JPH02220488A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- H01S5/221—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers based on III-V materials containing aluminium
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
近年、高密度光ディスクシステムや高速レーザプリンタ
或いはバーコードリーダ等への応用を目的として短波長
の半導体レーザ装置の開発が進められている。
或いはバーコードリーダ等への応用を目的として短波長
の半導体レーザ装置の開発が進められている。
この中でも０．６μｍ帯（赤色）Ｋ発振波長を持つＩｎ
Ｇａ人！Ｐ系半導体レーザ装置は有望な短波長の半導体
レーザ装置として注目を浴びている。
Ｇａ人！Ｐ系半導体レーザ装置は有望な短波長の半導体
レーザ装置として注目を浴びている。
光情報処理光源として半導体レーザ装置を使用する場合
、横モード制御が必要である。本発明者等は、横モード
制御構造のＩｎＧａＡＩＰ系半導体レーザ装置として第
１２図に示すリッジ埋め込み型の半導体レーザ装置を作
製し、基本横モード発振を確認した。図中５０は”ＷＧ
ａＡｓ基板、５１はｎ型Ｇ ａ Ａ ８ ハｙ ７ ｙ
ＮＪ、５２はｎ型ＩｎＧａＡＩＰクラッド層、５３は
ＩｎＧａＡＩＰ活性層、５４はＰ型ＩｎＧａＡｌ Ｐ
Ｉ ５ ラド層、５５はＰＭＩｎＧａＰキャップ層、５
６はＰ型Ｇａ人３コンタクト層、５７．５８は電極であ
る。
、横モード制御が必要である。本発明者等は、横モード
制御構造のＩｎＧａＡＩＰ系半導体レーザ装置として第
１２図に示すリッジ埋め込み型の半導体レーザ装置を作
製し、基本横モード発振を確認した。図中５０は”ＷＧ
ａＡｓ基板、５１はｎ型Ｇ ａ Ａ ８ ハｙ ７ ｙ
ＮＪ、５２はｎ型ＩｎＧａＡＩＰクラッド層、５３は
ＩｎＧａＡＩＰ活性層、５４はＰ型ＩｎＧａＡｌ Ｐ
Ｉ ５ ラド層、５５はＰＭＩｎＧａＰキャップ層、５
６はＰ型Ｇａ人３コンタクト層、５７．５８は電極であ
る。
Ｐ型ＩｎＧａＡ／Ｐクラッド層のＡ１組成が大きい場合
、Ｐ−ＧａＡｓ／Ｐ−ＩｎＧａＡＩＰヘテａ接合界面で
大きなヘテロバリヤーが存在し、電圧降下が生じるのに
対して、中間のバンドギャップを持つＰ型Ｉ ｎＧ ａ
Ｐ層を挟むとバリヤーが低くなシ、電圧降下を減少さ
せることができる。この特性を利用して本半導体レーザ
装置ではりッジ部のみＫＰＰＩ３ｌＧａＰキャ、ブ層を
設け、電流狭窄を行った。光ガイド及び横モードの安定
化はＰ型クラッド層に設けたリッジとその外側で活性層
に近接させたＰ型ＧａＡｓコンタクト層１９により行っ
た。
、Ｐ−ＧａＡｓ／Ｐ−ＩｎＧａＡＩＰヘテａ接合界面で
大きなヘテロバリヤーが存在し、電圧降下が生じるのに
対して、中間のバンドギャップを持つＰ型Ｉ ｎＧ ａ
Ｐ層を挟むとバリヤーが低くなシ、電圧降下を減少さ
せることができる。この特性を利用して本半導体レーザ
装置ではりッジ部のみＫＰＰＩ３ｌＧａＰキャ、ブ層を
設け、電流狭窄を行った。光ガイド及び横モードの安定
化はＰ型クラッド層に設けたリッジとその外側で活性層
に近接させたＰ型ＧａＡｓコンタクト層１９により行っ
た。
次にこの半導体レーザ装置の製造方法を第１３図を参照
して説明する。まず１回目のＭＯＣＶＤ法によりｎ型Ｇ
ａＡｓ基板５０上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層５１、ｎ
型ＩｎＧａＡＩＰり９ｙド層５２、ＩｎＧａＡＪｔＰ活
性層５３、Ｐ型ＩｎＧａＰキャッ７’Ｗ５４を順次成長
させ、このウェハーにレジストによりマスク５９を設け
る第１３図（ａ）。Ｐ型Ｉ ｎＧａ Ｐ５５キャップ層
をＢｒ、及びＨＢｒを含む水溶液でスターテを用いてエ
ツチングした後、６０〜８０・Ｃの熱リン酸によシ、Ｐ
型ＩｎＧａＡＩＦクラッド層５４をエツチングし、リッ
ジを形成する第１３図中）。レジストを除去した後、２
回目のＭＯＣＶＤ＠、長によシＰ型Ｇ ａ Ａ ｓコン
タクト層５６を成長させる第１３図（ｄ）。
して説明する。まず１回目のＭＯＣＶＤ法によりｎ型Ｇ
ａＡｓ基板５０上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層５１、ｎ
型ＩｎＧａＡＩＰり９ｙド層５２、ＩｎＧａＡＪｔＰ活
性層５３、Ｐ型ＩｎＧａＰキャッ７’Ｗ５４を順次成長
させ、このウェハーにレジストによりマスク５９を設け
る第１３図（ａ）。Ｐ型Ｉ ｎＧａ Ｐ５５キャップ層
をＢｒ、及びＨＢｒを含む水溶液でスターテを用いてエ
ツチングした後、６０〜８０・Ｃの熱リン酸によシ、Ｐ
型ＩｎＧａＡＩＦクラッド層５４をエツチングし、リッ
ジを形成する第１３図中）。レジストを除去した後、２
回目のＭＯＣＶＤ＠、長によシＰ型Ｇ ａ Ａ ｓコン
タクト層５６を成長させる第１３図（ｄ）。
この素子は２回の、有機金属を用いたＭＯＣＶＤ法によ
り製作することができる有望表素子構造の一つである。
り製作することができる有望表素子構造の一つである。
しかし上記の製造方法には素子を歩留まシ良く製作する
ことが困難であるという問題があった。すなわち横モー
ド制御に大きな影Ｖを与えるＰ型ＩｎＧａＡＩＰクラッ
ド５４のリッジ両側の厚さｈの制御が上記のエツチング
方法では工。
ことが困難であるという問題があった。すなわち横モー
ド制御に大きな影Ｖを与えるＰ型ＩｎＧａＡＩＰクラッ
ド５４のリッジ両側の厚さｈの制御が上記のエツチング
方法では工。
チングレートの不安定さのためＫｌ、（、ｔた大きな面
内分布も生じていた。
内分布も生じていた。
（発明が解決しようとする課題）
上記のように従来の製造方法では、素子のデイメンジョ
ン制御の困難さや電流狭窄効果低減の問題によシ、素子
特性の劣化や歩留まシの低下を招いていた。
ン制御の困難さや電流狭窄効果低減の問題によシ、素子
特性の劣化や歩留まシの低下を招いていた。
本発明は上記事情を考慮して成されたものであり、その
目的とするところは素子のディメンジ冒ンを正確に制御
することができ、素子特性の向上及び歩留まりの向上及
び歩留まりの向上を図かり得る半導体レーザ装置及びそ
の製造方法を提供することにある。
目的とするところは素子のディメンジ冒ンを正確に制御
することができ、素子特性の向上及び歩留まりの向上及
び歩留まりの向上を図かり得る半導体レーザ装置及びそ
の製造方法を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
第１導電型半導体基板と、この半導体基板上に設けられ
た第１導電型クラッド層、活性層及び第２導電型Ｉｎ
（Ｇａ ｋｌ ） Ｐ第１クラ１−ｗｌ−
ｙｙｗ ラド層からなるダブルへテロ構造部と、第２導電型Ｉ
ｎ ＊ ＋＋＋ 、 （Ｇ ａ １−、 Ａ ｌ 、
） 、、、 Ｐ第１クラッド層上に部分的に設けられた
第２導電型Ｉｎ□−、（Ｇａ□−Ｚ”Ｚ）ＷＰ第２クラ
ッド層と、この第２導電型Ｉｎｔ−、（Ｇａ１−Ｚ”Ｚ
）ｗＰ第２クラッド層上に設けられた第２導電型Ｉｎ
１−、、（Ｇａ ｔ−、ＡＡ！ 、 ）、Ｐ（Ｏ（Ｓ（
Ｚ≦１）第１コンタクト層と、第２導電型Ｉｎ、−、、
（Ｇａ１−、ＡＩ、）、Ｐ第１クラッド層上及び＠２導
電型Ｉｎ、、（Ｇａ□−、Ａｌ５）、Ｐ＠１コンタクト
層上に設けられた第２導電型ＧａＡｓ第２コンタクト層
とからなシ、第２導電型工ｎ１−ｗ（Ｇａ、−、ＡＩア
）ＷＰ第１クラッド層と第２導電型Ｉｎ、−、（Ｇａ
、−ｚＡｌ、）、Ｐ第２クラッド層の各Ａ１組成ｙ、ｚ
が０．６≦ｙ＜ｚ≦１なる関係を有する半導体レーザ装
置を得ることにある。
た第１導電型クラッド層、活性層及び第２導電型Ｉｎ
