JPS60114577A - 化学処理装置 - Google Patents
化学処理装置Info
- Publication number
- JPS60114577A JPS60114577A JP58222532A JP22253283A JPS60114577A JP S60114577 A JPS60114577 A JP S60114577A JP 58222532 A JP58222532 A JP 58222532A JP 22253283 A JP22253283 A JP 22253283A JP S60114577 A JPS60114577 A JP S60114577A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- vacuum container
- load
- plasma
- power supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5096—Flat-bed apparatus
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は平行平板電極型プラズマエ・ノチンク装置２反
応性イオンエツチング装置またはプラズマＣｖＤ装置等
の化学処理装置に関するものである。
応性イオンエツチング装置またはプラズマＣｖＤ装置等
の化学処理装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点
プラズマエツチング法や反応性イオンエ、ノチＳ・グ法
で利用されるドライエツチング装置や１．’ｊ膜形成用
のプラグ−ｑ ＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐ
ｏｕｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）装置およびハンタリン
ク装置は。
で利用されるドライエツチング装置や１．’ｊ膜形成用
のプラグ−ｑ ＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐ
ｏｕｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）装置およびハンタリン
ク装置は。
薄膜センサーや゛Ｉ′導体部品等に代表される各種製品
の製造装置Ｖ１として利用されている。
の製造装置Ｖ１として利用されている。
以−１・、図面を参照しながら従来の化学処理装置と（
〜てのプラズマ反応袋間について説明する。
〜てのプラズマ反応袋間について説明する。
ダ１，１図に従来のプラズマＣＶＤ装置を示す。
１は真空を維ｌ悄することが可能な膜質がステンレスの
真空容器、２はガスを真空容器１内に導入するためのノ
ヌル、３は真空容器１内を真空排気するだめの工″Ｌ空
ポンプ、４は周波数１３．６６ＭＩＩＺの高周θＵ電力
が（Ｊｌ；給され、形状が円板の負荷電極、５は負６：
ｒ′電極４に高周波電力を供給する／ζめの電力供給部
品、６は周波数１３．６６ Ｍ ｌｌｚの高周波電＃＋
；ｉ、 ７は高周波電力負荷経路の整合状態を調整する
／こめのマツチング用チューす、８は真空容器１と電力
供給部品寺５との接触を防き、絶縁するための拐貿かテ
フロンの絶縁用部品、９は負荷電極４の表面に７１シて
４０ｍｍ程度の距離をへたてて配置され、膜質がステン
レスで形状が円板状であシ被加−Ｉ、物を保持すること
かり能であり、内部に加熱用のし一夕をイｊし、被加工
物を加熱するようにしだ試料台、１０は被加工物である
ところの（、」質がシリコン単結晶の試料である。
真空容器、２はガスを真空容器１内に導入するためのノ
ヌル、３は真空容器１内を真空排気するだめの工″Ｌ空
ポンプ、４は周波数１３．６６ＭＩＩＺの高周θＵ電力
が（Ｊｌ；給され、形状が円板の負荷電極、５は負６：
ｒ′電極４に高周波電力を供給する／ζめの電力供給部
品、６は周波数１３．６６ Ｍ ｌｌｚの高周波電＃＋
；ｉ、 ７は高周波電力負荷経路の整合状態を調整する
／こめのマツチング用チューす、８は真空容器１と電力
供給部品寺５との接触を防き、絶縁するための拐貿かテ
フロンの絶縁用部品、９は負荷電極４の表面に７１シて
４０ｍｍ程度の距離をへたてて配置され、膜質がステン
レスで形状が円板状であシ被加−Ｉ、物を保持すること
