JPS62193124A - パタ−ン位置合わせ方法 - Google Patents
パタ−ン位置合わせ方法Info
- Publication number
- JPS62193124A JPS62193124A JP61034229A JP3422986A JPS62193124A JP S62193124 A JPS62193124 A JP S62193124A JP 61034229 A JP61034229 A JP 61034229A JP 3422986 A JP3422986 A JP 3422986A JP S62193124 A JPS62193124 A JP S62193124A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- manual alignment
- target
- center
- mark
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W46/00—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification
- H10W46/501—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification for use before dicing
- H10W46/507—Located in dummy chips or in reference chips
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明はパターン位置合わせ方法に関し、特に一対の対
物レンズを用いて半導体装置を製造する際のパターンの
位置合わせ方法に関する。
物レンズを用いて半導体装置を製造する際のパターンの
位置合わせ方法に関する。
（ロ）従来の技術
半導体装置は年々集積度が増し、パターンの微細化が進
んでいる。従って半導体装置の製造装置にも変革が起っ
ており、光リングラフィ技術においてもコンタクト露光
方式から反射投影露光方式へと移行している。
んでいる。従って半導体装置の製造装置にも変革が起っ
ており、光リングラフィ技術においてもコンタクト露光
方式から反射投影露光方式へと移行している。
具体的に露光技術としては、工業調査会発行「最新ＬＳ
Ｉプロセス技術、第２６１頁〜第２６４頁に記載きれて
いる如く、コンタクト露光方式、プロキシミテイ露光方
式、反射型投影方式、縮小投影露光方式が知られており
、１：１の露光方法と５：１あるいは１０：１等の縮小
露光方法に大別きれる。
Ｉプロセス技術、第２６１頁〜第２６４頁に記載きれて
いる如く、コンタクト露光方式、プロキシミテイ露光方
式、反射型投影方式、縮小投影露光方式が知られており
、１：１の露光方法と５：１あるいは１０：１等の縮小
露光方法に大別きれる。
１：１の露光方法を採用するコンタクト露光方式、プロ
キシミティ露光方式あるいは反射型投影方式では、第３
図および第４図に示す如くマスクの左右に一対のキーパ
ターン（１１）（１２）を設け、各素子には夫々マニュ
アルアライメントマーク（１３）を設けている。第３図
はキーパターン（１１）（１２）を設けた位置を示す上
面図であり、ウェハの左右に離間してキーパターン（１
１）（１２）を設けている。第４図は第３図の左右のキ
ーパターン（１１）（１２）およびその周辺の各素子パ
ターン（１４）・・・＜１４）の拡大図である。通常キ
ーパターン（１１）（１２）は素子パターン（１４）の
１個分を占有し、への字のターゲットマークで形成され
ている。各素子パターン（１４）・・・（１４）には各
素子を形成する上で必要なパターン（図示せず）と周辺
等のパターン内部の空白部分あるいはスクライブライン
上にマニュアルアライメントマーク（１３）が設けられ
ている。
キシミティ露光方式あるいは反射型投影方式では、第３
図および第４図に示す如くマスクの左右に一対のキーパ
ターン（１１）（１２）を設け、各素子には夫々マニュ
アルアライメントマーク（１３）を設けている。第３図
はキーパターン（１１）（１２）を設けた位置を示す上
面図であり、ウェハの左右に離間してキーパターン（１
１）（１２）を設けている。第４図は第３図の左右のキ
ーパターン（１１）（１２）およびその周辺の各素子パ
