JPH0222521B2 - - Google Patents
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- JPH0222521B2 JPH0222521B2 JP55016807A JP1680780A JPH0222521B2 JP H0222521 B2 JPH0222521 B2 JP H0222521B2 JP 55016807 A JP55016807 A JP 55016807A JP 1680780 A JP1680780 A JP 1680780A JP H0222521 B2 JPH0222521 B2 JP H0222521B2
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
- H01F1/34—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials non-metallic substances, e.g. ferrites
- H01F1/342—Oxides
- H01F1/344—Ferrites, e.g. having a cubic spinel structure (X2+O)(Y23+O3), e.g. magnetite Fe3O4
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Hard Magnetic Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気特性の劣化や回復を目的とした処
理方法に関する。
理方法に関する。
従来より、軟磁性材料の磁気特性は、材料の機
械加工などの影響により大巾に変化することが知
られており、その対策に種々の検討がなされてい
る。例えば、磁気ヘツド用材料では機械加工によ
り透磁率が大巾に劣化し、それを回復させるため
に表面をエツチングするとか、焼鈍するとか、又
は、非常に長時間（１〜２時間）かけて、特性の
劣化の生じないような微少加工を行うなどをして
おり、磁気ヘツド用フエライト等の加工において
はかかる点に対する改善が強く望まれていた。
械加工などの影響により大巾に変化することが知
られており、その対策に種々の検討がなされてい
る。例えば、磁気ヘツド用材料では機械加工によ
り透磁率が大巾に劣化し、それを回復させるため
に表面をエツチングするとか、焼鈍するとか、又
は、非常に長時間（１〜２時間）かけて、特性の
劣化の生じないような微少加工を行うなどをして
おり、磁気ヘツド用フエライト等の加工において
はかかる点に対する改善が強く望まれていた。
本発明は、このような欠点を改良するとともに
磁気特性に対する制御を容易にならしめるもので
ある。
磁気特性に対する制御を容易にならしめるもので
ある。
本発明は、機械加工などの終了した軟磁性材料
の表面に強力に光エネルギー等のエネルギー線投
入し、瞬間的に表面を加熱し、又、冷却し、その
瞬間的な熱変化により、磁気特性を制御するもの
である。
の表面に強力に光エネルギー等のエネルギー線投
入し、瞬間的に表面を加熱し、又、冷却し、その
瞬間的な熱変化により、磁気特性を制御するもの
である。
最近、特に半導体のSi単結晶の表面処理法とし
て注目されているレーザーアニーリング法があ
る。このようなレーザーアニーリング法では、単
結晶表面の再結晶化を行い、Si単結晶の表面の結
晶性を改善するのが目的であるのに対し、本発明
は軟磁性材料表面に近在するストレス層の解除に
より、軟質磁性材料のバルク全体の磁気特性を制
御するものであり、基本的に異なつた技術思想で
ある。
て注目されているレーザーアニーリング法があ
る。このようなレーザーアニーリング法では、単
結晶表面の再結晶化を行い、Si単結晶の表面の結
晶性を改善するのが目的であるのに対し、本発明
は軟磁性材料表面に近在するストレス層の解除に
より、軟質磁性材料のバルク全体の磁気特性を制
御するものであり、基本的に異なつた技術思想で
ある。
以下に実施例を交えながら本発明の特徴を述べ
る。
る。
Mn−Znフエライト（HPF4M2）より、厚さ
0.2mm、外径８mm、内径４mmのリング状体を加工
形成した。最終的には3μｍのダイヤモンドペー
ストを用いて鏡面仕上げを行なつた。この時の透
磁率（0.1MHz）は約2300であつた。これのリン
グ状体の表面を60℃の熱リン酸で約1μｍをエツ
チングした所、透磁率は4100に回復した。しか
し、この方法では表面の凹凸は約0.3μｍと大き
く、最初の凹凸0.05μｍ以下の鏡面状からみると
非常に荒れており、磁気ヘツド等にとつては不都
合な表面となつていた。
0.2mm、外径８mm、内径４mmのリング状体を加工
形成した。最終的には3μｍのダイヤモンドペー
ストを用いて鏡面仕上げを行なつた。この時の透
磁率（0.1MHz）は約2300であつた。これのリン
グ状体の表面を60℃の熱リン酸で約1μｍをエツ
チングした所、透磁率は4100に回復した。しか
し、この方法では表面の凹凸は約0.3μｍと大き
く、最初の凹凸0.05μｍ以下の鏡面状からみると
非常に荒れており、磁気ヘツド等にとつては不都
合な表面となつていた。
一方、上記と同様の同一形状のリング状体を、
3μｍのダイヤモンドペーストで鏡面仕上げした
後、いわゆるメカノケミカルラツピング（SiO2
使用）を約2.5時間かけて処理し、仕上げたもの
の特性は約4050で秀れていたが、この方法は非常
に長時間かかることが欠点である。このように、
従来の方法では、磁気特性の回復はできるが他に
不都合が発生していた。
3μｍのダイヤモンドペーストで鏡面仕上げした
後、いわゆるメカノケミカルラツピング（SiO2
使用）を約2.5時間かけて処理し、仕上げたもの
の特性は約4050で秀れていたが、この方法は非常
に長時間かかることが欠点である。このように、
従来の方法では、磁気特性の回復はできるが他に
不都合が発生していた。
次に、本発明の方法を適用した例を述べる3μ
ｍのダイヤモンドペーストで仕上げた磁気材料の
リング状体を、N2気流中に保持した後、300Wの
ハロゲンランプ二本で両側より同時に1.5秒照射
した所、透磁率は2100から4500に回復した。この
とき表面の劣化は認められなかつた。さらに、こ
のリング状体を空気中に保持し、100Wのハロゲ
