JPH09305919A - 複合型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板１上にＭＲヘッド素子Ｈ２と誘導型ヘッ
ド素子Ｈ１を積層して形成され、両ヘッド素子Ｈ１、Ｈ
２の全体が保護層14によって覆われ、誘導型ヘッド素子
Ｈ１は、ギャップスペーサ層24を挟んでＭＲヘッド素子
Ｈ２側に下部コア層８、その反対側に上部コア層９を配
置している複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、製造工程の
歩留まりを改善する。 【解決手段】 本発明に係る複合型薄膜磁気ヘッドにお
いて、下部コア層８は、上部コア層９側に形成されて記
録媒体と対向すべき媒体対向面の近傍にて記録媒体上の
トラック幅に応じた幅を有するコア部82と、ＭＲヘッド
素子Ｈ２側に形成されて媒体対向面の近傍にてコア部82
よりも大きな幅を有するシールド部81とを具えている。
又、上部コア層９は、媒体対向面の近傍にて前記コア部
82よりも大きな幅を有している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ハードディスクド
ライブ装置等の磁気記録再生装置に用いられる複合型薄
膜磁気ヘッド及びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、コンピュータの外部記憶装置とし
てのハードディスクドライブ装置等においては、信号記
録用の誘導型ヘッド素子Ｈ１と、信号再生用の磁気抵抗
効果型ヘッド素子Ｈ２(以下、ＭＲヘッド素子という)と
を一体に具えた複合型薄膜磁気ヘッドが注目されてい
る。

【０００３】図１１は、一般的な複合型薄膜磁気ヘッド
の記録媒体に平行な断面を表わしており、図１２は、該
複合型薄膜磁気ヘッドの記録媒体に垂直な断面を表わし
ている。図１１及び図１２に示す如く、基板(１)上に、
ＭＲヘッド素子Ｈ２として、絶縁層(２)、下部シールド
層(３)、下部絶縁層(21)、ＭＲ素子層(４)、電極層(５)
(５)及び上部絶縁層(22)が順次積層されている。又、該
ヘッド素子Ｈ２上には、誘導型ヘッド素子Ｈ１として、
下部コア層(80)、ギャップスペーサ層(27)、下部絶縁層
(28)、コイル層(11)、上部絶縁層(29)、及び上部コア層
(90)が順次積層されている。尚、下部コア層(80)は、誘
導型ヘッド素子Ｈ１の磁気コアとしての機能を発揮する
と同時に、誘導型ヘッド素子Ｈ１とＭＲヘッド素子Ｈ２
の間の磁気シールドとしての機能を兼ね具えている。そ
して、両ヘッド素子Ｈ１及びＨ２を覆って保護層(16)が
形成されている。

【０００４】図１３(ａ)乃至(ｃ)、及び図１４(ａ)乃至
(ｃ)は、上記複合型薄膜磁気ヘッドの製造工程における
上部コア層形成工程を表わしている。図１３(ａ)の如
く、Ａl₂Ｏ₃−ＴiＣ等のセラミックス材料からなる基板
(１)上に、Ａl₂Ｏ₃等からなる絶縁層(２)、ＦeＡlＳi等
の軟磁性材料からなる下部シールド層(３)、Ａl₂Ｏ₃等
からなる下部絶縁層(21)、ＭＲ素子層(４)、永久磁石か
らなる電極層(５)(５)、Ａl₂Ｏ₃等からなる上部絶縁層
(22)、軟磁性材料からなる下部コア層(80)、Ａl₂Ｏ₃等
からなるギャップスペーサ層(27)、有機材料からなる下
部絶縁層、コイル層及び有機材料からなる上部絶縁層を
順次形成した後、ギャップスペーサ層(27)及び上部絶縁
層の表面にスパッタリングによって、軟磁性材料からな
る磁性層(64)を成膜する。次に、同図(ｂ)の如く、磁性
層(64)の全面にレジスト(76)を塗布した後、露光及び現
像処理を施して、同図(ｃ)に示す如く、レジスト(76)を
上部コア層(90)に応じた平面形状のレジスト層(77)に成
形する。続いて、レジスト層(77)及び磁性層(64)の表面
にイオンビームエッチングを施して、図１４(ａ)の如
く、磁性層(64)を上部コア層(90)に成形する。その後、
超音波洗浄によって、同図(ｂ)の如くレジスト層(77)を
除去した後、スパッタリングによって、同図(ｃ)の如く
保護層(16)を成膜して、複合型薄膜磁気ヘッドを完成す
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記複合型薄膜磁気ヘ
ッドにおいては、図１２に示す如く、ギャップスペーサ
層(27)の表面から上部絶縁層(29)の表面にかけて、記録
媒体に垂直な断面にて段差部Ｃ１が形成される。従っ
て、図１３(ａ)の如く、ギャップスペーサ層(27)の表面
に前記上部コア層(90)に成形すべき磁性層(64)を厚く成
膜する必要がある。又、この様に膜厚の大きい磁性層(6
4)にイオンビームエッチングを施して、レジスト層(77)
の外周縁よりも外側に拡がる磁性層(64)を完全に削り取
り、図１４(ａ)に示す如く上部コア層(90)に成形するた
めには、図１３(ｃ)の如く膜厚の大きいレジスト層(77)
が必要である。更に、磁性層(64)の表面には、前記段差
部Ｃ１に応じた形状の段差部が形成されている。従っ
て、レジスト(76)を厚く塗布する必要がある。そこで、
該複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法においては、磁性層
(64)の表面に、図１３(ｂ)の如く１０μｍ程度の膜厚の
大きいレジスト(76)が塗布される。

