）を導入さＶ
る電磁波導入手段５を有する。この電磁波導入手段５は
、プラズマ化用容器１の一部を形成するように配された
板状の電磁波導入窓６と、その電磁波導入窓６から電磁
波源に延長している導波管７とを有する。 ざらに、導電性を有する基板載置台９を用いて基板８を
配置し、且つプラズマ化用容器１内で生成される活性化
粒子を、プラズマ化用容器１の窓３に連通する窓１２を
有する活性化粒子引出部１１を介して、基板８に向けて
導入し、基板８上に成膜を得るために用いる成膜用容器
１０を有する。 この場合、成膜用容器１０は導電性を有し、活性化粒子
引出部１１の遊端において、絶縁リング１５を介して、
プラズマ化用容器１と連結されている。 また、成膜用容器１０は、基板＠置台９からみて基板８
側とは反対側から外部の排気手段に連結している排気管
１３を延長させている。 さらに、成膜用容器１０内に、活性化粒子引出部１１内
位置から基板８側に向って延長し且つ導電性を有する活
性化粒子輸送管１４が配されている。 また、基板載置台９に、ヒーター６が配されている。 以上が従来提案されている薄膜形成用装置の構成である
。 このような構成を有する薄膜形成用装置によれば、成膜
用容器１０内の基板＆ＩＥ置台９上に、例えば３ｉでな
る基板を、基板８として配し、その基板８を、ヒーター
６によって加熱した状態にし、また、成膜用容器１０内
を排気管１３を介して、プラズマ化用容器１内とともに
排気させ、成膜用容器１０内を所要の圧力に保った状態
で、プラズマ化用容器１内にガス導入管２を介して原料
ガス、例えばＳｉＨを、Ｈ２ガスとともに導入させ、ま
た、プラズマ化用容器１内に、導波管７及び電磁波導入
１１６を介して、例えば、２．４５ＭＨｚの周波数を有
するマイクロ波を電磁波として導入させ、さらに、プラ
ズマ化用容器１内に、電磁コイル４への直流通電によっ
て、直流磁場を与え、それを、プラズマ化用容器１内に
導入された電磁波に、その電界に対して直角に作用させ
ることによって、プラズマ化用容器１内で、電子サイク
ロトロン共鳴を生ぜしめ、よって、プラズマ化用容器１
内において、それに導入された原料ガスをプラズマ化さ
せて、活性化粒子を生成させることができる。 また、プラズマ化用容ＩＩで上述したようにして生成さ
れる成膜用容器１０内の排気を継続させ、また、プラズ
マ化用容器１と基板８との間に、基板載置台９を介して
、荷電粒子運動エネルギ制御用電源１８から荷電粒子運
動エネルギ制御用電圧を与え、さらに活性化粒子輸送管
１４に集束用電源１９から集束用電圧を与えることによ
って、活性化粒子を、プラズマ化用容器１の窓３を通じ
て成膜用容器１０内に基板８に向けて導出させ、その活
性化粒子流１７を、活性化粒子引出部１１及び活性化粒
子輸送管１４内を通って、基板８に、集束させて到達さ
せることができる。 このため、基板８上に、［１を形成させることができる
。
されている。 すなわち、外部からの原料ガスを原料ガス導入管２を介
して導入し、その原料ガスをプラズマ化させて活性化粒
子を生成させるために用いるプラズマ化用容器１を有す
る。 この場合、プラズマ化用容器１は導電性を有し、また、
後述する成膜用容器１０に連通する窓３を有する。 また、プラズマ化用容器１内に磁場を与える磁場付与手
段としての電磁コイル４を有する。 この場合、電Ｕ！コイル４は、プラズマ化用容器１の周
りに配されている。 さらに、部容器１内に電磁波（マイクロ波）を導入さＶ
る電磁波導入手段５を有する。この電磁波導入手段５は
、プラズマ化用容器１の一部を形成するように配された
板状の電磁波導入窓６と、その電磁波導入窓６から電磁
波源に延長している導波管７とを有する。 ざらに、導電性を有する基板載置台９を用いて基板８を
配置し、且つプラズマ化用容器１内で生成される活性化
粒子を、プラズマ化用容器１の窓３に連通する窓１２を
有する活性化粒子引出部１１を介して、基板８に向けて
導入し、基板８上に成膜を得るために用いる成膜用容器
１０を有する。 この場合、成膜用容器１０は導電性を有し、活性化粒子
引出部１１の遊端において、絶縁リング１５を介して、
プラズマ化用容器１と連結されている。 また、成膜用容器１０は、基板＠置台９からみて基板８
