JPH02223008A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は磁気記録媒体に関する。更に詳細には、本発明
は適正な低いレベルの保磁力に制御し、かつ垂直磁気異
方性に優れた垂直磁気記録媒体およびその製造方法に関
する。

［従来の技術］ ＡヌまたはＡｌ合金を陽極酸化し、生成したアルマイト
の微細孔中にＦｅ等の強磁性金属をメッキ充填した磁気
記録媒体は、その形状効果から良好な垂直磁気異方性を
ボし、高密度磁気記録媒体として期待されている。

［発明が解決しようとする課題］ 例えば、シュウ酸浴中でＡλまたはＡ、ｌ！金合金陽極
酸化（浴電圧〜４０Ｖ）すると、形成されるアルマイト
のセル径は約１０００人であり、直径１０００人のセル
が記録時の最小単位となる。代表的な垂直磁化膜である
ＣｏＣｒ膜では、膜中のコラム径は２００〜３００人で
あり、記録時の最小単位は〜３００人と考えられる。従
って、Ｃ０Ｃｒ膜なみの高密度記録を達成するには、ア
ルマイト−メッキ膜の場合、セル径を小さくする必要が
ある。硫酸浴（浴電圧〜１７Ｖ）を用いて作製したアル
マイトはセル径が約４５０人と小さいが、ボア径が約１
５０人であり、この状態でＦｅメッキを行って微細孔中
にＦｅを析出させて垂直磁化膜を形成すると、垂直方向
の保磁力が２００００ｅ以上の大きな値を示し、磁気ヘ
ッドによる磁気記録ができないという問題が生じる。

また、陽極酸化被膜の微細孔径を〜３５０人程度にまで
拡大処理し、保磁力を〜５０００ｅ程度まで低下させる
と、垂直磁化膜の形状異方性が劣化すると共に、各々の
Ｆｅ粒子間距離が短くなり、各Ｆｅ粒子間の磁気的分離
が不十分となって、磁性膜は垂直磁化膜から面内磁化膜
に移行し、高密度磁気記録媒体として必要な垂直磁気異
方性が低下するという問題があった。また、上述したシ
ュウ酸浴で作製したアルマイトの場合、保磁力を磁気記
録可能な１００００ｅ以下に制御するには、ボア径を４
００Å以上に拡大する必要があった。

従って、本発明の目的はアルマイト、Ｆｅメッキ膜にお
いて、飽和磁化が２００〜６００　ｅ　ｍ　ｕ／ｃｃで
、垂直方向の保磁力が５００〜１００００ｅである、高
密度記録に適した垂直磁化膜を有する磁気記録媒体およ
びその製造方法を提供することである。

［課題を解決するための手段］ 前記Ｌ１的を達成するための手段として、本発明では、
ＡｌもしくはＡｌ合金を陽極酸化して生成したアルマイ
ト微細孔中にＦｅを主体とした磁性金属を充填した垂直
磁気記録媒体において、Ｆｅ粒子が結晶学的に不連続で
あることを特徴とする磁気記録媒体を提供する。

アルマイト微細孔中に充填されたＦｅ粒子を結晶学的に
不連続にする方法の一例は、アルマイト微細孔中にＦｅ
をメッキ充填し、このメッキしたＦｅ中に、リン（Ｐ）
原子を含有させることからなる。

本発明では、前記の磁気記録媒体と併せて、Ａｌもしく
はＡｌ合金からなる基体の表面を陽極酸化してアルマイ
トを生成し、その微細孔中にＰ原子を含むＦｅ系の強磁
性体を充填して垂直磁化膜を形成し、磁気記録媒体を製
造する方法において、Ｆ　ｅをメッキ充填するＦｅメッ
キ浴中に所定量の亜リン酸塩および／または次亜リン酸
塩を添加した事を特徴とする磁気記録媒体の製造方法も
提供する。

別法として、Ａ、ＩｔもしくはＡ、Ｉｔ合金からなる基
体の表面を陽極酸化してアルマイトを生成し、その微細
孔中にＰ原子を含むＦｅ系の強磁性体を充填して垂直磁
化膜を形成することにより磁気記録媒体を製造する方法
において、Ｆｅメッキ浴に所定量の次亜リン酸塩および
／または亜リン酸塩の少なくとも一種類の化合物を添加
して所定の組成を有するＦｅ−Ｐメッキ浴を調製し、こ
のメッキ浴中の溶存酸素を除去し、不活性ガス雰囲気下
で前記Ｆｅ−Ｐメッキ浴中に陽極酸化被膜を浸漬して電
気メッキ法により上記陽極酸化被膜の微細孔中に所定量
のＰ原子を含むＦｅを析出させて充填し、垂直磁化膜を
形成することもできる。