ターン（１４）・・・＜１４）の拡大図である。通常キ
ーパターン（１１）（１２）は素子パターン（１４）の
１個分を占有し、への字のターゲットマークで形成され
ている。各素子パターン（１４）・・・（１４）には各
素子を形成する上で必要なパターン（図示せず）と周辺
等のパターン内部の空白部分あるいはスクライブライン
上にマニュアルアライメントマーク（１３）が設けられ
ている。
従来の露光方式ではキーパターン（１１）（１２）を用
いてマスクとウェハの位置合わせを自動的にマスク合わ
せ装置を用いて行い、続いて対物レンズを用いて各マニ
ュアルアライメントマーク（１３）を用いてオフセット
調整を行った後、露光をして各素子パターンを焼き付け
ている。このオフセット調整はマスクを作成する際に生
ずるキーパターン（１１）（１２）と各素子パターンの
誤差や製造中に生ずるウェハの歪による誤差を手動で修
正するものである。
いてマスクとウェハの位置合わせを自動的にマスク合わ
せ装置を用いて行い、続いて対物レンズを用いて各マニ
ュアルアライメントマーク（１３）を用いてオフセット
調整を行った後、露光をして各素子パターンを焼き付け
ている。このオフセット調整はマスクを作成する際に生
ずるキーパターン（１１）（１２）と各素子パターンの
誤差や製造中に生ずるウェハの歪による誤差を手動で修
正するものである。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
しかしながら従来の露光方式ではマニュアルアライメン
トマーク（１３）はキーパターン（１１）（１２）のへ
の字の頂点であるターゲットセンタＴＣの延長上に配置
される様に設定されていた。これはオフセット調整時に
一対の対物レンズを用いて左右のマニュアルアライメン
トマーク（１３）を同時に見なから微調を行うためであ
る。一対の対物レンズは内側に同じ距離あるいは外側に
同じ距離だけ移動する機構を有しているので、ターゲッ
トセンタＴＣ上に位置すると左右のマニュアルアライメ
ントマーク（１３）を同時に捕えられるからである。
トマーク（１３）はキーパターン（１１）（１２）のへ
の字の頂点であるターゲットセンタＴＣの延長上に配置
される様に設定されていた。これはオフセット調整時に
一対の対物レンズを用いて左右のマニュアルアライメン
トマーク（１３）を同時に見なから微調を行うためであ
る。一対の対物レンズは内側に同じ距離あるいは外側に
同じ距離だけ移動する機構を有しているので、ターゲッ
トセンタＴＣ上に位置すると左右のマニュアルアライメ
ントマーク（１３）を同時に捕えられるからである。
ところがマニュアルアライメントマーク（１３）の位置
を固定すると極めてパターン設計に自由度を失う欠点が
ある。これを避ける意味でマニュアルアライメントマー
ク（１３）の位置を異ならせると、オフセット調整時に
一対の対物レンズで左右のマニュアルアライメントマー
ク（１３）を同時に見ることができなくなり、オフセッ
ト調整に多大の時間を要し且つアライメント精度も低下
する欠点があった。
を固定すると極めてパターン設計に自由度を失う欠点が
ある。これを避ける意味でマニュアルアライメントマー
ク（１３）の位置を異ならせると、オフセット調整時に
一対の対物レンズで左右のマニュアルアライメントマー
ク（１３）を同時に見ることができなくなり、オフセッ
ト調整に多大の時間を要し且つアライメント精度も低下
する欠点があった。
（ニ）問題点を解決するための手段
本発明は斯上した欠点に鑑みてなされ、キーパターンの
ターゲットマークをターゲットセンタがスクライブライ
ンのスクライブセンタの延長上にナル様ニ設け、マニュ
アルアライメントマークラチップセンタの延長上に設け
ているので、マニュアルアライメントマークを従来のタ
ーゲットセンタの延長上以外の位置にも設定できパター
ン設計の自由度を持たせたパターン位置合わせ方法を提
供するものである。
ターゲットマークをターゲットセンタがスクライブライ
ンのスクライブセンタの延長上にナル様ニ設け、マニュ
アルアライメントマークラチップセンタの延長上に設け
ているので、マニュアルアライメントマークを従来のタ
ーゲットセンタの延長上以外の位置にも設定できパター
ン設計の自由度を持たせたパターン位置合わせ方法を提
供するものである。
（ホ）作用
本発明に依れば、マニュアルアライメントマークをチッ
プセンタＣの延長上に設けているので、キーパターンを