【０００６】次に、レジスト(76)に露光及び現像処理を
施してレジスト層(77)に成形するのであるが、前述の如
くレジスト(76)の膜厚が大きいためにレジスト層形成の
精度が低く、所定形状のレジスト層(77)が得られない。
特に、高記録密度化に対応するべく２μｍ以下のトラッ
ク幅の狭い複合型薄膜磁気ヘッドを製造する場合、アス
ペクト比が厚さ方向に極端に大きいレジスト層を形成す
ることになるので、レジスト層形成の精度が更に低下す
る。又、レジスト(76)は、図１２に示す段差部Ｃ１にて
他の領域よりも膜厚が大きくなるので、露光工程におい
て、膜厚の大きい部分でハレーションが発生し、レジス
ト層形成の精度が低下する。この結果、所期の幅を有す
る上部コア層を得ることが出来ず、正確なトラック幅が
得られないこととなって、製造工程の歩留まりが低下す
る問題がある。

【０００７】本発明の目的は、正確なトラック幅が得ら
れ、歩留まりの高い製造が可能な複合型薄膜磁気ヘッド
及びその製造方法を提供することである。

【０００８】

【課題を解決する為の手段】本発明に係る複合型薄膜磁
気ヘッドは、基板(１)上にＭＲヘッド素子Ｈ２と誘導型
ヘッド素子Ｈ１を積層して形成され、誘導型ヘッド素子
Ｈ１は、ギャップスペーサ層(24)を挟んでＭＲヘッド素
子Ｈ２側に下部コア層、その反対側に上部コア層(９)を
配置している。前記下部コア層は、上部コア層側に形成
されて少なくとも記録媒体と対向すべき媒体対向面の近
傍にて記録媒体上のトラック幅に応じた幅を有するコア
部と、ＭＲヘッド素子Ｈ２側に形成されて少なくとも媒
体対向面の近傍にてコア部よりも大きな幅を有するシー
ルド部とを具えている。又、前記上部コア層(９)は、少
なくとも媒体対向面の近傍にて前記コア部よりも大きな
幅を有している。

【０００９】該本発明に係る複合型薄膜磁気ヘッドを、
上記従来の複合型薄膜磁気ヘッドの製造工程によって製
造する場合、記録媒体に平行な断面にて下部コア層(８)
のコア部(82)の表面からシールド部(81)の表面にかけて
段差部Ｃ２が形成されるので、ギャップスペーサ層(26)
を形成する工程及び上部コア層(91)に成形すべき磁性層
(63)を形成する工程にて、ギャップスペーサ層(26)及び
磁性層(63)は、図９に示す如く、前記段差部Ｃ２に応じ
た形状に形成される。この結果、上部コア層(91)の断面
形状は、図１０に示す如く、裏面の両端に突起(91a)(91
a)を有するものとなり、これが原因となって記録パター
ンに歪みが発生することとなる。そこで、以下の具体的
構成を有する複合型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に
よれば、該問題点を解決することが可能である。

【００１０】即ち、上記本発明の複合型薄膜磁気ヘッド
の具体的構成において、前記下部コア層は、絶縁層によ
って包囲され、該絶縁層の表面と前記下部コア層のコア
部の表面は夫々平面に形成されて、互いに同一の平面上
に揃っている。

【００１１】該具体的構成を有する複合型薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法は、基板(１)上にＭＲ素子層(４)を覆って
上部絶縁層(22)を形成する第１工程と、上部絶縁層上に
下部コア層(８)を形成する第２工程と、下部コア層上に
ギャップスペーサ層(24)を形成する第３工程と、ギャッ
プスペーサ層上に上部コア層(９)を形成する第４工程と
を具えている。

【００１２】前記第２工程は、上部絶縁層(22)の表面に
下部コア層(８)となる磁性層(６)を形成する工程と、磁
性層(６)の表面をレジスト(７)によって覆う工程と、前
記レジスト(７)をトラック幅と同一幅の平面形状を有す
るレジスト層(71)に成形する工程と、レジスト層(71)を
介して前記磁性層(６)の上層部にイオンビームエッチン
グを施して、該上層部を記録媒体上のトラック幅に応じ
た幅を有するコア部(82)に成形し、下層部をコア部(82)
よりも大きな幅を有するシールド部(81)に成形して、コ
ア部(82)及びシールド部(81)からなる下部コア層(８)を
形成する工程とから構成されている。

【００１３】又、前記第３工程は、下部コア層(８)のシ
ールド部(81)の表面及びレジスト層(71)の表面に下部コ
ア層(８)のコア部(82)と同一の膜厚を有する絶縁層(23)
を形成する工程と、前記レジスト層(71)及びレジスト層
(71)の表面に形成された絶縁層(23)を除去する工程と、
下部コア層(８)のコア部(82)の表面及び絶縁層(23)の表
面にギャップスペーサ層(24)を形成する工程とから構成
されている。

