JPH02220438A - レーザ処理方法およびその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の表面の一部を選択的に除去したり
、あるいは表面に選択的忙膜を形成する処理方法および
装置に係り、特に試作した半導体装置に部分的に存在す
る不良の箇所や原因の特定あるいは不良の補修に好適な
レーザ処理方法およびその装置に関する。

〔従来の技術〕

半導体装置の高性能化、高速化をめざして、半導体装置
の微細化、高集積化が行われている。これに伴い、半導
体装置の開発が難しくなっており、開発期間の長期化を
招いている。かかる状況は、Ｌ８工設計にもカット・ア
ンド・トライなる回路製作技法が心安であることを示し
ている。即ち、１＆ １米の設計で十分忙動作しないチップ上の不良部分を特
定し、当該部分に存在する配線を切断したり、任意の箇
所に布線を施したり、不良配線を補修して、暫定的に完
全な動作が得られる半導体装置を製造すれば、それ罠引
き続く特性評価や、設計変更が迅速に行えることになる
。

一方、従来技術としては、たとえばセミコンダタワール
ド（１３ｅｍｉｃｏｎｄｕａｔｏｒ　Ｗｏｒｌｄ　）　
１９８７年９月号第２７ページから第３２ページに記載
されている様に１？より（集束イオンビーム）でＬＢエ
チップの表面のバシペーン覆ンおよび層間絶縁膜に穴あ
げを行い、配線を露出させた後、ＣＶＤガスを導入して
同じく？よりにより金属配線を形成する方法が紹介され
ている。

また、Ｌ８エチップ表面のバシペーＶｗンおよび層間Ｉ
ｌ！縁膜に穴あけを行い、配線を露出する方法として、
特開昭６１−５３７３２、特開昭６１−１７７７２９な
どに開示された光エツチング技術を応用することができ
る。

さらには金属配Ｍを形成する技術として例えば、！＃開
開閉５０−２１１０７８に示されている様に光を使った
膜形成を適用することが可能である。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記第１の従来技術は、微細な穴あげ加工や微細配線の
切断加工および微細配線の形成が行なえる反面、加速さ
れたイオンが下地物質を直撃するためそれによる損傷を
回避することができず、また電荷の影響やイオン種その
ものが残留するという問題点が残る。これは、半導体装
置の能動領域（側光ばバイポーラトランジスタのエミッ
タ領域）の真上あるいは極く近い領域では致命的な問題
である。

この様な集束イオンビームによる加工・配線形成の欠点
を解消する技術として第２および第３の従来技術がある
。これはエツチングガス＃囲気に置かれた被加工材にレ
ーザなどの光でエツチングするものである。また、第４
の従来技術は反応ガス雰囲気中Ｋｉｔかれた基体上にレ
ーザなどの光を照射することにより反応ガスを分解し導
成膜を形成するものである。しかし、これらの従来技術
は功ロエあるいは膜形成の微細化を図る上での考ｉｔ　
ｓおよび光を反応室内に導入するための窓も同時に加工
され九〇、窓表面に膜が形成されたりするのを防止する
ための配慮がされておらず、高督度化の進む半導体装置
に対応するために極（微ｉ、ｌな加工や配線形成をｄ続
的に同じ条件で実施することができないという問題があ
った。

本発明の目的は、半導体装置の保護膜やノー間絶縁膜へ
の穴あけ加工や配線の切断、および正念の配線を付加す
る際九、半導体装置の性能を損う様な影響を与えること
なく、微細な加工や配−付加を同一条件で継続的に行え
るレージ処理方法およびレーザ処理装置を提供すること
にある。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するために、本発明のし〜ザ処理方載に
おいては、真空中で高ＮＡ対物レンズにより微細なスポ
ットに集光しなからレーザ光を照射するとともに被加工
物である半導体装ｌｆｔ−冷却しながら、処理を必要と
する所望の位置近傍の木を反応ガスにさらす、あるいは
反応ガスを吸着さ（て半導体装置上のレーザが集光照射
されている部分のみでレーザ光忙よって誘起され九反応
により処理を行うものである。

