JPH02221192A - 化合物半導体の気相成長方法 - Google Patents
化合物半導体の気相成長方法Info
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- JPH02221192A JPH02221192A JP4157389A JP4157389A JPH02221192A JP H02221192 A JPH02221192 A JP H02221192A JP 4157389 A JP4157389 A JP 4157389A JP 4157389 A JP4157389 A JP 4157389A JP H02221192 A JPH02221192 A JP H02221192A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、有機金属気相成長法等により、Ｍｇドープ化
合物半導体を気相成長させる方法に関する。
合物半導体を気相成長させる方法に関する。
（従来の技術）
有機金属気相成長法（ＯＭＶＰＥ法）は、有機金属化合
物と金属水素化合物を反応炉の中で熱分解させることに
より、基板結晶上に薄膜の単結晶を成長させる方法であ
る。この方法は、超薄膜の多層構造の形成が容易であり
、量産性も高いので、化合物半導体を用いたヘテロ＋ｉ
合デバイス用ウェハの作製に用いられている。ヘテロ
接合デバイスの中でも、ヘテロ・バイポーラ・トランジ
スタ（ＨＢＴ）は超高速で作動するので、盛んに開発さ
れている。
物と金属水素化合物を反応炉の中で熱分解させることに
より、基板結晶上に薄膜の単結晶を成長させる方法であ
る。この方法は、超薄膜の多層構造の形成が容易であり
、量産性も高いので、化合物半導体を用いたヘテロ＋ｉ
合デバイス用ウェハの作製に用いられている。ヘテロ
接合デバイスの中でも、ヘテロ・バイポーラ・トランジ
スタ（ＨＢＴ）は超高速で作動するので、盛んに開発さ
れている。
第２図は、ＩＩＢＴの１例を示す断面構造図である。こ
の）ＩＢＴは半絶縁性ＧａＡｓ基板の一ヒにｎＧａＡｓ
層及びｎ−ＧａＡｓを積層し、さらにその上にｐ”−Ｇ
ａＡｓのベース層及びｎ−ＡｌＧａＡｓのエミツタ層を
積層してｐｎ接合を形成する。コレクタ電極はｎ−Ｇａ
Ａｓ層の上に、ベース電極はベース層の上に、エミッタ
電極はエミツタ層の上に積層したｎ−ＧａＡｓ層上に形
成する。このような）ＩＢＴの特性は、ベース層のキャ
リア密度が高いほど、高い特性を得ることができる。
の）ＩＢＴは半絶縁性ＧａＡｓ基板の一ヒにｎＧａＡｓ
層及びｎ−ＧａＡｓを積層し、さらにその上にｐ”−Ｇ
ａＡｓのベース層及びｎ−ＡｌＧａＡｓのエミツタ層を
積層してｐｎ接合を形成する。コレクタ電極はｎ−Ｇａ
Ａｓ層の上に、ベース電極はベース層の上に、エミッタ
電極はエミツタ層の上に積層したｎ−ＧａＡｓ層上に形
成する。このような）ＩＢＴの特性は、ベース層のキャ
リア密度が高いほど、高い特性を得ることができる。
従来、ＯＭＶＰＥ法ではｐ型ドーパントとしてＺｎが用
いられてきたが、Ｚｎは拡散係数が大きいため、成長中
にベース領域からエミッタ領域への拡散を避けることが
できず、急峻なｐｎ接合を得ることができないという問
題があった。分子線エピタキシャル法（ＭＢＥ法）では
、ｌＸｌ０”ａｍ−’程度まで高密度にドーピングする
ことが可能で、拡散係数の小さなりｅが一般的に用いら
れているが、０ＩＪＹＰＥ法では安全性の観点から、Ｂ
ｅを用いることは困難である。
いられてきたが、Ｚｎは拡散係数が大きいため、成長中
にベース領域からエミッタ領域への拡散を避けることが
できず、急峻なｐｎ接合を得ることができないという問
題があった。分子線エピタキシャル法（ＭＢＥ法）では
、ｌＸｌ０”ａｍ−’程度まで高密度にドーピングする