［作用コ アルマイト微細孔中にＦｅをメッキ充填した垂直磁化膜
の磁気特性は、代表的な垂直磁化膜であるＣｏＣｒ合金
膜の磁気特性および記録再生特性を考慮し、飽和磁化を
２００〜８００ｅｍｕ／ｃＣに、垂直方向保磁力を５０
０〜１００００ｅに制御することが好ましい。

飽和磁化に関しては、ボア径とセル径の比から求まる有
孔率で調整し、前記の範囲内に収めることができる。一
方、垂直方向保磁力はボア径に太き（依存する。垂直方
向保磁力を記録再生可能な１００００ｅ以下に制御する
には、シュウ酸浴で作製したアルマイトではボア径を４
００人以−Ｌにする必要がある。従って、ボア径が４０
０Å未満のアルマイト膜は垂直方向保磁力の面から記録
媒体として不適当であった。また、ボア径が４００Å以
上の場合において、ボア径を変化させることなくメッキ
膜の保磁力を変化させることは不可能であった。ボア径
をむやみに拡大すると、セルの機械強度が低下すると共
に、垂直膜が面内膜に移行するので好ましくない。従っ
て、機械的強度の高い磁気記録媒体を得るには、ボア径
の拡大を最少限にとどめ、垂直方向保磁力を制御する必
要がある。

本発明によれば、ボア径が４００Å未満であっても、ア
ルマイト微細孔中のＦｅにＰ原子を添加することにより
垂直方向保磁力を１００００ｅ以下に制御することが可
能となる。また、ボア径が４ｏＯÅ以上である場合でも
、ボア径を変化させることなく、垂直方向保磁力を低下
させる目的に使用可能である。

前記のように、Ａｌ陽極酸化被膜のボア径が４００人未
満の微細孔中に、Ｐ原子を０．２８ｔ％以上２５．０ａ
ｔ％以下含むＦｅ系の強磁性体を析出し充填することに
より、垂直磁化膜としての特性を保持したままで、飽和
磁化が２００〜６００ｅｍｕ／ｃｃの範囲で、かつ垂直
方向の保磁力を５００〜１００００ｅの範囲に調整し制
御することが可能となる。

Ｆｅ中にリン原子（Ｐ）を含有させることによりアルマ
イト−Ｆｅメッキ膜の保磁力が低下する原因を以下に説
明する。

第１図（ａ）および（ｂ）にアルマイトより取り出した
Ｆｅ粒子の透過型電子顕微鏡像を示す。

第１図（ａ）に示されるように、Ｐを１２ａｔ％含仔す
る場合、Ｆｅ粒子内に微細な組織が存在していることが
わかる。一方、第１図（ｂ）に示されるように、Ｐを含
有しない場合、微細な組織は観察されない。

第２図（ａ−イ）および（ｂ−イ）にＰを含む場合き含
まない場合のＦｅ粒子の明視野像を、また、第２図（ａ
−口）および（ｂ−口）にその電子線回折図形を示す。

Ｐの有無に拘らず、（１１０）面からの回折が最も強＜
、（１１０）而の回折スポットから求めたＦｅの＜ｉｉ
ｏ＞方向はＦｅ粒子の長袖方向と一致した。しかし、第
２図（ａ−口）に示されるように、Ｐを含む場合、（１
１０）のスポットが、第２図（ｂ−口）のＰを含まない
場合に比べ円周方向に拡がっており、Ｐを含むほうがＦ
ｅ粒子の（１１０）配向性が劣っている。

第３図（ａ）および（ｂ）に、Ｆｅ粒子の（１１０）ス
ポットから結像した暗視野像を示す。第３図（ａ）では
、Ｐを１２ａｔ％含有するのでＦｅ粒子は長袖方向に約
０．５μｍの長さで部分的に明るく結像しており単結晶
の長さとしては〜０゜５μｍと考えられる。一方、Ｐを
含有しない第３図（ｂ）の場合、長袖方向に２μｍを越
える長さでＦｅ粒子が明るく結像しており、この範囲で
Ｆｅが単結晶として存在している。

第４図にはＰ含有量が２５ａｔ％のときのＦｅ粒子の（
１１０）スポットから結像した暗視野像を示す。Ｆｅ粒
子は、Ｐを１２ａｔ％含有する第３図（ａ）のＦｅ粒子
よりも一層細かなＦｅ微結晶により構成されていること
が分かる。