また、本発明のレーザ処理装置はレーザ発振器と、発振
されたレーザ光を微細なスポットに集光するための対物
レンズと、レーザ透過窓を備えた反応室と、載置した試
料（半導体装置）ｔ−冷却する手段を有するステージと
、反応室内を高真空に排気するための真空ボンダと反応
ガスを納めたボンベと、反応室内に反応ガスを供給する
ノズルから構成され、発振されたレーザ光を反応室内に
設置した対物レンズにより試料表面に微細なスポットに
集光しながら照射するとともに、ノズルから反応ガスを
冷却された試料表面に供給しつつ、反応ガスに処理が必
要な部分のみをさらす、あるいは試料表面に反応ガスを
吸着させ、常に反応室内を排気することにより対物レン
ズおよびレーザ光透過窓が反応ガスにさらされない状態
で、レーザ光が集光照射されている部分のみでレーザ光
により誘起された反応により処理が行える様に構成さ−
れたものである。

〔作用〕

本発明では高ＮＡの対物レンズを処理室内に設置するの
で、レーザ光を微細に集光することができ、また光路中
に設けた矩形開口を試料面に投影する光学系を使用する
ことＫより、任意の大きさの矩形部分を処理することが
できる。

また、試料を冷却した状態で反応ガス（エッチガスある
いはＣＶＤ材料ガス）を流してガス分子を試料表面に吸
着させ、試料表面以外では反応が生じないガス圧となり
た時点でレーザを照射するので、試料表面以外では反応
が起こらず、対物レンズ表面やレーザ光導入窓表面をエ
ッチしたり、Ｍが形成されてその機能を低下させること
はない。

また、複数のガスを切換えながら流すか、あるいは複数
のノズルを設けて順次、エツチングガスとＣＶＤ材料ガ
ス管流しながら処理すること罠より、半導体装置表面の
胎ｍ膜への窓あげ、配線の切断、配線間の接続ｔ−１台
の装置で行うことができ、しかも光反応を利用した処理
であるため、半薄体装置へのダメージを防止することが
できる。

ここでノズル１５はエツチングガスのＯＮ・０ＩＦＦが
急激九行える様に、例えば第２図に示す様に、ノズル１
５の先端のニードル３０を前後することにより開閉でき
る構成になっている。このニードル３０の駆動には磁石
あるいはピエゾ素子等を使用することができる。

〔実施例〕

以下、本発明を図に従い説明する。第１図は本発明の一
実施例であるレーザ処理装置の全体構成を示している。

ムｒレーザ発蚕器１から発振したシー光２は第二高調波
発生器３により第２高ｖｓａａに変換され、ダイクロイ
ククミラ−５で試料ｉＣ垂直方向罠曲げられ透過ライン
ド６ｔ−透過した後、チャンバ７内忙設置された対物レ
ンズ８で集光され載物台９上の試料である半導体装置１
０に照射される。チャンバ７内は排気管１１４を通して
真空ボンダ１１により排気される。これら排気Ｗ１１６
及び真空ポンプ１１は排気手段を構成する。一方、処理
を行うガスはガスボンベ１２から配管１３．ガス圧を一
定に保つためのガス・チャンバ１４．吹付部であるノズ
ル１５により試料１０表面に供給され、排気手段の真空
ポンプ１１で排気された後は排ガス処理装置１６により
無害化されてから排出される。これらガス・チャンバ１
４及びノズル１５が吹付供給部である。また試料１０の
位置合せ、砿察は照明光源１７接眼レンズ１８．あるい
は撮像レンズ１９．　Ｔ　Ｖカメラ２０．モニタ２１に
より行う。なおここで載物台９には冷媒を循還し冷却す
るための熱交換器２２が設けられ℃おり冷凍機２３によ
り、冷凍の圧縮・冷凍を行える構成になっている。