（Ｇａ ｋｌ ） Ｐ第１クラ１−ｗｌ−
ｙｙｗ ラド層からなるダブルへテロ構造部と、第２導電型Ｉ
ｎ ＊ ＋＋＋ 、 （Ｇ ａ １−、 Ａ ｌ 、
） 、、、 Ｐ第１クラッド層上に部分的に設けられた
第２導電型Ｉｎ□−、（Ｇａ□−Ｚ”Ｚ）ＷＰ第２クラ
ッド層と、この第２導電型Ｉｎｔ−、（Ｇａ１−Ｚ”Ｚ
）ｗＰ第２クラッド層上に設けられた第２導電型Ｉｎ
１−、、（Ｇａ ｔ−、ＡＡ！ 、 ）、Ｐ（Ｏ（Ｓ（
Ｚ≦１）第１コンタクト層と、第２導電型Ｉｎ、−、、
（Ｇａ１−、ＡＩ、）、Ｐ第１クラッド層上及び＠２導
電型Ｉｎ、、（Ｇａ□−、Ａｌ５）、Ｐ＠１コンタクト
層上に設けられた第２導電型ＧａＡｓ第２コンタクト層
とからなシ、第２導電型工ｎ１−ｗ（Ｇａ、−、ＡＩア
）ＷＰ第１クラッド層と第２導電型Ｉｎ、−、（Ｇａ
、−ｚＡｌ、）、Ｐ第２クラッド層の各Ａ１組成ｙ、ｚ
が０．６≦ｙ＜ｚ≦１なる関係を有する半導体レーザ装
置を得ることにある。
（作用）
本発明によれば良好な電流狭窄を保ちつつ、素子のディ
メンジ薗ンを精度良く制御することができる。これＫよ
り低しきい値で素子特性にも優れた信頼性の高い半導体
レーザ装置を歩留ｔｂ良く製造することができる。
メンジ薗ンを精度良く制御することができる。これＫよ
り低しきい値で素子特性にも優れた信頼性の高い半導体
レーザ装置を歩留ｔｂ良く製造することができる。
（実施例）
以下、第１の発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図は、第１の発明に係る半導体レーザ装置の概略断
面構造を示す図である。第１図に示す半導体レーザ装置
では、先ず、ｎ型ＧａＡｓ基板１２上には、ｎ型Ｇ ａ
Ａ ｓバラフッ層１３が形成されている。このｎＭＧ
ａＡｓバッファ層１３上には、ｎ型Ｉｎｏ、５Ｇａｏ、
１ｓＡｌｏ、３ｓＰ（ｎ型Ｉ ｎ ｔ −ｗ （Ｇ ａ
ｌ−ｖＡｌｖ）ＷＰ Ｏ≦Ｖ≦１．０．５０≦Ｗ≦０．
５４）クラッド層１４．Ｉｎ□、５Ｇ８□、５Ｐ （Ｉ
ｎ１−Ｗ（Ｇａｌ−ｘＡｊｘ）ＷＰ Ｏ：ｘ＜ｖ＝１，
０．５０≦Ｗ≦０．５４）活性層１５゜く く Ｐ型Ｉ ｎ ｏ、 ｓ Ｇ ａ ｏ、 １ ｓ Ａ ｌ
ｏ、 ３ｓ Ｐ （Ｉ ｎ （Ｇ ａ ｘ ＋＋ｙ
−Ｗ ＡＪ？ ） Ｐ ｏ≦ｘ＜ｙ≦１．０．５０≦Ｗ
≦０．５４）第１り７ｗ ラッド層１６９部分的に設けられたストライプ状のＰ型
Ｉｒｌ。、ｓｌｏ、ｓＰ （Ｉｎ１−、（Ｇａ ｌ−Ｚ
”Ｚ）ｗＰＯ≦ｙ＜ｚ≦１．０．５０≦Ｗ≦０．５４）
第２クラッド層１７からなるダブルへテロ構造部（各層
のＡＪ組成がく ０＝Ｘ＜ｖ、ｙ≦なる関係を有する）が形成されている
。リプ構造をなすストライプ状のＰ型Ｉ ｏ０５Ａｌｏ
、５Ｐ第２クラッド層１７上には、Ｐ型Ｉ ｎ ｏ、ｓ
Ｇ ａく Ｑ、５Ｐ（”１−ｗ（Ｇ”１−ｓ人７．）、Ｐ ｏ＝
ｉ（ｚ≦１゜０．５０≦Ｗ≦０．５４）中間（第１）コ
ンタクト層１８上には、Ｐ型ＧａＡｓ（第２）コンタク
ト層１９が形成されている。そしてＰ型Ｇａ人３コンタ
クＦ層１９上にはＡｕ１Ｚｎ電極２０が形成され、ｎ型
ＧａＡｓ基板１２下面にはＡｕ１Ｇｅ電極２１が形成さ
れている。尚、ダブルへテロ構造部であるｎ型Ｉｎ
Ｇａ ｋｌ Ｐクラッド層 １４ｙ Ｉ
ｎ□、５０．５ ０．１５ ０．３５ Ｇａ Ｐ活性層１５．Ｐ型” ０．５ＧａＯ，１５
Ａ１０３５０．５ Ｐ第１クラッド層１６の各層及びＰ型Ｉ ｎ ｏ、 ｓ
Ｇ ａ ａｓＰ中間コンタクト層１８の格子定数はＧ
ａＡｓ基板１２の格子定数と略等しく（各層のＷはＯ，
Ｓ Ｏ≦Ｗ≦ｏ、ｓ４ｏ範囲にある）を且つｎ型Ｉ ｎ
０．５Ｇ ａ ０１５Ａ ｌ □、３５Ｐ Ｉラッド
層１４．Ｐ型Ｉｎ０．５ＧａＯ，１５ＡＪ Ｐ第１
クラッド層１６のバンドギヤ、プ０．３５ エネルギーはＩ ｎ ｏ、５Ｇａ □、５Ｐ活性層１５
のバンドギャップエネルギーより大きくなるようにＩｎ
、Ｇａλノの組成が決定されている。
面構造を示す図である。第１図に示す半導体レーザ装置
では、先ず、ｎ型ＧａＡｓ基板１２上には、ｎ型Ｇ ａ
Ａ ｓバラフッ層１３が形成されている。このｎＭＧ
ａＡｓバッファ層１３上には、ｎ型Ｉｎｏ、５Ｇａｏ、
１ｓＡｌｏ、３ｓＰ（ｎ型Ｉ ｎ ｔ −ｗ （Ｇ ａ
ｌ−ｖＡｌｖ）ＷＰ Ｏ≦Ｖ≦１．０．５０≦Ｗ≦０．
５４）クラッド層１４．Ｉｎ□、５Ｇ８□、５Ｐ （Ｉ
ｎ１−Ｗ（Ｇａｌ−ｘＡｊｘ）ＷＰ Ｏ：ｘ＜ｖ＝１，
０．５０≦Ｗ≦０．５４）活性層１５゜く く Ｐ型Ｉ ｎ ｏ、 ｓ Ｇ ａ ｏ、 １ ｓ Ａ ｌ
ｏ、 ３ｓ Ｐ （Ｉ ｎ （Ｇ ａ ｘ ＋＋ｙ
−Ｗ ＡＪ？ ） Ｐ ｏ≦ｘ＜ｙ≦１．０．５０≦Ｗ
≦０．５４）第１り７ｗ ラッド層１６９部分的に設けられたストライプ状のＰ型
Ｉｒｌ。、ｓｌｏ、ｓＰ （Ｉｎ１−、（Ｇａ ｌ−Ｚ
”Ｚ）ｗＰＯ≦ｙ＜ｚ≦１．０．５０≦Ｗ≦０．５４）
第２クラッド層１７からなるダブルへテロ構造部（各層
のＡＪ組成がく ０＝Ｘ＜ｖ、ｙ≦なる関係を有する）が形成されている
。リプ構造をなすストライプ状のＰ型Ｉ ｏ０５Ａｌｏ
、５Ｐ第２クラッド層１７上には、Ｐ型Ｉ ｎ ｏ、ｓ
Ｇ ａく Ｑ、５Ｐ（”１−ｗ（Ｇ”１−ｓ人７．）、Ｐ ｏ＝
ｉ（ｚ≦１゜０．５０≦Ｗ≦０．５４）中間（第１）コ
ンタクト層１８上には、Ｐ型ＧａＡｓ（第２）コンタク
ト層１９が形成されている。そしてＰ型Ｇａ人３コンタ
クＦ層１９上にはＡｕ１Ｚｎ電極２０が形成され、ｎ型
ＧａＡｓ基板１２下面にはＡｕ１Ｇｅ電極２１が形成さ
れている。尚、ダブルへテロ構造部であるｎ型Ｉｎ
Ｇａ ｋｌ Ｐクラッド層 １４ｙ Ｉ
ｎ□、５０．５ ０．１５ ０．３５ Ｇａ Ｐ活性層１５．Ｐ型” ０．５ＧａＯ，１５
Ａ１０３５０．５ Ｐ第１クラッド層１６の各層及びＰ型Ｉ ｎ ｏ、 ｓ
Ｇ ａ ａｓＰ中間コンタクト層１８の格子定数はＧ
ａＡｓ基板１２の格子定数と略等しく（各層のＷはＯ，
Ｓ Ｏ≦Ｗ≦ｏ、ｓ４ｏ範囲にある）を且つｎ型Ｉ ｎ
０．５Ｇ ａ ０１５Ａ ｌ □、３５Ｐ Ｉラッド
層１４．Ｐ型Ｉｎ０．５ＧａＯ，１５ＡＪ Ｐ第１
クラッド層１６のバンドギヤ、プ０．３５ エネルギーはＩ ｎ ｏ、５Ｇａ □、５Ｐ活性層１５
のバンドギャップエネルギーより大きくなるようにＩｎ
、Ｇａλノの組成が決定されている。
第１図で本発明の特徴とするところは、ダブルへテロ構
造部の上部クラッド層であるＰ型Ｉ ｎ ｏ、 ｓ”０
．１５ＡＩＯ，３５Ｐ第１り５ｗド層１６が、ＰｆｉＱ
ａ Ａ ｓコンタクトｒｇ１９とのへテロ接合界面で
のバンド不連続による障壁を発生させ、電流狭窄を起こ
させる機能を持ち、且つＰ型Ｉ ｎ ｏ、 ｓ Ａ ｌ
ｏ、 ｓＰ第２クラッド層１７をメサストライプ状に
エツチングする際のエツチングストップ層としての機能
を持つ点にある。
造部の上部クラッド層であるＰ型Ｉ ｎ ｏ、 ｓ”０
．１５ＡＩＯ，３５Ｐ第１り５ｗド層１６が、ＰｆｉＱ
ａ Ａ ｓコンタクトｒｇ１９とのへテロ接合界面で
のバンド不連続による障壁を発生させ、電流狭窄を起こ
させる機能を持ち、且つＰ型Ｉ ｎ ｏ、 ｓ Ａ ｌ
ｏ、 ｓＰ第２クラッド層１７をメサストライプ状に
エツチングする際のエツチングストップ層としての機能
を持つ点にある。
尚、半導体レーザ装置として動作するように、Ｐ型Ｉｎ
Ｏ，５ＧａＯ，１５Ａｌ Ｏ，３５Ｐ第１クラツド［１
６とＰ型Ｉ’０．５ＡＩ。、５Ｐ第２クラツド層１７と
の間Ｐ型Ｉ ｎ ｏ、 ｓ Ａ ｌ ｏ、 ｓ Ｐ第２
クラッドＭ１７とＰ型ＩｎＧａＰ 中間コンタクト層１
８との間１Ｐ型ＩｎＧａＰ中間コンタクト層１８とＰ型
ＧａＡｓコンタクト層１９との間はそれぞれ抵抗の小さ
いオーｔｙり接触が得られている。
Ｏ，５ＧａＯ，１５Ａｌ Ｏ，３５Ｐ第１クラツド［１
６とＰ型Ｉ’０．５ＡＩ。、５Ｐ第２クラツド層１７と
の間Ｐ型Ｉ ｎ ｏ、 ｓ Ａ ｌ ｏ、 ｓ Ｐ第２
クラッドＭ１７とＰ型ＩｎＧａＰ 中間コンタクト層１