以」−の実験結果から、Ｆ　ｅ粒子内にＰを含有させる
と、Ｆｅ粒子は結晶学的に連続性を失い、（１１０）配
向性が劣化し、内部に微細組織を有するようになる。こ
の結果、針状Ｆｅ粒子の異方性が低下し、磁化反転機構
がバックリングモードあるいはファンニングモードに近
づき、弱い外部磁界により磁化反転が起こる。すなわち
、保磁力が低下すると考えられる。

Ｆｅ中に添加するＰ原子の供給源としては、Ｆｅメッキ
浴に可溶性のリン化合物が用いられる。

リン化合物としてはリンの原子価が３価以下の、亜リン
酸塩および次亜リン酸塩、例えば、亜リン酸ナトリウム
ＣＮａ２ＨＰＯ３）および次亜リン酸ナトリウム（Ｎａ
ＰＨ２０２）などが好適に使用できる。亜リン酸塩およ
び次亜リン酸塩は単独でも、あるいは、二種類以上を組
み合わせて併用することもできる。原子価が３価よりも
高いＰはＦｅ中に混入されない。従って、リン酸（Ｈａ
Ｐ０４）はＦｅメッキ浴中に添加してもアルマイト微細
孔中のＦｅには取り込まれない。この場合、Ｐの原子価
は１５価であり、Ｐの電子配列はＮｅと同じである。従
って、１５価のＰは安定化し、メッキの際、電子の授受
を行わないことが関係していると考えられる。

Ｆｅ中の原子の含有量は、２５−　０ａｔ％以下が好ま
しく、このＰ原子の含有量が２５．０ａｔ％を超えると
、垂直方向保磁力が５０００ｅ末溝に減少し、磁気特性
が劣化するので好ましくない。なお、Ｆｅ中のＰ原子の
含有量の下限については　Ｆｅ中に添加するＰ原子は少
量であっても保磁力の低減に効果があり、Ｍｓ２００〜
６００ｅｍｕ／ｃＣで垂直方向の保磁力が５００〜１０
０００ｅの範囲に制御することができるＰ原子含有量で
あれば良いが、−膜内な指標としてはＮ　Ｏ−２ａｔ％
以上であることが好ましい。

Ｆｅ中のＰＭ子の含有量は、メッキ浴中に添加されるリ
ン化合物の濃度の他、メッキ時間、印加電圧、ｐＨ１浴
温などのメッキ条件を変化させることによりコントロー
ルすることができる。

本発明の磁気記録媒体の作製に使用される亜リン酸塩お
よび次亜リン酸塩は空気中あるいはメッキ浴中の酸化種
により徐々に酸化されてリン酸塩となり、これがメッキ
洛中のＦｅと反応してリン酸鉄［Ｆｅ３　（ＰＯ４）２
などコの沈殿を生じる。

同時に、ＦｅＰメッキ浴中にＰ成分が減少し、メッキ浴
の組成が大きく変化する。その結果、Ｆｅ−Ｐメッキ膜
中に含有されるＰ成分も減少する方向に大きく変化し、
形成される垂直磁化膜の保磁力が増大し、予め設定され
た低い保磁力レベルに制御することが極めて困難になる
という問題があった。

この問題を避けるために、例えば、メッキ洛中に溶存し
ている酸化種（例えば、酸素）を不活性ガスなどで置換
し、除去することが好ましい。置換方法としては、例え
ば、Ｆｅ−Ｐメッキ浴を調製するために用いる＊（例え
ば、精製水、脱イオン水、純水など）中に不活性ガスを
バブリングさせるか、または、；Ａ製したＦｅ−Ｐメッ
キ浴中に不活性ガスをバブリングさせることにより行わ
れる。前記のようにして脱酸素したＦｅ−Ｐメッキ浴を
不活性ガス雰囲気下に置き、電気メッキ処理を行う。

このような構成により、Ｆｅ−Ｐメッキ浴中に含有され
る次亜リン酸塩または亜リン酸塩などの酸化を最大限に
防止し、常にＦｅ−Ｐメッキ浴の組成を設定範囲内でほ
ぼ一定に保持することができ、所望する低レベルの保磁
力に制御した垂直磁化膜を有する磁気記録媒体が得られ
る。

本発明で使用できる不活性ガスは例えば、Ｎ２、Ａｒｔ
ＨｅまたはＫｒなどである。これらのガスは単独でも、
あるいは二種類以上を組合わせて混合ガスとして使用す
ることもできる。入手容易性とコストの点から、Ｎ２ガ
スが好ましい。

ＡＪ２またはＡｌ合金は通常の物理蒸着法により非磁性
基体−Ｌに成膜させることができる。物理蒸着法自体は
当業者に周知であり特に説明を要しないであろう。また
、非磁性基体とＡ、Ｉｔ金属層との間にＴｉなどの下地
層を介在させることもできる。

下地層を介在させる場合、下地層の厚さは特に限定され
ない。−膜内には、０．０１μｍ〜１０μｍの範囲内で
あることが好ましい。

ＡＪまたはＡｌ合金の陽極酸化法自体は当業者に周知な
ので、ここでは特に説明しない。

本発明の磁気記録媒体に使用される非磁性基板としては
、アルミニウム基板の他に、ポリイミド。

ポリエチレンテレフタレート等の高分子フィルム。

ガラス類、セラミック、陽極酸化アルミ、黄銅などの金
属板＋Ｓｉ単結晶板１表面を熱酸化処理したＳｉ単結晶
板などがある。

また、本発明の磁気記録媒体としては、ポリエステルフ
ィルム、ポリイミドフィルムなどの合成樹脂フィルムを
基体とする磁気テープや磁気ディスク、合成樹脂フィル
ム、アルミニウム板およびガラス板等からなる円盤やド
ラムを基体とする磁気ディスクや磁気ドラムなど、磁気
ヘッドと摺接する構造の種々の形態を包含する。

［実施例コ 以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。

実ｌ［［［ 純度９９．９９％の圧延ＡＪ板（厚さ６５μｍ。

２０＊ｍＸ２０＋ｇｎ）を５ｖｔ％のＮａＯＨ水溶液で
アルカリエツチングし、水洗後、Ｅ３ｖｏｌＸのＨＮＯ
３水溶液で中和した。その後、１モル／λのＨ２Ｓ０４
水溶液中において、Ｉ　Ａ　／　ｄ　ｍ２の電流密度で
陽極酸化（対極；カーボン）を行い、陽極酸化被膜を０
．４５μｍ形成した。この時のセル径およびボア径はそ
れぞれ４６０人、１５０人であった。

次に、３０℃、ｌｖｔ％のＨ３ＰＯ４水溶液中に、９分
間浸漬して陽極酸化被膜の微細孔径の拡大処理を行い、
ボア径を２５０人に拡大した。この後、Ｆｅ１ｏ４１１
（ＮＨ４）２８０４４１Ｅ３Ｈ２０をＡモル／オ＊　Ｎ
ａＰＨｚ　０２　・Ｈ２ＯをＢモル／Ｊｌ。

Ｈ３ＢＯ３を０．２モル／Ｊｌおよびグリセリンを２ｍ
、ｌ／Ｊ加えてなるメッキ浴を用い、Ｆｅ−Ｐの電気メ
ッキを行った。この際、５Ａ＋２８＝ｌ。

Ｏの関係を保ちつつ、Ｂ／Ａを０〜５の間で変化させ、
メッキ洛中の次亜リン酸ナトリウムの添加量を調整した
。メッキ浴中に２規定のＨ２ＳＯ４を添加し、ｐＨを３
．３に調整し、浴温を２２℃とした。メッキに使用した
電源はＡＣ３００Ｈｚの正弦波で、１６Ｖｐ−ｐ（アル
マイト側に一８Ｖ。

対極（カーボン）側に１８Ｖ）、１４Ｖｐ−ｐ　　（ア
ルマイト側に一８Ｖ、対極側に１８Ｖ）および１５Ｖｐ
−ｐ　　（アルマイト側に一１０Ｖ、対極側に１５Ｖ）
である。メッキ時間を３０秒〜５分とし、Ｐ含有量の異
なるアルマイト−Ｆｅメッキ膜を作製した。

裏ｉｔｉ 実施例１において３０℃、ｌｖｔ％のＨ３ｐｏ、。

水溶液中に７分間浸漬してボア径を２２０人に拡大した
以外は実施例１と同様の方法でアルマイト−Ｆｅメッキ
膜を作製した。

Ｉ血性１ 実施例１において３０℃、１ｗｔ％のＨ３ＰＯ４水溶液
中に１１分間浸漬してボア径を２７０人に拡大した以外
は実施例１と同様の方法でアルマイ）−Ｆｅメッキ膜を
作製した。

実施１目。

純度９９．９９％の圧延Ａｌ板（厚さ８５　ｔｔ　ｍ　
＊２０ｓｓＸ２０ｅｍ）を５ｖｔ％のＮａＯＨ水溶液で
アルカリエツチングし、水洗後、８ｖｏＬ％のＨＮＯ３
水溶液で中和した。その後、１モル／Ｊ！のＨ２ＳＯ４
水溶液中においてｓ　Ｉ　Ａ　／　ｄ　ｍ２の電流密度
で陽極酸化（対極；カーボン）を行い、陽極酸化被膜を
０．４５μｍ形成した。この時のセル径およびボア径は
それぞれ４６０人、１５０人であった。