以上に述べた構成の装置を用いて本発明の一実施例であ
るエツチング方法について説明する。第１図忙示した様
忙載物台９上に試料１０を載置した状態でチャンバ７内
は排気手段の真空ボンダ１１例えばターボ分子ポンプ（
ここでは二次側を排気するための油回転ポンプは図示し
ていない）により、１ｘｊＯＴＯｒｒ以下の真空度忙保
たれる。また試料１０は載物台９内に設けた冷却手段で
ある熱交換器２２により、冷媒として液体チッ素を用い
約−１００℃以下に冷却されている。この状態で、第３
図に示す・様忙吹付部であるノズル１５からエツチング
ガス例・えば、塩素ガスを一定時間だけ試料１０に吹付
ける。

この時、試料１０近傍のエツチングガス圧は急ｍに・上
昇し、吹付部であるノズル１５を閉じることにより、急
波に下降する。この時試料１０表面は一１００ｔｉ以下
に冷却されているため、エツチングガスの吸着層が形成
されている反面、対物レンズ８やウィンド６０表面は塞
温く保たれているため吸着層はできても即、除去されて
しまう。エツチングガス圧が、レーザ光４釦より活性化
してエツチングを引き起こす圧力以下となったときに、
試料１ｏ上に。

レーザ光４が照射される。このレーザ光４により吸着層
を形成してりるエツチングガスは活性化し、。

試料１０表面の物質と反応し、気化性の反応生成物を生
じ、結果的にエツチングが進行する。当然、吹付部であ
るノズル１５からエツチングガスが供給される前に、レ
ーザ光４は停止する。これら一連の動作により、試料１
０表面のレーザ光４が照射され九部分のみ、吸着層の厚
さ忙応じた量だけエツチングが進行する。即ちノズル１
５から吹き出すエツチングガスの圧力、（ｉｌｉ１度）
、試料１ｏのａ度、レーザ光４の照射時間を一定忙保つ
ことにより、第２図忙示した１動作でのエッチ量は一定
となり、エッチ量の設定が容易かつ正確に行える。一方
、対物レンズ８、レーザ透過窓６はエツチングが進行せ
ず、ダメージを受けたり、レーザ光の透過率が低下する
こともない。また、対物レンズ８はチャンバ７内に設置
されており、作動距離が短か（、かつＮムの大きなもの
を選択することができるので、微細な加工を行うことが
できる。

次に、本発明の別な実施例である処理方法について９１
図を使用してＩＴｌ！明する。本実施例では処理を行う
ガスとしてＣＶＤガスを用い、第５図に示す様にノズル
１５から一定時間の試料１０に吹きつける。ＣＶＤガス
としては、例えばアルキル金属、あるいはカルボニル金
属の蒸気が選択される。この時、試料１０の近傍のＣＶ
Ｄガス圧は急激に上昇し、ノズル１５を閉じることによ
り急激に下降する。

この時、試料表面は一１００℃以丁に冷却されている光
め、ＣＶＤガスの吸着層が形成されている反面−対物レ
ンズ８やクインド６の表面は室温に保たれ゛ているため
、吸着層はできても即、除去されてしまう。Ｏ’ＦＤガ
ス圧が、レーザ光４により分解し金属を析出する圧力風
″ＦＫなった時に試料１０上にレーザ光４が照射される
。このレーザ光４により吸着ノーを形成しているＣＶＤ
ガスを分解し、試料１０上に金、晴を析出する０反応が
終了した時点でレーザ光４７に停止する。この１動作に
より、形成されるＰＪＸ４は吸着層の厚さで決まり、ノ
ズル１５から吹き出すＣＶＤガス圧（−度）、試料１０
の温度、レーザ光４の照射時間を一定に保つことにより
、１動作で形成される膜厚を一足にすることができ、金
属膜厚の設定が容易Ｋ、かつ正確に行うことができる。

さらにレーザ光４を照射する位置を移動することにより
、任意の配線を形成することができる。一方、対物レン
ズ８およびクインド６の表面には、金属が析出すること
がないから、レーザの透過率が低下することはない。ま
た対物レンズ８はチャンバ７内に設置されており、作動
距離が１かく、かつＮムの大きなものを選択することが
。