用いてマスク合わせ装置で自動的に位置合わせを行った
後一対の対物レンスを左右に動かしても同時にマニュア
ルアライメントマークを見ることができ、オフセット調
整を容易に行なえる。
プセンタＣの延長上に設けているので、キーパターンを
用いてマスク合わせ装置で自動的に位置合わせを行った
後一対の対物レンスを左右に動かしても同時にマニュア
ルアライメントマークを見ることができ、オフセット調
整を容易に行なえる。
（へ）実施例
本発明に依るパターン位置合わせ方法を第１図および第
２図を参照して詳述する。
２図を参照して詳述する。
第１図に示す左右のパターンは、第２図に示したマスク
の左右に離間して設けられるキーパターン（１＞（２）
およびその周辺の各素子パターン（図示せず）の拡大図
である。
の左右に離間して設けられるキーパターン（１＞（２）
およびその周辺の各素子パターン（図示せず）の拡大図
である。
本発明に依る位置合わせ用マークはキーパターン（１）
（２）と マニュアルアライメントマーク（３）より構
成されている。キーパターン（１）（２）は第２図に示
す如く、左右に離間して設けられ、各キーパターンＤ）
（２）は素子パターン（５）の通常２個分を占有して形
成される。キーパターン（１）（２＞の形状はへの字の
ターゲットマーク（４〉で形成され、マスク側に設けた
平行に離間した２組のハの字の中間にウェハ上のへの字
マークを位ｚ ８せて位置合わせを行う。キーパターン
（１）（２）は第１図ではターゲットマーク（４）が１
種しかないが、複数種のターゲットマーク（４）を有し
、ターゲットマーク（４）の頂点を結ぶ一点破線をター
ゲットセンタＴＣと呼んでいる。従って各ターゲットマ
ーク（４）毎に異なるターゲットセンタＴＣを有する。
（２）と マニュアルアライメントマーク（３）より構
成されている。キーパターン（１）（２）は第２図に示
す如く、左右に離間して設けられ、各キーパターンＤ）
（２）は素子パターン（５）の通常２個分を占有して形
成される。キーパターン（１）（２＞の形状はへの字の
ターゲットマーク（４〉で形成され、マスク側に設けた
平行に離間した２組のハの字の中間にウェハ上のへの字
マークを位ｚ ８せて位置合わせを行う。キーパターン
（１）（２）は第１図ではターゲットマーク（４）が１
種しかないが、複数種のターゲットマーク（４）を有し
、ターゲットマーク（４）の頂点を結ぶ一点破線をター
ゲットセンタＴＣと呼んでいる。従って各ターゲットマ
ーク（４）毎に異なるターゲットセンタＴＣを有する。
マニュアルアライメントマーク（３）・・・（３）は各
素子パターン（５）毎に設けられ、正方形又は長方形状
の枠内に種々の拡散やエツチング等のプロセス工程に対
応した指示マークを設けて形成される。
素子パターン（５）毎に設けられ、正方形又は長方形状
の枠内に種々の拡散やエツチング等のプロセス工程に対
応した指示マークを設けて形成される。
本発明の特徴はキーパターン（１）（２）とマニュアル
アライメントマーク（３）・・・（３）との位置関係に
ある。即ちキーパターン（１）（２）のターゲットマー
ク（４）のターゲットセンタＴＣをスクライブセンタＳ
Ｃと一致させ、マニュアルアライメントマーク（３）・
・・（３）を各チップセンタＣの延長上で各素子パター
ン（５）の余白部分あるいは隣接する横方向のスクライ
ブライン（６）上に設けている。ターゲットマーク（４
）は ターゲットセンタＴＣをスクライブセンタＳＣと
一致させるので、キーパターン（１）（２）は隣接する
各素子パターン（５）を２個分使って形成されている。
アライメントマーク（３）・・・（３）との位置関係に
ある。即ちキーパターン（１）（２）のターゲットマー
ク（４）のターゲットセンタＴＣをスクライブセンタＳ
Ｃと一致させ、マニュアルアライメントマーク（３）・
・・（３）を各チップセンタＣの延長上で各素子パター
ン（５）の余白部分あるいは隣接する横方向のスクライ
ブライン（６）上に設けている。ターゲットマーク（４
）は ターゲットセンタＴＣをスクライブセンタＳＣと
一致させるので、キーパターン（１）（２）は隣接する
各素子パターン（５）を２個分使って形成されている。
従ってチップの横方向のサイズを２２とすると、各マニ
ュアルアライメントマーク（３）・・・（３）はターゲ
ットセンタＴＣより左右にＰだけ離間して各素子パター
ン（５）に形成されることになる。なおターゲットセン
