JPH02221131A - 光学素子成形用型 - Google Patents
光学素子成形用型Info
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- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 26
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- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
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- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光学素子成形用型に関する。
一般に、例えば特公昭５５−１１６２４号公報等に開示
されるように、光学ガラスを加熱軟化させ、これを加圧
成形することにより所望形状の光学素子を得る方法が知
られている。この方法によれば、従来の研磨加工方法で
は加工が困難な形状、例えば非球面形状等を存する高品
質な光学ガラス素子を成形することが可能となり、また
製造コストを著しく低くすることが可能となる。ところ
が、この方法では、光学ガラスを加熱軟化させて加圧成
形するために、光学ガラスと成形用型との離型性に問題
があった。離型性が悪いと、高温状態下で加熱プレスさ
れたガラスが成形用型に付着してしまい、成形用型の再
使用が不可能となって、型寿命が短（なってしまう。
されるように、光学ガラスを加熱軟化させ、これを加圧
成形することにより所望形状の光学素子を得る方法が知
られている。この方法によれば、従来の研磨加工方法で
は加工が困難な形状、例えば非球面形状等を存する高品
質な光学ガラス素子を成形することが可能となり、また
製造コストを著しく低くすることが可能となる。ところ
が、この方法では、光学ガラスを加熱軟化させて加圧成
形するために、光学ガラスと成形用型との離型性に問題
があった。離型性が悪いと、高温状態下で加熱プレスさ
れたガラスが成形用型に付着してしまい、成形用型の再
使用が不可能となって、型寿命が短（なってしまう。
そこで、従来、特開昭６２−８７４２３号公報に開示さ
れるように、例えば金属からなる型基材の表面にクロム
（Ｃｒ）および窒素（Ｎ）を主成分とする化合物の被膜
を形成し、離型性を良好にした成形用型が用いられてい
た。
れるように、例えば金属からなる型基材の表面にクロム
（Ｃｒ）および窒素（Ｎ）を主成分とする化合物の被膜
を形成し、離型性を良好にした成形用型が用いられてい
た。
しかし、上記のようにＣｒおよびＮを主成分とする化合
物の被膜を形成した成形用型では、ガラスの成形および
熱間加工の各工程における温度サイクルによって、型基
材と被膜との線膨張係数の差から次式のような熱応力が
発生する。
物の被膜を形成した成形用型では、ガラスの成形および
熱間加工の各工程における温度サイクルによって、型基
材と被膜との線膨張係数の差から次式のような熱応力が
発生する。
σい−Ｅｆ（α、−α、）（Ｔ−Ｔａ）σＬｋ：熱応力
Ｅ、：被膜のヤング率
αｆ ：被膜の線膨張係数
α、：型基材の線膨張係数
Ｔ ：成形時の温度
Ｔｏ ：常温
したがって、被膜の線膨張係数α、と型基材の線膨張係
数α、との差が大きい程、熱応力も大きくなる。従来の
成形用型では、型基材と被膜との線膨張係数の差が大き
いため、両者の間に大きな熱応力が生じ、型基材から被
膜が剥離したり、被膜にクラックが発生するとう問題が
あった。
数α、との差が大きい程、熱応力も大きくなる。従来の
成形用型では、型基材と被膜との線膨張係数の差が大き
いため、両者の間に大きな熱応力が生じ、型基材から被
膜が剥離したり、被膜にクラックが発生するとう問題が
あった。
本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので
、型基材とＣｒ−ＮＪＩ被膜との間に生じる熱応力が小
さく、膜剥離等を生じることがない、長寿命の光学素子
成形用型を提供することを目的とする。