ンランプで２分照射を行つた所、透磁率は3700、
４分行つた所2200と減少し、透磁率の制御が簡単
にできた。従つて、適正な雰囲気下で短時間、４
〜５分以下の処理で終り、従来のように長時間か
かることがなくなる。このため、制御も楽で、正
確になつた。
ｍのダイヤモンドペーストで仕上げた磁気材料の
リング状体を、N2気流中に保持した後、300Wの
ハロゲンランプ二本で両側より同時に1.5秒照射
した所、透磁率は2100から4500に回復した。この
とき表面の劣化は認められなかつた。さらに、こ
のリング状体を空気中に保持し、100Wのハロゲ
ンランプで２分照射を行つた所、透磁率は3700、
４分行つた所2200と減少し、透磁率の制御が簡単
にできた。従つて、適正な雰囲気下で短時間、４
〜５分以下の処理で終り、従来のように長時間か
かることがなくなる。このため、制御も楽で、正
確になつた。
本発明の方法は、ハロゲンランプに限らず、レ
ザーや赤外線ランプあるいは電子ビーム等によつ
ても行える。又、既に説明したようにストレス層
の制御により、磁気特性を変化させること（例え
ばエツチング）は、一般に公知であり、従つて本
発明を上記フエライト以外の軟磁性材料にも応用
できるのは明らかである。
ザーや赤外線ランプあるいは電子ビーム等によつ
ても行える。又、既に説明したようにストレス層
の制御により、磁気特性を変化させること（例え
ばエツチング）は、一般に公知であり、従つて本
発明を上記フエライト以外の軟磁性材料にも応用
できるのは明らかである。
ところで、側面鏡面に仕上げて形成された
VTR用の磁気ヘツドの特性は、上記のリング状
体と同様に劣化したものである。そしてこの
VTR用磁気ヘツドは一部にギヤツプがあり、こ
のギヤツプにガラスが入つている。したがつてこ
の特性の回復は、ギヤツプにガラスが入つている
ため、エツチングや高温の熱処理が難しく、約
400℃での熱処理がなされているが特性のバラツ
キが大きかつた。またダイヤモンド刃で切断した
ままのVTR用磁気ヘツドにおいても同じような
特性バラツキや劣化が認められて、この改善が望
まれていた。本発明の方法を適用すると、このよ
うなVTR用磁気ヘツドにおいても前記のリング
状体とほぼ同一条件で、ヘツドの特性が制御で
き、特性の均質化が行え、ペアーリングが容易に
なるなどの効果が発揮される。本発明を用いれば
磁気ヘツド側面の表面性の変化はなく、ギヤツプ
部のガラスは光を透過しここでの昇温が起らない
ため、ギヤツプの変化も認められず極めて好都合
である。
VTR用の磁気ヘツドの特性は、上記のリング状
体と同様に劣化したものである。そしてこの
VTR用磁気ヘツドは一部にギヤツプがあり、こ
のギヤツプにガラスが入つている。したがつてこ
の特性の回復は、ギヤツプにガラスが入つている
ため、エツチングや高温の熱処理が難しく、約
400℃での熱処理がなされているが特性のバラツ
キが大きかつた。またダイヤモンド刃で切断した
ままのVTR用磁気ヘツドにおいても同じような
特性バラツキや劣化が認められて、この改善が望
まれていた。本発明の方法を適用すると、このよ
うなVTR用磁気ヘツドにおいても前記のリング
状体とほぼ同一条件で、ヘツドの特性が制御で
き、特性の均質化が行え、ペアーリングが容易に
なるなどの効果が発揮される。本発明を用いれば
磁気ヘツド側面の表面性の変化はなく、ギヤツプ
部のガラスは光を透過しここでの昇温が起らない
ため、ギヤツプの変化も認められず極めて好都合
である。
以上の説明で明らかなように本発明の方法によ
れば、従来難しかつた軟磁性材料の磁気特性の制
御を容易に行うことができ、軟磁性材料の処理に
すぐれた工業的価値を発揮するものである。
れば、従来難しかつた軟磁性材料の磁気特性の制
御を容易に行うことができ、軟磁性材料の処理に
すぐれた工業的価値を発揮するものである。
Claims (1)
- １ フエライト材料の表面層のみに光エネルギー
線を短時間注入することにより、表面層のみを加
熱し、前記フエライト材料の磁気特性を変化させ
ることを特徴とする磁性材料の処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1680780A JPS56114305A (en) | 1980-02-13 | 1980-02-13 | Treating method for magnetic material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1680780A JPS56114305A (en) | 1980-02-13 | 1980-02-13 | Treating method for magnetic material |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56114305A JPS56114305A (en) | 1981-09-08 |
| JPH0222521B2 true JPH0222521B2 (ja) | 1990-05-18 |
Family
ID=11926414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1680780A Granted JPS56114305A (en) | 1980-02-13 | 1980-02-13 | Treating method for magnetic material |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56114305A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101071904B1 (ko) * | 2009-05-18 | 2011-10-11 | 한국수력원자력 주식회사 | 전자선 조사에 의한 연자성 재료의 전자기적 물성의 개선 방법 |
-
1980
- 1980-02-13 JP JP1680780A patent/JPS56114305A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56114305A (en) | 1981-09-08 |
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