できるので、微細な配線を形成することができる。

次に別な実施例である処理装置について、第４図を用い
て説明する。Ａｒレーザ発振器４１から発振。

したレーザ光４２は第２高詞技発生器４３により第２゛
高調波４４に変換され、ミラー４５．ダイクロイック′
ミラー４６を経て、矩形スリブ）４７により任意の矩形
に成形され、ハーフミラ−４８，４９，クインド５０を
経てチャンバ７内に設置された対物レンズ５１Ｃより試
料１０上罠矩形スリツト４７の投影像として投影・照射
される。チャンバ７内は排気管１１４を通して真空ポン
プ１１で排気される。一方処坤ガスはガスボンベ１２か
ら配管１５．ガスを一定に保つためのガスチャンバ１４
．ノズル１５により試料１０表面に供給され、真空ポン
プ１１で排気された後は排ガス処理装置１６により無害
化されてから排出される。

また試料１０の位置合せ、観察は照明光源１７．接眼レ
ンズ１８．あるいは撮像レンズ１９．ＴＶカメラ２０゜
モニタ２１！ｌｔより行う。また矩形スリット４７の位
置合わせのための光＃５１を備えている。また、載物台
９には冷媒を循還し冷却するための熱交換器２２が設け
られており、冷凍機２３により、冷媒の圧縮・冷凍を行
える構成になっている。この装置を用いたエツチング方
法について述べる。第４図に示した載物台９上に試料１
０を載置した状態でチャンバ７内は真空ポンプ１１によ
り、例えば１ｘ１０　　τｏｒｒ’以下の真空度に保た
れる。また試料１０は載物台９内に設けた熱交換器２２
により、冷媒とし【液体チッ素を用い、約−１００℃以
下に冷却されている。この状態でノズル１５からエツチ
ングガス、例えば塩素ガスを一定時間だけ試料１０上に
吹きつける。この時、試料１０近傍のエツチングガス圧
は急激に上昇し、ノズル１５を閉じることにより、急激
に下降する。この時、試、１）１０表面は一１００１１
以下に冷却されているため、エツチングガスの吸着層が
形成されている反面、対物レンズ８やワインド６０表面
は室温に保たれているため、吸着ノーはできても即、除
去されてしまう。

あらかじめ参照光源５０の光を矩形スリット４７で矩形
に成形し、その投影像を試料１０上に投影しつ一つ、接
眼レンズ１８あるいはモニタ２１で観察しながら、加工
すべき位置と大きさを合わせてお（。しかる後に、レー
ザ光４４を照射することにより、レーザ光４４は参照光
による矩形スリット４７の投影像と同一位置、大きさで
投影・照射され、このレーザ光が照射された位置でのみ
、吸着層を形成しているエツチングガスが活性化し、試
料１０の表面の物質と反応し、気化性の反応生成物を生
じることにより、エツチングが進行する。吸着層による
エツチングが終了し、次のエツチングガス導入が開始さ
れる前に、レーザ光４４は停止する。これら−連の動作
により、一定量のエツチングが進行し、エッチ菫の設定
が容易かつ正確であることは前の実施例で述べた通りで
ある。また高ＮＡの対物レンズを選択できることから微
細寸法の加工が行なえることも同じである。さらには、
レーザ光４４の中央部分のみを使用することから、照射
領域はほぼ一定のパワー密度が得られ、照射領域内部の
エッチレートは均一になる効果もある。また、本実施例
ではエツチングについて説明したが、エッチ−ングガス
の代りにアルキル金属、金属カルボニルの蒸気等を用い
ることにより、金属膜のパターンを形成できることは、
前の実施例と同じである。

ここで第１図、および第４図和水した装置においては、
処理用のガスとして、エツチングガスあるいはＣＶＤガ
スの一方を使用した場合について述べて来たが、ガスポ
ンベ、配管、ガスチャンバを複数個ずつ備え、複数種類
のガスを四時に、あるいは交互に使用すること罠より、
応用範囲はさらに広がる。適用例の一つとして、三種類
のガスを使用した処理方法について第５図により説明す
る。第５図（８）は半導体装置の断面を示している。