、型基材とＣｒ−ＮＪＩ被膜との間に生じる熱応力が小
さく、膜剥離等を生じることがない、長寿命の光学素子
成形用型を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明は、ＣｒおよびＮを
主成分とする化合物の被膜により少なくとも成形面の最
表層を形成してなる光学素子成形用型において、型基材
と前記被膜との間に、線膨張係数が型基材を形成する材
料（例えばＳｉＣ等）と前記被膜を形成する材料との間
に値を有する材料からなる膜を少な（とも−層形成した
中間層を設けた。
主成分とする化合物の被膜により少なくとも成形面の最
表層を形成してなる光学素子成形用型において、型基材
と前記被膜との間に、線膨張係数が型基材を形成する材
料（例えばＳｉＣ等）と前記被膜を形成する材料との間
に値を有する材料からなる膜を少な（とも−層形成した
中間層を設けた。
ここで、例えばＳｉＣの線膨張係数は３．９×１０−’
（”Ｃ−’）であり、Ｃｒ−Ｎ系被膜の線膨張係数は
７．５Ｘ１０−”（’Ｃ伺）である、したがって、例え
ばＳｉＣにより型基材を形成した場合では、型基材とＣ
ｒ−Ｎ系被膜との間の線膨張係数を有する材料として、
Ｔａ、 ＡＮＮ、 ＺｒＮ等が適当である。 これら材
料の各線膨張係数は、Ｔａが６．６Ｘ １０−’ＣＣ−
’）、八ｌＮが５．Ｏｘ １０−’（’ｃ−’）、Ｚｒ
Ｎが７．２４ｘｔＯ−’（’Ｃ”’）である。
（”Ｃ−’）であり、Ｃｒ−Ｎ系被膜の線膨張係数は
７．５Ｘ１０−”（’Ｃ伺）である、したがって、例え
ばＳｉＣにより型基材を形成した場合では、型基材とＣ
ｒ−Ｎ系被膜との間の線膨張係数を有する材料として、
Ｔａ、 ＡＮＮ、 ＺｒＮ等が適当である。 これら材
料の各線膨張係数は、Ｔａが６．６Ｘ １０−’ＣＣ−
’）、八ｌＮが５．Ｏｘ １０−’（’ｃ−’）、Ｚｒ
Ｎが７．２４ｘｔＯ−’（’Ｃ”’）である。
上記構成の光学素子成形用型においては、型基材とＣｒ
−Ｎ系被膜との間に特定の中間層を設けたので、型基材
と中間層との間および中間層とＣｒ−Ｎ系被膜との間に
生じる各熱応力は、型基材とＣｒ−Ｎ系被膜との間で生
じている熱応力より小さくなる。
−Ｎ系被膜との間に特定の中間層を設けたので、型基材
と中間層との間および中間層とＣｒ−Ｎ系被膜との間に
生じる各熱応力は、型基材とＣｒ−Ｎ系被膜との間で生
じている熱応力より小さくなる。
したがって、全体として成形用型に生じる熱応力が緩和
される。この結果、光学ガラスの成形および熱間加圧の
各工程における温度サイクルにおいて十分な耐久性を有
することになり、成形用型の型寿命が長くなる。
される。この結果、光学ガラスの成形および熱間加圧の
各工程における温度サイクルにおいて十分な耐久性を有
することになり、成形用型の型寿命が長くなる。
（第１実施例）
第１図に示すように、ＳｉＣからなる型基材ｌを所瞥形
状に加工し、光学的要求の生じる成形面１ａに鏡面研磨
を施した。そして、その成形面１ａに、スパッタ法によ
りＴａ単体膜２を中間層として約０．２５μｍの厚さで
形成した。また、このＴａ単体１１１２の上に、同じく
スパッタ法によりＣｒ−Ｎ系被１Ｉ１３を最表層として
約０．３μ密の厚さで形成し、光学素子成形用型を得た
。
状に加工し、光学的要求の生じる成形面１ａに鏡面研磨
を施した。そして、その成形面１ａに、スパッタ法によ
りＴａ単体膜２を中間層として約０．２５μｍの厚さで
形成した。また、このＴａ単体１１１２の上に、同じく
スパッタ法によりＣｒ−Ｎ系被１Ｉ１３を最表層として
約０．３μ密の厚さで形成し、光学素子成形用型を得た
。
本実施例の光学素子成形用型を用いて光学素子の成形を
５０００ショット行ったところ、成形面には全く変化が
なく、膜剥離は生しなかった。また、光学的要求等の初
期性能も維持していた。すなわち、本実施例の光学素子
成形用型は、中間層として設けたＴａ単体膜２によって
型基ｕｌとＣｒ−Ｎ系被膜３との間に生ずる熱応力を緩
和することができ、膜剥離等がなく、型寿命が長くなる
。
５０００ショット行ったところ、成形面には全く変化が
なく、膜剥離は生しなかった。また、光学的要求等の初
期性能も維持していた。すなわち、本実施例の光学素子