かり能であり、内部に加熱用のし一夕をイｊし、被加工
物を加熱するようにしだ試料台、１０は被加工物である
ところの（、」質がシリコン単結晶の試料である。
ここで、真空容器１および試別台９ば、アース接地され
ている。
ている。
以」−のように構成されたプラズマＣＶＤ装置によって
プラズマシリコンナイトライドＪｌｌ （以ＦＳｉＮ膜
と略す）の試別１０」二への形成について以下その動作
を説明する。
プラズマシリコンナイトライドＪｌｌ （以ＦＳｉＮ膜
と略す）の試別１０」二への形成について以下その動作
を説明する。
まず、真空ポンプ３により、真空容器１内の圧力ｆ ３
Ｘ １０−５Ｔｏｒｒ以下に真空排気した後、窒素（
直下Ｎ２と略す）ガスを１６０３ＣＣＭの流量でノス／
Ｉ／２全通し、真空容器１内に導入し、かつ真空排気速
度を調整し、真空容器１内の圧力を０．３ＴｏＯｒ に
保持する。
Ｘ １０−５Ｔｏｒｒ以下に真空排気した後、窒素（
直下Ｎ２と略す）ガスを１６０３ＣＣＭの流量でノス／
Ｉ／２全通し、真空容器１内に導入し、かつ真空排気速
度を調整し、真空容器１内の圧力を０．３ＴｏＯｒ に
保持する。
また、試別台９に内蔵された加熱用のヒータを調節して
、試ｆ４１０の表面温度を２６０℃程度に保持する。次
に、ノズル２を通し、モノシラン（１シ、ｌ”ＳｉＨ４
と１１１１１ｒす）、アンモニア（以−１”ＮＨ３と用
各す）ガスおよびＮ２ ガスを混合比が６＝７：グぐで
あり混合ガス流ｎが１６０ＳＣＣｍで、真空容器１内に
導入し、かつ、ｊ′ｓ空υ空電１気速１内の圧力を０．
３ Ｔｏｒｒに保持する。ここで、高周波電力を１１、
荷電極４に供給し、前記混合ガスをプラヌマ化すること
により、試料１ｏの表面にＳｉＮ膜を形成するものであ
る。
、試ｆ４１０の表面温度を２６０℃程度に保持する。次
に、ノズル２を通し、モノシラン（１シ、ｌ”ＳｉＨ４
と１１１１１ｒす）、アンモニア（以−１”ＮＨ３と用
各す）ガスおよびＮ２ ガスを混合比が６＝７：グぐで
あり混合ガス流ｎが１６０ＳＣＣｍで、真空容器１内に
導入し、かつ、ｊ′ｓ空υ空電１気速１内の圧力を０．
３ Ｔｏｒｒに保持する。ここで、高周波電力を１１、
荷電極４に供給し、前記混合ガスをプラヌマ化すること
により、試料１ｏの表面にＳｉＮ膜を形成するものであ
る。
しかしながら、に記のような構成では、ガスプラズマが
試別１０の処理に必要な負荷電極４と試れ１台９との間
の空間に／１じる他に電力Ｏ（給部品５と真空容器１の
内壁との空間で、プラズマが圧力の設定条件または高周
波電力の負荷電カ饋に依存して連続的せたは断続的に生
じる。従がっで、負荷電＠ｉ４と試別台９との間の空間
に作用する高周波電力の負荷状態すなわち、電力負荷の
整合状態が亥化し、試Ｆ１． １ ０の）゛ラヌマ処即
中にカスプラズマの状態が連続的−ｉ′たけ断続的に変
化し、結呆的に試別１０表曲への薄膜形成速度および形
成する膜の膜質が不安定になり、さらに、形成薄膜の膜
片のバラツギの点からも自現１４良く試別１０を処Ｂｌ
！することが困・）軍である。
試別１０の処理に必要な負荷電極４と試れ１台９との間
の空間に／１じる他に電力Ｏ（給部品５と真空容器１の
内壁との空間で、プラズマが圧力の設定条件または高周
波電力の負荷電カ饋に依存して連続的せたは断続的に生
じる。従がっで、負荷電＠ｉ４と試別台９との間の空間
に作用する高周波電力の負荷状態すなわち、電力負荷の
整合状態が亥化し、試Ｆ１． １ ０の）゛ラヌマ処即
中にカスプラズマの状態が連続的−ｉ′たけ断続的に変
化し、結呆的に試別１０表曲への薄膜形成速度および形
成する膜の膜質が不安定になり、さらに、形成薄膜の膜
片のバラツギの点からも自現１４良く試別１０を処Ｂｌ
！することが困・）軍である。
このように、従来のプラズマＣＶＤ装置Ｒでは。
試別１０を処理する１際、電力０（耐部品５とＬ“（″
ど容器１の内壁との空間でプラズマが連続的捷たは断続
的に発生ずることに起因して、負荷電極４と試別台９と
の間のを間で所望の安定なプラズマを発生することが困
難であるという欠点をイ〕してい／ζ。
ど容器１の内壁との空間でプラズマが連続的捷たは断続
的に発生ずることに起因して、負荷電極４と試別台９と
の間のを間で所望の安定なプラズマを発生することが困
難であるという欠点をイ〕してい／ζ。
発明の目的
本発明は」１記欠点に鑑み、平行平板′Ｉ五極型プ′ノ
ズマ化学処功ｌ装置によって、試別をプラズマ処理する