８との間１Ｐ型ＩｎＧａＰ中間コンタクト層１８とＰ型
ＧａＡｓコンタクト層１９との間はそれぞれ抵抗の小さ
いオーｔｙり接触が得られている。
次に、第１図に示す半導体レーザ装置の製造方法を説明
する。
する。
第２図は、第１図に示す半導体レーザ装置の製造工程と
示す断面図である。先ず、第２図（ａ）に示スヨウニ面
方位（１ｏｏ）のｎ型ＧａＡｓ基板１２（Ｓｉドープ、
３ Ｘ １０” ｃｒｒｒ” ）上に、厚さ０．５μ
ｍｏｎ型ＧａＡｓ第１バッフ７層ｘ３（Ｓｉドープ。
示す断面図である。先ず、第２図（ａ）に示スヨウニ面
方位（１ｏｏ）のｎ型ＧａＡｓ基板１２（Ｓｉドープ、
３ Ｘ １０” ｃｒｒｒ” ）上に、厚さ０．５μ
ｍｏｎ型ＧａＡｓ第１バッフ７層ｘ３（Ｓｉドープ。
３〜５Ｘ１０’ＴｃｒｒＴ島）、厚さ０．８μｍＯｎ型
Ｉ” ０．５Ｇ”０．１５ ＡＩｏ、３５Ｐ クラ、ド
１９！ｊ１４ｃ８ｉ ドー−ｙ。
Ｉ” ０．５Ｇ”０．１５ ＡＩｏ、３５Ｐ クラ、ド
１９！ｊ１４ｃ８ｉ ドー−ｙ。
３〜５ Ｘ １０ｍ？ｃｒｒｉ”” ）厚さ０．０６
ａ ｍのＩｎＯ，５Ｇａ、５Ｐ活性層１５（アンドープ
）、厚さ０．２〜０．３ｊｊｍのＰ型”０．５”０．１
５”’０．３５Ｐ第１クラ、ドＲ１６（Ｚ ｎドープ、
３〜５ Ｘ １０” ｃｍ” ） 。
ａ ｍのＩｎＯ，５Ｇａ、５Ｐ活性層１５（アンドープ
）、厚さ０．２〜０．３ｊｊｍのＰ型”０．５”０．１
５”’０．３５Ｐ第１クラ、ドＲ１６（Ｚ ｎドープ、
３〜５ Ｘ １０” ｃｍ” ） 。
厚さ０．５ｔｓｍ、メサ底部幅５ μｍのＰ型Ｉ ｊ）
ｏ、 ５Ａｉｏ、５Ｐ第２クラツド層１７（Ｚｎドー
プ、３〜５Ｘ１０１マＣ−）、厚さ５ｏｏｎＯＰ型Ｉ
ｎ ｏ、ｓ Ｇ ａ ｏ、ｓＰ中間コンタクト層１８（
Ｚｎドープ、ｌＸｌ０口ｃｎｆ’ ） をＭＯＣＶ
Ｄ （Ｍｅ ｔ ａ ｌｏｒｇａｎ ｌｃ Ｃｈｅ
ｍｉｃａｌＶａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）法に
よりｍ次成長してダブルへテロウェハを形成する。そし
て、Ｐ型ｘｎｏ、ｓＧａ□、５Ｐ中間コンｆｉ り）
Ｍ １８ 上ｒｌｃ ＣＶ Ｄ 、Ｓ ｉＯｔｇレジス
ト膜を形成し、ＰＥＰ工程によシ幅５〜７μｍのストラ
イプ状のＳ ｉ Ｏ，膜２２を形成する。
ｏ、 ５Ａｉｏ、５Ｐ第２クラツド層１７（Ｚｎドー
プ、３〜５Ｘ１０１マＣ−）、厚さ５ｏｏｎＯＰ型Ｉ
ｎ ｏ、ｓ Ｇ ａ ｏ、ｓＰ中間コンタクト層１８（
Ｚｎドープ、ｌＸｌ０口ｃｎｆ’ ） をＭＯＣＶ
Ｄ （Ｍｅ ｔ ａ ｌｏｒｇａｎ ｌｃ Ｃｈｅ
ｍｉｃａｌＶａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）法に
よりｍ次成長してダブルへテロウェハを形成する。そし
て、Ｐ型ｘｎｏ、ｓＧａ□、５Ｐ中間コンｆｉ り）
Ｍ １８ 上ｒｌｃ ＣＶ Ｄ 、Ｓ ｉＯｔｇレジス
ト膜を形成し、ＰＥＰ工程によシ幅５〜７μｍのストラ
イプ状のＳ ｉ Ｏ，膜２２を形成する。
次に、第２図（ｂ）に示すように、ストライプ状のｓｉ
ｏ、膜２２をマスクとして臭化水素酸を臭素と水の混合
液によりＰ型Ｉ ｎ ｏ、 ｓ Ｇ ａ ｏ、 ｓ Ｐ
中間コンタクト＃１８を部分的にエツチングしてストラ
イプ状に形成する。そして次に、ストライプ状のＰ型”
０．５”０．５Ｐ中間コンタクト層１８をマスクとして
、６０〜ｓｏ’ｃの熱硫酸または熱リン酸によりＰ型Ｉ
ｎ ｏ、 ｓ Ａ ｌ ｏ、 ｓ Ｐ第２クラッド層
１７をエツチングしてストライブ状リッジ（メサ）を形
成する。熱硫酸または熱リン酸のＩｎＧａＡＩＰ用の選
択エッチャントは、Ａ１組成が小さい程エツィーング速
度が遅い（すなわち、Ａ１組成が大きい程゛エツチング
速度が速い）という性質を有しており、１５〜１３０’
Ｃの適当な温度で使用することによりＰ型工” ０．５
Ｇ” ０．１５ＡＩ ０．３５Ｐ第１クラツドＭ１６が
エツチングストッパーとして作用する。従って、Ｐ型Ｉ
ｎ Ｇａ ＡＩ Ｐ第１クラッド！５１６０．
５ ０．１５ ０．３５ の膜厚りを所望の値に制御することができ、その結果、
良好なモード制御を行なうことができる０次にストライ
プ状の８ ｉ ０．膜２２を除去した後、隣の水素化物
とＩｎの有機化合物を成長室に供給してＰとＩｎｏ蒸気
雰囲気中にてウェハを８００’Ｃ程度に加熱保持するこ
とによりウェハの表面酸化膜を除去する。その後、第２
図０に示すようにＰ型”０．５”０．１５”’０．３５
Ｐ第１クラッド層１６上、ストライプ状のＰ型Ｉｎ０．
５”’０．５Ｐ第２クラッド層１７の側壁上及びＰ型Ｉ
ｎＧａＰ中間コンタクト層１８上に、ＭＯＣＶＤ法によ
り厚さ３μｍのＰ型ＧａＡｓ＝ｚンタク）層１９ （Ｚ
ｎ Ｙ−）、 ３ＸｌｃＰ”ｃｒｆｆ”）を形成する
。そして電極性は工程により、Ｐ型ＱａＡｓコンタクト
層１９上面に人ｕ ／ Ｚ ｎ電極２０を、ｎ型ＧａＡ
ｓ基板１２下面にＡｕ／Ｇｅ電極２１を被着すること【
■第１図に示す半導体レーザ装置が得られる。
ｏ、膜２２をマスクとして臭化水素酸を臭素と水の混合
液によりＰ型Ｉ ｎ ｏ、 ｓ Ｇ ａ ｏ、 ｓ Ｐ
中間コンタクト＃１８を部分的にエツチングしてストラ
イプ状に形成する。そして次に、ストライプ状のＰ型”
０．５”０．５Ｐ中間コンタクト層１８をマスクとして
、６０〜ｓｏ’ｃの熱硫酸または熱リン酸によりＰ型Ｉ
ｎ ｏ、 ｓ Ａ ｌ ｏ、 ｓ Ｐ第２クラッド層
１７をエツチングしてストライブ状リッジ（メサ）を形
成する。熱硫酸または熱リン酸のＩｎＧａＡＩＰ用の選
択エッチャントは、Ａ１組成が小さい程エツィーング速
度が遅い（すなわち、Ａ１組成が大きい程゛エツチング
速度が速い）という性質を有しており、１５〜１３０’
Ｃの適当な温度で使用することによりＰ型工” ０．５
Ｇ” ０．１５ＡＩ ０．３５Ｐ第１クラツドＭ１６が
エツチングストッパーとして作用する。従って、Ｐ型Ｉ
ｎ Ｇａ ＡＩ Ｐ第１クラッド！５１６０．
５ ０．１５ ０．３５ の膜厚りを所望の値に制御することができ、その結果、
良好なモード制御を行なうことができる０次にストライ
プ状の８ ｉ ０．膜２２を除去した後、隣の水素化物
とＩｎの有機化合物を成長室に供給してＰとＩｎｏ蒸気
雰囲気中にてウェハを８００’Ｃ程度に加熱保持するこ
とによりウェハの表面酸化膜を除去する。その後、第２
図０に示すようにＰ型”０．５”０．１５”’０．３５
Ｐ第１クラッド層１６上、ストライプ状のＰ型Ｉｎ０．
５”’０．５Ｐ第２クラッド層１７の側壁上及びＰ型Ｉ
ｎＧａＰ中間コンタクト層１８上に、ＭＯＣＶＤ法によ
り厚さ３μｍのＰ型ＧａＡｓ＝ｚンタク）層１９ （Ｚ
ｎ Ｙ−）、 ３ＸｌｃＰ”ｃｒｆｆ”）を形成する
。そして電極性は工程により、Ｐ型ＱａＡｓコンタクト
層１９上面に人ｕ ／ Ｚ ｎ電極２０を、ｎ型ＧａＡ
ｓ基板１２下面にＡｕ／Ｇｅ電極２１を被着すること【
■第１図に示す半導体レーザ装置が得られる。
ここで、第１図に示す半導体レーザ装置のＰ型”０．５
”０．１５人”０．３５Ｐ第１クラツド層１６が、Ｐｇ
ＧａＡｓコンタクト層１９とのへテロ接合界面でのバン
ド不連続による壁壁を形成するための条件について説明
する。第３図は、第１図に示す半導体レーザ装置でスト
ライプ状のＰ型Ｉｎｏ、５ＡｚＯ，５Ｐ第２クラッド層
１７とＰ型ＩｎＧａＰ中間コンタクト層１８が存在しな
い外側の積層部を構成する電流ブロック部を示している
。この電流プロッり部の彫状は、３００Ｘ３００μｍ２
であり、半導体レーザ装置として素子化した場合とほぼ
同じ大きさである。第１図と同一部分には同一符号を付
している。そして、この第３図に示す電流プルツク部の
電流−電圧特性を第４図に示す。パラメータとして、Ｐ
型Ｉｎ、−、（ｏａ、−、Ａｌ、Ｗｐ第１クラッド層１
６のＡ１組成ｙを変化させている。
”０．１５人”０．３５Ｐ第１クラツド層１６が、Ｐｇ