タＴＣの延長上に設けた三角印のマニュアルアライメン
トマーク（７）・・・（７）は従来のルールに依るもの
であり、本発明では本発明と従来の双方のいずれかを選
択できる様になる。
ュアルアライメントマーク（３）・・・（３）はターゲ
ットセンタＴＣより左右にＰだけ離間して各素子パター
ン（５）に形成されることになる。なおターゲットセン
タＴＣの延長上に設けた三角印のマニュアルアライメン
トマーク（７）・・・（７）は従来のルールに依るもの
であり、本発明では本発明と従来の双方のいずれかを選
択できる様になる。
本発明に依れば、一対の対物レンズをターゲットセンタ
ＴＣより内側に２だけ移動すると、第１図の左側に示す
キーパターン（１）側では矢印の如く右側の各素子パタ
ーン（５）のチップセンタＣにアルマニュアルアライメ
ントマーク（３）を見ることができ、第１図右側に示す
キーパターン（２）側では矢印に示す如く左側の各素子
パターン（５）のチップセンタＣにあるマニュアルアラ
イメントマーク（３）を見ることができる。逆に一対の
対物レンズをターゲットセンタＴＣより外側にりだけ移
動すると上述したのと逆の側のマニュアルアライメント
マーク（３）・・・（３）を同時に見ることができる。
ＴＣより内側に２だけ移動すると、第１図の左側に示す
キーパターン（１）側では矢印の如く右側の各素子パタ
ーン（５）のチップセンタＣにアルマニュアルアライメ
ントマーク（３）を見ることができ、第１図右側に示す
キーパターン（２）側では矢印に示す如く左側の各素子
パターン（５）のチップセンタＣにあるマニュアルアラ
イメントマーク（３）を見ることができる。逆に一対の
対物レンズをターゲットセンタＴＣより外側にりだけ移
動すると上述したのと逆の側のマニュアルアライメント
マーク（３）・・・（３）を同時に見ることができる。
その後は一対の対物レンズを内側あるいは外側に各素子
パターン（５）の横方向のサイズ２２だけ移動すれば隣
接する各素子パターン（５）のマニュアルアライメント
マーク（３）・・・（３）を次々に一対の対物レンズを
用いて同時に見ることができる。
パターン（５）の横方向のサイズ２２だけ移動すれば隣
接する各素子パターン（５）のマニュアルアライメント
マーク（３）・・・（３）を次々に一対の対物レンズを
用いて同時に見ることができる。
本発明に依れば、キーパターン（１）（２）を用いて機
械的に自動位置合わせを行った後、一対の対物レンズを
用いてオフセット調整を行う。このオフセット調整はタ
ーゲットセンタＴＣ，即ちスクライブセンタＳＣより２
だけ離間したマニュアルアライメントマーク（３）・・
・（３〉を一対の対物レンズを外側又は内側に移動して
必ず両視野に同時に捕えながら行う。
械的に自動位置合わせを行った後、一対の対物レンズを
用いてオフセット調整を行う。このオフセット調整はタ
ーゲットセンタＴＣ，即ちスクライブセンタＳＣより２
だけ離間したマニュアルアライメントマーク（３）・・
・（３〉を一対の対物レンズを外側又は内側に移動して
必ず両視野に同時に捕えながら行う。
（ト）発明の効果
本発明に依れば、マニュアルアライメントマーク（３）
・・・〈３）を従来のターゲットセンタＴＣの延長上以
外にも設定できるので、マニュアルアライメントマーク
〈３）・・・〈３）の位１１τを選択できパターン設計
の自由度を大巾に向上できる。
・・・〈３）を従来のターゲットセンタＴＣの延長上以
外にも設定できるので、マニュアルアライメントマーク
〈３）・・・〈３）の位１１τを選択できパターン設計
の自由度を大巾に向上できる。
次に本発明ではマニュアルアライメントマーク（３）・
・・（３）の位置を変更しても従来と全く同じ様に一対
の対物レンズの両視野に同時に左右のマニュアルアライ
メントマークク３）・・・（３）を見ながらオフセット
調整が行え、オフセット調整時間の短縮を図れ、アライ
メント精度も向上できる。
・・（３）の位置を変更しても従来と全く同じ様に一対
の対物レンズの両視野に同時に左右のマニュアルアライ
メントマークク３）・・・（３）を見ながらオフセット
調整が行え、オフセット調整時間の短縮を図れ、アライ
メント精度も向上できる。
第１図は本発明のパターン位置合わせ方法を説明する上
面図、第２図は本発明に用いたキーパターンの位置を説
明する上面図、第３図は従来のキーパターンの位置を説