際、電力供給部品と真空容器の内壁との′／：！間でプ
ラズマが発生するのを防止し、負荷電極と試別台との空
間に安定なプラズマを発生させ、試別を自現１生良く、
プラズマ処理することがｉ＋Ｊ能な化学処理装置Ｋ１°
を提供するものである。
ズマ化学処功ｌ装置によって、試別をプラズマ処理する
際、電力供給部品と真空容器の内壁との′／：！間でプ
ラズマが発生するのを防止し、負荷電極と試別台との空
間に安定なプラズマを発生させ、試別を自現１生良く、
プラズマ処理することがｉ＋Ｊ能な化学処理装置Ｋ１°
を提供するものである。
発明の構成
本発明の化学処理装置〆ｊは、貞空状広シの卸１−；＊
か可能な真空容器と、真空容器内に制御して、所定のガ
スを導入するだめのノズルと、真空′容器内を真空排気
するだめの真空排気速度侑と、真空り器内にあり、所定
の電力が供給される負荷重：極と、前記負荷電極の表面
に対してＨ「定の距１郁全へたてて配１１４；され、か
つ、アース接地ちれたアース電極と、少乙・くとも負荷
電極寸たはアース電極のどちらか−・力に被加工物を配
置し、かつ、負荷電極とアース電極との空間にガスプラ
ズマを発生させ、前記６り加工物を処理するため、負仙
電極に電カケ供給するだめの電力供給部品と、電力供給
源である電源と、電力（Ｊ（組部品の周囲に非ＩＸ触で
位（直し、−力の端面を真空容器と気密に接合し、他方
の端面を負る：ｒ電極の表面と絶縁物を介し、気密に接
合しかつ、４１力供給部品のガス雰囲気を大気圧状態に
するベローズとから構成されており、電力供給部品と真
空容器の内壁との空間で、プラズマが発生ずるのを防止
し、負ｄ：ｉ電極とアース電極との空間に安定したプラ
ズマを発生させることができ、被力旧−物を内規１’１
１ｕ ＜、プラズマ処ｊＪｌすることがｉｉＪ能である
。
か可能な真空容器と、真空容器内に制御して、所定のガ
スを導入するだめのノズルと、真空′容器内を真空排気
するだめの真空排気速度侑と、真空り器内にあり、所定
の電力が供給される負荷重：極と、前記負荷電極の表面
に対してＨ「定の距１郁全へたてて配１１４；され、か
つ、アース接地ちれたアース電極と、少乙・くとも負荷
電極寸たはアース電極のどちらか−・力に被加工物を配
置し、かつ、負荷電極とアース電極との空間にガスプラ
ズマを発生させ、前記６り加工物を処理するため、負仙
電極に電カケ供給するだめの電力供給部品と、電力供給
源である電源と、電力（Ｊ（組部品の周囲に非ＩＸ触で
位（直し、−力の端面を真空容器と気密に接合し、他方
の端面を負る：ｒ電極の表面と絶縁物を介し、気密に接
合しかつ、４１力供給部品のガス雰囲気を大気圧状態に
するベローズとから構成されており、電力供給部品と真
空容器の内壁との空間で、プラズマが発生ずるのを防止
し、負ｄ：ｉ電極とアース電極との空間に安定したプラ
ズマを発生させることができ、被力旧−物を内規１’１
１ｕ ＜、プラズマ処ｊＪｌすることがｉｉＪ能である
。
実施例の説明
製１゛木発明の一実施例について図面を参照しながら：
？５＋’、明する。
？５＋’、明する。
第２図において、１０１は真空を卸、持することが可能
な利質がステンレスの真空容器、１０２１１ガスを真空
容器１０１内に導入するだめのノズル、１０３は真空容
器１０１内を真空排気するだめの真空排気装置、１０４
は周波数１３．５６ Ｍｌｌｚの１１１１周波電力が供
給され、形状が円板の負荷電極、１０５は負荷電極１０
４に高周波電力を供給するだめの電力供給部品、１０６
は周波数１３．５６Ｍ１ｌＺの高周波電源、１０７は高
周波電力負荷経路の整合状態を調整するだめのマツチン
グ用チューナ、ｉｏｓは真空容器１０１と電力供給部品
１０５との接触を防ぎ、電気的に絶縁するための膜質が
デフロンの絶縁用部品、１０９は負荷電４ｉｉ！１０４
の表面に苅゛シて４０ ｆｆ＃ＪＩ程度の距離をへたて
て配ｔｉ：：ｉ″され、樹質かステンレスで形状が円板
状であり、θＵ加］−物を保持することが１」能であり
、内部に被加工物加熱用のヒータをイｊし、アース接地
されたアース電極、１１０ｉｄ被加工物であるところの
Ａ、Ａ質がシリコン単結晶の試料、１１１は膜質がデフ
［１ン、形状が円板であり、電力供給部品１０５とＯリ
ングを介し、気密に接合された絶縁リンク、１１２は電
力供給部品の周囲に非接触で位置し、−力のｆｌ、１面
を真空容器１０１とＱＩＪンクで気密に接合し、かつ、
他方の端面を絶縁リンク１１１の表面と０リンクによっ