ＧａＡｓコンタクト層１９とのへテロ接合界面でのバン
ド不連続による壁壁を形成するための条件について説明
する。第３図は、第１図に示す半導体レーザ装置でスト
ライプ状のＰ型Ｉｎｏ、５ＡｚＯ，５Ｐ第２クラッド層
１７とＰ型ＩｎＧａＰ中間コンタクト層１８が存在しな
い外側の積層部を構成する電流ブロック部を示している
。この電流プロッり部の彫状は、３００Ｘ３００μｍ２
であり、半導体レーザ装置として素子化した場合とほぼ
同じ大きさである。第１図と同一部分には同一符号を付
している。そして、この第３図に示す電流プルツク部の
電流−電圧特性を第４図に示す。パラメータとして、Ｐ
型Ｉｎ、−、（ｏａ、−、Ａｌ、Ｗｐ第１クラッド層１
６のＡ１組成ｙを変化させている。
尚、Ｐ型Ｉｎ １＋＋ 、 （Ｇ ａ ｔ ＋＋ 、
Ａ ｌ、 ） 、Ｐ第１クラッド層１６のキャリア濃度
は３ Ｘ Ｉ ＱＩ？ｃｒｒＴ”としている。第４１３
１１に示すようにＡ１組成ｙをｙ＝１．０゜０．７．０
．６．０．５と序々に小さくしていくと、第３図に示す
電流ブロック部に電流が流れ易くなる。
Ａ ｌ、 ） 、Ｐ第１クラッド層１６のキャリア濃度
は３ Ｘ Ｉ ＱＩ？ｃｒｒＴ”としている。第４１３
１１に示すようにＡ１組成ｙをｙ＝１．０゜０．７．０
．６．０．５と序々に小さくしていくと、第３図に示す
電流ブロック部に電流が流れ易くなる。
また第４図中の点線は、第１２図に示すＩｎＧａＡＪＰ
系半導体レーザ装置（コンタクト面積は５Ｘ ３００μ
ｒｎ”）が、２．０〜２．５ （ｖ）程度で動作する際
の電流−電圧特性を示している。第４図から判るようＫ
ＡＪ組成がｙ ＝ ０．６〜１．０では半導体レーザ装
置の電流狭窄に必要な電圧降下を得ることができるが、
ｙ＝０．５以下では動作電圧程度で電流ブロック部にｌ
Ｘｌ０〜ｌＸ１０”ｍ以上の電流が流れ電流狭窄に必要
な電圧降下が得られないことが判る。従って、電流狭窄
に必要な電圧降下を得るためにはｋ１組成ｙｔ−ｙ≧０
．６とする必要がある。
系半導体レーザ装置（コンタクト面積は５Ｘ ３００μ
ｒｎ”）が、２．０〜２．５ （ｖ）程度で動作する際
の電流−電圧特性を示している。第４図から判るようＫ
ＡＪ組成がｙ ＝ ０．６〜１．０では半導体レーザ装
置の電流狭窄に必要な電圧降下を得ることができるが、
ｙ＝０．５以下では動作電圧程度で電流ブロック部にｌ
Ｘｌ０〜ｌＸ１０”ｍ以上の電流が流れ電流狭窄に必要
な電圧降下が得られないことが判る。従って、電流狭窄
に必要な電圧降下を得るためにはｋ１組成ｙｔ−ｙ≧０
．６とする必要がある。
さらに、第１図のＰ型Ｉｎ１−Ｗ（Ｇａ１−、Ａｌ、）
、Ｐ第１クラ、ド層１６がＰ型”１−Ｗ（Ｇａ１−ＺＡ
４２）ＷＰ第２クラット°層１７をエツチングする際の
エツチングストップ層としての機能を持つためには、Ｐ
型Ｉｎ （Ｇａ ｋｌ ） Ｐ第２り１−
ｗｌ−ＺＺｗ ラッド層１７のＡ１組成がＰ型Ｉ ｎ １ ＋＋ Ｗ
（Ｇａ１−ｙＡｌ ｙ ） ｗ Ｐ ｓ １ ｌ ラッ
ド層１６１７）ＡＡ！組成より大きいととが必要である
。従りて、電流狭窄のためにＰ型Ｉｎ １−ｗ （Ｇａ
□−、Ａ／ 、 ）ｗＰ第１クラッド層１６のＡＪ組
成ｙが０≦ｙ≦０．６と規定され、さらに第１クラッド
層１６のｋ１組成ｙと第２クラッド層１７０ｋ１組成Ｚ
の関係は０≦ｙ＜ｚ≦１と規定される。従って、ｙ、ｚ
は０．６≦ｙ（ｚ≦１なる関係を必要とする。
、Ｐ第１クラ、ド層１６がＰ型”１−Ｗ（Ｇａ１−ＺＡ
４２）ＷＰ第２クラット°層１７をエツチングする際の
エツチングストップ層としての機能を持つためには、Ｐ
型Ｉｎ （Ｇａ ｋｌ ） Ｐ第２り１−
ｗｌ−ＺＺｗ ラッド層１７のＡ１組成がＰ型Ｉ ｎ １ ＋＋ Ｗ
（Ｇａ１−ｙＡｌ ｙ ） ｗ Ｐ ｓ １ ｌ ラッ
ド層１６１７）ＡＡ！組成より大きいととが必要である
。従りて、電流狭窄のためにＰ型Ｉｎ １−ｗ （Ｇａ
□−、Ａ／ 、 ）ｗＰ第１クラッド層１６のＡＪ組
成ｙが０≦ｙ≦０．６と規定され、さらに第１クラッド
層１６のｋ１組成ｙと第２クラッド層１７０ｋ１組成Ｚ
の関係は０≦ｙ＜ｚ≦１と規定される。従って、ｙ、ｚ
は０．６≦ｙ（ｚ≦１なる関係を必要とする。
尚、上記実施例において、ｎ型バッファ層１３とｎ型Ｉ
ｎＧａＡＩＰクラッド層１４との間にｎ型Ｉｎ。、５Ｇ
ａ、５Ｐ（Ｉｎ１−、、（Ｇａ、−ｐＡら） 、 Ｐ（
０，５０≦Ｗ≦０．５４．０≦ｐ≦１）バッファ層を形
成しても良いＯ 以上、本発明によシ、電流狭窄を妨げることなくモード
制御用のクラッド層厚を所望の値に制御することができ
るので、安定な横モードを有するＩｎＧａＡＪＰ系可視
半導体レーザを歩留シ良く製造することができる〇 次に、第２の発明の実施例を第５図を参照して説明する
。第５図では、第１図に示す半導体レーザ装置のＰ型”
ｎＯ，５Ｇ” ０．１５人ｌ□、３５Ｐり５．ド層１
６上にＰ型工” ０．５ Ｇａ０．５ Ｐ工” ｓ −
ｗ （Ｇ” ｔ −ｕＡｌｕ）ＷＰ ｏｉｕ（ｚ≦
１．０．５０≦Ｗ≦０．５４）ｚｙチンゲストツブ層２
３を設けたことを特徴とする。
ｎＧａＡＩＰクラッド層１４との間にｎ型Ｉｎ。、５Ｇ
ａ、５Ｐ（Ｉｎ１−、、（Ｇａ、−ｐＡら） 、 Ｐ（
０，５０≦Ｗ≦０．５４．０≦ｐ≦１）バッファ層を形
成しても良いＯ 以上、本発明によシ、電流狭窄を妨げることなくモード
制御用のクラッド層厚を所望の値に制御することができ
るので、安定な横モードを有するＩｎＧａＡＪＰ系可視
半導体レーザを歩留シ良く製造することができる〇 次に、第２の発明の実施例を第５図を参照して説明する
。第５図では、第１図に示す半導体レーザ装置のＰ型”
ｎＯ，５Ｇ” ０．１５人ｌ□、３５Ｐり５．ド層１
６上にＰ型工” ０．５ Ｇａ０．５ Ｐ工” ｓ −
ｗ （Ｇ” ｔ −ｕＡｌｕ）ＷＰ ｏｉｕ（ｚ≦
１．０．５０≦Ｗ≦０．５４）ｚｙチンゲストツブ層２
３を設けたことを特徴とする。
ココテハ、Ｐ型Ｉ ｎ 、 −ｗ （Ｇ ａ ｔ −、
人１ 、 ） 、Ｐ第１クラッド層１６のＡＩ組成子を
０．６≦ｙ≦１として電流狭窄機能を持たせ、さらにＰ
Ｍ工。、−１（Ｇａ１−ｕＡｌｕ）ＷＰエツチングスト
ップ層２３のＡＪ組成ＵをＯ≦Ｕ＜Ｚ≦１としてエツチ
ングストッパーとしての機能を持たせている。
人１ 、 ） 、Ｐ第１クラッド層１６のＡＩ組成子を
０．６≦ｙ≦１として電流狭窄機能を持たせ、さらにＰ
Ｍ工。、−１（Ｇａ１−ｕＡｌｕ）ＷＰエツチングスト
ップ層２３のＡＪ組成ＵをＯ≦Ｕ＜Ｚ≦１としてエツチ
ングストッパーとしての機能を持たせている。
ここで、第５図に示す半導体レーザ装置の製法にりいて
第６図を参照して説明する。先ず第６図（ａ） Ｋ示す
ように、第２図と同様にｎ型ＧａＡｓ基板１２上にｎ型
ＧａＡｓバッファ層１３、ｎ型Ｉ ｒｌ ｏ、ｓＧ ａ
ｏ、 １ ｓ Ａｊ ｏ、３ｓ Ｐ り５ ｔド層１
４１１ ｎ □、ｓＧ ａ ｏ、 ５Ｆ活性層ｌ ｓ
ｓ Ｐ型”０．５”０．１５”０３５Ｐ第１クラッド層
１６を順次積層するとともに、この上に厚さ５０λのＰ
型工ｎＱａＰエツチングストップ層２３を形成した後Ｐ
型Ｉ ｎ ｏ、 ｓ Ａ ｌ ｏ、 ｓ Ｐ第２クラッ
ド層１７、ＰＭＩｎ□、５０ａ□、ｓＰ中間コンタクト
層１８をＭＯＣＶＤ法により順次形成する。
第６図を参照して説明する。先ず第６図（ａ） Ｋ示す
ように、第２図と同様にｎ型ＧａＡｓ基板１２上にｎ型
ＧａＡｓバッファ層１３、ｎ型Ｉ ｒｌ ｏ、ｓＧ ａ
ｏ、 １ ｓ Ａｊ ｏ、３ｓ Ｐ り５ ｔド層１
４１１ ｎ □、ｓＧ ａ ｏ、 ５Ｆ活性層ｌ ｓ
ｓ Ｐ型”０．５”０．１５”０３５Ｐ第１クラッド層
１６を順次積層するとともに、この上に厚さ５０λのＰ
型工ｎＱａＰエツチングストップ層２３を形成した後Ｐ
型Ｉ ｎ ｏ、 ｓ Ａ ｌ ｏ、 ｓ Ｐ第２クラッ
ド層１７、ＰＭＩｎ□、５０ａ□、ｓＰ中間コンタクト
層１８をＭＯＣＶＤ法により順次形成する。