【００１４】更に、前記第４工程は、ギャップスペーサ
層(24)の表面に上部コア層(９)となる磁性層(61)を形成
する工程と、磁性層(61)の表面をレジスト(72)によって
覆う工程と、前記レジスト(72)を下部コア層(８)のコア
部(82)よりもトラック幅方向の幅が大きい平面形状を有
するレジスト層(73)に成形する工程と、レジスト層(73)
を介して前記磁性層(61)にイオンビームエッチングを施
して、前記磁性層(61)を上部コア層(９)に成形する工程
と、前記レジスト層(73)を除去する工程とを具えてい
る。

【００１５】該具体的構成を有する複合型薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法においては、上部絶縁層(22)の表面に、記
録媒体に垂直な断面にて段差部が形成されていないの
で、第２工程の磁性層形成工程にて、従来の如き段差部
による厚さの増加は不要である。一般に、レジスト層を
用いたイオンビームエッチングにおいては、レジスト層
はエッチングの深さに応じて厚く形成する必要がある。
これに対し、本発明の製造方法においては、上述の如
く、第２工程にて形成される磁性層(６)の膜厚が大きく
なることはなく、該磁性層(６)の上層部のみにイオンビ
ームエッチングを施すので、エッチングの深さは浅い。
従って、レジスト成膜工程にて、磁性層(６)の表面に膜
厚の小さいレジスト(７)を成膜することが出来る。この
様にレジスト(７)の膜厚が小さいので、レジスト層形成
工程にて所定形状のレジスト層(71)を得ることが出来、
レジスト層形成の精度が向上する。更に、上部絶縁層(2
2)の表面に、記録媒体に垂直な断面にて段差部が形成さ
れていないので、レジスト(７)の膜厚は均一となり、露
光工程におけるハレーションの発生が防止され、レジス
ト層形成の精度が向上する。この結果、所期の幅を有す
る下部コア層(８)のコア部(82)を形成することが出来
る。

【００１６】ところで、一般に、記録媒体上に形成され
るトラック幅は、上部コア層(９)或いは下部コア層(８)
のトラック幅方向の幅の内、狭い方の幅によって規定さ
れる。そこで、該製造方法においては、上部コア層(９)
の幅を下部コア層(８)のコア部(82)の幅よりも大きな幅
に形成することによって、下部コア層(８)のコア部(82)
の幅によりトラック幅を規定する。ここで、該下部コア
層(８)のコア部(82)の幅は、前述の如く所期の幅に形成
されるので、正確なトラック幅を得ることが出来る。
尚、下部コア層(８)のコア部(82)は、上述の如く誘導型
ヘッド素子Ｈ１の磁気コアとして機能するのに対し、シ
ールド部(81)は、誘導型ヘッド素子Ｈ１とＭＲヘッド素
子Ｈ２の間の磁気シールドとして機能するのであるが、
該シールド部(81)は充分な幅を有しているので、効果的
なシールドが可能である。

【００１７】又、第３工程の絶縁層形成工程にて、下部
コア層(８)のコア部(82)と同一の膜厚を有する絶縁層(2
3)が形成されるので、コア部(82)の表面と絶縁層(23)の
表面が同一平面に揃うこととなる。この様に同一平面に
揃ったコア部(82)及び絶縁層(23)の表面にギャップスペ
ーサ層(24)を形成するので、ギャップスペーサ層(24)の
表面は平面に形成され、記録媒体に平行な断面に段差部
が形成されることはない。従って、第４工程の磁性層形
成工程にて、磁性層(61)の裏面は平面に形成され、この
結果、上部コア層(９)の裏面の両端には、図１０の如き
突起(91a)(91a)が形成されない。

【００１８】尚、下部コア層(８)のコア部(82)によって
トラック幅を規定するので、従来の如く上部コア層形成
工程にて形成された上部コア層(９)の幅に多少の誤差が
生じたとしても、問題にはならない。又、上記絶縁層(2
3)をギャップスペーサ層(24)と同一の材料から形成する
ことも可能である。

【００１９】又、上記具体的構成を有する複合型薄膜磁
気ヘッドの他の製造方法は、基板(１)上にＭＲ素子層
(４)を覆って上部絶縁層(22)を形成する第１工程と、上
部絶縁層上に下部コア層(85)を形成する第２工程と、下
部コア層上にギャップスペーサ層(24)を形成する第３工
程と、ギャップスペーサ層上に上部コア層(９)を形成す
る第４工程とを具えている。

【００２０】前記第２工程は、上部絶縁層(22)の表面に
下部コア層(85)となる磁性層(62)を形成する工程と、磁
性層(62)の表面をレジスト(74)によって覆う工程と、前
記レジスト(74)をトラック幅と同一幅の平面形状を有す
るレジスト層(75)に成形する工程と、レジスト層(75)を
介して前記磁性層(62)の上層部にイオンビームエッチン
グを施して、該上層部を記録媒体上のトラック幅に応じ
た幅を有するコア部(84)に成形し、下層部をコア部(84)
よりも大きな幅を有するシールド部(83)に成形して、コ
ア部(84)及びシールド部(83)からなる下部コア層(85)を
形成する工程と、前記レジスト層(75)を除去する工程と
から構成されている。