て、気密に接合し、かつ、電力ＩＪ（組部品１０５のガ
ス雰囲気を大気圧状態にすることが可能なベローフラン
ジ、１１３は膜質７ハデフロンのホ／Ｉ／１・である。
な利質がステンレスの真空容器、１０２１１ガスを真空
容器１０１内に導入するだめのノズル、１０３は真空容
器１０１内を真空排気するだめの真空排気装置、１０４
は周波数１３．５６ Ｍｌｌｚの１１１１周波電力が供
給され、形状が円板の負荷電極、１０５は負荷電極１０
４に高周波電力を供給するだめの電力供給部品、１０６
は周波数１３．５６Ｍ１ｌＺの高周波電源、１０７は高
周波電力負荷経路の整合状態を調整するだめのマツチン
グ用チューナ、ｉｏｓは真空容器１０１と電力供給部品
１０５との接触を防ぎ、電気的に絶縁するための膜質が
デフロンの絶縁用部品、１０９は負荷電４ｉｉ！１０４
の表面に苅゛シて４０ ｆｆ＃ＪＩ程度の距離をへたて
て配ｔｉ：：ｉ″され、樹質かステンレスで形状が円板
状であり、θＵ加］−物を保持することが１」能であり
、内部に被加工物加熱用のヒータをイｊし、アース接地
されたアース電極、１１０ｉｄ被加工物であるところの
Ａ、Ａ質がシリコン単結晶の試料、１１１は膜質がデフ
［１ン、形状が円板であり、電力供給部品１０５とＯリ
ングを介し、気密に接合された絶縁リンク、１１２は電
力供給部品の周囲に非接触で位置し、−力のｆｌ、１面
を真空容器１０１とＱＩＪンクで気密に接合し、かつ、
他方の端面を絶縁リンク１１１の表面と０リンクによっ
て、気密に接合し、かつ、電力ＩＪ（組部品１０５のガ
ス雰囲気を大気圧状態にすることが可能なベローフラン
ジ、１１３は膜質７ハデフロンのホ／Ｉ／１・である。
以上のように構成された化学処理装置につい−Ｃ試ｉ’
１．１１０の表面にプラズマ５ｉｌＱ膜を形成する場合
を例にとり、以下その動作を説明する。
１．１１０の表面にプラズマ５ｉｌＱ膜を形成する場合
を例にとり、以下その動作を説明する。
まず、１″１空υ１気′ｌＡ買１０３により、真空容器
１０１内の１１−力を３×１Ｏ−３Ｔｏｒｒ 以下に真
空排気しに８、Ｎ２ ７’７スを１６０ＳＣＣＭの流昂
でノズル１０２を通し、真空容器１０１内に導入し、が
っ、ユ゛（空υ１気速１岨を調節し、真空容器１０１内
の圧力を−０，３５Ｔｏｒｒに保持する。
１０１内の１１−力を３×１Ｏ−３Ｔｏｒｒ 以下に真
空排気しに８、Ｎ２ ７’７スを１６０ＳＣＣＭの流昂
でノズル１０２を通し、真空容器１０１内に導入し、が
っ、ユ゛（空υ１気速１岨を調節し、真空容器１０１内
の圧力を−０，３５Ｔｏｒｒに保持する。
まプξ、アース電極１０９に内蔵された加熱用のヒータ
全調節して試を１１１０の表面温度を２５０’Ｃ秤１９
．に保持する。次に、前記上 ガスの導入を停止Ｉ゛シ
た後、ノズル１０２を通し、ガス組成がＳｉＨ４゜ＮＨ
ｓ 、およびＮ２であり、その組成比が６：７：弘ぷで
ある混合ガスを１６０ＳＣＣＭの流Ｌ１４．で、真空容
器１０１内に導入し、かつ、真空尼１気速度を調節して
真空容器１０１内の圧力を０．３５ Ｔｏｒｒに保持す
る。
全調節して試を１１１０の表面温度を２５０’Ｃ秤１９
．に保持する。次に、前記上 ガスの導入を停止Ｉ゛シ
た後、ノズル１０２を通し、ガス組成がＳｉＨ４゜ＮＨ
ｓ 、およびＮ２であり、その組成比が６：７：弘ぷで
ある混合ガスを１６０ＳＣＣＭの流Ｌ１４．で、真空容
器１０１内に導入し、かつ、真空尼１気速度を調節して
真空容器１０１内の圧力を０．３５ Ｔｏｒｒに保持す
る。
次に、高周波電源１０６より周波数１３．６６ Ｍ Ｉ
ＩＺの高周波電力をマツチング用チューナ１０７および
電力供給部品１０６全通し、負荷電極１０４に供給する
ことによって、前記混合ガスプラズマ化し、試料１１０
の表面にＳｉＮ膜を形成する。
ＩＺの高周波電力をマツチング用チューナ１０７および
電力供給部品１０６全通し、負荷電極１０４に供給する
ことによって、前記混合ガスプラズマ化し、試料１１０
の表面にＳｉＮ膜を形成する。
すなわち、前記混合カスはプラズマエネルギーと試料１
１０表面およびアース電極１０９表面より供給される熱
エネルギによって、下記化学反応式に基づき分解および
反応し、試オ・１１１０表面−１，にＳｉＮ膜を形成す
る。
１０表面およびアース電極１０９表面より供給される熱
エネルギによって、下記化学反応式に基づき分解および
反応し、試オ・１１１０表面−１，にＳｉＮ膜を形成す
る。
７： ガス状態
Ｓ：固体状態