そしてＰ型Ｉｎｏ、５Ｇａｏ、５Ｐ中間コンタクト暦１
８上ＫＳｉＯ，膜、レジスト膜を形成した後ストライプ
状にパターニングしてＳｉｎ、膜２２を形成する。
８上ＫＳｉＯ，膜、レジスト膜を形成した後ストライプ
状にパターニングしてＳｉｎ、膜２２を形成する。
次に、第６図中）に示すように、臭化水素酸と臭素と水
の混合液によ＃）Ｐ型Ｉ ｎ ｏ、ｓ Ｇ ａ ｏ、
ｓ Ｐ中間コンタクト層１８をスジライブ状にエツチン
グし、さらに熱硫酸または熱リン酸によ）Ｐ型Ｉ ｎ
ｏ、□５Ａ７．５Ｐ第２クラッド層１７をストライプ状
にエツチングする。その後、第２図と同様に表面酸化膜
を除去してＰ型ＧａＡｓコンタクト層１９をＭＯＣＶＤ
法で形成し、上面及び下面にそれぞれＡ ｕ ／ Ｚ
ｎ （ｌ極２０．Ａｕ７００ｗ、極２１を形成する。こ
のＰ型ＩｎＧａＰエツチングストップ層２３がＰ型Ｉｎ
ＡｌＰ第２クラッドｒｆＪ１７をストライプ状にエツチ
ングするためのエツチングストッパーとしての機能を持
つためには、このＰ型ＩｎＡＩＰ第２クラッド層１７の
ＡＪ組成子り低いＡＩ組成子設定されている。そして、
下層のＰ型Ｉ ｎ ｏ、ｓＧａ ＡＩ Ｐ第１ク
ラッド幻１６が第１図０．１５ ０．３５ に示す場合と同様にＰ型ＧａＡｓコンタクト層１９に対
する電流狭窄機能を持つためには、Ｐ型ＩｎＧａＰエツ
チングストップＲ１ｊ２３の膜厚は、ｌＯＯλ以下が良
い。第７図は、笛５図においてＰ型ＩｎＧａＰエツチン
グストップ層２３の膜厚ｄを変化させた場合のＰ型Ｉ”
０．５ＧａＯ，５”’ ０．３５ Ｐ第１クラ、ド１
１６−Ｐ型ＩｎＧａＰエツチングストップ層２３−Ｐ型
ＧａＡｓコンタク）Ｎｌ ９間の電圧降下■について示
している。ＩｎＧａＡＩＰ系の半導体レーザ装置におい
ては、２．０Ｖ程度以上の動作電圧が必要であシ、その
動作時に良好に電流狭窄を行なうためには、２．５Ｖ以
上の電圧降下が必要であん従って、このためには第７図
から判るようにＰ型ＩｎＧａＰエツチングストップ層２
３の膜厚ｄは、１００＾以下であることが必要である。
の混合液によ＃）Ｐ型Ｉ ｎ ｏ、ｓ Ｇ ａ ｏ、
ｓ Ｐ中間コンタクト層１８をスジライブ状にエツチン
グし、さらに熱硫酸または熱リン酸によ）Ｐ型Ｉ ｎ
ｏ、□５Ａ７．５Ｐ第２クラッド層１７をストライプ状
にエツチングする。その後、第２図と同様に表面酸化膜
を除去してＰ型ＧａＡｓコンタクト層１９をＭＯＣＶＤ
法で形成し、上面及び下面にそれぞれＡ ｕ ／ Ｚ
ｎ （ｌ極２０．Ａｕ７００ｗ、極２１を形成する。こ
のＰ型ＩｎＧａＰエツチングストップ層２３がＰ型Ｉｎ
ＡｌＰ第２クラッドｒｆＪ１７をストライプ状にエツチ
ングするためのエツチングストッパーとしての機能を持
つためには、このＰ型ＩｎＡＩＰ第２クラッド層１７の
ＡＪ組成子り低いＡＩ組成子設定されている。そして、
下層のＰ型Ｉ ｎ ｏ、ｓＧａ ＡＩ Ｐ第１ク
ラッド幻１６が第１図０．１５ ０．３５ に示す場合と同様にＰ型ＧａＡｓコンタクト層１９に対
する電流狭窄機能を持つためには、Ｐ型ＩｎＧａＰエツ
チングストップＲ１ｊ２３の膜厚は、ｌＯＯλ以下が良
い。第７図は、笛５図においてＰ型ＩｎＧａＰエツチン
グストップ層２３の膜厚ｄを変化させた場合のＰ型Ｉ”
０．５ＧａＯ，５”’ ０．３５ Ｐ第１クラ、ド１
１６−Ｐ型ＩｎＧａＰエツチングストップ層２３−Ｐ型
ＧａＡｓコンタク）Ｎｌ ９間の電圧降下■について示
している。ＩｎＧａＡＩＰ系の半導体レーザ装置におい
ては、２．０Ｖ程度以上の動作電圧が必要であシ、その
動作時に良好に電流狭窄を行なうためには、２．５Ｖ以
上の電圧降下が必要であん従って、このためには第７図
から判るようにＰ型ＩｎＧａＰエツチングストップ層２
３の膜厚ｄは、１００＾以下であることが必要である。
さらに次に、第３の発明を第８図を参照して説明する。
この第８図に示す半導体レーザ装置は、第５図において
、Ｐ型”０．１５”’０．５Ｐ第２クラッド層１７のス
トライプ状領域下を除く両側のＰ型ＩｎＧａＰエツチン
グストップ層２３を除去したものである。次に、この製
法について説明するが、初期の工程は第６図（ａ）、Φ
）と同一である。この第３の発明では第９図（ａ）に示
すように第６図中）の状態からさらに一％ｓｉｏ、膜２
２をマスクとして臭化水素酸と臭素と水の混合液によシ
、ストライプ状メサの両側のＰ型Ｉ ｎ ｏ、 ｓ Ｇ
ａ ｏ、 ｓ Ｐエツチングストップ層２３をエツチ
ング除去する。
、Ｐ型”０．１５”’０．５Ｐ第２クラッド層１７のス
トライプ状領域下を除く両側のＰ型ＩｎＧａＰエツチン
グストップ層２３を除去したものである。次に、この製
法について説明するが、初期の工程は第６図（ａ）、Φ
）と同一である。この第３の発明では第９図（ａ）に示
すように第６図中）の状態からさらに一％ｓｉｏ、膜２
２をマスクとして臭化水素酸と臭素と水の混合液によシ
、ストライプ状メサの両側のＰ型Ｉ ｎ ｏ、 ｓ Ｇ
ａ ｏ、 ｓ Ｐエツチングストップ層２３をエツチ
ング除去する。
エツチングストップ層２３の厚さはｘｏｏｉと薄く、こ
の工程でのエツチング時間も５秒と短いため、Ｐ””０
．５ＧａＯ，５”０．３５Ｐ’Ｊｌクラ、ド層１６の膜
厚及びＰＭ”ｏ、ｓ”１０．ｓＰ第２クラッド層１７の
りッジ幅に与える影響は少なく、その結果再現性良く良
好に形成することができる。その後は、表面酸化膜を除
去して第９図中）に示すようにＰ型Ｉ” ０．５” ０
．１５”’ ０．３５Ｐ第１クラッド層１６上、Ｐ型Ｉ
ｎ ｏ、 ｓ Ａ ｌ ｏ、 ｓ Ｐ第２クラッド層
１７の側部及びＰ型Ｉ ｎ ｏ、 ｓ Ｇ ａ ｏ、
ｓ Ｐ中間コンタクトＭ！１８上Ｋ。
の工程でのエツチング時間も５秒と短いため、Ｐ””０
．５ＧａＯ，５”０．３５Ｐ’Ｊｌクラ、ド層１６の膜
厚及びＰＭ”ｏ、ｓ”１０．ｓＰ第２クラッド層１７の
りッジ幅に与える影響は少なく、その結果再現性良く良
好に形成することができる。その後は、表面酸化膜を除
去して第９図中）に示すようにＰ型Ｉ” ０．５” ０
．１５”’ ０．３５Ｐ第１クラッド層１６上、Ｐ型Ｉ
ｎ ｏ、 ｓ Ａ ｌ ｏ、 ｓ Ｐ第２クラッド層
１７の側部及びＰ型Ｉ ｎ ｏ、 ｓ Ｇ ａ ｏ、
ｓ Ｐ中間コンタクトＭ！１８上Ｋ。
ＭＯＣＶＤ法によりＰ型ＧａＡｓ：＋ン＃り）層１９を
形成し、上面及び下面にそれぞれＡｕ／Ｚｎ電極２０
、 Ａ ｕ ／ Ｇ ｅ電極２１を形成する。
形成し、上面及び下面にそれぞれＡｕ／Ｚｎ電極２０
、 Ａ ｕ ／ Ｇ ｅ電極２１を形成する。
以上、第８図、第９図に示す構造、製造方法によればし
きい値が４０〜４５ｍＡ、非点収差が約１０μｍの半導
体レーザ装置を得ることができる。
きい値が４０〜４５ｍＡ、非点収差が約１０μｍの半導
体レーザ装置を得ることができる。
尚、第１２図、第１３図に示す構造、製造方法では、ク
ラッド層の膜厚を十分に制御することができず・そのた
めしきい値が４０〜７０ ｍ Ａ 、非点収差が５〜３
０μｍと大幅なばらつきがあった。
ラッド層の膜厚を十分に制御することができず・そのた
めしきい値が４０〜７０ ｍ Ａ 、非点収差が５〜３
０μｍと大幅なばらつきがあった。
次に、第４の発明の実施例について説明する。
第１０図は、この第４の発明による半導体レーザ装置の
概略断面図を示している。第１Ｏ図では、第８図におい
てストライプ状メサを構成するＰ型Ｉｎｏ、５Ｇａｏ、
５Ｐ工ツチングストツプ層２３及びＰ型Ｉ ｎ Ａｊ
Ｐ第２クラッド層の両ｆｌｌＫ電流ブロック機能として
のｎ聾ＧａＡ ｓ （Ｇａ、−ＲＡ／ＲＡｓ 。
概略断面図を示している。第１Ｏ図では、第８図におい
てストライプ状メサを構成するＰ型Ｉｎｏ、５Ｇａｏ、
５Ｐ工ツチングストツプ層２３及びＰ型Ｉ ｎ Ａｊ
Ｐ第２クラッド層の両ｆｌｌＫ電流ブロック機能として
のｎ聾ＧａＡ ｓ （Ｇａ、−ＲＡ／ＲＡｓ 。
Ｏ≦８≦１）電流狭窄層２４が形成されている。