【００２１】又、前記第３工程は、下部コア層(85)の表
面を覆って下部コア層(85)のコア部(84)よりも大きい膜
厚を有する絶縁層(25)を形成する工程と、前記絶縁層(2
5)の表面及び下部コア層(85)のコア部(84)の表面に平面
加工を施して、前記絶縁層(25)の表面と下部コア層(85)
のコア部(84)の表面を同一平面に揃える工程と、平面加
工の施された絶縁層(25)の表面及び下部コア層(85)のコ
ア部(84)の表面にギャップスペーサ層(24)を形成する工
程とから構成されている。

【００２２】更に、前記第４工程は、ギャップスペーサ
層(24)の表面に上部コア層(９)となる磁性層(61)を形成
する工程と、磁性層(61)の表面をレジスト(72)によって
覆う工程と、前記レジスト(72)を下部コア層(85)のコア
部(84)よりもトラック幅方向の幅が大きい平面形状を有
するレジスト層(73)に成形する工程と、レジスト層(73)
を介して前記磁性層(61)にイオンビームエッチングを施
して、前記磁性層(61)を上部コア層(９)に成形する工程
と、前記レジスト層(73)を除去する工程とを具えてい
る。

【００２３】該具体的構成を有する複合型薄膜磁気ヘッ
ドの他の製造方法においては、第３工程にて絶縁層(25)
及びコア部(84)の表面に平面加工が施されるので、絶縁
層(25)の表面とコア部(84)の表面が同一平面に揃うこと
となる。この様に同一平面に揃ったコア部(82)及び絶縁
層(23)の表面にギャップスペーサ層(24)を形成するの
で、ギャップスペーサ層(24)の表面は平面に形成され、
記録媒体に平行な断面に段差部が形成されることはな
い。従って、第４工程の磁性層形成工程にて、磁性層(6
1)の裏面は平面に形成され、この結果、上部コア層(９)
の裏面の両端には、図１０の如き突起(91a)(91a)が形成
されない。

【００２４】

【発明の効果】本発明の複合型薄膜磁気ヘッドにおいて
は、下部コア層のコア部の幅によって、記録媒体上に形
成されるトラック幅を規定する構造を採用しており、該
構造を有する複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法において
は、下部コア層のコア部を高精度に形成することが出来
るので、正確なトラック幅が得られ、歩留まりの高い製
造が可能となる。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の２つの実施の形態
につき、図面に沿って具体的に説明する。第１実施例 本実施例の複合型薄膜磁気ヘッドは、図２に示す如く、
ヘッドスライダーとなる基板(１)の表面に空気ベアリン
グ面Ｓを形成すると共に、その側面に、信号記録用の誘
導型ヘッド素子Ｈ１と、信号再生用のＭＲヘッド素子Ｈ
２とを具えている。

【００２６】誘導型ヘッド素子Ｈ１は、上部コア層(９)
を包囲して伸びるコイル層(11)を具え、該コイル層(11)
の両端部は、一対のターミナル層(12)(12)を経て、一対
のバンプ層(13)(13)へ接続されている。一方、ＭＲヘッ
ド素子Ｈ２は、ＭＲ素子層(図示省略)から伸びる一対の
電極層(５)(５)が、一対のターミナル層(12)(12)を経て
一対のバンプ層(13)(13)へ接続されている。又、電極層
(５)及びターミナル層(12)は、両ヘッド素子Ｈ１及びＨ
２と共に保護層(14)によって覆われており、バンプ層(1
3)は、保護層(14)を貫通して、表面が保護層(14)から露
出している。

【００２７】図１は、本実施例の複合型薄膜磁気ヘッド
の記録媒体に対して平行な断面を表わしている。図示の
如く、Ａl₂Ｏ₃−ＴiＣ等のセラミックス材料からなる基
板(１)上に、ＭＲヘッド素子Ｈ２として、絶縁層(２)が
形成され、絶縁層(２)上には下部シールド層(３)が形成
されている。そして、該下部シールド層(３)上には、下
部絶縁層(21)を介してＭＲ素子層(４)及び電極層(５)
(５)が形成されている。又、ＭＲ素子層(４)及び電極層
(５)(５)を覆って上部絶縁層(22)が形成されている。
又、上部絶縁層(22)上には、誘導型ヘッド素子Ｈ１とし
て、下部コア層(８)が形成されている。該下部コア層
(８)は、ＭＲヘッド素子Ｈ２側に形成された幅広のシー
ルド部(81)と、その反対側に形成された細幅のコア部(8
2)とから構成され、該コア部(82)は、記録媒体と対向す
べき媒体対向面の近傍にて記録媒体上のトラック幅と同
一幅を有している。ここで、下部コア層(８)は、誘導型
ヘッド素子Ｈ１の磁気コアとしての機能を発揮すると同
時に、誘導型ヘッド素子Ｈ１とＭＲヘッド素子Ｈ２の間
の磁気シールドとしての機能を兼ね具えている。更に、
下部コア層(８)上には、ギャップスペーサ層(24)を介し
て、媒体対向面の近傍にて前記コア部(82)よりも大きな
幅を有する上部コア層(９)が形成されている。

