JPH02222502A - 粒界酸化型電圧非直線抵抗素子 - Google Patents
粒界酸化型電圧非直線抵抗素子Info
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- JPH02222502A JPH02222502A JP1044735A JP4473589A JPH02222502A JP H02222502 A JPH02222502 A JP H02222502A JP 1044735 A JP1044735 A JP 1044735A JP 4473589 A JP4473589 A JP 4473589A JP H02222502 A JPH02222502 A JP H02222502A
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- 230000003647 oxidation Effects 0.000 title claims description 12
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 title claims description 12
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 6
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 2
- 229910010252 TiO3 Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 abstract 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000005621 ferroelectricity Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- LEDMRZGFZIAGGB-UHFFFAOYSA-L strontium carbonate Chemical compound [Sr+2].[O-]C([O-])=O LEDMRZGFZIAGGB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000018 strontium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は粒界酸化型電圧非直線抵抗素子に関し、特に
たとえば電子機器や電気機器で発生する異常電圧、ノイ
ズおよび静電気などを吸収または除去するためなどに用
いられるバリスタなどのような、粒界酸化型電圧非直線
抵抗素子に関する。
たとえば電子機器や電気機器で発生する異常電圧、ノイ
ズおよび静電気などを吸収または除去するためなどに用
いられるバリスタなどのような、粒界酸化型電圧非直線
抵抗素子に関する。
（従来技術）
従来の粒界酸化型電圧非直線抵抗素子としては、たとえ
ばＳ ｒ Ｔ ｉ Ｏｓ系の半導体磁器の結晶粒界を空
気中酸化やＮａ、Ｏなどの酸化剤によって酸化し、結晶
粒界に絶縁層を形成したものがあった。
ばＳ ｒ Ｔ ｉ Ｏｓ系の半導体磁器の結晶粒界を空
気中酸化やＮａ、Ｏなどの酸化剤によって酸化し、結晶
粒界に絶縁層を形成したものがあった。
このような電圧非直線抵抗素子は、その素体がペロブス
カイト結晶構造を有し、強誘電性を示すため、単にバリ
スタとしての機能のみでなく、コンデンサとしての機能
も有する。したがって、この電圧非直線抵抗素子を用い
て、異常高電圧（サージ）の吸収や電圧の安定化などを
行うことができるという利点がある。
カイト結晶構造を有し、強誘電性を示すため、単にバリ
スタとしての機能のみでなく、コンデンサとしての機能
も有する。したがって、この電圧非直線抵抗素子を用い
て、異常高電圧（サージ）の吸収や電圧の安定化などを
行うことができるという利点がある。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、従来の５ｒＴｉＯ，、系半導体磁器を用
いたものでは、磁器を構成する粒子間の抵抗が大きいた
め、その非直線係数が小さい。また、５ｒＴｉ０３系半
導体磁器を用いたものでは、パルス電圧が印加されるこ
とによってその電気的特性が劣化してしまう。
いたものでは、磁器を構成する粒子間の抵抗が大きいた
め、その非直線係数が小さい。また、５ｒＴｉ０３系半
導体磁器を用いたものでは、パルス電圧が印加されるこ
とによってその電気的特性が劣化してしまう。
それゆえに、この発明の主たる目的は、バリスタ特性と
コンデンサ特性の両方を備え、大きなバリスタ電圧と大
きな非直線係数を有し、かつ大きなサージ耐量を有する
、粒界酸化型電圧非直線抵抗素子を提供することである