ここで、電力供給部品１０５の周囲雰囲気は、人気圧で
あるため、電力供給部品１０６の表面と真空容器１０１
およびベローフランジ１１２との空間ではプラズマが発
牛しなかった。従がって、試木：１１１０の処理する際
、負荷電極１０４とアース電極１０９との空間に安定し
たプラズマを発生することができるため、試料１１０表
面へのＳｉＮ膜の形成速度および膜質が安定し、さらに
膜厚の試料１１０表面」二でのプラズマの不安定に起因
したバラツキＪＩＮを犬１１１に低減することができ、
試料１１０を出現性良く処理することができた。
あるため、電力供給部品１０６の表面と真空容器１０１
およびベローフランジ１１２との空間ではプラズマが発
牛しなかった。従がって、試木：１１１０の処理する際
、負荷電極１０４とアース電極１０９との空間に安定し
たプラズマを発生することができるため、試料１１０表
面へのＳｉＮ膜の形成速度および膜質が安定し、さらに
膜厚の試料１１０表面」二でのプラズマの不安定に起因
したバラツキＪＩＮを犬１１１に低減することができ、
試料１１０を出現性良く処理することができた。
以上のように、本実施例によれば、真空状態の矛（１持
が１０能な真空容器と、真空容器内に制御して所定のガ
スを導入するためのノヌルと、真空容器内を真空排気す
るだめの真空排気装置と、真空容器内にあり、７Ｊｉ定
の電力が供給される負荷電極と前記Ｆ′１荷電極の表面
に列して、所定の出向１ケへたてて配置され、かつ、ア
ース接地されたアース電極と少なくとも負荷電極または
アース電極のどちらか一方に被加工物を配置し、かつ、
負荷電極とアース電極との空間にガスプラズマを発４＝
させ、前記被加工物を処理するため、負荷電極に電力全
供給するだめの電力供給部品と、電力ｆＪ（給ｉＪ＋ｉ
ｉである電源と、電力供給部品の周囲に非接触で（５’
／’、 ｉｉ；ｉ′し、一方の端面を真空容器と気密に
接合し、ｆＩｉ！力の’Ｉ’ａｊ面を負荷電極の表面と
絶縁物を介し、気密に援ａし、かつ、電力供給部品のガ
ス雰囲気を人気Ｈ−状態にするベローズとを有すること
によって、試ギー１の表面上にプラズマＣＶ Ｄ ｌｌ
！ａを形成する際、ｔ、’ｔ （：ｉ電極とアース電極
との空間に安定したプラズマ不一発生ずることができる
ため、試料表面」二へのプラズマＣＶＤ膜の形成速度お
よび形成した膜の例えば屈折率等の膜質が安定し、さら
に膜Ｉ’ｌの試料表面上でのプラズマのイ・安定に起因
したバラツキ；１１を低減することができ、試料を出現
性良く処理することが可能である。
が１０能な真空容器と、真空容器内に制御して所定のガ
スを導入するためのノヌルと、真空容器内を真空排気す
るだめの真空排気装置と、真空容器内にあり、７Ｊｉ定
の電力が供給される負荷電極と前記Ｆ′１荷電極の表面
に列して、所定の出向１ケへたてて配置され、かつ、ア
ース接地されたアース電極と少なくとも負荷電極または
アース電極のどちらか一方に被加工物を配置し、かつ、
負荷電極とアース電極との空間にガスプラズマを発４＝
させ、前記被加工物を処理するため、負荷電極に電力全
供給するだめの電力供給部品と、電力ｆＪ（給ｉＪ＋ｉ
ｉである電源と、電力供給部品の周囲に非接触で（５’
／’、 ｉｉ；ｉ′し、一方の端面を真空容器と気密に
接合し、ｆＩｉ！力の’Ｉ’ａｊ面を負荷電極の表面と
絶縁物を介し、気密に援ａし、かつ、電力供給部品のガ
ス雰囲気を人気Ｈ−状態にするベローズとを有すること
によって、試ギー１の表面上にプラズマＣＶ Ｄ ｌｌ
！ａを形成する際、ｔ、’ｔ （：ｉ電極とアース電極
との空間に安定したプラズマ不一発生ずることができる
ため、試料表面」二へのプラズマＣＶＤ膜の形成速度お
よび形成した膜の例えば屈折率等の膜質が安定し、さら
に膜Ｉ’ｌの試料表面上でのプラズマのイ・安定に起因
したバラツキ；１１を低減することができ、試料を出現
性良く処理することが可能である。
々お、ベローズを利用しているため、真前’ｌ’ｉ、ｊ
極とアース電極との間の止剤を容易に変えることができ
る。従がって、試）１の加工に際し、処理中に連続的に
または断続的に前記距離を変化させるプラズマ処理もｒ
ｊＪ能である。
極とアース電極との間の止剤を容易に変えることができ
る。従がって、試）１の加工に際し、処理中に連続的に
または断続的に前記距離を変化させるプラズマ処理もｒ
ｊＪ能である。
発明の効果
以」二のように本発明の化学処理装置は、真空状態の維