次に、３０℃、１ｗｔ％のＨ３ＰＯ４水溶液中に、９分
間浸漬して陽極酸化被膜の微細孔径の拡大処理を行い、
ボア径を２５０人に拡大した。この後、Ｆｅ５０＋　”
　（ＮＨ４）２８０４　命ｅＨ２０を５０ｇ／λ、　８
３　ＢＯ３を１５ｇ／λ、グリセリンを２ｍ、Ｉｔ／Ｊ
ｌ含有する基本Ｆｅメッキ浴にＮａ２ＨＰＯａ・５Ｈ２
０をＯｇ／λ、０．２８ｇ／Ｊ。

０．５５ｇ／Ｊ！、１．３８ｇ／Ｊそれぞれ添加し、Ｆ
ｅ−Ｐの電気メッキを行い、Ｐ含有量の兄なるアルマイ
ト−Ｆｅメッキ膜を作製した。メッキの用いた電源はＡ
Ｃ３００Ｈｚ、１５Ｖｐ−ｐで、アルマイト側に一１０
Ｖ１対極（カーボン）側に１５Ｖ印加される様に、ＤＣ
バイアスをかけた。メッキ時間を１０〜２５秒とした。

前記の実施例１〜４で得られたアルマイト−Ｆｅメッキ
膜のＰ含有量（Ｆｅに対する存在比：ａｔ％）と、膜面
垂直方向の保磁力の関係を第５図に示す。なお、Ｐ＊　
Ｆｅの定量はＥＰＭＡ（波長分散型Ｘ線マイクロアナラ
イザー）で行い、保磁力測定はＶＳＭ　（試料振動かた
磁力計）で行った。

この図から明らかなように、Ｐの含有量が増加するに従
い、保磁力が減少する。図より、Ｐの含有量を０．２〜
２５．０ａｔ％に変化させることで、ポア径４００Å未
満においても、保磁力を５００〜１００００ｅの範囲内
に自由に制御することが可能となる。

第６図にＰの含有量とメッキ膜の飽和磁化の関係を示す
。Ｐを含有しない場合、アルマイト−Ｆｅメッキ膜の飽
和磁化は、実施例１および４において、４１０ｅｍｕ／
ｃｃ　（有孔率０．２５より算出した値は４３０ｅｍｕ
／ｃｃ）、実施例２において、３２０ｅｍｕ／ｃｃ　（
有孔率０．２０より算出した値は３４０ｅｍｕ／ｃｃ）
、実施例３において、４７０ｅｍｕ／ｃｃ　（有孔率〇
、　２８５より算出した値は４９０ｅｍｕ／ｃｃ）であ
る。いずれの場合も有孔率から算出した値よりも約り％
小さいが、これは鉄酸化物あるいは孔の乱れに起因して
いると考えられる。Ｐの含有量が増加すると飽和磁化は
減少するが、２００ｅｍｕ／ＣＣを下回ることはなく、
出力低下には大きな影響を与えないと考えられる。

Ｉ直外１ 純度９９．９９％の圧延ＡＪｌ板（厚さ６５８　ｍ　＊
２０■ｍＸ２０ｍ５）を用い、実施例１と同じ前処理の
後、３ｖｔ％のシュウ酸浴中において、４０Ｖの定電圧
を使用し、陽極酸化（対極：カーボン）を行い、８μｍ
の厚さのアルマイトを形成した。この時のセル径とボア
径はそれぞれ９６０人、３２０人であった。次に、３０
℃、１ｗｔ％のリン酸水溶液中に上記試料を１９分間浸
漬し、ボア径を５００人に拡大した。この後、この後、
Ｆ　ｅ　Ｓ　０４・（ＮＨ４）２　ＳＯ４・６Ｈ２０を
５０ｇ／Ｊ。

８３　Ｂｏ３を１５ｇ／Ｊ、グリセリンを２ｍＪ！　／
λ金含有る基本Ｆｅメッキ浴にＮａＰＨ２Ｏ２・Ｎ２０
をＯｇ／Ｊ！、０．１４ｇ／Ｊ、０．８８ｇ／Ｊ２．１
．３５ｇ／λそれぞれ添加し、Ｆｅ−Ｐのメッキを行っ
た。浴のＩ）Ｈを２規定のＨ２ＳＯ４により３．０に調
整し、浴温を２２℃とした。

メッキノ用いた電源！ｔＡｃ５００Ｈｚ、１５Ｖｐ−ｐ
でアルマイト側に一１０ｖ、対極（カーボン）側に１５
Ｖ印加されるようにＤＣバイアスをかけた。メッキ時間
を７〜１０分とした。