そしてこのｎ型ＱａＡｓ電流狭窄層２４上及びＰ型Ｉｎ
ＧａＰ中間コンタクト層上には、Ｐ型Ｇａ人３コンタク
ト層２５が形成されている。
ＧａＰ中間コンタクト層上には、Ｐ型Ｇａ人３コンタク
ト層２５が形成されている。
さらに、第１０図に示す半導体レーザ装置の製造方法に
ついて説明する。初期の工程は第６図（ａ）。
ついて説明する。初期の工程は第６図（ａ）。
Φ）及び第９図（ａ）の工程と同一である。この第４の
発明では、第１１図（ａ） Ｋ示すように第９図（ａ）
の状態で、ＳｔＯ，膜２２をマスクとしてＭＯＣＶＤ法
による選択成長を行い、ストライプ状メサのＰ型Ｉ ｎ
ｏ、 ｓ Ｇ ａ ｏ、 ｓ Ｐエツチングストップ
Ｉｔ１２３、ｐｇＩｎ□、５ＡＪ（、，５Ｐ第２クラッ
ド層の両側にｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層２４を形成する。
発明では、第１１図（ａ） Ｋ示すように第９図（ａ）
の状態で、ＳｔＯ，膜２２をマスクとしてＭＯＣＶＤ法
による選択成長を行い、ストライプ状メサのＰ型Ｉ ｎ
ｏ、 ｓ Ｇ ａ ｏ、 ｓ Ｐエツチングストップ
Ｉｔ１２３、ｐｇＩｎ□、５ＡＪ（、，５Ｐ第２クラッ
ド層の両側にｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層２４を形成する。
その後、Ｓｉｎ、膜２２を除去した後、ＭＯＣＶＤ法に
よｆｉＰ型ＧａＡｓコンタクト層２５を形成し、最後に
Ａｕ／Ｚｎ電極２０、Ａｕ／Ｇｅ電極２１を形成する。
よｆｉＰ型ＧａＡｓコンタクト層２５を形成し、最後に
Ａｕ／Ｚｎ電極２０、Ａｕ／Ｇｅ電極２１を形成する。
このようＫして製造された半導体レーザ装置は、共振器
長を３００μｍとした時、しきい値３５ｍＡで発振し、
２０ｍＷまで単一横モードの良好な特性が得られた。寿
命試験においても５０°Ｃ，５ｍｗの条件で２０００時
間以上の安定動作を確認した。
長を３００μｍとした時、しきい値３５ｍＡで発振し、
２０ｍＷまで単一横モードの良好な特性が得られた。寿
命試験においても５０°Ｃ，５ｍｗの条件で２０００時
間以上の安定動作を確認した。
また、３０ Ｘ ３ Ｑ ｍｍ”の大きさのウェハー面
内で上記の特性が再現性良く得られた。このように、本
発明によれば良好な素子特性を有する半導体レーザ装置
を歩留り良く製造することができた。
内で上記の特性が再現性良く得られた。このように、本
発明によれば良好な素子特性を有する半導体レーザ装置
を歩留り良く製造することができた。
本発明によれば、電流狭窄機能を良好に保ちつつ、素子
のディメンジ１ンを精度良く制御することができる。こ
れにより、素子特性の優れた半導体レーザ装置を歩留り
良く得ることができる。
のディメンジ１ンを精度良く制御することができる。こ
れにより、素子特性の優れた半導体レーザ装置を歩留り
良く得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による半導体レーザ装置を示す図、第２
図は第１図に示す半導体レーザ装置の製造工程を示す図
、第３図は電流ブロック部の構造を示す図、第４図は第
３図に示す電流ブロック部の電流−電圧特性図、第５図
乃至第１１図は本発明による他の半導体レーザ装置及び
その製造工程を示す図、第１２図及び第１３図は従来例
を示す図である。 １２ ・ｎ型ＧａＡｓ基板。 １３・・・ｎ型バッファ層〜 １４・ ｎ型Ｉｎ Ｇａ ＡＩ Ｐクラ、ド層、
０．５ ０．１５ ０．３５ １５ ” Ｉ ｎ ０．５” ０．５Ｐ活性層・１６
・Ｐ型”０．５”０．１５”０．３５Ｐクラ、ド層、１
７・・・Ｐ型Ｉｎ０．５ＡＩｏ、５Ｐクラッド層、１８
・・・Ｐ型Ｉｎ□、５Ｇａ□、５Ｆ中間コンタクト層１
１９・・・Ｐ型ＧａＡｓコンタクト層、２０．２１・・
・電極、 ２２・・・Ｓ ｔ Ｏ，膜、 ２３…Ｐ型Ｉ ｎ ｏ、 ５ Ｇ ａ ｏ、 ５ Ｐ
：Ｃッチ：／グストッフ層。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 松 山 光 ２ 第１図 第２図 第２図 第 図 を尺（Ｖ） 第 図 第 図 第 図 第 図 司Ｌ７ｊｄ（入） 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図
図は第１図に示す半導体レーザ装置の製造工程を示す図
、第３図は電流ブロック部の構造を示す図、第４図は第
３図に示す電流ブロック部の電流−電圧特性図、第５図
乃至第１１図は本発明による他の半導体レーザ装置及び
その製造工程を示す図、第１２図及び第１３図は従来例
を示す図である。 １２ ・ｎ型ＧａＡｓ基板。 １３・・・ｎ型バッファ層〜 １４・ ｎ型Ｉｎ Ｇａ ＡＩ Ｐクラ、ド層、
０．５ ０．１５ ０．３５ １５ ” Ｉ ｎ ０．５” ０．５Ｐ活性層・１６
・Ｐ型”０．５”０．１５”０．３５Ｐクラ、ド層、１
７・・・Ｐ型Ｉｎ０．５ＡＩｏ、５Ｐクラッド層、１８
・・・Ｐ型Ｉｎ□、５Ｇａ□、５Ｆ中間コンタクト層１
１９・・・Ｐ型ＧａＡｓコンタクト層、２０．２１・・
・電極、 ２２・・・Ｓ ｔ Ｏ，膜、 ２３…Ｐ型Ｉ ｎ ｏ、 ５ Ｇ ａ ｏ、 ５ Ｐ
：Ｃッチ：／グストッフ層。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 松 山 光 ２ 第１図 第２図 第２図 第 図 を尺（Ｖ） 第 図 第 図 第 図 第 図 司Ｌ７ｊｄ（入） 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図
Claims (8)
- （１）第１導電型半導体基板と、この半導体基板上に設
けられた第１導電型クラッド層、活性層及び第２導電型
Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇａ＿１＿−＿ｙＡｌ＿ｙ）＿ｗＰ
第１クラッド層からなるダブルヘテロ構造部と、前記第
２導電型Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇａ＿１＿−＿ｙＡｌ＿ｙ
）＿ｗＰ第１クラッド層上に部分的に設けられた第２導
電型Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇａ＿１＿−＿ｚＡｌ＿ｚ）＿
ｗＰ第２クラッド層と、この第２導電型Ｉｎ＿１＿−＿
ｗ（Ｇａ＿１＿−＿ｚＡｌ＿ｚ）＿ｗＰ第２クラッド層
上に設けられた第２導電型Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇａ＿１
＿−＿ｓＡｌ＿ｓ）＿ｗＰ（Ｏ＜Ｓ＜Ｚ≦１）第１コン
タクト層と、前記第２導電型Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇａ＿
１＿−＿ｙＡｌ＿ｙ）＿ｗＰ第１クラッド層上及び前記
第２導電型Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇａ＿１＿−＿ｓＡｌ＿
ｓ）＿ｗＰ第１コンタクト層上に設けられた第２導電型
ＧａＡｓ第２コンタクト層とからなり、前記第２導電型
Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇａ＿１＿−＿ｙＡｌ＿ｙ）＿ｗＰ
第１クラッド層と前記第２導電型Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇ
ａ＿１＿−＿ｚＡｌ＿ｚ）＿ｗＰ第２クラッド層の各Ａ
ｌ組成ｙ、ｚが、０．６≦ｙ＜ｚ≦１なる関係を有する
ことを特徴とする半導体レーザ装置。 - （２）第１導電型半導体基板と、この半導体基板上に設
けられた第１導電型クラッド層、活性層及び第２導電型
Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇａ＿１＿−＿ｙＡｌ＿ｙ）＿ｗＰ
第１クラッド層からなるダブルヘテロ構造部と、前記第
２導電型Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇａ＿１＿−＿ｙＡｌ＿ｙ
）＿ｗＰ第１クラッド層上に設けられた膜厚が１００Å
以下の第２導電型Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇａ＿１＿−＿ｕ
Ａｌ＿ｕ）＿ｗＰ層と、この第２導電型Ｉｎ＿１＿−＿
ｗ（Ｇａ＿１＿−＿ｕＡｌ＿ｕ）＿ｗＰ層上に部分的に
設けられた第２導電型Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇａ＿１＿−
＿ｚＡｌ＿ｚ）＿ｗＰ第２クラッド層と、この第２導電
型Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇａ＿１＿−＿ＺＡｌ＿Ｚ）＿ｗ
Ｐ第２クラッド層上に設けられた第２導電型Ｉｎ＿１＿
−＿ｗ（Ｇａ＿１＿−＿ｓＡｌ＿ｓ）＿ｗＰ（Ｏ＜Ｓ＜
Ｚ≦１）第１コンタクト層と、前記第２導電型Ｉｎ＿１
＿−＿ｗ（Ｇａ＿１＿−＿ｕＡｌ＿ｕ）＿ｗＰ層上及び
前記第２導電型Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇａ＿１＿−＿ｓＡ
ｌ＿ｓ）＿ｗＰ第１コンタクト層上に設けられた第２導
電型ＧａＡｓ第２コンタクト層とからなり、前記第２導
電型Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇａ＿１＿−＿ｙＡｌ＿ｙ）＿
ｗＰ第１クラッド層、前記第２導電型Ｉｎ＿１＿−＿ｗ
（Ｇａ＿１＿−＿ｕＡｌ＿ｕ）＿ｗＰ層、前記第２導電
型Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇａ＿１＿−＿ｚＡｌ＿ｚ）＿ｗ
Ｐ層第２クラッド層の各Ａｌ組成ｙ、ｕ、Ｚが、０．６
≦ｙ≦１及びＯ≦ｕ＜ｚ≦１ なる関係を有することを特徴とする半導体レーザ装置。 - （３）第１導電型半導体基板と、この半導体基板上に設
けられた第１導電型クラッド層、活性層及び第２導電型
Ｉｎ＿１＿−＿ｙ（Ｇａ＿１＿−＿ｙＡｌ＿ｙ）＿ｗＰ
第１クラッド層からなるダブルヘテロ構造部と、前記第
２導電型Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇａ＿１＿−＿ｙＡｌ＿ｙ
）＿ｗＰ第１クラッド層上に部分的に設けられた 第２導電型Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇａ＿１＿−＿ｕＡｌ＿
ｕ）＿ｗＰ層と、この第２導電型Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇ
ａ１−＿ｕＡｌ＿ｕ）＿ｗＰ層上に設けられた第２導電
型Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇａ＿１＿−＿ｚＡｌ＿ｚ）＿ｗ
Ｐ第２クラッド層と、この第２導電型Ｉｎ＿１＿−＿ｗ
（Ｇａ＿１＿−＿ｚＡｌ＿ｚ）＿ｗＰ第２クラッド層上
に設けられた第２導電型Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇａ＿１＿
−＿ｓＡｌ＿ｓ）＿ｗＰ（Ｏ＜Ｓ＜Ｚ≦１）第１コンタ
クト層と、前記第２導電型Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇａ＿１
＿−＿ｙＡｌ）＿ｗＰ第１クラッド層及び前記第２導電
型Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇａ＿１＿−＿ｓＡｌ＿ｓ）＿ｗ
Ｐ第１コンタクト層上に設けられた第２導電型ＧａＡｓ
第２コンタクト層とからなり、前記第２導電型Ｉｎ＿１
＿−＿ｗ（Ｇａ＿１＿−＿ｙＡｌ＿ｙ）＿ｗＰ第１クラ
ッド層、前記第２導電型Ｉｎ＿１＿−＿ｕＡｌ＿ｕ）＿
ｗＰ層及び前記第２導電型Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇａ＿１
＿−＿ｚＡｌ＿ｚ）＿ｗＰ第２クラッド層の各Ａｌ組成
ｙ、ｕ、ｚが、０．６≦ｙ≦１及びＯ≦ｕ＜ｚ≦１なる
関係を有することを特徴とする半導体レーザ装置。 - （４）前記第２導電型Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇａ＿１＿−
＿ｙＡｌ＿ｙ）＿ｗＰ第１クラッド層と前記第２導電型
ＧａＡｓ第２コンタクト層の間には、第１導電型半導体
層が形成されていることを特徴とする請求項３記載の半
導体レーザ装置。 - （５）第１導電型半導体基板上に、第１導電型クラッド
層、活性層、第２導電型Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇａ＿１＿
−＿ｙＡｌ＿ｙ）＿ｗＰ第クラッド層、第２導電型Ｉｎ
＿１＿−＿ｗ（Ｇａ＿１＿−＿ｚＡｌ＿ｚ）＿ｗＰ（０
．６≦ｙ＜ｚ≦１）第２クラッド層及び第２導電型Ｉｎ
＿１＿−＿ｗ（Ｇａ＿１＿−＿ｓＡｌ＿ｓ）＿ｗＰ（Ｏ
＜Ｓ＜Ｚ≦１）第１コンタクト層を順次形成する工程と
、前記第２導電型Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇａ＿１＿−＿ｓ
Ａｌ＿ｓ）＿ｗＰ第１コンタクト層を部分的に除去する
とともに前記第２導電型Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇａ＿１＿
−＿ｚＡｌ＿ｚ）＿ｗＰ第２クラッド層を前記第２導電
型Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇａ＿１＿−＿ｙＡｌ＿ｙ）＿ｗ
Ｐ第１クラッド層をエッチングストップ層として部分的
にエッチング除去してストライプ状のリッジを形成する
工程と、前記第２導電型Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇａ＿１＿
−＿ｙＡｌ＿ｙ）＿ｗＰ第１クラッド層上及び前記第２
導電型Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇａ＿１＿−＿ｓＡｌ＿ｓ）
＿ｗＰ第１コンタクト層上に第２導電型ＧａＡｓ第２コ
ンタクト層を形成する工程とからなることを特徴とする
半導体レーザ装置の製造方法。 - （６）第１導電型半導体基板上に、第１導電型クラッド
層、活性層、第２導電型Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇａ＿１＿
−＿ｙＡｌ＿ｙ）＿ｗＰ（０．６≦ｙ≦１）第１クラッ
ド層、膜厚が１００Å以下の第２導電型Ｉｎ＿１＿−＿
ｗ（Ｇａ＿１＿−＿ｕＡｌ＿ｕ）＿ｗＰエッチングスト
ップ層、第２導電型Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇａ＿１＿−＿
ｚＡｌ＿ｚ）＿ｗＰ（ｏ≦ｕ＜ｚ第２クラッド層及び第
２導電型Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇａ＿１＿−＿ｓＡｌ＿ｓ
）＿ｗＰ（ｏ＜ｓ＜ｚ≦１）第１コンタクト層を順次形
成する工程と、前記第２導電型Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇａ
＿１＿−＿ｓＡｌ＿ｓ）＿ｗＰ第１コンタクト層を部分
的に除去するとともに前記第２導電型Ｉｎ＿１＿−＿ｗ
（Ｇａ＿１＿−＿ｚＡｌ＿ｚ）＿ｗＰ第２クラッド層を
