JPH02225376A - 導電性サイアロン焼結体、その製造方法及び伸線用ダイス - Google Patents
導電性サイアロン焼結体、その製造方法及び伸線用ダイスInfo
- Publication number
- JPH02225376A JPH02225376A JP1045462A JP4546289A JPH02225376A JP H02225376 A JPH02225376 A JP H02225376A JP 1045462 A JP1045462 A JP 1045462A JP 4546289 A JP4546289 A JP 4546289A JP H02225376 A JPH02225376 A JP H02225376A
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- Japan
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- sintering
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- sintered
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はサイアロン焼結体、およびその製造方法、及び
伸線用ダイスに関するものであり、特に、一般式(S+
6−zI4izOzNe−2)で表されるβ型サイアロ
ンを主体とする導電性焼結体に関するものである。
伸線用ダイスに関するものであり、特に、一般式(S+
6−zI4izOzNe−2)で表されるβ型サイアロ
ンを主体とする導電性焼結体に関するものである。
(従来の技術)
β型サイアロン焼結体は、鉄などの金属が比較的凝着し
にくいこと、高温強度および耐酸化性に優れ、熱膨張係
数が小さく耐熱衝撃性が大きいこと等の利点があるため
、近年種々の分野で応用が試みられている。
にくいこと、高温強度および耐酸化性に優れ、熱膨張係
数が小さく耐熱衝撃性が大きいこと等の利点があるため
、近年種々の分野で応用が試みられている。
一方、β型サイアロン焼結体は加工性に難点があり、現
状では一般にダイヤモンド砥石を用いて加工が行なわれ
ているが、加工屑による砥石の目詰りが起こり壱すく、
加工時間およびコストが非常に大きくなるという問題点
がある。このため。
状では一般にダイヤモンド砥石を用いて加工が行なわれ
ているが、加工屑による砥石の目詰りが起こり壱すく、
加工時間およびコストが非常に大きくなるという問題点
がある。このため。
最近β型サイアロンにIVa 、 Va、 Vla族元
素の酸化物、窒化物、炭化物を添加して導電性を付与し
、放電加工を可能としたサイアロン焼結体を得ることが
提案されている(特開昭82−285177)、放電加
工により、特殊・複雑形状のものが比較的短時間−低コ
ストで加工可能となる。従って、伸線用ダイスのような
テーパや曲面を組合せた形状でも比較的加工が容易とな
る。
素の酸化物、窒化物、炭化物を添加して導電性を付与し
、放電加工を可能としたサイアロン焼結体を得ることが
提案されている(特開昭82−285177)、放電加
工により、特殊・複雑形状のものが比較的短時間−低コ
ストで加工可能となる。従って、伸線用ダイスのような
テーパや曲面を組合せた形状でも比較的加工が容易とな
る。
(発明が解決しようとする課8)
本発明者は、上記公知技術による導電性サイアロン焼結
体をダイスやバイトのような金属加工用工具に適用すべ
く実験検討を行った結果、実用的にはセラミックス粒子
間の結合力がより高い焼結体が望ましいという結論を得
た。
体をダイスやバイトのような金属加工用工具に適用すべ
く実験検討を行った結果、実用的にはセラミックス粒子
間の結合力がより高い焼結体が望ましいという結論を得
た。
すなわち、粒子間の結合力が弱い場合、鉄のような金属
が塑性変形する際発生する高い応力によって1粒子が剥
離し摩耗が進行する。この摩耗を抑制し工具寿命を延長
するためには、粒子間の結合力を高めること、すなわち