。
コンデンサ特性の両方を備え、大きなバリスタ電圧と大
きな非直線係数を有し、かつ大きなサージ耐量を有する
、粒界酸化型電圧非直線抵抗素子を提供することである
。
（課題を解決するための手段）
この発明は、（Ｓｒ＋−＊ Ｃａｘ ）Ｔｉｅｓ （
ただし、Ｘ≦０．２５）を９８．０〜９９．９モル％と
、Ｎｂ、Ｗ、Ｔａ、Ｉ ｎおよび希土類元素の中から選
ばれる少なくとも１種類の酸化物を０゜１〜２．０モル
％とからなる素体に対して、酸化ナトリウム、酸化チタ
ン、酸化モリブデンがＮａｔ Ｏ，Ｔ ｉ Ｏｘおよび
ＭｏＯ３に換算して（Ｎａ、Ｏ＞０．Ｔｉｅ、＞Ｏ，Ｍ
ｏ５ｓ ＞０）総量０．０１〜２．０モル％含有されて
なる、粒界酸化型電圧非直線抵抗素子である。
ただし、Ｘ≦０．２５）を９８．０〜９９．９モル％と
、Ｎｂ、Ｗ、Ｔａ、Ｉ ｎおよび希土類元素の中から選
ばれる少なくとも１種類の酸化物を０゜１〜２．０モル
％とからなる素体に対して、酸化ナトリウム、酸化チタ
ン、酸化モリブデンがＮａｔ Ｏ，Ｔ ｉ Ｏｘおよび
ＭｏＯ３に換算して（Ｎａ、Ｏ＞０．Ｔｉｅ、＞Ｏ，Ｍ
ｏ５ｓ ＞０）総量０．０１〜２．０モル％含有されて
なる、粒界酸化型電圧非直線抵抗素子である。
（発明の効果）
この発明によれば、バリスタ特性とコンデンサ特性の両
方を備えた粒界酸化型電圧非直線抵抗素子を得ることが
できる。さらに、この粒界酸化型電圧非直線抵抗素子は
、１００〜３００ｖ程度の大きなバリスタ電圧を得るこ
とができ、さらに１５以上の大きな非直線係数を得るこ
とができる。
方を備えた粒界酸化型電圧非直線抵抗素子を得ることが
できる。さらに、この粒界酸化型電圧非直線抵抗素子は
、１００〜３００ｖ程度の大きなバリスタ電圧を得るこ
とができ、さらに１５以上の大きな非直線係数を得るこ
とができる。
また、この粒界酸化型電圧非直線抵抗素子では、５００
０ Ａ／ｃｄまでのサージに耐えることができる。
０ Ａ／ｃｄまでのサージに耐えることができる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう
。
は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう
。
（実施例）
まず、ＳｒＣＯ３、Ｔｉ１ｔ ＋ ＣａＣ０ｚおよび
Ｎ ｂ ＊ Ｗ、Ｔ ａ 、 Ｉ ｎ 、希土類元素
の酸化物粉末を別表に示す組成比のものが得られるよう
に秤量して湿式混合した。この混合物を乾燥後、１１５
０℃で２時間仮焼し、粉砕した。この粉砕物に酢酸ビニ
ル系樹脂を５重量％添加して造粒し、この造粒粉を１ｔ
ｏｎ／ａＪの圧力で、直径１０ｍｍ、厚さ１．５ｍのベ
レット状に成形した。この成形体を空気中において１０
００℃で２時間焼成した後、体積比でＨｔ ：Ｎ！
−１： １００の雰囲気中において１４５０℃で２時間
焼成し、半導体磁器を得た。得られた半導体磁器に、別
表に示す割合でＮａ ｔ Ｏ，Ｔ ｌ ０２およびＭＯ
Ｏ，の混合酸化物をフェスとともに塗布し、空気中にお
いて１２００℃で２時間熱処理を行って、磁器ユニット
を得た。
Ｎ ｂ ＊ Ｗ、Ｔ ａ 、 Ｉ ｎ 、希土類元素
の酸化物粉末を別表に示す組成比のものが得られるよう
に秤量して湿式混合した。この混合物を乾燥後、１１５
０℃で２時間仮焼し、粉砕した。この粉砕物に酢酸ビニ
ル系樹脂を５重量％添加して造粒し、この造粒粉を１ｔ
ｏｎ／ａＪの圧力で、直径１０ｍｍ、厚さ１．５ｍのベ
レット状に成形した。この成形体を空気中において１０
００℃で２時間焼成した後、体積比でＨｔ ：Ｎ！
−１： １００の雰囲気中において１４５０℃で２時間
焼成し、半導体磁器を得た。得られた半導体磁器に、別
表に示す割合でＮａ ｔ Ｏ，Ｔ ｌ ０２およびＭＯ
Ｏ，の混合酸化物をフェスとともに塗布し、空気中にお
いて１２００℃で２時間熱処理を行って、磁器ユニット
を得た。
得られた磁器ユニットの対向面に銀ペーストを塗布し、
８００℃で焼き付けて銀電極を形成し、その電気的特性
を評価した。
８００℃で焼き付けて銀電極を形成し、その電気的特性
を評価した。
ここでは、磁器ユニットに１ｍＡの電流を流した時のバ
リスタ電圧ｖｔ−ａ （ｖ）および非直線係数αと５
０００Ａ／−のサージ電流を印加した時のバリスタ電圧
の変化率ΔＶ＋−ａ （％）および非直線係数の変化
率Δα（％）とを測定し、別表に示した。
リスタ電圧ｖｔ−ａ （ｖ）および非直線係数αと５
０００Ａ／−のサージ電流を印加した時のバリスタ電圧
の変化率ΔＶ＋−ａ （％）および非直線係数の変化
率Δα（％）とを測定し、別表に示した。
表の試料番号３のように、半導体化剤としてのＮｂ、Ｗ
、Ｔａ、Ｉｎおよび希土類元素などの酸化物が添加され
ていない場合、その電気的特性を測定することができな
かった。
、Ｔａ、Ｉｎおよび希土類元素などの酸化物が添加され
ていない場合、その電気的特性を測定することができな