持がｉｉＪ能な真空容器と、真空容器内に制御して、所
定のガスを導入するだめのノズルと、真空容器内ケ真空
υ１気するだめの真空排気装置と、真空容器内にあり所
定の電力が供給される負荷電極と、前記負荷電極の表面
に列して、所定の距離をへたてて配置され、かつ、アー
ス接地されたアース電極と、少なくとも負荷電極まだは
アース電極のとぢらか一方に被加工物を配置し、かつ、
負荷電極とアース電極との空間にガスプラズマヲ発生さ
せ、前記被加工物を処理する／ζめ、負荷電極に電力を
１ノ（給するだめの電力供給部品と、電力供給源である
電源と、電力供給部品の周囲に非接触で（ｉ″／、 ｉ
ｉ’、ｔ Ｌ、 ・方の端面を真空容器と気密に接合し
、他方の端面全（１，ｄ□′［電極の表面と絶縁物を介
し、気密に接合し、かつ、電力供給部品のガス雰囲気を
大気圧状態にするベローズとを設けることによって、電
Ｊ）（ｊｊ、給部品と真空容器の内壁との空間で。
持がｉｉＪ能な真空容器と、真空容器内に制御して、所
定のガスを導入するだめのノズルと、真空容器内ケ真空
υ１気するだめの真空排気装置と、真空容器内にあり所
定の電力が供給される負荷電極と、前記負荷電極の表面
に列して、所定の距離をへたてて配置され、かつ、アー
ス接地されたアース電極と、少なくとも負荷電極まだは
アース電極のとぢらか一方に被加工物を配置し、かつ、
負荷電極とアース電極との空間にガスプラズマヲ発生さ
せ、前記被加工物を処理する／ζめ、負荷電極に電力を
１ノ（給するだめの電力供給部品と、電力供給源である
電源と、電力供給部品の周囲に非接触で（ｉ″／、 ｉ
ｉ’、ｔ Ｌ、 ・方の端面を真空容器と気密に接合し
、他方の端面全（１，ｄ□′［電極の表面と絶縁物を介
し、気密に接合し、かつ、電力供給部品のガス雰囲気を
大気圧状態にするベローズとを設けることによって、電
Ｊ）（ｊｊ、給部品と真空容器の内壁との空間で。
プラズマが発牛するのを防市し、負荷電極とアース電極
との間の空間に安定したプラズマを発）ｌさせることが
でき、被加工物を再現１イ１．良く、プラズマ化学処理
することが可能であり、１だ、′往時に負荷電極とアー
ス電極との距離を上記効果を発揮できる条件を有した状
態で容易に変化することができ、その実用的効果は人な
るものがある。
との間の空間に安定したプラズマを発）ｌさせることが
でき、被加工物を再現１イ１．良く、プラズマ化学処理
することが可能であり、１だ、′往時に負荷電極とアー
ス電極との距離を上記効果を発揮できる条件を有した状
態で容易に変化することができ、その実用的効果は人な
るものがある。
なお、前記実施例ではプラズマＣＶＤ膜を形成する場合
を例にとったが、プラズマエフ ’／−ングや反応性イ
オンエツチング、スパッタリング雪ｖこおいても負荷電
極とアース電極との間の空間に安定したプラズマを発生
することができ、−１１記と同様の効果を得ることがで
きる。
を例にとったが、プラズマエフ ’／−ングや反応性イ
オンエツチング、スパッタリング雪ｖこおいても負荷電
極とアース電極との間の空間に安定したプラズマを発生
することができ、−１１記と同様の効果を得ることがで
きる。
第１図は従来のプラズマ反応装置のｉｆ−面断面図。
第２図は本発明の一実ｉ＄、例におけるゾラズマｊス応
装置の正面断面図である。 １０１・・・・・・真空容器、１０２・・・・・・ノズ
ル、１０３−＝・・−真空排気装置、１０４ ・−＝・
ｒ’Ｊ （’Ｉ ’＋ｉｌ’、極、１０５・・・・・電
力０（袷部品、１０６・・・・・電１１；１．１０９・
・・・・・アース電極、１１２・・・・・ベローズ。 第１図 第２図
装置の正面断面図である。 １０１・・・・・・真空容器、１０２・・・・・・ノズ
ル、１０３−＝・・−真空排気装置、１０４ ・−＝・
ｒ’Ｊ （’Ｉ ’＋ｉｌ’、極、１０５・・・・・電
力０（袷部品、１０６・・・・・電１１；１．１０９・
・・・・・アース電極、１１２・・・・・ベローズ。 第１図 第２図
Claims (4)
- （１）真空状態の維持が可能な真空容器と、真空容器内
に制御して、所定のガスを導入するだめのノズルと、真
空容器内を真空排気するだめの真空排気装置゛と、真空
容器内にあり、所定の電力が供給される負荷電極と、前
記負荷電極の表面に対して所定の距離をへだてて配置さ
れ、かつ、アース接地されたアース電極と、少なくとも
負荷電極または、アース電極のどちらか一方に被加工物