【００２８】該複合型薄膜磁気ヘッドの製造工程におい
ては、Ａl₂Ｏ₃−ＴiＯ等のセラミックス材料からなる基
板(１)上に、先ず、ＭＲヘッド素子Ｈ２として、Ａl₂Ｏ
₃等からなる絶縁層(２)、ＦeＡlＳi等の軟磁性材料から
なる下部シールド層(３)、Ａl₂Ｏ₃等からなる下部絶縁
層(21)、ＭＲ素子層(４)、永久磁石からなる電極層(５)
(５)及びＡl₂Ｏ₃等からなる上部絶縁層(22)を順次形成
する。ここまでの工程は従来と同一である。

【００２９】図３乃至図６は、上部絶縁層(22)を形成
後、保護層(14)を形成するまでの具体的な工程を示して
いる。図３(ａ)の如く、基板(１)上には、絶縁層(２)、
下部シールド層(３)、下部絶縁層(21)、ＭＲ素子層
(４)、電極層(５)(５)及び上部絶縁層(22)が順次形成さ
れている。先ず、上部絶縁層(22)の全表面に、スパッタ
リングによって、軟磁性材料からなる磁性層(６)を成膜
する。ここで、上部絶縁層(22)の表面に、記録媒体に垂
直な断面にて段差部が形成されていないので、段差部に
よる厚さの増加は不要である。該磁性層(６)は、例えば
３μｍの厚さに成膜される。

【００３０】次に同図(ｂ)の如く、磁性層(６)の全表面
に、レジスト(７)を塗布する。ここで、上述の如く、前
記磁性層(６)の膜厚が３μｍと大きくなることはなく、
後のエッチング工程においては、該磁性層(６)の上層部
のみにイオンビームエッチングを施すので、エッチング
の深さは浅い。従って、レジスト(７)を薄く塗布するこ
とが可能である。該レジスト(７)は、例えば４μｍ程度
の厚さに塗布される。その後、露光及び現像処理を施し
て、同図(ｃ)の如く、レジスト(７)をトラック幅と同一
幅の平面形状を有するレジスト層(71)に成形するのであ
るが、前述の如くレジスト(７)の膜厚が小さいので、所
定形状のレジスト層(71)を得ることが出来る。又、上部
絶縁層(22)の表面に、記録媒体に垂直な断面にて段差部
が形成されていないので、レジスト(７)の膜厚は均一で
あり、露光工程におけるハレーションの発生が防止さ
れ、所定形状のレジスト層(71)を得ることが出来る。該
レジスト層(71)は、例えば１μｍ程度の幅に形成され
る。

【００３１】そして、磁性層(６)及びレジスト層(71)の
表面にイオンビームエッチングを施す。この際、イオン
ビームエッチングは、磁性層(６)の上層部のみ、例えば
０.５〜１.０μｍ程度の深さまで施し、レジスト層(71)
の外周縁よりも外側に拡がる磁性層(６)の上層部のみを
削り取る。この様にして、同図(ｄ)の如く、磁性層(６)
の上層部を０.５〜１.０μｍ程度の膜厚を有するコア部
(82)に成形する。ここで、前述の如くレジスト層(71)は
所定形状に形成されているので、所期の幅、即ちトラッ
ク幅と同一幅を有するコア部(82)を得ることが出来る。
一方、下層部にはイオンビームエッチングを施さないの
で、該下層部は上部絶縁層(22)の全表面に残存すること
となる。この結果、トラック幅と同一幅を有するコア部
(82)と、該コア部(82)よりも大きな幅を有するシールド
部(81)とを具えた下部コア層(８)が形成されることとな
る。

【００３２】続いて、シールド部(81)及びレジスト層(7
1)の表面に、スパッタリングにより、図４(ａ)の如く、
前記コア部(82)と同一の膜厚、即ち０.５〜１.０μｍの
膜厚を有する絶縁層(23)を成膜する。ここで、該絶縁層
(23)は、例えばＡl₂Ｏ₃等から形成される。次に、超音
波洗浄を施して、同図(ｂ)の如く、前記レジスト層(71)
及びレジスト層(71)の表面に形成された絶縁層(23)を除
去する。この結果、コア部(82)の表面と同一面に揃った
絶縁層(23)が形成されることになる。

【００３３】更に、コア部(82)及び絶縁層(23)の表面
に、スパッタリングによって、同図(ｃ)の如くＡl₂Ｏ₃
等からなるギャップスペーサ層(24)を０.３５μｍ程度
の厚さに成膜する。ここで、コア部(82)の表面と絶縁層
(23)の表面が同一平面に揃えられているので、ギャップ
スペーサ層(24)は平面板状に形成される。そして、ギャ
ップスペーサ層(24)の全表面に、スパッタリングによっ
て、図５(ａ)の如く軟磁性材料からなる磁性層(61)を成
膜する。ここで、ギャップスペーサ層(24)は平面板状に
形成されているので、磁性層(61)は平面板状に形成され
る。