側とは反対側から外部の排気手段に連結している排気管
１３を延長させている。 さらに、成膜用容器１０内に、活性化粒子引出部１１内
位置から基板８側に向って延長し且つ導電性を有する活
性化粒子輸送管１４が配されている。 また、基板載置台９に、ヒーター６が配されている。 以上が従来提案されている薄膜形成用装置の構成である
。 このような構成を有する薄膜形成用装置によれば、成膜
用容器１０内の基板＆ＩＥ置台９上に、例えば３ｉでな
る基板を、基板８として配し、その基板８を、ヒーター
６によって加熱した状態にし、また、成膜用容器１０内
を排気管１３を介して、プラズマ化用容器１内とともに
排気させ、成膜用容器１０内を所要の圧力に保った状態
で、プラズマ化用容器１内にガス導入管２を介して原料
ガス、例えばＳｉＨを、Ｈ２ガスとともに導入させ、ま
た、プラズマ化用容器１内に、導波管７及び電磁波導入
１１６を介して、例えば、２．４５ＭＨｚの周波数を有
するマイクロ波を電磁波として導入させ、さらに、プラ
ズマ化用容器１内に、電磁コイル４への直流通電によっ
て、直流磁場を与え、それを、プラズマ化用容器１内に
導入された電磁波に、その電界に対して直角に作用させ
ることによって、プラズマ化用容器１内で、電子サイク
ロトロン共鳴を生ぜしめ、よって、プラズマ化用容器１
内において、それに導入された原料ガスをプラズマ化さ
せて、活性化粒子を生成させることができる。 また、プラズマ化用容ＩＩで上述したようにして生成さ
れる成膜用容器１０内の排気を継続させ、また、プラズ
マ化用容器１と基板８との間に、基板載置台９を介して
、荷電粒子運動エネルギ制御用電源１８から荷電粒子運
動エネルギ制御用電圧を与え、さらに活性化粒子輸送管
１４に集束用電源１９から集束用電圧を与えることによ
って、活性化粒子を、プラズマ化用容器１の窓３を通じ
て成膜用容器１０内に基板８に向けて導出させ、その活
性化粒子流１７を、活性化粒子引出部１１及び活性化粒
子輸送管１４内を通って、基板８に、集束させて到達さ
せることができる。 このため、基板８上に、［１を形成させることができる
。
【発明が解決しようとする課題］
しかしながら、第５図に示す従来のｉｌｌ形成用装置の
場合、プラズマ化用容器１で生成される活性化粒子が、
プラズマ化用容器１内から基板８に到達までの間におい
て、プラズマ化用容器１の内表面はもとより、成膜用容
器１０の活性化粒子引出部１１、プラズマ輸送管１４な
どの内表面に接触し、そして、それら接触部において、
それを構成している材料と反応して、それら接触部から
、望ましくない不純物を発生させるおそれを有する。 このため、活性化粒子が、望ましくない不純物を混入さ
せて基板８に到達するおそれを有し、よって、′；ａ股
を、所期の特性を有するものとして、再現性良く形成す
ることができない、という欠点を有していた。 よって、本発明は、上述した欠点のない、新規な薄膜形
成用装置を提案せんとするものである。 【実施例１】 次に、第１図を伴って本発明による薄膜形成用装置の実
施例を述べよう。 第１図において、第５図との対応部分には同一符号を付
し、詳ＩＩ説明を省略する。 第１図に示す本発明による薄膜形成用装置ば、次の事項
を除いて、第５図で上述した従来の薄膜形成用装置と同
様の構成を有する。 すなわら、プラズマ化用容器１、活性化粒子引出部１１
、活性化粒子輸送管１４、電磁波導入窓６などの内表面
中の、活性化粒子が接触し、そして、その接触部におい
て、それを構成している材料と反応して、それら接触部
から望ましくない不純物を発生させるおそれを有する領
域、従って、少なくとも活性化粒子が比較的高いエネル
ギで接触する領域の少なくとも一部が、活性化粒子に対
して耐化学反応性を有する材料の表面６１でなる。 例えば、図示のように、プラズマ化用容器、活性化粒子
引出部１１、活性化粒子輸送管１４及び電磁波導入窓６
の内表面から、望ましくない不純物が発生するおそれを
有するとして、それらの内表面が、活性化粒子に対して
耐化学反応性を有する材料の表面６１でなる。 この場合、活性化粒子に対して耐化学反応性を有する材
料の表面６１は、プラズマ化用容器、活性化粒子引出部
