JPH02265216A - 粒界酸化型電圧非直線低抗素子 - Google Patents
粒界酸化型電圧非直線低抗素子Info
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- JPH02265216A JPH02265216A JP1087564A JP8756489A JPH02265216A JP H02265216 A JPH02265216 A JP H02265216A JP 1087564 A JP1087564 A JP 1087564A JP 8756489 A JP8756489 A JP 8756489A JP H02265216 A JPH02265216 A JP H02265216A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は粒界酸化型電圧非直線抵抗素子に関し、特に
たとえば電子機器や電気機器で発生する異常電圧、ノイ
ズおよび静電気などを吸収または除去するためなどに用
いられるバリスタなどのような、粒界酸化型電圧非直線
抵抗素子に関する。
たとえば電子機器や電気機器で発生する異常電圧、ノイ
ズおよび静電気などを吸収または除去するためなどに用
いられるバリスタなどのような、粒界酸化型電圧非直線
抵抗素子に関する。
（従来技術）
従来の粒界酸化型電圧非直線抵抗素子としては、たとえ
ば５ｒＴｉＯ＋系の半導体磁器の結晶粒界を空気中酸化
やＮａ２ｏなどの酸化剤によって酸化し、結晶粒界に絶
縁層を形成したものがあった。
ば５ｒＴｉＯ＋系の半導体磁器の結晶粒界を空気中酸化
やＮａ２ｏなどの酸化剤によって酸化し、結晶粒界に絶
縁層を形成したものがあった。
このような電圧非直線抵抗素子は、その素体がペロブス
カイト結晶構造を有し、強誘電性を示すため、単にバリ
スタとしての機能のみでなく、コンデンサとしての機能
も有する。したがって、この電圧非直線抵抗素子を用い
て、異常高電圧（サージ）の吸収や電圧の安定化などを
行うことができるという利点がある。
カイト結晶構造を有し、強誘電性を示すため、単にバリ
スタとしての機能のみでなく、コンデンサとしての機能
も有する。したがって、この電圧非直線抵抗素子を用い
て、異常高電圧（サージ）の吸収や電圧の安定化などを
行うことができるという利点がある。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、従来の５ｒＴｉ○３系半導体磁器を用い
たものでは、磁器を構成する粒子間の抵抗が大きいため
、その非直線係数が小さい。また、５ｒＴｉＯ：ｌ系半
導体磁器を用いたものでは、パルス電圧が印加されるこ
とによってその電気的特性が劣化してしまう。
たものでは、磁器を構成する粒子間の抵抗が大きいため
、その非直線係数が小さい。また、５ｒＴｉＯ：ｌ系半
導体磁器を用いたものでは、パルス電圧が印加されるこ
とによってその電気的特性が劣化してしまう。
それゆえに、この発明の主たる目的は、バリスタ特性と
コンデンサ特性の両方を備え、大きなバリスタ電圧と大
きな非直線係数を有し、かつ大きなサージ耐量を有する
、粒界酸化型電圧非直線抵抗素子を提供することである
。
コンデンサ特性の両方を備え、大きなバリスタ電圧と大
きな非直線係数を有し、かつ大きなサージ耐量を有する
、粒界酸化型電圧非直線抵抗素子を提供することである
。
（課題を解決するための手段）
この発明は、（Ｓｒｌ−ｘ Ｃａ、 ）Ｔｉ０３ （
ただし、Ｘ≦０．２５）を９８．０〜９９．９モル％と
、Ｎｂ、Ｗ、Ｔａ、Ｉ ｎおよび希土類元素の中から選
ばれる少なくとも１種類の酸化物を０゜１〜２．０モル
％とからなる素体に対して、ＣｕＯ，ＰｂＯ，Ｂ ｉｚ
Ｏ：ｌ 、Ｓｂｚ ０３ 、Ｖｚ ＯｓＭｏｂｆｆの
中から選ばれる少なくとも１種類とＮａ２ｏ、Ｔ ｉ０
２’ （Ｎａｚ Ｑ＞ｏ、Ｔ ｉ ０２ ＞０）とを合
わせて０．０１〜２．０モル％含有されてなる、粒界酸
化型電圧非直線抵抗素子である。
ただし、Ｘ≦０．２５）を９８．０〜９９．９モル％と
、Ｎｂ、Ｗ、Ｔａ、Ｉ ｎおよび希土類元素の中から選
ばれる少なくとも１種類の酸化物を０゜１〜２．０モル
％とからなる素体に対して、ＣｕＯ，ＰｂＯ，Ｂ ｉｚ
Ｏ：ｌ 、Ｓｂｚ ０３ 、Ｖｚ ＯｓＭｏｂｆｆの
中から選ばれる少なくとも１種類とＮａ２ｏ、Ｔ ｉ０
２’ （Ｎａｚ Ｑ＞ｏ、Ｔ ｉ ０２ ＞０）とを合