第７図にメッキ浴中のＮａＰＨｚ　０２　／Ｆｅ２ナイ
オンのモル比と膜の保磁力の関係を示す。ＮａＰ８２０
２ｍ添加時に保磁力８０００ｅを示すが、メッキ浴中の
ＮａＰＨ２Ｏ２のモル比が増加すると、保磁力が減少す
る。この様に、ボア径が４００Å以上の場合においても
、Ｆｅ中にＰを含有させることで、ボア径を拡大するこ
となく（本実施例ではボア径５００人で一定）、保磁力
を制御することが可能となる。

Ｌ五旌１ 純度９９．９９％の圧延ＡＪ板（厚さ８５μｍ。

２０　ｍｓ　Ｘ　２０■謙）を用い、２Ｎの濃度の硫酸
洛中において、Ｉ　Ａ　／　ｄ　ｍ２の電流密度で陽極
酸化（対極：カーボン）を行い、０．４５μｍの厚さの
アルミニューム陽極酸化被膜（アルマイト）を形成させ
た。この時のセル径とボア径はそれぞれ４６０人、１５
０人であった。次に３０℃、ｌｖｔ％のリン酸（８３Ｐ
Ｏ４）水溶液中に上記試料を９分間浸漬して、陽極酸化
被膜のボア径を０．０２５μｍに拡大する処理を行った
。

Ｆｅ−Ｐメッキ浴を調製するに当たり、純水（蒸留水）
中にＮ２ガスを約１時間バブリングさせて、水中の溶存
酸素をＮ２ガスで置換した。このＮ２ガスで置換した純
水に、モール塩５０　ｇ／Ｊ　。

ホウ酸１りｇ／Ｊ、グリセリン２　ｍ　Ｊ　／　Ｊ！　
、次亜リン酸ナトリウム１．４ｇ／Ｊを溶解させ、２規
定の硫酸を添加し、ｐＨを３．０に調整した。

このＦｅ−Ｐメッキ浴をメッキ槽に入れ、メッキ槽全体
をビニール製のドラフトで包囲し、外部よりＮ２ガスを
１５０ｍλ／分の流量で上記ドラフトへ導入し続けなが
ら、上記陽極酸化被膜のボア径の拡大処理を施した試料
表面にＦｅ−Ｐメッキを行い、第９図に示す断面構造の
垂直磁化膜を作製した。なお、Ｆｅ−Ｐメッキに使用し
た電源は、ＡＣ３００Ｈｚ、１５Ｖｐ−ｐで、陽極酸化
被膜側に一１０Ｖ、対極（カーボン）側に１５ｖかかる
ようにＤＣバイアスを印加し、メッキ時間を２０秒とし
た。この条件下で、上記の陽極酸化被膜を設けた試料を
用い、５０個以−りの上記試料に対しでそれぞれＦｅ−
Ｐメッキを行い、それぞれの試料のＦｅ−Ｐメッキ膜中
のＰの含有量を調べたところ、Ｐの含有量は７．５〜８
．０ａｔ％を示した。

第８図の実線ａに、本実施例の方法で作製したアルマイ
）／Ｆｅ−Ｐメッキ膜の垂直方向の保磁力（ｋＯｅ）と
アルマイト／Ｆｅ−Ｐメッキ膜の形成回数（回）の関係
を示す。図から明らかなように、本発明の方法によれば
、５０回以上アルマイ）／Ｆｅ−Ｐメッキ膜の形成を行
っても垂直磁化膜の保磁力をほぼ一定の約８０００ｅに
制御可能であることがわかる。

光１阻工 実施例６において使用した不活性ガスをＮ２ガスからＡ
　ｒ　ｓ　ＨｅまたはＫｒガスに変更したこと以外は、
実施例６と同様にして、アルマイト／Ｆｅ−Ｐメッキ膜
を形成した。形成した垂直磁化膜の保磁力を調べたとこ
ろ第８図における実線で示されたものとほぼ同様な結果
が得られた。

匿佼涯１ 実施例６において、純水中にＮ２ガスをバブリングさせ
ること、およびメッキ浴をＮ２ガス雰囲気のドラフトで
包囲することを除いた以外は、実施例６と同様な方法で
アルマイト／Ｆｅ−Ｐメッキ膜の形成を行い、垂直磁化
膜を作製した。