ことが可能で、拡散係数の小さなりｅが一般的に用いら
れているが、０ＩＪＹＰＥ法では安全性の観点から、Ｂ
ｅを用いることは困難である。
そのため、Ｚｎに比べて拡散係数が５桁程度小さいＭｇ
元素がドーパントとして検討されている。
元素がドーパントとして検討されている。
このようなＭｇドーパントの原料としては、ビスシクロ
ペンタジェニルマグネシウム（Ｃｐｔｌｊｇ）又はビス
メチルシクロペンタジェニルマグネシウム（ＬＣｐｔｋ
ｌｇ）を用いることができる。これらの原料は、液体又
は固体の有機金属化合物であり、キャリアガスである水
素によって、化合物半導体の原料である有機金属化合物
及び金属水素化物とともに反応管内に導入され、基板結
晶−ヒで熱分解されて結晶中に取り込まれる。
ペンタジェニルマグネシウム（Ｃｐｔｌｊｇ）又はビス
メチルシクロペンタジェニルマグネシウム（ＬＣｐｔｋ
ｌｇ）を用いることができる。これらの原料は、液体又
は固体の有機金属化合物であり、キャリアガスである水
素によって、化合物半導体の原料である有機金属化合物
及び金属水素化物とともに反応管内に導入され、基板結
晶−ヒで熱分解されて結晶中に取り込まれる。
第３図は、このようなＯＭＶＰＥ法を実施するための装
置の概念図である。反応管にはサセプタが設けられ、サ
セプタの上には基板結晶が置かれている。反応管の周囲
にＲＦコイルが設けられている。化合物半導体の■族原
料、例えば、トリメチルガリウム（ＴｋｌＧ）は水素ガ
スによって反応管に導入され、Ｖ族原料は水素化物、例
えば、アルシンガスの形で反応管に導入され、加熱され
た基板上で熱分解されて、基板に化合物半導体結晶が成
長する。
置の概念図である。反応管にはサセプタが設けられ、サ
セプタの上には基板結晶が置かれている。反応管の周囲
にＲＦコイルが設けられている。化合物半導体の■族原
料、例えば、トリメチルガリウム（ＴｋｌＧ）は水素ガ
スによって反応管に導入され、Ｖ族原料は水素化物、例
えば、アルシンガスの形で反応管に導入され、加熱され
た基板上で熱分解されて、基板に化合物半導体結晶が成
長する。
この化合物半導体中にＰ型の層を形成するためには、予
め排気管に流していたＭｇ原料を含んだ水素ガスをバル
ブＢを閉じ、バルブΔを開くことにより反応管に導入し
、所定の厚さのＰ型の層を形成した後、バルブ八を閉じ
、バルブＢを開いてＭｇ原料ガスを反応管から排気管へ
切り替えて、成長を停止する。
め排気管に流していたＭｇ原料を含んだ水素ガスをバル
ブＢを閉じ、バルブΔを開くことにより反応管に導入し
、所定の厚さのＰ型の層を形成した後、バルブ八を閉じ
、バルブＢを開いてＭｇ原料ガスを反応管から排気管へ
切り替えて、成長を停止する。
（発明が解決しようとする課題）
このような従来法では、Ｍｇ原料の流量に比例して正孔
密度が増加するが、例えばＪｏｕｒｎａｌｏｒ Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎｉｃｓ ｍａｔｅｒｉａｌｓ、 Ｖｏｌ、
１２． Ｎｏ、 ３゜ｐ、５０７〜５２４．Ｃ，Ｒ，Ｌ
ｅｗｉｓｅｔ ａｌ、にみるように、２×ＩＯ・”ａｍ
’以上には正孔密度が増加せず、飽和するために結晶
表面も劣化するという欠点があった。
密度が増加するが、例えばＪｏｕｒｎａｌｏｒ Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎｉｃｓ ｍａｔｅｒｉａｌｓ、 Ｖｏｌ、
１２． Ｎｏ、 ３゜ｐ、５０７〜５２４．Ｃ，Ｒ，Ｌ
ｅｗｉｓｅｔ ａｌ、にみるように、２×ＩＯ・”ａｍ
’以上には正孔密度が増加せず、飽和するために結晶
表面も劣化するという欠点があった。
本発明は、を記の欠点を解消し、２Ｘ１０Ｉ９Ｃ１１３
以上の正孔密度についてもＭｇ原料の流量を変化させる