を配置し、かつ、負荷電極とアース電極との空間にガス
プラズマを発生させ、前記被加工物を処理するため負荷
電極に電力を供給するだめの電力供給部品と、電力供給
源である電源と、電力供給部品の周囲に非接触で位置し
、一方の端面を真空容器と気密に接合し、他方の端面を
負荷電極の表面と絶縁物を介し、−℃密に接合し、かつ
、電力供給部品のガス雰囲気を大気圧状態にするベロー
ズとからなる化学処理装置。 - （２） ベローズは拐質がステンレスである溶接べ１コ
ーズまたは成形ベローズである特許請求の範囲第１項記
載の化学処理装置。 - （３）電源は周波数が１３．５６ Ｍｌｌｚである高周
波電源であるところの特許請求の範囲第１項記載の化学
処理装置。 - （４）真空容器は拐質がステンレスまたはアルミニウム
または、アルミニウム合金であるところの牛、＋ｌ許請
求の範囲第１項記載の化学処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58222532A JPS60114577A (ja) | 1983-11-26 | 1983-11-26 | 化学処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58222532A JPS60114577A (ja) | 1983-11-26 | 1983-11-26 | 化学処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60114577A true JPS60114577A (ja) | 1985-06-21 |
| JPH058271B2 JPH058271B2 (ja) | 1993-02-01 |
Family
ID=16783904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58222532A Granted JPS60114577A (ja) | 1983-11-26 | 1983-11-26 | 化学処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60114577A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01104778A (ja) * | 1987-10-16 | 1989-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPH01136970A (ja) * | 1987-11-20 | 1989-05-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマｃｖｄ装置のクリーニング方法 |
| JP2012004108A (ja) * | 2010-05-18 | 2012-01-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2012099715A (ja) * | 2010-11-04 | 2012-05-24 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5688316A (en) * | 1979-12-21 | 1981-07-17 | Fuji Electric Co Ltd | Apparatus for forming thin layer |
| JPS5832410A (ja) * | 1981-08-06 | 1983-02-25 | ザ・パ−キン−エルマ−・コ−ポレイシヨン | ガス状減圧環境下で構造物を処理する方法及び装置 |
-
1983
- 1983-11-26 JP JP58222532A patent/JPS60114577A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5688316A (en) * | 1979-12-21 | 1981-07-17 | Fuji Electric Co Ltd | Apparatus for forming thin layer |