わせて０．０１〜２．０モル％含有されてなる、粒界酸
化型電圧非直線抵抗素子である。
（発明の効果）
この発明によれば、バリスタ特性とコンデンサ特性の両
方を備えた粒界酸化型電圧非直線抵抗素子を得ることが
できる。さらに、この粒界酸化型電圧非直線抵抗素子は
、１００〜３００Ｖ程度の大きなバリスタ電圧を得るこ
とができ、さらに１５以上の大きな非直線係数を得るこ
とができる。
方を備えた粒界酸化型電圧非直線抵抗素子を得ることが
できる。さらに、この粒界酸化型電圧非直線抵抗素子は
、１００〜３００Ｖ程度の大きなバリスタ電圧を得るこ
とができ、さらに１５以上の大きな非直線係数を得るこ
とができる。
また、この粒界酸化型電圧非直線抵抗素子では、５００
０Ａ／ｃｎ！までのサージに耐えることができる。
０Ａ／ｃｎ！までのサージに耐えることができる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう
。
は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう
。
（実施例）
まず、Ｓ ｒ ＣＯ３、Ｔ ｉ ０２ 、 Ｃａ Ｃ
ＯａおよびＮｂ、Ｗ、Ｔａ、Ｉ ｎ、希土類元素の酸化
物粉末を別表に示す組成比のものが得られるように秤量
して湿式混合した。この混合物を乾燥後、１１５０℃で
２時間仮焼し、粉砕した。この粉砕物に酢酸ビニル系樹
脂を５重量％添加して造粒し、この造粒粉を１． ｔｏ
ｎ ／ ｃ＋＋ｔの圧力で、直径１０龍２厚さ１．５鰭
のベレット状に成形した。この成形体を空気中において
１ｏｏｏ℃で２時間焼成した後、体積比でＨ２：ＮＺ
＝１ ： １００の雰囲気中において１４５０°Ｃで２
時間焼成し、半導体磁器を得た。得られた半導体ｌａ器
に、別表に示す割合で酸化剤を加え、１２００℃で２時
間熱処理を行って、磁器ユニットを得た。得られた磁器
ユニットの対向面に銀電極を形成し、その電気的特性を
評価した。
ＯａおよびＮｂ、Ｗ、Ｔａ、Ｉ ｎ、希土類元素の酸化
物粉末を別表に示す組成比のものが得られるように秤量
して湿式混合した。この混合物を乾燥後、１１５０℃で
２時間仮焼し、粉砕した。この粉砕物に酢酸ビニル系樹
脂を５重量％添加して造粒し、この造粒粉を１． ｔｏ
ｎ ／ ｃ＋＋ｔの圧力で、直径１０龍２厚さ１．５鰭
のベレット状に成形した。この成形体を空気中において
１ｏｏｏ℃で２時間焼成した後、体積比でＨ２：ＮＺ
＝１ ： １００の雰囲気中において１４５０°Ｃで２
時間焼成し、半導体磁器を得た。得られた半導体ｌａ器
に、別表に示す割合で酸化剤を加え、１２００℃で２時
間熱処理を行って、磁器ユニットを得た。得られた磁器
ユニットの対向面に銀電極を形成し、その電気的特性を
評価した。
ここでは、磁器ユニットに１ｍＡの電流を流した時のバ
リスタ電圧Ｖ、□ （Ｖ）および非直線係数αと５００
０Ａ／ｃＩＩｔのサージ電流を印加した時のバリスタ電
圧の変化率Δｖ１、（％）および非直線係数の変化率Δ
α（％）とを測定し、別表に示した。
リスタ電圧Ｖ、□ （Ｖ）および非直線係数αと５００
０Ａ／ｃＩＩｔのサージ電流を印加した時のバリスタ電
圧の変化率Δｖ１、（％）および非直線係数の変化率Δ
α（％）とを測定し、別表に示した。
表の試料番号３のように、半導体化剤としてのＮｂ、Ｗ
、Ｔａ、Ｉ ｎおよび希土類元素などの酸化物が添加さ
れていない場合、その電気的特性を測定することができ
なかった。
、Ｔａ、Ｉ ｎおよび希土類元素などの酸化物が添加さ
れていない場合、その電気的特性を測定することができ
なかった。
また、試料番号７のように、半導体化剤が２゜０モル％
を超えた場合、サージ電流を印加したときのバリスタ電
圧変化率および非直線係数変化率が大きくなる。
を超えた場合、サージ電流を印加したときのバリスタ電
圧変化率および非直線係数変化率が大きくなる。
さらに、試料番号１２のように、ＳｒおよびＣａの原子
数を１としたときのＣａの原子Ｄｘが０２５を超えた場
合、バリスタ電圧が小さくなるとともに、サージ電流を
印加したときのバリスタ電圧変化率および非直線係数変
化率が大きくなる。
数を１としたときのＣａの原子Ｄｘが０２５を超えた場
合、バリスタ電圧が小さくなるとともに、サージ電流を
印加したときのバリスタ電圧変化率および非直線係数変
化率が大きくなる。
また、試料番号１３のように、酸化剤の添加■が０．０