ことな（、正孔密度を容易に制御することのできるＭｇ
ドープ化合物半導体の結晶成長方法を提供しようとする
ものである。
以上の正孔密度についてもＭｇ原料の流量を変化させる
ことな（、正孔密度を容易に制御することのできるＭｇ
ドープ化合物半導体の結晶成長方法を提供しようとする
ものである。
（課題を解決するための手段）
本発明は、Ｍｇドープ化合物半導体の有機金属気相成長
方法において、化合物半導体の原料と同時に一定流量の
Ｍｇ元素を含む化合物を、加熱された基板北に供給し、
■族原料の供給を一定の周期で中断し、中断する時間及
び又は■族原料を供給する時間を調節することにより、
口元素のドーピング量を制御することを特徴とする化合
物半導体の気相成長方法である。
方法において、化合物半導体の原料と同時に一定流量の
Ｍｇ元素を含む化合物を、加熱された基板北に供給し、
■族原料の供給を一定の周期で中断し、中断する時間及
び又は■族原料を供給する時間を調節することにより、
口元素のドーピング量を制御することを特徴とする化合
物半導体の気相成長方法である。
なお、■族原料の供給時間を、化合物半導体の１〜２０
分子層を形成するのに必要な時間とすることが好ましく
、また、結晶成長時の基板温度は３００〜６００℃の範
囲に調整することが好ましい。３００℃より低くすると
、有機金属の分解が起こりにくくなり、結晶成長及びド
ーピングができなくなる。
分子層を形成するのに必要な時間とすることが好ましく
、また、結晶成長時の基板温度は３００〜６００℃の範
囲に調整することが好ましい。３００℃より低くすると
、有機金属の分解が起こりにくくなり、結晶成長及びド
ーピングができなくなる。
（作用）
ＯＭＶＰＥ法では、前記の文献にみるように、Ｍｇ元素
はその原料の供給量の２乗に比例してドーピングされる
が、約２ＸＩＯ”ａｍ−’で飽和する。それ以上のＭｇ
原子が結晶中に取り込まれても、結晶格子上に配置され
ずに結晶格子間に位置し、正孔を供給するアクセプタと
して機能するためと考えられる。そこで、成長中に■族
原料の供給を停止し、Ｖ広原子の上、つまり■広原子の
格子位置にＭｇ原子を配置し、その後、再び■族原料を
供給して結晶成長させることにより、アクセプタとして
機能するＭｇ原子を２ＸＩＯ”ｃ＋ｓ−’以上にするこ
とが可能となる。この際、■族原料の供給を停止する時
間に比例して、■族格子位置１こ配置されるＭｇ原子の
量が変化する。従って、■族原料のイ共給停止時間を調
節することによって、正孔密度を制御することができる
。また、−旦停止した■族原料を供給すると、化合物結
晶が成長し、■族原料とＭｇ原料の供給比で決まる、２
ＸｌＯ”ｃｍ−’以下の正孔密度を有する層を形成する
ことができるが、この層の厚さを変化させることにより
、結晶全体としてみたときの正孔密度を制御することが
できる。
はその原料の供給量の２乗に比例してドーピングされる
が、約２ＸＩＯ”ａｍ−’で飽和する。それ以上のＭｇ
原子が結晶中に取り込まれても、結晶格子上に配置され
ずに結晶格子間に位置し、正孔を供給するアクセプタと
して機能するためと考えられる。そこで、成長中に■族
原料の供給を停止し、Ｖ広原子の上、つまり■広原子の
格子位置にＭｇ原子を配置し、その後、再び■族原料を
供給して結晶成長させることにより、アクセプタとして
機能するＭｇ原子を２ＸＩＯ”ｃ＋ｓ−’以上にするこ
とが可能となる。この際、■族原料の供給を停止する時
間に比例して、■族格子位置１こ配置されるＭｇ原子の
量が変化する。従って、■族原料のイ共給停止時間を調
節することによって、正孔密度を制御することができる
。また、−旦停止した■族原料を供給すると、化合物結
晶が成長し、■族原料とＭｇ原料の供給比で決まる、２
ＸｌＯ”ｃｍ−’以下の正孔密度を有する層を形成する
ことができるが、この層の厚さを変化させることにより
、結晶全体としてみたときの正孔密度を制御することが
できる。
このように、２ＸＩＱ”ｃｓ＋−”以下のＭｇ原子を含
んだ薄い結晶の間に■族格子位置にＭｇ原子を配置した
層を繰り返すことにより、結晶格子間に存在するＭｇ原
子がなくなるため、結晶表面が劣化することもなくなる
。
んだ薄い結晶の間に■族格子位置にＭｇ原子を配置した
層を繰り返すことにより、結晶格子間に存在するＭｇ原
子がなくなるため、結晶表面が劣化することもなくなる
。
（実施例１）
第３図の装置の反応管内に、予めＡｓ原料のアルシン（
Ａｓ ｌｉ ３ ）ガスを流した状態で、ＧａＡｓ基板
を成長温度の６００℃に加熱し、予め排気管に流してい
たビスシクロペンタジェニルマグネシウム（Ｃｐ！Ｍｇ
）を反応管内に導入した。１０分後に、Ｇａ原料のトリ
メチルガリウム（ＴＭＧ）を反応管に導入してＧａＡｓ
結晶の成長を始めた。
Ａｓ ｌｉ ３ ）ガスを流した状態で、ＧａＡｓ基板
を成長温度の６００℃に加熱し、予め排気管に流してい
たビスシクロペンタジェニルマグネシウム（Ｃｐ！Ｍｇ
）を反応管内に導入した。１０分後に、Ｇａ原料のトリ
メチルガリウム（ＴＭＧ）を反応管に導入してＧａＡｓ
結晶の成長を始めた。
その際、ＧａＡｓ結晶の成長速度を毎時２μ請となるよ
うにＴＭＧの流量を毎分７ｍｌとした。ＣＩ’ｔＩＩｔ
ｇの流量は、毎分］００ｅｌに設定した。その３０分後
にＴＭＧを反応管から排気管に切り替え、１０秒間成長
を中断してＣｐｔＭｇのみを流し、再びＴＭＧを反応管
に導入して２秒間結晶成長を行い、このサイクルを２７
０回繰り返した。その後、ＴＭＧとＣ２２ｋｌｇを３０
分間反応管に導入して結晶成長を行い、次いで、ＴＩＩ
ＩＧとＣｐ２Ｍｇｆ！−排気管に切り替え、基板温度を
室温に戻して成長を終了した。
うにＴＭＧの流量を毎分７ｍｌとした。ＣＩ’ｔＩＩｔ
ｇの流量は、毎分］００ｅｌに設定した。その３０分後
にＴＭＧを反応管から排気管に切り替え、１０秒間成長
を中断してＣｐｔＭｇのみを流し、再びＴＭＧを反応管
に導入して２秒間結晶成長を行い、このサイクルを２７
０回繰り返した。その後、ＴＭＧとＣ２２ｋｌｇを３０
分間反応管に導入して結晶成長を行い、次いで、ＴＩＩ
ＩＧとＣｐ２Ｍｇｆ！−排気管に切り替え、基板温度を
室温に戻して成長を終了した。
成長したＧａＡｓの厚さ方向のキャリア密度をＣ−■測
定したところ、第１図（ａ）に示すように、従来法の飽
和値の２．５倍である５ＸｌＯ１９ｃｍ−３の正孔密度
を得ることができた。
定したところ、第１図（ａ）に示すように、従来法の飽
和値の２．５倍である５ＸｌＯ１９ｃｍ−３の正孔密度
を得ることができた。
（実施例２）
第３図の装置の反応管内に、予めＡｓ １１３ガスを流
した状態で、ＧａＡｓ基板を成長温度の６００℃まで加
熱した後、予め排気管に流していたＣｐｙＭｇを反応管
内に導入した。その後、ＴＭＧの供給時間を２秒間、中
断時間を１０秒間のサイクルを３００回行い、次に、Ｔ
ＭＧの供給時間を２秒間、中断時間を５秒間のサイクル
を３００回行って成長を終了した。
した状態で、ＧａＡｓ基板を成長温度の６００℃まで加
熱した後、予め排気管に流していたＣｐｙＭｇを反応管
内に導入した。その後、ＴＭＧの供給時間を２秒間、中
断時間を１０秒間のサイクルを３００回行い、次に、Ｔ
ＭＧの供給時間を２秒間、中断時間を５秒間のサイクル
を３００回行って成長を終了した。
成長したＧａｐｓの厚さ方向のキャリア密度をＣ−■測
定したところ、第１図（ｂ）に示すように、中断時間が
１０秒間の部分の正孔密度は５×１ＯＩＩＩＣ１″であ
るのに対して、中断時間が５秒間の部分では正孔密度が
３Ｘ１０”ｃｍ−３に減少している。これは、成長中断
時間が短いために■族格子位置に配置されるＭｇの量が