【００３４】その後、磁性層(61)の全表面に、同図(ｂ)
の如くレジスト(72)を塗布し、該レジスト(72)に露光及
び現像処理を施して、同図(ｃ)の如く、レジスト(72)を
前記コア部(82)の幅よりも大きい幅の平面形状を有する
レジスト層(73)に成形する。該レジスト層(73)は、例え
ば２μｍ程度の幅に形成される。

【００３５】そして、磁性層(61)及びレジスト層(73)の
表面にイオンビームエッチングを施して、同図(ｄ)の如
く、磁性層(61)を上部コア層(９)に成形した後、超音波
洗浄によって、図６(ａ)の如く前記レジスト層(73)を除
去する。この結果、前記コア部(82)よりも大きな幅を有
する上部コア層(９)が得られる。又、磁性層(61)は平面
板状に形成されているので、裏面が平面に形成された上
部コア層(９)が得られる。

【００３６】その後、周知の工程により、ターミナル層
及びバンプ層を形成した後、スパッタリングによって、
同図(ｂ)の如く、保護層(14)を成膜する。最後に、該保
護層(14)の表面に研磨を施して、バンプ層を露出させ、
該露出面に、金メッキを施してワイヤボンディングのた
めのパッド層を形成し、複合型薄膜磁気ヘッドを完成す
る。

【００３７】本実施例の複合型薄膜磁気ヘッドにおいて
は、上部コア層(９)の幅を下部コア層(８)のコア部(82)
の幅よりも大きな幅に形成することによって、コア部(8
2)の幅により記録媒体上のトラック幅を規定する。該下
部コア層(８)のコア部(82)の幅は、上述の如く所期の幅
に形成される。この結果、正確なトラック幅を得ること
が出来、歩留まりの高い製造が可能となる。又、下部コ
ア層(８)のコア部(82)の幅によってトラック幅を規定す
るので、上部コア層形成工程にて形成された上部コア層
(９)の幅に多少の誤差が生じたとしても、問題にはなら
ない。更に、本実施例の複合型薄膜磁気ヘッドにおいて
は、上部コア層(９)の裏面が平面に形成されているの
で、記録パターンに歪みが発生しない。

【００３８】第２実施例 本実施例の複合型薄膜磁気ヘッドの構造は、図１及び図
２に示す第１実施例と同一であるので説明を省略する。
又、該複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法は、上部絶縁層
形成工程までは従来と同一であり、上部コア層形成工程
は図５及び図６に示す第１実施例と同一である。

【００３９】該複合型薄膜磁気ヘッドの製造工程におい
ては、先ず従来と同一の工程により、上部絶縁層(22)を
形成する。図７及び図８は、上部絶縁層(22)を形成後、
ギャップスペーサ層(24)を形成するまでの具体的な下部
コア層形成工程を示している。図７(ａ)の如く、基板
(１)上には、絶縁層(２)、下部シールド層(３)、下部絶
縁層(21)、ＭＲ素子層(４)、電極層(５)(５)及び上部絶
縁層(22)が順次形成されている。先ず、上部絶縁層(22)
の全表面に、スパッタリングによって、軟磁性材料から
なる磁性層(62)を成膜する。この際、上部絶縁層(22)の
表面に、記録媒体に垂直な断面にて段差部が形成されて
いないので、段差部による厚さの増加は不要である。し
かしながら、ここでは、下部コア層(85)のコア部(84)の
所期の膜厚が例えば０.５〜１.０μｍ程度、シールド部
(83)の所期の膜厚が例えば２.０〜２.５μｍ程度であっ
て、下部コア層(85)全体としての所期の膜厚が３.０μ
ｍ程度である場合、それより大きい、例えば５μｍ程度
の膜厚を有する磁性層(62)を成膜する。

【００４０】次に同図(ｂ)の如く、磁性層(62)の全表面
に、レジスト(74)を塗布する。ここで、上述の如く、磁
性層(62)の膜厚が５μｍ程度と大きくなることはなく、
後のエッチング工程においては、該磁性層(62)の上層部
のみにイオンビームエッチングを施すので、エッチング
の深さは浅い。従って、レジスト(74)を薄く塗布するこ
とが可能である。その後、露光及び現像処理を施して、
同図(ｃ)の如く、レジスト(74)をトラック幅と同一幅の
平面形状を有するレジスト層(75)に成形するのである
が、前述の如くレジスト(74)の膜厚が小さいので、所定
形状のレジスト層(75)を得ることが出来る。又、上部絶
縁層(22)の表面に、記録媒体に垂直な断面にて段差部が
形成されていないので、レジスト(74)の膜厚は均一であ
り、露光工程におけるハレーションの発生が防止され、
所定形状のレジスト層(75)を得ることが出来る。該レジ
スト層(75)は、例えば１μｍ程度の幅に形成される。

【００４１】そして、磁性層(62)及びレジスト層(75)の
表面にイオンビームエッチングを施す。この際、イオン
ビームエッチングは、磁性層(62)の上層部のみ、例えば
２.５〜３.０μｍ程度の深さまで施し、レジスト層(75)
の外周縁よりも外側に拡がる磁性層(62)の上層部のみを
削り取る。この様にして、同図(ｄ)の如く、磁性層(62)
の上層部を２.５〜３.０μｍ程度の膜厚を有するコア部
(84)に成形する。ここで、前述の如くレジスト層(75)は
所定形状に形成されているので、所期の幅、即ちトラッ
ク幅と同一幅を有するコア部(84)を得ることが出来る。
一方、下層部にはイオンビームエッチングを施さないの
で、該下層部は上部絶縁層(22)の全表面に残存すること
となる。この結果、トラック幅と同一幅を有するコア部
(84)と、該コア部(84)よりも大きな幅を有するシールド
部(83)とを具えた下部コア層(85)が形成されることとな
る。