１モル％より少ない場合、バリスタ電圧および非直線係
数が小さくなる。
１モル％より少ない場合、バリスタ電圧および非直線係
数が小さくなる。
さらに、試料番号１４．１５．１６のように酸化剤がＮ
ａｚ ＱかＴ ｉ Ｏ□のいずれが工種の場合には、バ
リスタ電圧および非直線係数（α）がともに小さくなる
。
ａｚ ＱかＴ ｉ Ｏ□のいずれが工種の場合には、バ
リスタ電圧および非直線係数（α）がともに小さくなる
。
さらに、試料番号１９および試料番号２７のように、酸
化剤の添加量が２．０モル％を超えた場合、サージ電流
を印加したときのバリスタ電圧変化率および非直線係数
変化率が大きくなる。
化剤の添加量が２．０モル％を超えた場合、サージ電流
を印加したときのバリスタ電圧変化率および非直線係数
変化率が大きくなる。
それに対して、この発明の粒界酸化型電圧非直線抵抗素
子では、５０００ Ａ ／ ｃｉまテノサージ電流に耐
えることができ、かつ非直線係数αが１５以上と大きい
。
子では、５０００ Ａ ／ ｃｉまテノサージ電流に耐
えることができ、かつ非直線係数αが１５以上と大きい
。
また、酸化剤として、ＮａおよびＴｉの酸化物を用いた
場合、サージ耐量および非直線係数が従来のものの１．
５倍程度になり、安定性にも優れたものとなる。さらに
、Ｃｕ Ｏ，Ｐ ｂ Ｏ，Ｂ ｉ ｚＯｌ、 Ｓ ｂ
ｚ Ｏ：ｌ’、 Ｖ２ Ｏ５、Ｍ ｏ ０３の中から
選ばれる少なくとも１種類を加えた場合、静電容量が従
来のものに比べて最大２倍にすることができるとともに
、サージ耐量や非直線係数をさらに大きくすることがで
きる。
場合、サージ耐量および非直線係数が従来のものの１．
５倍程度になり、安定性にも優れたものとなる。さらに
、Ｃｕ Ｏ，Ｐ ｂ Ｏ，Ｂ ｉ ｚＯｌ、 Ｓ ｂ
ｚ Ｏ：ｌ’、 Ｖ２ Ｏ５、Ｍ ｏ ０３の中から
選ばれる少なくとも１種類を加えた場合、静電容量が従
来のものに比べて最大２倍にすることができるとともに
、サージ耐量や非直線係数をさらに大きくすることがで
きる。
特許出願人 株式会社 村田製作所
代理人 弁理士 岡 １） 全 啓
Claims (1)
- （ＳＲ＿１＿−＿ｘＣａ＿ｘ）ＴｉＯ＿３（ただし、ｘ
≦０．２５）を９８．０〜９９．９モル％と、Ｎｂ，Ｗ
，Ｔａ，Ｉｎおよび希土類元素の中から選ばれる少なく
とも１種類の酸化物を０．１〜２．０モル％とからなる
素体に対して、ＣｕＯ，ＰｂＯ，Ｂｉ＿２Ｏ＿３，Ｓｂ
＿２Ｏ＿３，Ｖ＿２Ｏ＿５，ＭｏＯ＿３の中から選ばれ
る少なくとも１種類とＮａ＿２Ｏ，ＴｉＯ＿２（Ｎａ＿
２Ｏ＞０，ＴｉＯ＿２＞０）とを合わせて０．０１〜２
．０モル％含有されてなる、粒界酸化型電圧非直線抵抗
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1087564A JPH02265216A (ja) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | 粒界酸化型電圧非直線低抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1087564A JPH02265216A (ja) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | 粒界酸化型電圧非直線低抗素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02265216A true JPH02265216A (ja) | 1990-10-30 |
Family
ID=13918488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1087564A Pending JPH02265216A (ja) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | 粒界酸化型電圧非直線低抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02265216A (ja) |
-
1989
- 1989-04-05 JP JP1087564A patent/JPH02265216A/ja active Pending
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