減少しているためである。このように成長中断時間を変
えることにより、Ｃｐ２Ｍｇ流量を一定に保ったまま正
孔密度を制御できることが分かる。
定したところ、第１図（ｂ）に示すように、中断時間が
１０秒間の部分の正孔密度は５×１ＯＩＩＩＣ１″であ
るのに対して、中断時間が５秒間の部分では正孔密度が
３Ｘ１０”ｃｍ−３に減少している。これは、成長中断
時間が短いために■族格子位置に配置されるＭｇの量が
減少しているためである。このように成長中断時間を変
えることにより、Ｃｐ２Ｍｇ流量を一定に保ったまま正
孔密度を制御できることが分かる。
また、この結晶の表面は鏡面であり、劣化は見られなか
った。
った。
なお、成長温度が、６０（１℃以上の場合も上記実施例
と同様の効果が得られるが、その場合には、成長中断時
間を分単位にする必要力くあり、成長時間が長くなる。
と同様の効果が得られるが、その場合には、成長中断時
間を分単位にする必要力くあり、成長時間が長くなる。
（実施例３）
第３図の装置の反応管内に、予め＾ｓＨ，ガスを流した
状態で、ＧａＡｓ基板を成長温度の６００℃まで加熱し
た後、予め排気管に流していたＣｐｙＭｇを反応管内に
導入した。その後、ＴＭＧの供給時間を２秒間、中断時
間を１０秒間のサイクルを３００回行い、次に、ＴＭＧ
の供給時間を４秒間、中断時間をｉｃ＋秒間のサイクル
を３００回行って成長を終了した。
状態で、ＧａＡｓ基板を成長温度の６００℃まで加熱し
た後、予め排気管に流していたＣｐｙＭｇを反応管内に
導入した。その後、ＴＭＧの供給時間を２秒間、中断時
間を１０秒間のサイクルを３００回行い、次に、ＴＭＧ
の供給時間を４秒間、中断時間をｉｃ＋秒間のサイクル
を３００回行って成長を終了した。
成長したＧａＡｓの厚さ方向のキャリア密度をＣ−■測
定したところ、第１図（ｃ）に示すように、ＴＭＧの供
給時間が２秒間の部分の正孔密度は５Ｘ１０”ａｓ−’
であるのに対して、ＴＭＧの供給時間が４秒間の部分で
は正孔密度が２ＸＩＱ”ａｍ ３に減少している。これ
は、ＧａＡｓ層の厚さが厚いため、平均の正孔密度が減
少しているためである。このことから、ＴＭＧの供給時
間を変えることにより、ＣｐｔＭｇ流量を一定に保った
まま正孔密度を制御できることが分かる。ただし、この
場合ＧａＡｓ層の厚さが正孔の自由行程距離より厚くな
ると、１層の結晶とは見なせなくなるので、ＧａＡｓ層
の厚さは２０分子層程度以下である必要がある。この実
施例は、 ＴＭＧの供給時間が２秒間のときが４分子層
にあたり、４秒間のときが８分子層にあたる。
定したところ、第１図（ｃ）に示すように、ＴＭＧの供
給時間が２秒間の部分の正孔密度は５Ｘ１０”ａｓ−’
であるのに対して、ＴＭＧの供給時間が４秒間の部分で
は正孔密度が２ＸＩＱ”ａｍ ３に減少している。これ
は、ＧａＡｓ層の厚さが厚いため、平均の正孔密度が減
少しているためである。このことから、ＴＭＧの供給時
間を変えることにより、ＣｐｔＭｇ流量を一定に保った
まま正孔密度を制御できることが分かる。ただし、この
場合ＧａＡｓ層の厚さが正孔の自由行程距離より厚くな
ると、１層の結晶とは見なせなくなるので、ＧａＡｓ層
の厚さは２０分子層程度以下である必要がある。この実
施例は、 ＴＭＧの供給時間が２秒間のときが４分子層
にあたり、４秒間のときが８分子層にあたる。
（発明の効果）
本発明は、上記の構成を採用することにより、■族原料
の供給を停止して成長を中断し、Ｍｇ原料のみが反応管
に導入され、■族格子位置にＭｇが配置するため、２Ｘ
Ｉ［）”ａｍ−’以上の正孔密度を得ることができた。
の供給を停止して成長を中断し、Ｍｇ原料のみが反応管
に導入され、■族格子位置にＭｇが配置するため、２Ｘ
Ｉ［）”ａｍ−’以上の正孔密度を得ることができた。
また、Ｍｇ原料の供給流量を一定にしたまま、成長中断
時間及びＧａＡｓ層の厚さを変化させて正孔密度を制御
することができるようになった。これは、Ｍｇ原料が配
管に吸着し易く、流量の調整が短時間で行うことが困難
であることを考慮すると、従来法に比べて、正孔密度の
制御性を一段と向上させた。
時間及びＧａＡｓ層の厚さを変化させて正孔密度を制御
することができるようになった。これは、Ｍｇ原料が配
管に吸着し易く、流量の調整が短時間で行うことが困難
であることを考慮すると、従来法に比べて、正孔密度の
制御性を一段と向上させた。
第１図（ａ）〜（ｃ）は実施例で得たＧａＡｓ結晶の深
さ方向の正孔密度の分布を示した図であり、第２図はＨ
ＢＴの断面ＰＲ造図、第３図はＯＭＶＰＥ装置の概念図
である。
さ方向の正孔密度の分布を示した図であり、第２図はＨ
ＢＴの断面ＰＲ造図、第３図はＯＭＶＰＥ装置の概念図
である。
Claims (5)
- （１）Ｍｇドープ化合物半導体の有機金属気相成長方法
において、化合物半導体の原料と同時に一定流量のＭｇ
元素を含む化合物を、加熱された基板上に供給し、III
族原料の供給を一定の周期で中断することにより、Ｍｇ
元素のドーピング量を制御することを特徴とする化合物
半導体の気相成長方法。 - （２）III族原料の供給を中断する時間を変化させるこ
とにより、Ｍｇ元素のドーピング量を制御することを特
徴とする請求項（１）記載の化合物半導体の気相成長方
法。 - （３）III族原料の供給する時間を変化させることによ
り、Ｍｇ元素のドーピング量を制御することを特徴とす
る請求項（１）記載の化合物半導体の気相成長方法。 - （４）結晶成長時の基板温度を６００℃以下とすること
を特徴とする請求項（１）〜（３）のいずれか１項に記
載の化合物半導体の気相成長方法。 - （５）請求項（１）〜（４）のいずれか１項に記載の気
相成長方法により、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＰ及
びＧａＩｎＡｓからなる群より選ばれる１種類以上の化
合物半導体結晶を気相成長させる方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4157389A JPH02221192A (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 化合物半導体の気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4157389A JPH02221192A (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 化合物半導体の気相成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02221192A true JPH02221192A (ja) | 1990-09-04 |
Family
ID=12612186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4157389A Pending JPH02221192A (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 化合物半導体の気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02221192A (ja) |
-
1989
- 1989-02-23 JP JP4157389A patent/JPH02221192A/ja active Pending
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