成形用型は、中間層として設けたＴａ単体膜２によって
型基ｕｌとＣｒ−Ｎ系被膜３との間に生ずる熱応力を緩
和することができ、膜剥離等がなく、型寿命が長くなる
。
なお、本実施例におけるＴａ単体膜２の代わりに、ＡＩ
Ｎ系膜またはＺｒ−Ｎ系膜を用いても同様の効果を得る
ことができる。
Ｎ系膜またはＺｒ−Ｎ系膜を用いても同様の効果を得る
ことができる。
（第２実施例）
第２図に示すように、ＳｉＣからなる型基材１を所望形
状に加工し、光学的要求の生じる成形面１ａに鏡面研磨
を施した。そして、その成形面１ａに、イオンブレーテ
ィング法によりｉ−Ｎ系１１１４を約０．１μ噸の厚さ
で形成した後、そのＡＮＮ系ｙ、４上にＴａ単体膜２を
約０．１μ−の厚さで形成し、さらにＴａ単体膜２上に
Ｚｒ−Ｎ系膜５を約０．１μ霞の厚さで形成し、三層構
造の中間層とした。
状に加工し、光学的要求の生じる成形面１ａに鏡面研磨
を施した。そして、その成形面１ａに、イオンブレーテ
ィング法によりｉ−Ｎ系１１１４を約０．１μ噸の厚さ
で形成した後、そのＡＮＮ系ｙ、４上にＴａ単体膜２を
約０．１μ−の厚さで形成し、さらにＴａ単体膜２上に
Ｚｒ−Ｎ系膜５を約０．１μ霞の厚さで形成し、三層構
造の中間層とした。
また、Ｚｎ−Ｎ系膜５上にＣｒ−Ｎ系被膜３を最表層と
して約０．２５μ−の厚さで形成し、光学素子成形用型
を得た。
して約０．２５μ−の厚さで形成し、光学素子成形用型
を得た。
本実施例の光学素子成形用型を用いて光学素子の成形を
５０００ショット行ったところ、前記第１実施例と同様
にして、成形面には全く変化がなく、膜剥離は生じなか
った。また、光学的要求等の初期性能も維持していた。
５０００ショット行ったところ、前記第１実施例と同様
にして、成形面には全く変化がなく、膜剥離は生じなか
った。また、光学的要求等の初期性能も維持していた。
すなわち、本実施例の光学素子成形用型は、Ａρ−Ｎ系
膜、４．Ｔａ単体膜２およびＺｒ−Ｎ系膜５を型基材１
に近い線膨張係数を有するものから順に積層した中間層
によって、型基材ｌとＣｒ−Ｎ系被１１！３との間に生
ずる熱応力を緩和することができ、膜剥離等がなく、型
寿命が長くなる。
膜、４．Ｔａ単体膜２およびＺｒ−Ｎ系膜５を型基材１
に近い線膨張係数を有するものから順に積層した中間層
によって、型基材ｌとＣｒ−Ｎ系被１１！３との間に生
ずる熱応力を緩和することができ、膜剥離等がなく、型
寿命が長くなる。
なお、本実施例における中間層の代わりに、例えばＡＩ
Ｎ系膜、Ｔａ単体膜、Ｚｒ−Ｎ系膜の中から２種類選択
し、２層構造の中間層を設けても同様の効果を得ること
ができる。
Ｎ系膜、Ｔａ単体膜、Ｚｒ−Ｎ系膜の中から２種類選択
し、２層構造の中間層を設けても同様の効果を得ること
ができる。
〔発明の効果］
以上のように、本発明の光学素子成形用型によれば、型
基材とＣｒ−Ｎ系被膜との間に、線膨張係数が両者の間
の値を有する材料からなる膜を中間層として設けている
ので、型基本とＣｒ−系被膜との間に生じる熱応力を緩
和でき、膜剥離等を生じることなく、型寿命が長くなる
。
基材とＣｒ−Ｎ系被膜との間に、線膨張係数が両者の間
の値を有する材料からなる膜を中間層として設けている
ので、型基本とＣｒ−系被膜との間に生じる熱応力を緩
和でき、膜剥離等を生じることなく、型寿命が長くなる
。
第１図は本発明の光学素子成形用型の第１実施例を示す
縦断面図、第２図は本発明の光学素子成形用型の第２実
施例を示す縦断面図である。 １・・・型基材 １ａ・・・成形面 ２・・・Ｔａ単体膜 ３・・・Ｃｒ−Ｎ系被膜 ４・・・ＡＮ−Ｎ系膜 ５・・・Ｚｒ−Ｎ系膜 特許出願人 オリンパス光学工業株式会社第１図 □□−一 ■・・・型基材 ｌａ・・・成形面 ２・・・Ｔａ単体膜 ３−Ｃｒ−Ｎ系膜１．膜 第２図 □□ニ」
縦断面図、第２図は本発明の光学素子成形用型の第２実
施例を示す縦断面図である。 １・・・型基材 １ａ・・・成形面 ２・・・Ｔａ単体膜 ３・・・Ｃｒ−Ｎ系被膜 ４・・・ＡＮ−Ｎ系膜 ５・・・Ｚｒ−Ｎ系膜 特許出願人 オリンパス光学工業株式会社第１図 □□−一 ■・・・型基材 ｌａ・・・成形面 ２・・・Ｔａ単体膜 ３−Ｃｒ−Ｎ系膜１．膜 第２図 □□ニ」