本比較例における垂直磁化膜の保磁力とアルマイト／　
Ｆ　ｅ　−Ｐメッキ膜の形成回数の関係を第８図の点ａ
ｂに示す。図示されているように、Ｆ　ｅ−Ｐメッキ浴
中の溶存酸素の除去処理および上記メッキ浴を不活性ガ
スで包囲しなかった比較例１においては、作製したアル
マイ）／Ｆｅ−Ｐメッキ膜の垂直方向の保磁力は、アル
マイ）／Ｆｅ−Ｐメッキ膜の形成回数が７回から増加し
始め、その形成回数が５０回位で１３０００ｅ以上に増
大し、本比較例におけるＦｅ−Ｐメッキ浴は保磁力を設
定の低レベルに制御する能力がなくなっていることを示
している。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、ボア径やセル径
および膜厚、軸比などの物理的ファクターに依存するこ
となく、アルマイト微細孔中に充填されるＦｅなどの強
磁性金属にＰ原子を含有させ、その含有率を調節するこ
とにより、２００〜６００ｅｍｕ／ｃｃの範囲内の飽和
磁化において、垂直方向保磁力を５００〜１００００ｅ
の範囲内で自由にコントロールすることが可能となる。

また、メッキ浴およびメッキ雰囲気から酸化種を除くこ
とにより、Ｆｅ−ｐメッキ浴中の次亜リン酸塩または亜
リン酸塩の酸化が効果的に防止され、Ｆｅ中に含有され
るＰの量を予め設定した任意の値にほぼ一定に保持する
ことができる。

その結果、垂直磁化膜の保磁力を任意の設定値に制御す
ることが可能となり、磁気ヘッドによる高密度記録を達
成することができる優れた磁気特性を有する垂直磁気記
録媒体が得られる。

言うまでもなく、本発明によるＰ原子含有率の調節に加
えて、従来の物理的ファクターの調節を併用することも
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）はＰを１２ｗｔ％含むＦｅ粒子の透過型電
子顕微鏡による明視野像を示す写真であり、第１図（ｂ
）はＰを含まないＦｅ粒子の透過型電子顕微鏡による明
視野像を示す写真であり、第２図（ａ）の（イ）はＰを
１２ｗｔ％含むＦｅ粒子の透過型電子顕微鏡による明視
野像を示す写真であり、第２図（ａ）の（ロ）はその電
子線回折パターンを示す写真であり、第２図（ｂ）の（
イ）はＰを含まないＦｅ粒子の透過型電子顕微鏡による
明視野像を示す写真であり、第２図（ｂ）の（ロ）はそ
の電子線回折パターンを示す写真であり、第３図（ａ）
はＰを１２ｗｔ％含むＦｅ粒子の暗視野像を示す写真で
あり、第３図（ｂ）はＰを含まないＦｅ粒子の暗視野像
を示す写真であり、第４図はＰを２５ｖｔ％含有するＦ
ｅ粒子の暗視野像を示す写真であり、第５図はＰ含有量
と垂直方向保磁力の関係を示す特性図であり、第６図は
Ｐ含有量と飽和磁化の関係を示す特性図であり、第７図
はＮａＰＨｚ　０２　／Ｆ１３２＋イオンのモル比と垂
直方向保磁力の関係を示す特性図であり、第８図はアル
マイト／Ｆｅ−Ｐメッキ膜の形成回数と作製した垂直磁
化膜の垂直方向保磁力との関係を示す特性図であり、第
９図は実施例６で作製された垂直磁化膜を有する磁気記
録媒体の断面構造を示す模式図である。 １・・・アルミニウム基板。 ２・・・陽極酸化被膜。 ３・・・Ｆｅ−Ｐメッキ膜。 ４・・・アルマイト／Ｆ　ｅ−Ｐメッキ膜特許出廓人 日立マクセル株式会社 代理人　弁理士　梶　山　拮　是