| JPS5832410A (ja) * | 1981-08-06 | 1983-02-25 | ザ・パ−キン−エルマ−・コ−ポレイシヨン | ガス状減圧環境下で構造物を処理する方法及び装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01104778A (ja) * | 1987-10-16 | 1989-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPH01136970A (ja) * | 1987-11-20 | 1989-05-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマｃｖｄ装置のクリーニング方法 |
| JP2012004108A (ja) * | 2010-05-18 | 2012-01-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2012099715A (ja) * | 2010-11-04 | 2012-05-24 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| US9196461B2 (en) | 2010-11-04 | 2015-11-24 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH058271B2 (ja) | 1993-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4771730A (en) | Vacuum processing apparatus wherein temperature can be controlled | |
| EP0841838B1 (en) | Plasma treatment apparatus and plasma treatment method | |
| JPH02281734A (ja) | プラズマ表面処理法 | |
| JPS6187319A (ja) | プラズマを用いた化学気相成膜装置 | |
| US6092486A (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| JP2921499B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS5766625A (en) | Manufacture of film | |
| JPS60114577A (ja) | 化学処理装置 | |
| JPH10289881A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS62189725A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH02166283A (ja) | 絶縁膜の形成方法 | |
| JPS57161057A (en) | Chemical vapor phase growth device using plasma | |
| JP2934489B2 (ja) | 薄膜製造装置 | |
| JPH0250969A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPS61130493A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JP2649333B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS5833830A (ja) | プラズマ堆積装置 | |
| JPS60175413A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH02220433A (ja) | 薄膜形成用装置 | |
| JPH01125921A (ja) | 半導体化炭素薄膜の製造方法 | |
| JPH04326510A (ja) | 薄膜製造装置及び薄膜製造方法 | |
| JPH08143394A (ja) | プラズマ化学蒸着装置 | |
| JPS5691435A (en) | Plasma vapor growing method | |
| JPS6343330A (ja) | 窒化ケイ素薄膜形成用プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH0350723A (ja) | プラズマエッチング装置 |