明する上面図、第４図は従来のパターン位置合わせ方法
を説明する上面図である。 （１）（２）はキーパターン、（３）・・・（３）はマ
ニュアルアライメントマーク、（４）はターゲットマー
ク、（５）は各素子パターン、（６）はスクライブライ
ン、ＴＣはターゲットセンタ、Ｃはチップセンタ、ＳＣ
はスクライブセンタである。 出願人 三洋電機株式会社 外１名 代理人 弁理士 佐 野 静 夫 第１図 第２図 第４図
面図、第２図は本発明に用いたキーパターンの位置を説
明する上面図、第３図は従来のキーパターンの位置を説
明する上面図、第４図は従来のパターン位置合わせ方法
を説明する上面図である。 （１）（２）はキーパターン、（３）・・・（３）はマ
ニュアルアライメントマーク、（４）はターゲットマー
ク、（５）は各素子パターン、（６）はスクライブライ
ン、ＴＣはターゲットセンタ、Ｃはチップセンタ、ＳＣ
はスクライブセンタである。 出願人 三洋電機株式会社 外１名 代理人 弁理士 佐 野 静 夫 第１図 第２図 第４図
Claims (1)
- （１）キーパターンと各素子毎に設けたマニュアルアラ
イメントマークとを有するマスクを用いて前記キーパタ
ーンで自動位置合わせを行った後に一対の対物レンズを
用いて左右のマニュアルアライメントマークを用いてオ
フセット調整を行うパターン位置合わせ方法において、
前記キーパターンのターゲットマークのターゲットセン
タを各素子間の縦方向のスクライブラインのセンタの延
長上に設け、前記マニュアルアライメントマークを各素
子パターンのチップセンタの延長上に設け、前記一対の
対物レンズで前記マニュアルアライメントマークを同時
に見てオフセット調整を行うことを特徴とするパターン
位置合わせ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61034229A JPS62193124A (ja) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | パタ−ン位置合わせ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61034229A JPS62193124A (ja) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | パタ−ン位置合わせ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62193124A true JPS62193124A (ja) | 1987-08-25 |
| JPH0222533B2 JPH0222533B2 (ja) | 1990-05-18 |
Family
ID=12408315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61034229A Granted JPS62193124A (ja) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | パタ−ン位置合わせ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62193124A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05109873A (ja) * | 1991-04-12 | 1993-04-30 | Goldstar Electron Co Ltd | 半導体チツプのアライメント方法およびレーザ修理用ターゲツト |
-
1986
- 1986-02-19 JP JP61034229A patent/JPS62193124A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05109873A (ja) * | 1991-04-12 | 1993-04-30 | Goldstar Electron Co Ltd | 半導体チツプのアライメント方法およびレーザ修理用ターゲツト |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0222533B2 (ja) | 1990-05-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |