JPH022218B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH022218B2 JPH022218B2 JP58060251A JP6025183A JPH022218B2 JP H022218 B2 JPH022218 B2 JP H022218B2 JP 58060251 A JP58060251 A JP 58060251A JP 6025183 A JP6025183 A JP 6025183A JP H022218 B2 JPH022218 B2 JP H022218B2
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- JP
- Japan
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- thin film
- magnetic
- magnetic thin
- recording medium
- metal oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/658—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing oxygen, e.g. molecular oxygen or magnetic oxide
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/74—Record carriers characterised by the form, e.g. sheet shaped to wrap around a drum
- G11B5/82—Disk carriers
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気記録媒体に関し、特に機械的耐久
性の優れた磁気記録媒体に関する。
性の優れた磁気記録媒体に関する。
従来、磁性薄膜を有する磁気記録媒体はアルミ
ニウムまたはマイラシートの基板に適宜下地処理
を行い金属磁性体や金属酸化物磁性体をスパツタ
あるいはメツキなどの手法により付着させてい
る。例えば、垂直記録用の磁気記録媒体では磁性
薄膜はCo−Crであり、その厚みは0.5〜1.0μｍで
ある。このような磁性薄膜を有する磁気記録媒体
に記録されている情報を読出す場合、あるいは情
報を書込む場合、摺動型あるいは浮上型磁気ヘツ
ドが用いられる。摺動型磁気ヘツドは磁性薄膜に
摺動して情報を読出し、または書込みを行う。浮
上型磁気ヘツドは情報の読出し中あるいは書込み
中は磁性薄膜に摺動しないが、スタート時とスト
ツプ時に磁性薄膜と接触し、摺動する。磁気ヘツ
ドの磁気記録媒体に対向する面はフエライト、チ
タン酸バリウム等の金属酸化物を主成分とする材
料で作られているので極めて硬く、機械的耐久性
が強い。このような磁気ヘツドが磁気記録媒体の
磁性薄膜表面を摺動すると、磁気ヘツドよりも柔
かい磁性薄膜には引掻傷などが生じ、折角記録し
た情報を損傷するという問題を生ずる。そこで磁
性薄膜表面に潤滑剤を塗布する試みがなされてい
るが磁性体との付着性が悪く、必ずしも成功して
いるとは言い難く、その製造方法も極めて頻雑か
つ高価なものとなり、実用に適していないという
欠点がある。
ニウムまたはマイラシートの基板に適宜下地処理
を行い金属磁性体や金属酸化物磁性体をスパツタ
あるいはメツキなどの手法により付着させてい
る。例えば、垂直記録用の磁気記録媒体では磁性
薄膜はCo−Crであり、その厚みは0.5〜1.0μｍで
ある。このような磁性薄膜を有する磁気記録媒体
に記録されている情報を読出す場合、あるいは情
報を書込む場合、摺動型あるいは浮上型磁気ヘツ
ドが用いられる。摺動型磁気ヘツドは磁性薄膜に
摺動して情報を読出し、または書込みを行う。浮
上型磁気ヘツドは情報の読出し中あるいは書込み
中は磁性薄膜に摺動しないが、スタート時とスト
ツプ時に磁性薄膜と接触し、摺動する。磁気ヘツ
ドの磁気記録媒体に対向する面はフエライト、チ
タン酸バリウム等の金属酸化物を主成分とする材
料で作られているので極めて硬く、機械的耐久性
が強い。このような磁気ヘツドが磁気記録媒体の
磁性薄膜表面を摺動すると、磁気ヘツドよりも柔
かい磁性薄膜には引掻傷などが生じ、折角記録し
た情報を損傷するという問題を生ずる。そこで磁
性薄膜表面に潤滑剤を塗布する試みがなされてい
るが磁性体との付着性が悪く、必ずしも成功して
いるとは言い難く、その製造方法も極めて頻雑か
つ高価なものとなり、実用に適していないという
欠点がある。
本発明は上記欠点を除去し、記録されている情
報の読出し、あるいは情報の書込みにおいて磁気
ヘツドと摺動しても磁性薄膜に損傷を生せず、耐
久力の優れた磁気記録媒体を提供するものであ
る。
報の読出し、あるいは情報の書込みにおいて磁気
ヘツドと摺動しても磁性薄膜に損傷を生せず、耐
久力の優れた磁気記録媒体を提供するものであ
る。
本発明の磁気記録媒体は、基板上に形成された
磁性薄膜と、該磁性薄膜に均一に分散して設けら
れた微小面積の穴と、該穴に充填され前記磁性薄
膜表面と同じ高さかあるいは該表面より少し高く
なるように設けられた金属酸化物とを含んで構成
される。
磁性薄膜と、該磁性薄膜に均一に分散して設けら
れた微小面積の穴と、該穴に充填され前記磁性薄
膜表面と同じ高さかあるいは該表面より少し高く
なるように設けられた金属酸化物とを含んで構成
される。
次に、本発明の実施例について図面を用いて説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例の一部断面斜視図で
ある。
ある。
基板１としてアルミニウムを用いるとする。基
板１の表面に金属磁性体あるいは金属酸化物磁性
体で磁性薄膜２を形成する。この磁性薄膜２に微
小面積の穴３を均一に分散させて設ける。穴３の
直径は約1μｍで、10μｍ×10μｍの面積当り５個
程度の密度に均一に分散させる。ここで均一と
は、ある面積の所では集中して穴が存在し、ある
面積の所では穴が存在しないような偏りのないこ
とを意味し、等間隔でなければならないというこ
とまでは要求しない。穴の分布に偏りがあると、
情報の読出しにノイズが発生するからである。こ
の穴３に金属酸化物４を充填する。金属酸化物と
してアルミナ、シリカ等が適当である。金属酸化
物の充填は磁性薄膜の表面と同じ高さかそれより
も僅かに（100Å程度）高くする。実用上は僅か
に高い方が磁性薄膜２の耐久性の点が好ましい。
板１の表面に金属磁性体あるいは金属酸化物磁性
体で磁性薄膜２を形成する。この磁性薄膜２に微
小面積の穴３を均一に分散させて設ける。穴３の
直径は約1μｍで、10μｍ×10μｍの面積当り５個
程度の密度に均一に分散させる。ここで均一と
は、ある面積の所では集中して穴が存在し、ある
面積の所では穴が存在しないような偏りのないこ
とを意味し、等間隔でなければならないというこ
とまでは要求しない。穴の分布に偏りがあると、
情報の読出しにノイズが発生するからである。こ
の穴３に金属酸化物４を充填する。金属酸化物と
してアルミナ、シリカ等が適当である。金属酸化
物の充填は磁性薄膜の表面と同じ高さかそれより
も僅かに（100Å程度）高くする。実用上は僅か
に高い方が磁性薄膜２の耐久性の点が好ましい。
このような構造にすると、読出しあるいは書込
みにおいて磁気ヘツドは金属酸化物４に接触し、
磁性薄膜２には直接に接触しないので磁性薄膜２
に損傷を与えることはない。従つて、磁気記録媒
体に記憶された情報の破壊や読出し誤りがなく、
耐久性に優れた磁気記録媒体が得られる。
みにおいて磁気ヘツドは金属酸化物４に接触し、
磁性薄膜２には直接に接触しないので磁性薄膜２
に損傷を与えることはない。従つて、磁気記録媒
体に記憶された情報の破壊や読出し誤りがなく、
耐久性に優れた磁気記録媒体が得られる。
次に、本発明の磁気記録媒体の製造方法につい
て説明する。
て説明する。
第２図ａ〜ｄは本発明に磁気記録媒体の製造方
法を説明するため工程順に示した断面図である。
法を説明するため工程順に示した断面図である。
まず、第２図ａに示すように、アルミニウム、
マイラーシート等の基板１の上に磁性薄膜２をス
パツタあるいはメツキなどの手法により付着され
る。この上にホトレジスト膜５を塗布し、通常の
露光現像法により開口６を設ける。開口６の直径
は約1μｍである。
マイラーシート等の基板１の上に磁性薄膜２をス
パツタあるいはメツキなどの手法により付着され
る。この上にホトレジスト膜５を塗布し、通常の
露光現像法により開口６を設ける。開口６の直径
は約1μｍである。
次に、第２図ｂに示すように、イオンビームエ
ツチング等の方法でエツチングを行い、磁性薄膜
２の露出部分を除去して磁性薄膜２に穴３を設け
る。
ツチング等の方法でエツチングを行い、磁性薄膜
２の露出部分を除去して磁性薄膜２に穴３を設け
る。
次に、第２図ｃに示すように、金属酸化物４と
してアルミナをスパツタリングにより付着させ
る。金属酸化物４の厚さは、前述したように、磁
性薄膜２の厚さと同じかあるいはそれよりも僅か
に（100Å程度）厚くする。スパツタ法を用いる
とき、バイアス電圧を加えてスパツタを行うと形
成される膜質が均一で応力の少ないものとなるの
で好ましい。
してアルミナをスパツタリングにより付着させ
る。金属酸化物４の厚さは、前述したように、磁
性薄膜２の厚さと同じかあるいはそれよりも僅か
に（100Å程度）厚くする。スパツタ法を用いる
とき、バイアス電圧を加えてスパツタを行うと形
成される膜質が均一で応力の少ないものとなるの
で好ましい。
次に、第２図ｄに示すように、ホトレジスト膜
５をその上の金属酸化物４と共に除去すると、金
属酸化物４は穴３にのみ残り、本発明の磁気記録
媒体が得られる。
５をその上の金属酸化物４と共に除去すると、金
属酸化物４は穴３にのみ残り、本発明の磁気記録
媒体が得られる。
上記説明ではホトレジスト膜を用いたが、磁性
薄膜の種類、金属酸化物の種類によつてはエツチ
ング速度、膜厚を考慮して金属を用いることもで
きる。
薄膜の種類、金属酸化物の種類によつてはエツチ
ング速度、膜厚を考慮して金属を用いることもで
きる。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、
情報の読出しあるいは書込みにおいて磁気ヘツド
と接触しても損傷を生せず、耐久性の優れた磁気
記録媒体が得られるのでその効果は大きい。
情報の読出しあるいは書込みにおいて磁気ヘツド
と接触しても損傷を生せず、耐久性の優れた磁気
記録媒体が得られるのでその効果は大きい。
第１図は本発明の一実施例の一部断面斜視図、
第２図ａ〜ｄは本発明の磁気記録媒体の製造方法
を説明するための工程順に示した断面図である。 １……基板、２……磁性薄膜、３……穴、４…
…金属酸化物、５……ホトレジスト膜、６……開
口。
第２図ａ〜ｄは本発明の磁気記録媒体の製造方法
を説明するための工程順に示した断面図である。 １……基板、２……磁性薄膜、３……穴、４…
…金属酸化物、５……ホトレジスト膜、６……開
口。
Claims (1)
- １ 基板上に形成された磁性薄膜と、該磁性薄膜
に均一に分散して設けられた微小面積の穴と、該
穴に充填され前記磁性薄膜表面と同じ高さかある
いは該表面より少し高くなるように設けられた金
属酸化物とを含むことを特徴とする磁気記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58060251A JPS59186135A (ja) | 1983-04-06 | 1983-04-06 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58060251A JPS59186135A (ja) | 1983-04-06 | 1983-04-06 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59186135A JPS59186135A (ja) | 1984-10-22 |
| JPH022218B2 true JPH022218B2 (ja) | 1990-01-17 |
Family
ID=13136766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58060251A Granted JPS59186135A (ja) | 1983-04-06 | 1983-04-06 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59186135A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9274069B2 (en) | 2012-06-18 | 2016-03-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for evaluating degree of crystalline orientation of polycrystalline silicon, method for selecting polycrystalline silicon rod, polycrystalline silicon rod, polycrystalline silicon ingot, and method for manufacturing monocrystalline silicon |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5079309A (ja) * | 1973-11-12 | 1975-06-27 |
-
1983
- 1983-04-06 JP JP58060251A patent/JPS59186135A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9274069B2 (en) | 2012-06-18 | 2016-03-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for evaluating degree of crystalline orientation of polycrystalline silicon, method for selecting polycrystalline silicon rod, polycrystalline silicon rod, polycrystalline silicon ingot, and method for manufacturing monocrystalline silicon |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59186135A (ja) | 1984-10-22 |
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