即ち、８ｉ基板６０上Ｋ　５ｔｏ２膜６１を介して一層
目Ａｎ配線６２１層間絶縁族（ｊｌｉｏｚ　）６Ｌ二層
目Ａ１配線６４゜保護％　（８１０ｚ）６５からなって
いる。この半導体装置を第１図、あるいは第４図に示し
た装置釦載置し、まずフッソ系のエツチングガス、例え
ばＯＦ４．ＢＦ４をノズル１５が吹出させて冷却した半
導体装置上に吸着層を形成し、配線接続を要する部分に
紫外レーザ光７０を照射し、吸着しているエツチングガ
スでエツチングを進行させる。この動作を繰返えすこと
により、第５図＋１））に示す様に１窓部６６．６７お
よび配線切断のための穴部６８を形成する。次に、塩素
系のエツチングガス、例えば００１１ａ、Ｏｆｈなどに
切換え、Ｂ１０２膜６５，６５に穴６６．６７．６８を
形成したのと同じ要領で、切断ｔ−要する部分にのみ紫
外レーザ光７０を照射し、第５図（０）に示す様罠ムＬ
配線の一部分６９を切断する。次に、第５図（ｄ）に示
す礒に金属カルボニル、アルキル金属の蒸気等ＣＶＤガ
スに切換え、窓部６６．６７を順次、紫外レーｆ７０を
照射して金属で埋めるむ。その後、窓部６６とｇ部６７
０間を順次移動をレーザ光７０の照射を繰返すことＫよ
り第５図（６）　Ｋ示す様に、ジャンパ９７１が形成で
き、修正が完了する。

ここで今のプロセスを第６図により説明する。

第６図は第５図に示した断面を含む領域を上から見た図
で、層間絶縁膜６３．保護［６５は透明であるので図示
していない。第６図（ａ）は修正前の状態を示している
。最近のＬ８工の微細化に伴いム１配線６２．６４のピ
ッチも小さくなり、配＋１１幅α８μｍ、スペースα８
μ烏（いわゆるα８μ馬プロセス）が採用され、α５μ
馬プロセスの開発も始まりている。α５μｍプロセスの
場合、接続用の穴６６　、６７および切断部６９の大き
さとして、１μｍ以下（周囲に他の配線がない場合には
、この限りではない）にする必要がある。即ち第１図に
示す装置ではスポット径１μｍ以丁に、第４図に示す装
置ではスリット４７の投影像を１μ膳　以下に集光する
必要がある。そのためには、焦点距離（あるいは作動距
１１ｉ）が小さく、開口ａ（Ｍム）の大きな対物レンズ
をチャンバ７の内部、試料１０のすぐ上に設置する。作
動距離として、（Ｌ５ＪＩＩ以下の対物レンズの採用が
可能で、開口数Ｎムがα６〜α９であるから１μ烏程度
のスポット径を得ることは容易である。これＫより、接
続用の穴６６゜６７を形成する場合には隣接する配線を
露出させることがなく、不必要な短絡を生じることがな
い。

また、切断部（５９についても隣接する配線を切断する
こともない、同様にジャンパ線７１についても微細化が
可能であり、配ＩｉＩ密度の高い修正が可能である、。

この様忙、対物レンズやウィンドの表面はエツチングさ
れたり金属膜が形成され九りすることなく、常に一定の
レーザ光透過率を保ち、微細なエツチング、成膜が一台
の装置でできる。

しかも以上の処理は全てレーザを光源とした光反応で行
うため、半導体装置にダメージを与えることなく、半導
体装置の特性評価、不良箇所の特定あるいは補修ができ
る。

次に別な実施調和ついて、８ｇ７図について説明する。

第１図あるいは第４図に示した装置忙より、基板７５上
忙トリ・イソ・ブチル・アルミニクム蒸気の吸着層７６
を形成し、成膜すべき部分に紫外レーザ光７７を照射し
、アルミパターン７日を形成する。

次いで、トリ・メチル・ガリウムの吸着層７９を形成し
、成膜すべき部分ＶｃＸ外レーザ光７７を照射し、アル
ミとガリウムの積層パターン８０を形成する。

さらにアルシンガスの吸着層８１を形成し、成膜すべき
部分に紫外レーザ光７７を照射し、アルミとガリウムと
ヒ素の積層パターン８２を形成する。この手順忙より、
それぞれ１〜数原子層の膜厚を持つ１層薄膜パターン８
２が直接形成できる。さらＫは基板７５上のこの積層パ
ターン８２を加熱処刑を加えることにより、Ｇａ−１１
−ム８の薄膜パターン８３が形成できる。この薄膜パタ
ーン８５の膜厚は第７図ｔｏ）〜（ｆ）までを繰返すこ
とにより、容易かつ正確に制御可能である。