Claims (2)
- （１）クロムおよび窒素を主成分とする化合物の被膜に
より少なくとも成形面の最表層を形成してなる光学素子
成形用型において、型基材と前記被膜との間に、線膨張
係数が型基材を形成する材料と前記被膜を形成する材料
との間の値を有する材料からなる膜を少なくとも一層成
形した中間層を設けたことを特徴とする光学素子成形用
型。 - （２）前記型基材を形成する材料が炭化ケイ素であるこ
とを特徴とする請求項１記載の光学素子成形用型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4116889A JPH02221131A (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | 光学素子成形用型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4116889A JPH02221131A (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | 光学素子成形用型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02221131A true JPH02221131A (ja) | 1990-09-04 |
Family
ID=12600896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4116889A Pending JPH02221131A (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | 光学素子成形用型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02221131A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03237024A (ja) * | 1990-02-13 | 1991-10-22 | Asahi Optical Co Ltd | 光学素子成形用の成形型の再生方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62132734A (ja) * | 1985-12-05 | 1987-06-16 | Olympus Optical Co Ltd | 光学素子成形用型 |
| JPS63260831A (ja) * | 1987-04-20 | 1988-10-27 | Hitachi Ltd | 光学素子成形型 |
| JPH01100031A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-18 | Hitachi Ltd | 光学素子成形型 |
-
1989
- 1989-02-21 JP JP4116889A patent/JPH02221131A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62132734A (ja) * | 1985-12-05 | 1987-06-16 | Olympus Optical Co Ltd | 光学素子成形用型 |
| JPS63260831A (ja) * | 1987-04-20 | 1988-10-27 | Hitachi Ltd | 光学素子成形型 |
| JPH01100031A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-18 | Hitachi Ltd | 光学素子成形型 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03237024A (ja) * | 1990-02-13 | 1991-10-22 | Asahi Optical Co Ltd | 光学素子成形用の成形型の再生方法 |
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