１１、活性化粒子輸送管１４及び電磁波尋人窓６の内表
面上に、例えば熔融石英から製造された板状乃至シート
状体を配したり、熔融石英の塗布層を形成したりするこ
とによって形成することができる。 このような構成を有する本発明による薄膜形成用装置に
よれば、上述した事項を除いて、第５図で上述した従来
のｉ１膜形成用装置の場合と同様の構成を有するので、
詳細説明は省略するが、第５図で上述した従来の１ｉｌ
ｌ＊形成用装置の場合と同様に、基板８上に、薄膜を形
成することができる。 しかしながら、第１図に示す本発明による薄膜形成用装
置によれば、上述した表面６１を有するので、上述した
望ましくない不純物が不必要に発生せず、よって、薄膜
を、再現性良く所期の特性を有するものとして形成する
ことができる。 このことは、本発明による上述した薄膜形成用装置６１
を有する薄膜形成用装置を用いて薄膜形成用Ｂａ１ｌを
形成し、そして、基板及びその上に形成された薄膜中の
酸素不純物及び炭素不純物の濃度を、ＶｓＩ！の厚さ方
向にとって測定したところ、第２図中実線図示の結果が
得られ、これに対し第５図で上述した従来のｉｄｌ膜形
成用装置を用いて簿膜を形成し、そして、同様の測定を
行ったところ、第２図中、点線図示の結果が得られたこ
とからも明らかである。 以上のことから、第１図に示す本発明による薄膜形成用
装置によれば、基板８上に、薄膜を、所期の特性を有す
るものとして、再現性良く容易に形成することができる
。 また、このため、基板８の温度を、ヒータ１６の通電電
流によってＩ制御し、イオンエネルギを、イオンエネル
ギ１１制御電源１９の電圧によって制御することによっ
て、薄膜を、第３図に示すように、非晶質ｓｍ１多結晶
薄膜及びエピタキシャル成長薄膜として、良好に形成す
ることができた。 なお、上述においては、本発明による薄膜形成用装置の
１つの実施例を示したに過ぎず、第５図に示すように、
第１図で上した構成において、活性化粒子輸送管４と基
板ｌｉｔ！置台１との間にガス供給手段６２が延長され
、そのガス供給手段からのガスを活性化させて、基板８
を清浄化させたり、基板８上に薄膜を形成させたりする
ようにした７ＩＩ膜形成用装置に本発明を適用し、そし
て、その場合のガス供給手段６１の外表面中の所要領域
にも上述した表面６１を有せしめた構成とすることもで
き、その他、本発明の精神をＩＢ２することなしに、種
々の変型、変更をなし得るであろう。
場合、プラズマ化用容器１で生成される活性化粒子が、
プラズマ化用容器１内から基板８に到達までの間におい
て、プラズマ化用容器１の内表面はもとより、成膜用容
器１０の活性化粒子引出部１１、プラズマ輸送管１４な
どの内表面に接触し、そして、それら接触部において、
それを構成している材料と反応して、それら接触部から
、望ましくない不純物を発生させるおそれを有する。 このため、活性化粒子が、望ましくない不純物を混入さ
せて基板８に到達するおそれを有し、よって、′；ａ股
を、所期の特性を有するものとして、再現性良く形成す
ることができない、という欠点を有していた。 よって、本発明は、上述した欠点のない、新規な薄膜形
成用装置を提案せんとするものである。 【実施例１】 次に、第１図を伴って本発明による薄膜形成用装置の実
施例を述べよう。 第１図において、第５図との対応部分には同一符号を付
し、詳ＩＩ説明を省略する。 第１図に示す本発明による薄膜形成用装置ば、次の事項
を除いて、第５図で上述した従来の薄膜形成用装置と同
様の構成を有する。 すなわら、プラズマ化用容器１、活性化粒子引出部１１
、活性化粒子輸送管１４、電磁波導入窓６などの内表面
中の、活性化粒子が接触し、そして、その接触部におい
て、それを構成している材料と反応して、それら接触部
から望ましくない不純物を発生させるおそれを有する領
域、従って、少なくとも活性化粒子が比較的高いエネル
ギで接触する領域の少なくとも一部が、活性化粒子に対
して耐化学反応性を有する材料の表面６１でなる。 例えば、図示のように、プラズマ化用容器、活性化粒子
引出部１１、活性化粒子輸送管１４及び電磁波導入窓６
の内表面から、望ましくない不純物が発生するおそれを