【００４２】続いて、超音波洗浄を施して、図８(ａ)に
示す如く、レジスト層(75)を除去した後、下部コア層(8
5)を覆って、スパッタリングにより、同図(ｂ)の如くＡ
l₂Ｏ₃等からなる絶縁層(25)を成膜する。次に、絶縁層
(25)の表面に研磨を施して、コア部(84)の表面を絶縁層
(25)から露出させ、更に絶縁層(25)及び露出したコア部
(84)の表面に研磨を施して、同図(ｃ)の如く、コア部(8
4)の表面と絶縁層(25)の表面を同一平面に揃える。この
様にコア部(84)の表面にも研磨を施すので、上述の如く
所期の膜厚よりも大きい２.５〜３.０μｍ程度の膜厚を
有するコア部(84)は、所期の０.５〜１.０μｍ程度の膜
厚を有するコア部(84)に成形されることとなる。

【００４３】更に、コア部(84)及び絶縁層(25)の表面
に、スパッタリングによって、同図(ｄ)の如くＡl₂Ｏ₃
等からなるギャップスペーサ層(24)を０.３５μｍ程度
の厚さに成膜する。ここで、コア部(84)の表面と絶縁層
(25)の表面が同一平面に揃えられているので、上記第１
実施例と同様に、ギャップスペーサ層(24)は平面板状に
形成される。

【００４４】そして、図５及び図６に示す第１実施例と
同一の工程により、上部コア層(９)、ターミナル層及び
バンプ層を形成した後、スパッタリングによって、保護
層(14)を成膜する。最後に、該保護層(14)の表面に研磨
を施して、バンプ層を露出させ、該露出面に、金メッキ
を施してワイヤボンディングのためのパッド層を形成
し、複合型薄膜磁気ヘッドを完成する。

【００４５】上記実施の形態の説明は、本発明を説明す
るためのものであって、特許請求の範囲に記載の発明を
限定し、或いは範囲を減縮する様に解すべきではない。
又、本発明の各部構成は上記実施の形態に限らず、特許
請求の範囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能で
あることは勿論である。

【００４６】例えば、第１及び第２実施例において、上
記上部コア層(９)の代わりに、下部コア層(８)(85)のコ
ア部(82)(84)の幅と同一幅、即ちトラック幅を有する上
部コア層を形成することも可能である。該複合型薄膜磁
気ヘッドにおいては、上部コア層の幅がトラック幅を規
定すべき下部コア層(８)(85)のコア部(82)(84)の幅と同
一幅に形成されるので、ギャップスペーサ層(24)からの
漏れ磁束がコア部(82)(84)の両側へ広がり難くなって、
記録にじみが抑制される。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施例の複合型薄膜磁気ヘッドの記録媒体
に平行な断面図である。

【図２】複合型薄膜磁気ヘッドの外観を示す斜視図であ
る。

【図３】第１実施例における下部コア層形成工程の前半
を示す工程図である。

【図４】同上工程の後半を示す工程図である。

【図５】第１実施例における上部コア層形成工程の前半
を示す工程図である。

【図６】同上工程の後半を示す工程図である。

【図７】第２実施例における下部コア層形成工程の前半
を示す工程図である。

【図８】同上工程の後半を示す工程図である。

【図９】下部コア層が本発明の構造を有する複合型薄膜
磁気ヘッドにおいて、従来の上部コア層形成工程を採用
した場合の不具合を説明するための断面図である。

【図１０】同上の不具合を示す断面図である。

【図１１】従来の複合型薄膜磁気ヘッドの記録媒体に平
行な断面図である。

【図１２】従来の複合型薄膜磁気ヘッドの記録媒体に垂
直な断面図である。

【図１３】従来の上部コア層形成工程の前半を示す工程
図である。

【図１４】同上工程の後半を示す工程図である。

【符号の説明】

(１) 基板 (14) 保護層 (２) 絶縁層 (21) 下部絶縁層 (22) 上部絶縁層 (24) ギャップスペーサ層 (３) 下部シールド層 (４) ＭＲ素子層 (５) 電極層 (８) 下部コア層 (９) 上部コア層

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板(１)上に磁気抵抗効果型ヘッド素子
   Ｈ２と誘導型ヘッド素子Ｈ１を積層して形成されている
   複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、誘導型ヘッド素子Ｈ１
   は、ギャップスペーサ層(24)を挟んで磁気抵抗効果型ヘ
   ッド素子Ｈ２側に下部コア層、その反対側に上部コア層
   (９)を配置し、下部コア層は、上部コア層側に形成され
   て少なくとも記録媒体と対向すべき媒体対向面の近傍に
   て記録媒体上のトラック幅に応じた幅を有するコア部
   と、磁気抵抗効果型ヘッド素子Ｈ２側に形成されて少な
   くとも媒体対向面の近傍にてコア部よりも大きな幅を有
   するシールド部とを具え、上部コア層(９)は、少なくと
   も媒体対向面の近傍にて前記コア部よりも大きな幅を有
   していることを特徴とする複合型薄膜磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 前記下部コア層は、絶縁層によって包囲
   され、該絶縁層の表面と前記下部コア層のコア部の表面
   は夫々平面に形成されて、互いに同一の平面上に揃って
   いる請求項１に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
3. 【請求項３】 基板(１)上に磁気抵抗効果素子層(４)を
   覆って上部絶縁層(22)を形成する第１工程と、上部絶縁
   層上に下部コア層(８)を形成する第２工程と、下部コア
   層上にギャップスペーサ層(24)を形成する第３工程と、
   ギャップスペーサ層上に上部コア層(９)を形成する第４
   工程とを具えた複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法におい
   て、前記第２工程は、 上部絶縁層(22)の表面に下部コア層(８)となる磁性層
   (６)を形成する工程と、磁性層(６)の表面をレジスト
   (７)によって覆う工程と、 前記レジスト(７)をトラック幅と同一幅の平面形状を有
   するレジスト層(71)に成形する工程と、 レジスト層(71)を介して前記磁性層(６)の上層部にイオ
   ンビームエッチングを施して、該上層部を記録媒体上の
   トラック幅に応じた幅を有するコア部(82)に成形し、下
   層部をコア部(82)よりも大きな幅を有するシールド部(8
   1)に成形して、コア部(82)及びシールド部(81)からなる
   下部コア層(８)を形成する工程とから構成され、前記第
   ３工程は、 下部コア層(８)のシールド部(81)の表面及びレジスト層
   (71)の表面に下部コア層(８)のコア部(82)と同一の膜厚
   を有する絶縁層(23)を形成する工程と、 前記レジスト層(71)及びレジスト層(71)の表面に形成さ
   れた絶縁層(23)を除去する工程と、 下部コア層(８)のコア部(82)の表面及び絶縁層(23)の表
   面にギャップスペーサ層(24)を形成する工程とから構成
   され、前記第４工程は、 ギャップスペーサ層(24)の表面に上部コア層(９)となる
   磁性層(61)を形成する工程と、 磁性層(61)の表面をレジスト(72)によって覆う工程と、 前記レジスト(72)を下部コア層(８)のコア部(82)よりも
   トラック幅方向の幅が大きい平面形状を有するレジスト
   層(73)に成形する工程と、 レジスト層(73)を介して前記磁性層(61)にイオンビーム
   エッチングを施して、前記磁性層(61)を上部コア層(９)
   に成形する工程と、 前記レジスト層(73)を除去する工程とを具えていること
   を特徴とする複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
4. 【請求項４】 基板(１)上に磁気抵抗効果素子層(４)を
   覆って上部絶縁層(22)を形成する第１工程と、上部絶縁
   層上に下部コア層(85)を形成する第２工程と、下部コア
   層上にギャップスペーサ層(24)を形成する第３工程と、
   ギャップスペーサ層上に上部コア層(９)を形成する第４
   工程とを具えた複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法におい
   て、前記第２工程は、 上部絶縁層(22)の表面に下部コア層(85)となる磁性層(6
   2)を形成する工程と、 磁性層(62)の表面をレジスト(74)によって覆う工程と、 前記レジスト(74)をトラック幅と同一幅の平面形状を有
   するレジスト層(75)に成形する工程と、 レジスト層(75)を介して前記磁性層(62)の上層部にイオ
   ンビームエッチングを施して、該上層部を記録媒体上の
   トラック幅に応じた幅を有するコア部(84)に成形し、下
   層部をコア部(84)よりも大きな幅を有するシールド部(8
   3)に成形して、コア部(84)及びシールド部(83)からなる
   下部コア層(85)を形成する工程と、 前記レジスト層(75)を除去する工程とから構成され、前
   記第３工程は、 下部コア層(85)の表面を覆って下部コア層(85)のコア部
   (84)よりも大きい膜厚を有する絶縁層(25)を形成する工
   程と、 前記絶縁層(25)の表面及び下部コア層(85)のコア部(84)
   の表面に平面加工を施して、前記絶縁層(25)の表面と下
   部コア層(85)のコア部(84)の表面を同一平面に揃える工
   程と、 平面加工の施された絶縁層(25)の表面及び下部コア層(8
   5)のコア部(84)の表面にギャップスペーサ層(24)を形成
   する工程とから構成され、前記第４工程は、 ギャップスペーサ層(24)の表面に上部コア層(９)となる
   磁性層(61)を形成する工程と、 磁性層(61)の表面をレジスト(72)によって覆う工程と、 前記レジスト(72)を下部コア層(85)のコア部(84)よりも
   トラック幅方向の幅が大きい平面形状を有するレジスト
   層(73)に成形する工程と、 レジスト層(73)を介して前記磁性層(61)にイオンビーム
   エッチングを施して、前記磁性層(61)を上部コア層(９)
   に成形する工程と、 前記レジスト層(73)を除去する工程とを具えていること
   を特徴とする複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。