また第８図に示す様に、基板８５上に予めガスチャンバ
内で、トリイソブチルアルミニウム、トリメチル・ガジ
クム、アルシンの混合比を変えることにより、上記三種
類の混合吸着層８６が形成できる。そこに紫外レーザ８
７を部分的に照射することＫより、Ｇａ−ムＬ−ム８の
超薄膜パターン８９が直接形成できる。この膜厚は吸着
−レーザ照射の繰返し忙より容易かつ正確に制御できる
。

以上述べて来た不発切裂＆においては、試料１０を冷却
する手段として液体チッ素を使用しているが、他の液化
ガスあるいはペルチェ効果による冷却部の設置により同
様の効果を得ることができることは明らかである。

また、レーザ源としてムｒレーザの第２高調波で一説明
して来たが、紫外光源、例えばエキシマレーザ、ＹＡＧ
レーザあるいはガラスレーザの第三および第四高調波を
使用することができる。

また本実施例では、処理用ガスをノズルからパルス的に
吐出させ、対物レンズあるいはレーザ光透過ウィンド部
でのガス圧が十分低下してからレーザ光を照射して来た
が、ノズルからの吐出量および真空ポンプの排気速度の
調整により、試料表面においてはエツチングあるいはＣ
ＶＤ反応が進行する一方、対物レンズあるいはクィンド
部では、エツチングあるいはＯ’ＶＤ反応が進行しない
程度のガス圧に保つことができれば、ノズルから常に一
定普のガスを吐出させつつ、レーザ光を照射させること
もできる。この場合でも、チャンバ内に設置した対物レ
ンズやレーザ光透過用ウィンドがエツチングによりダメ
ージを受けたり、成膜によりレーザ光透過率の変化がな
く、常に一定の条件で微細なパターン形成が行える。