有するとして、それらの内表面が、活性化粒子に対して
耐化学反応性を有する材料の表面６１でなる。 この場合、活性化粒子に対して耐化学反応性を有する材
料の表面６１は、プラズマ化用容器、活性化粒子引出部
１１、活性化粒子輸送管１４及び電磁波尋人窓６の内表
面上に、例えば熔融石英から製造された板状乃至シート
状体を配したり、熔融石英の塗布層を形成したりするこ
とによって形成することができる。 このような構成を有する本発明による薄膜形成用装置に
よれば、上述した事項を除いて、第５図で上述した従来
のｉ１膜形成用装置の場合と同様の構成を有するので、
詳細説明は省略するが、第５図で上述した従来の１ｉｌ
ｌ＊形成用装置の場合と同様に、基板８上に、薄膜を形
成することができる。 しかしながら、第１図に示す本発明による薄膜形成用装
置によれば、上述した表面６１を有するので、上述した
望ましくない不純物が不必要に発生せず、よって、薄膜
を、再現性良く所期の特性を有するものとして形成する
ことができる。 このことは、本発明による上述した薄膜形成用装置６１
を有する薄膜形成用装置を用いて薄膜形成用Ｂａ１ｌを
形成し、そして、基板及びその上に形成された薄膜中の
酸素不純物及び炭素不純物の濃度を、ＶｓＩ！の厚さ方
向にとって測定したところ、第２図中実線図示の結果が
得られ、これに対し第５図で上述した従来のｉｄｌ膜形
成用装置を用いて簿膜を形成し、そして、同様の測定を
行ったところ、第２図中、点線図示の結果が得られたこ
とからも明らかである。 以上のことから、第１図に示す本発明による薄膜形成用
装置によれば、基板８上に、薄膜を、所期の特性を有す
るものとして、再現性良く容易に形成することができる
。 また、このため、基板８の温度を、ヒータ１６の通電電
流によってＩ制御し、イオンエネルギを、イオンエネル
ギ１１制御電源１９の電圧によって制御することによっ
て、薄膜を、第３図に示すように、非晶質ｓｍ１多結晶
薄膜及びエピタキシャル成長薄膜として、良好に形成す
ることができた。 なお、上述においては、本発明による薄膜形成用装置の
１つの実施例を示したに過ぎず、第５図に示すように、
第１図で上した構成において、活性化粒子輸送管４と基
板ｌｉｔ！置台１との間にガス供給手段６２が延長され
、そのガス供給手段からのガスを活性化させて、基板８
を清浄化させたり、基板８上に薄膜を形成させたりする
ようにした７ＩＩ膜形成用装置に本発明を適用し、そし
て、その場合のガス供給手段６１の外表面中の所要領域
にも上述した表面６１を有せしめた構成とすることもで
き、その他、本発明の精神をＩＢ２することなしに、種
々の変型、変更をなし得るであろう。
第１図は、本発明によるｐｓ膜形成用装置の実施例を示
す路線的断面図である。 第２図は、第１図に示す本発明によるＷＩＩ膜形成用装
置の説明に供する薄膜の不純物濃度を示す図である。 第３図は、第１図に示す本発明による薄膜形成用装置の
説明に供する、基板温度とイオンエネルギとをパラメー
タとして形成される薄膜の成長態様を示す図である。 第４図は、本発明による薄膜形成用装置の他の実施例を
示す路線的断面図である。 第５図は、従来の薄膜形成用装置を示す路線的断面図で
ある。 １・・・・・・・・・プラズマ化用容器２・・・・・・
・・・原料ガス導入管 部１ 図 ３・・・・・・・・・窓 ４・・・・・・・・・電磁コイル ５・・・・・・・・・電磁波導入手段 ６・・・・・・・・・電磁波導入窓 ７・・・・・・・・・導波管 ８・・・・・・・・・基板 ９・・・・・・・・・基板＠置台 １０・・・・・・・・・成膜用容器 １１・・・・・・・・・活性化粒子引出部１２・・・・
・・・・・窓 １４・・・・・・・・・プラズマ輸送管１６・・・・・
・・・・ヒータ １７・・・・・・・・・活性化粒子流 １８・・・・・・・・・イオンエネルギ制御用電源１９
・・・・・・・・・集束用電源 ２０・・・・・・・・・膜 ６１・・・・・・・・・表面 ６２・・・・・・・・・ガス供給手段 第２図 第８ＷＪ 斉啄ｊ翫＆の）
す路線的断面図である。 第２図は、第１図に示す本発明によるＷＩＩ膜形成用装
置の説明に供する薄膜の不純物濃度を示す図である。 第３図は、第１図に示す本発明による薄膜形成用装置の
説明に供する、基板温度とイオンエネルギとをパラメー
タとして形成される薄膜の成長態様を示す図である。 第４図は、本発明による薄膜形成用装置の他の実施例を
示す路線的断面図である。 第５図は、従来の薄膜形成用装置を示す路線的断面図で
ある。 １・・・・・・・・・プラズマ化用容器２・・・・・・
・・・原料ガス導入管 部１ 図 ３・・・・・・・・・窓 ４・・・・・・・・・電磁コイル ５・・・・・・・・・電磁波導入手段 ６・・・・・・・・・電磁波導入窓 ７・・・・・・・・・導波管 ８・・・・・・・・・基板 ９・・・・・・・・・基板＠置台 １０・・・・・・・・・成膜用容器 １１・・・・・・・・・活性化粒子引出部１２・・・・
・・・・・窓 １４・・・・・・・・・プラズマ輸送管１６・・・・・
・・・・ヒータ １７・・・・・・・・・活性化粒子流 １８・・・・・・・・・イオンエネルギ制御用電源１９
・・・・・・・・・集束用電源 ２０・・・・・・・・・膜 ６１・・・・・・・・・表面 ６２・・・・・・・・・ガス供給手段 第２図 第８ＷＪ 斉啄ｊ翫＆の）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、原料ガスをプラズマ化させて、活性化粒子を生成さ
せるために用いるプラズマ化用容器と、 上記プラズマ化用容器内に磁場を与える磁 界付与手段と、 上記プラズマ化用容器内に電磁波を導入さ せる電磁波導入手段と、 内部に基板を配置し、且つ上記プラズマ化 用容器内で生成される活性化粒子を、活性化粒子引出部
を介して、上記基板に向けて導入し、上記基板上に成膜
を得るために用いる成膜用室とを有する薄膜形成用装置
において、少なくとも上記プラズマ化用室の壁及び上 記活性化粒子引出部の内表面中の、少なくとも上記活性
化粒子が比較的高い運動エネルギで接触する領域の少な
くとも一部が、上記活性化粒子に対して耐化学反応性を
有する材料の表面を有していることを特徴とする薄膜形
成用装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4060289A JPH02220433A (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | 薄膜形成用装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4060289A JPH02220433A (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | 薄膜形成用装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02220433A true JPH02220433A (ja) | 1990-09-03 |
Family
ID=12585065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4060289A Pending JPH02220433A (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | 薄膜形成用装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02220433A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0613197A (ja) * | 1992-06-15 | 1994-01-21 | Nippon Koshuha Kk | 高周波電力導入路 |
-
1989
- 1989-02-21 JP JP4060289A patent/JPH02220433A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0613197A (ja) * | 1992-06-15 | 1994-01-21 | Nippon Koshuha Kk | 高周波電力導入路 |
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