かった。
また、試料番号７のように、半導体化剤が２゜０モル％
を超えた場合、サージ電流を印加したときのバリスタ電
圧変化率および非直線係数変化率が大きくなる。
を超えた場合、サージ電流を印加したときのバリスタ電
圧変化率および非直線係数変化率が大きくなる。
さらに、試料番号１４のように、ＳｒおよびＣａの原子
数を１としたときのＣａの原子数Ｘが０．２５を超えた
場合、バリスタ電圧が小さくなるとともに、サージ電流
を印加したときのバリスタ電圧変化率および非直線係数
変化率が大きくなる。
数を１としたときのＣａの原子数Ｘが０．２５を超えた
場合、バリスタ電圧が小さくなるとともに、サージ電流
を印加したときのバリスタ電圧変化率および非直線係数
変化率が大きくなる。
また、試料番号１５のように、酸化剤の添加量が０．０
１モル％より少ない場合、バリスタ電圧および非直線係
数が小さくなる。
１モル％より少ない場合、バリスタ電圧および非直線係
数が小さくなる。
さらに、試料番号２１のように、酸化剤の添加量が２．
０モル％を超えた場合、サージ電流を印加したときのバ
リスタ電圧変化率および非直線係数変化率が太き（なる
。
０モル％を超えた場合、サージ電流を印加したときのバ
リスタ電圧変化率および非直線係数変化率が太き（なる
。
それに対して、この発明の粒界酸化型電圧非直線抵抗素
子では、５０００Ａ／ａＪまでのサージ電流に耐えるこ
とができ、かつ非直線係数αが１５以上と大きい。
子では、５０００Ａ／ａＪまでのサージ電流に耐えるこ
とができ、かつ非直線係数αが１５以上と大きい。
また、酸化剤として、ＮａおよびＴｉの酸化物を用いた
場合、サージ耐量および非直線係数が従来のものの１．
５倍程度になり、安定性にも優れたものとなる。さらに
、Ｍｏｂ、を加えた場合、静電容量が従来のものに比べ
て最大２倍にすることができるとともに、サージ耐量や
非直線係数をさらに大きくすることができる。また、静
電容量は、ＭｏＯ３の添加量によってコントロールする
ことができ、粒界酸化型電圧非直線抵抗素子の生産に好
適である。
場合、サージ耐量および非直線係数が従来のものの１．
５倍程度になり、安定性にも優れたものとなる。さらに
、Ｍｏｂ、を加えた場合、静電容量が従来のものに比べ
て最大２倍にすることができるとともに、サージ耐量や
非直線係数をさらに大きくすることができる。また、静
電容量は、ＭｏＯ３の添加量によってコントロールする
ことができ、粒界酸化型電圧非直線抵抗素子の生産に好
適である。
特許出願人 株式会社 村田製作所
代理人 弁理士 岡 １） 全 啓
Claims (1)
- （Ｓｒ＿１＿−＿ｘＣａ＿ｘ）ＴｉＯ＿３（ただし、
ｘ≦０．２５）を９８．０〜９９．９モル％と、Ｎｂ，
Ｗ，Ｔａ，Ｉｎおよび希土類元素の中から選ばれる少な
くとも１種類の酸化物を０．１〜２．０モル％とからな
る素体に対して、酸化ナトリウム，酸化チタン，酸化モ
リブデンがＮａ＿２Ｏ，ＴｉＯ＿２およびＭｏＯ＿３に
換算して（Ｎａ＿２Ｏ＞０，ＴｉＯ＿２＞０，ＭｏＯ＿
３＞０）総量０．０１〜２．０モル％含有されてなる、
粒界酸化型電圧非直線抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1044735A JPH02222502A (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 粒界酸化型電圧非直線抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1044735A JPH02222502A (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 粒界酸化型電圧非直線抵抗素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02222502A true JPH02222502A (ja) | 1990-09-05 |
Family
ID=12699709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1044735A Pending JPH02222502A (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 粒界酸化型電圧非直線抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02222502A (ja) |
-
1989
- 1989-02-23 JP JP1044735A patent/JPH02222502A/ja active Pending
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