前記第２導電型Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇａ＿１＿−＿ｕＡ
ｌ＿ｕ）＿ｗＰエッチングストップ層をエッチングスト
ッパーとして部分的にエッチング除去してストライプ状
のリッジを形成する工程と、前記第２導電型Ｉｎ＿１＿
−＿ｗ（Ｇａ＿１＿−＿ｕＡｌ＿ｕ）＿ｗＰエッチング
ストップ層上及び前記第２導電型Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇ
ａ＿１＿−＿ｓＡｌ＿ｓ）＿ｗＰ第１コンタクト層上に
第２導電型ＧａＡｓ第２コンタクト層を形成する工程と
からなることを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法
。 - （７）第１導電型半導体基板上に、第１導電型クラッド
層、活性層、第２導電型Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇａ＿１＿
−＿ｙＡｌ＿ｙ）＿ｗＰ（０．６≦ｙ≦１）第１クラッ
ド層、第２導電型Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇａ＿１ ＿ｕＡｌ＿ｕ）＿ｗＰエッチングストップ層、第２導電
型Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇａ＿１＿−＿ｚＡｌ＿ｚ）＿ｗ
Ｐ（ｏ≦ｕ＜ｚ≦１）第２クラッド層及び第２導電型Ｉ
ｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇａ＿１＿−＿ｓＡｌ＿ｓ）＿ｗＰ第
１コンタクト層を順次形成する工程と、前記第２導電型
Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇａ＿１＿−＿ｓＡｌ＿ｓ）＿ｗＰ
（ｏ＜ｓ＜ｚ≦１）第１コンタクト層を部分的に除去す
るとともに前記第２導電型Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇａ＿１
＿−＿ｚＡｌ＿ｚ）＿ｗＰ第２クラッド層を前記第２導
電型Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇａ＿１＿−＿ｕＡｌ＿ｕ）＿
ｗＰエッチングストップ層をエッチングストップ層とし
て部分的にエッチング除去してストライプ状のリッジを
形成する工程と、前記メサストライプ形成領域外の前記
第２導電型Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇａ＿１＿−＿ｕＡｌ＿
ｕ）＿ｗＰエッチングストップ層を部分的にエッチング
除去する工程と、前記第２導電型Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇ
ａ＿１＿−＿ｕＡｌ＿ｕ）＿ｗＰエッチングストップ層
が除去された前記第２導電型Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇａ＿
１＿−＿ｙＡｌ＿ｙ）＿ｗＰ第１クラッド層上及び前記
第２導電型Ｉｎ１−＿ｗ（Ｇａ＿１＿−＿ｓＡｌ＿ｓ）
＿ｗＰ第１コンタクト層上に第２導電型ＧａＡｓ第２コ
ンタクト層を形成する工程とからなることを特徴とする
半導体レーザ装置の製造方法。 - （８）前記第２導電型ＧａＡｓ第２コンタクト層は、前
記第２導電型Ｉｎ＿１＿−＿ｗ（Ｇａ＿１＿−＿ｙＡｌ
＿ｙ）＿ｗＰ第１クラッド層上に形成された第１導電型
半導体層上に形成されることを特徴とする請求項７記載
の半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1040201A JP2807250B2 (ja) | 1989-02-22 | 1989-02-22 | 半導体レーザ装置 |
| US07/478,961 US5023880A (en) | 1989-02-22 | 1990-02-12 | Semiconductor laser device |
| EP90301908A EP0384756B1 (en) | 1989-02-22 | 1990-02-22 | Semiconductor laser device |
| DE69026972T DE69026972T2 (de) | 1989-02-22 | 1990-02-22 | Halbleiterlaservorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1040201A JP2807250B2 (ja) | 1989-02-22 | 1989-02-22 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02220488A true JPH02220488A (ja) | 1990-09-03 |
| JP2807250B2 JP2807250B2 (ja) | 1998-10-08 |
Family
ID=12574171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1040201A Expired - Lifetime JP2807250B2 (ja) | 1989-02-22 | 1989-02-22 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5023880A (ja) |
| EP (1) | EP0384756B1 (ja) |
| JP (1) | JP2807250B2 (ja) |
| DE (1) | DE69026972T2 (ja) |
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| US11228160B2 (en) * | 2018-11-15 | 2022-01-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | AlGaInPAs-based semiconductor laser device and method for producing same |
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|---|---|---|---|---|
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-
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- 1989-02-22 JP JP1040201A patent/JP2807250B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-02-12 US US07/478,961 patent/US5023880A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-02-22 EP EP90301908A patent/EP0384756B1/en not_active Expired - Lifetime
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| JPH04159790A (ja) * | 1990-10-23 | 1992-06-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザの製造方法 |
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