ま九講４図において、矩形スリット４７の代りにフォト
マスクｔ−設置すること忙より、複雑なパターンを一度
忙形成することができる。

〔発明の効果〕

本発明によれば、微細なスポットに集光して微細なパタ
ーン形成が可能となる効果がある。また不発ＢＡＫよれ
ば、高Ｎム対物レンズを使用することを可能にして微細
なスボッ）Ｋ集光して微細なパターン形成が可能となる
。また、本発明によれば、試料を冷却しながら処理を必
要とする部分に反応ガスをさらす、あるいは吸着させて
からレーザ光による反応を誘起させるので、対物レンズ
やレーザ光透過クインドにダメージを与えたり、透過率
を低下させることなく常に一定の条件で処堀金行うこと
ができる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例のレーザ処橿装置の構成図、
第２図はノズル先端の拡大図、第５図はノズルとレーザ
光のｏｎ　、ｏｙｙおよびガス圧の関係を示す図、第４
図は本発明の他の実施例のレーザ処理装置の構成図、第
５図及び第６図は各々不発明のレーザ処塊方法を半導体
装置の配線修正に適用ルた場合の説明図、第７図及び第
８図は各々多元素系の合金属を形成する場合の説明図で
ある。 １・・・レーダ発振器、６・・・ウィンド、７・・・チ
ャンバ、８・・・対物レンズ、９・・・載物台、１５・
・・ノズル、４７・・・矩形スシット、６５・・・保護
膜、２１・・・ジャンパ線、８２・・・積層膜、８５・
・・合金膜。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、吹付部により処理室内に設置された基体の所望の表
   面部分に反応性ガスを吹き付けて供給し、上記基体を冷
   却して基体の所望の表面部分に、反応ガスの吸着層を形
   成し、その後基体の周囲に存在する余分な反応ガスを排
   気し、集光されたレーザ光によって上記基体の所望の表
   面部分に吸着された吸着層に反応エネルギを与え、基体
   上で反応を誘起させて基体の所望個所に対して処理する
   ことを特徴とするレーザ処理方法。 ２、上記反応ガスをエッチングガスにして上記基体に対
   してエッチング処理することを特徴とする請求項、記載
   のレーザ処理方法。 ３、上記反応ガスをＣＶＤガスにして上記基体に対して
   ＣＶＤ処理することを特徴とする請求項１記載のレーザ
   処理方法。 ４、吹付部により処理室内に設置された基体の所望の表
   面部分にエッチングガスとＣＶＤガスとを切替て吹付供
   給し、上記基体を冷却して基体の所望の表面部分に、切
   替て吹付供給されたエッチングガス及びＣＶＤガスの各
   吸着層を形成し、その後基体の周囲に存在する余分な各
   エッチングガス及びＣＶＤガスを排気し、集光レーザ光
   によって上記基体に吸着された各吸着層に反応エネルギ
   を与え、基体上で反応を誘起させて基体の所望個所に対
   してエッチング反びＣＶＤ処理することを特徴とするレ
   ーザ処理方法。 吹付部により処理室内に設置された基体の所望の表面部
   分に複数のＣＶＤガスを切替て吹付供給し、上記基体を
   冷却して基体の所望の表面部分に、切替て吹付供給され
   たＣＶＤガスの各吸着層を形成し、その後基体の周囲に
   存在する余分な各ＣＶＤガスを排気し、集光レーザ光に
   よゥて上記基体に吸着された各吸着層に反応エネルギを
   与え、基体上で反応を誘起させて基体の所望個所に対し
   て各々ＣＶＤ処理することにより異なる材質の薄膜形成
   をして積層パターンを形成することを特徴とするレーザ
   処理方法。 ６、透過ウインドを備えた反応室と、該反応室内に設置
   された基体の所望の表面部分に対して反応ガスを吹付供
   給する吹付供給部と、上記基体を冷却して基体の所望の
   表面部分に、反応ガスの吸着層を形成する冷却手段と、
   上記基体の周囲に存在する余分な反応ガスを排気する排
   気手段と、上記冷却手段により基体の所望の表面部分に
   反応ガスの吸着層を形成し、上記排気手段により上記基
   体の周囲に存在する余分な反応ガスを排気した後、集光
   レーザ光を上記透過ウインドを通して照射してレーザ光
   によりて上記吸着層に反応エネルギを与え、基体上で反
   応を誘起させて基体の所望個所に対して処理する処理手
   段とを備えたことを特徴とするレーザ処理装置。 ７、レーザ光を基体の所望の個所に集光させる対物レン
   ズを、上記反応室内の上記基体と透過ウインドとの間に
   設置したことを特徴とする請求項６記載のレーザ処理装
   置。 ８、上記基体の所望個所に投影像を形成する投影像形成
   手段をレーザ光の光路中に設置したことを特徴とする請
   求項７記載のレーザ処理装置。 ９、上記投影像形成手段を、矩形スリットで形成したこ
   とを特徴とする請求項８記載のレーザ処理装置。 １０、上記投影像形成手段を、マスクで形成したことを
   特徴とする請求項８記載のレーザ処理装置、１１、上記
   基体の所望個所に投影像を形成する投影像形成手段をレ
   ーザ光の光路中に設置したことを特徴とする請求項６記
   載のレーザ処理装置。 １２、上記投影像形成手段を、矩形スリットで形成した
   ことを特徴とする請求項１１記載のレーザ処理装置。 １３、上記投影像形成手段を、マスクで形成したことを
   特徴とする請求項１１記載のレーザ処理装置。 １４、吹付供給部として、先端部において反応ガスの吹
   出しと停止とを行わせるように構成したことを特徴とす
   る請求項６記載のレーザ処理装置。 １５、吹付供給部として、先端部において反応ガスの吹
   出しと停止とを行わせるように構成したことを特徴とす
   る請求項７記載のレーザ処理装置。 １６、吹付供給部として、先端部において反応ガスの吹
   出しと停止とを行わせるように構成したことを特徴とす
   る請求項８記載のレーザ処理装置。