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. （１）ＡｌもしくはＡｌ合金を陽極酸化して生成したア
   ルマイト微細孔中にＦｅを主体とした磁性金属を充填し
   た垂直磁気記録媒体において、Ｆｅ粒子が結晶学的に不
   連続であることを特徴とする磁気記録媒体。
2. （２）ＡｌもしくはＡｌ合金を陽極酸化して生成したア
   ルマイト微細孔中にＦｅを主体とした磁性金属をメッキ
   充填してなる垂直磁気記録媒体において、メッキしたＦ
   ｅ中に、リン（Ｐ）原子を含むことを特徴とする請求項
   １記載の磁気記録媒体。
3. （３）微細孔中にメッキ充填したＦｅ中のＰの含有率が
   ０．２ａｔ％以上２５．０ａｔ％以下であることを特徴
   とする請求項２記載の磁気記録媒体。
4. （４）垂直磁化膜の飽和磁化が２００〜６００ｅｍｕ／
   ｃｃの範囲において、垂直方向の保磁力が５００〜１０
   ０００ｅの範囲内にあることを特徴とする請求項１また
   は２記載の磁気記録媒体。
5. （５）微細孔の孔径が４００Å未満であることを特徴と
   する請求項１または２記載の磁気記録媒体。
6. （６）微細孔中にメッキ充填したＦｅ中のＰ原子が亜リ
   ン酸塩および／または次亜リン酸塩に由来するものであ
   ることを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒体。
7. （７）亜リン酸塩が亜リン酸ナトリウム（Ｎａ＿２ＨＰ
   Ｏ＿３）であり、次亜リン酸塩が次亜リン酸ナトリウム
   （ＮａＰＨ＿２Ｏ＿２）であることを特徴とする請求項
   ６記載の磁気記録媒体。
8. （８）ＡｌもしくはＡｌ合金からなる基体の表面を陽極
   酸化してアルマイトを生成し、その微細孔中にＰ原子を
   含むＦｅ系の強磁性体を充填して垂直磁化膜を形成する
   ことにより磁気記録媒体を製造する方法において、Ｆｅ
   をメッキ充填するＦｅメッキ浴中に所定量の、次亜リン
   酸塩および／または亜リン酸塩の少なくとも一種類の化
   合物を添加することを特徴とする磁気記録媒体の製造方
   法。
9. （９）亜リン酸塩が亜リン酸ナトリウム（Ｎａ＿２ＨＰ
   Ｏ＿３）であり、次亜リン酸塩が次亜リン酸ナトリウム
   （ＮａＰＨ＿２Ｏ＿２）であることを特徴とする請求項
   ８記載の磁気記録媒体の製造方法。
10. （１０）微細孔中にメッキ充填したＦｅ中のＰの含有率
    が０．２ａｔ％以上２５．０ａｔ％以下であることを特
    徴とする請求項８記載の磁気記録媒体の製造方法。
11. （１１）垂直磁化膜の飽和磁化が２００〜８００ｅｍｕ
    ／ｃｃの範囲において、垂直方向の保磁力が５００〜１
    ０００Ｏｅの範囲内にあることを特徴とする請求項８記
    載の磁気記録媒体の製造方法。
12. （１２）微細孔の孔径が４００Å未満であることを特徴
    とする請求項８または１０記載の磁気記録媒体の製造方
    法。
13. （１３）ＡｌもしくはＡｌ合金からなる基体の表面を陽
    極酸化してアルマイトを生成し、その微細孔中にＰ原子
    を含むＦｅ系の強磁性体を充填して垂直磁化膜を形成す
    ることにより磁気記録媒体を製造する方法において、Ｆ
    ｅメッキ浴に所定量の次亜リン酸塩および／または亜リ
    ン酸塩の少なくとも一種類の化合物を添加して所定の組
    成を有するＦｅ−Ｐメッキ浴を調製し、このメッキ浴中
    の溶存酸素を除去し、不活性ガス雰囲気下で前記Ｆｅ−
    Ｐメッキ浴中に陽極酸化被膜を浸漬して電気メッキ法に
    より上記陽極酸化被膜の微細孔中に所定量のＰ原子を含
    むＦｅを析出させて充填し、垂直磁化膜を形成すること
    を特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
14. （１４）Ｆｅ−Ｐメッキ浴中の溶存酸素を除去する手段
    が、Ｆｅ−Ｐメッキ浴の調製に使用される水中に不活性
    ガスをバブリングさせるか、または、調製したＦｅ−Ｐ
    メッキ浴中に不活性ガスをバブリングさせることからな
    ることを特徴とする請求項１３記載の磁気記録媒体の製
    造方法。
15. （１５）不活性ガスはＮ＿２、Ａｒ、ＨｅおよびＫｒか
    らなる群から選択される少なくとも一種類のガスである
    ことを特徴とする請求項１３または１４記載の磁気記録
    媒体の製造方法。
16. （１６）亜リン酸塩が亜リン酸ナトリウム（Ｎａ＿２Ｈ
    ＰＯ＿３）であり、次亜リン酸塩が次亜リン酸ナトリウ
    ム（ＮａＰＨ＿２Ｏ＿２）であることを特徴とする請求
    項１３記載の磁気記録媒体の製造方法。
17. （１７）微細孔中にメッキ充填したＦｅ中のＰの含有率
    が０．２ａｔ％以上２５．０ａｔ％以下であることを特
    徴とする請求項１３記載の磁気記録媒体の製造方法。
18. （１８）垂直磁化膜の飽和磁化が２００〜６００ｅｍｕ
    ／ｃｃの範囲において、垂直方向の保磁力が５００〜１
    ０００Ｏｅの範囲内にあることを特徴とする請求項１３
    記載の磁気記録媒体の製造方法。
19. （１９）微細孔の孔径が４００Å未満であることを特徴
    とする請求項１３または１７記載の磁気記録媒体の製造
    方法。