抗折強度を高める必要がある。抗折強度を高める方法と
しては、ホットプレス、HIP等の物理的方法が提案さ
れている(特開昭53−207881)。
が塑性変形する際発生する高い応力によって1粒子が剥
離し摩耗が進行する。この摩耗を抑制し工具寿命を延長
するためには、粒子間の結合力を高めること、すなわち
抗折強度を高める必要がある。抗折強度を高める方法と
しては、ホットプレス、HIP等の物理的方法が提案さ
れている(特開昭53−207881)。
しかしながら、ホットプレスにより焼結する場合には、
比較的単純な形状の焼結体は得られるが、複雑形状の焼
結体を得ることは困難である。
比較的単純な形状の焼結体は得られるが、複雑形状の焼
結体を得ることは困難である。
また、HIPを用いる場合、複雑形状の焼結体を得るこ
とは可能であるが、前工程での焼結が必要となり製造工
程がそれだけ増えることになる。
とは可能であるが、前工程での焼結が必要となり製造工
程がそれだけ増えることになる。
本発明は、上記事情に鑑み、製造工程を増やすことなく
、抗折強度がより高く特殊・複雑形状を有する導電性サ
イアロン焼結体を提供することを目的とするものである
。さらに1本焼結体を伸線用ダイスに適用することによ
り、寿命の長いダイスを提供することを目的とする。
、抗折強度がより高く特殊・複雑形状を有する導電性サ
イアロン焼結体を提供することを目的とするものである
。さらに1本焼結体を伸線用ダイスに適用することによ
り、寿命の長いダイスを提供することを目的とする。
(課題を解決するための手段)
上記目的を達成するために1本第1の発明は、焼結助剤
を含むβ型サイアロン(S i &−ZMZ 0zNs
−z )と、〒i、 Zrの窒化物のうち一種以上が全
容量に対して25〜60容量%、Siが全容量に対して
0.2〜3゜5容量%からなる焼結体である。
を含むβ型サイアロン(S i &−ZMZ 0zNs
−z )と、〒i、 Zrの窒化物のうち一種以上が全
容量に対して25〜60容量%、Siが全容量に対して
0.2〜3゜5容量%からなる焼結体である。
Ti、 Zrの窒化物を構成成分とするのは、これらが
導電性と高融点をもつ化合物であり、サイアロンの焼結
に悪影響を与えることが少ないからである。これら化合
物の添加量を25〜60容量%とするのは、25容量%
未満では導電性化合物粒子相互の接触点が少なく、放電
加工に必要な導電性が得られないからであり、60容量
%を越えると本来β型サイアロンが有する金属との′m
着しにくさや高強度高靭性が損なわれるからである。窒
化物の添加量はより好ましくは30〜50容量%である
。
導電性と高融点をもつ化合物であり、サイアロンの焼結
に悪影響を与えることが少ないからである。これら化合
物の添加量を25〜60容量%とするのは、25容量%
未満では導電性化合物粒子相互の接触点が少なく、放電
加工に必要な導電性が得られないからであり、60容量
%を越えると本来β型サイアロンが有する金属との′m
着しにくさや高強度高靭性が損なわれるからである。窒
化物の添加量はより好ましくは30〜50容量%である
。
Slは、サイアロン焼結時に生成する融液と濡れやすい
、従って、第1図(A)のようにSiがない場合、融液
はβ型サイアロンやTi、 Zrの窒化物等のセラミッ
クス粒子間に十分に行き渡ることかで32いが、第1図
(B)のようにSlがある場合、融液はこれら重体粒子
表面を積極的に濡らし、同時に!A囲の粒子表面上も濡
らすので融液が粒子間に1分にイiき渡ることができ、
より均質性が高く欠陥の少ない組織となる。その結果、
ホットプレスやHIPに匹敵する高強度を有することに
なる。
、従って、第1図(A)のようにSiがない場合、融液
はβ型サイアロンやTi、 Zrの窒化物等のセラミッ
クス粒子間に十分に行き渡ることかで32いが、第1図
(B)のようにSlがある場合、融液はこれら重体粒子
表面を積極的に濡らし、同時に!A囲の粒子表面上も濡
らすので融液が粒子間に1分にイiき渡ることができ、
より均質性が高く欠陥の少ない組織となる。その結果、
ホットプレスやHIPに匹敵する高強度を有することに
なる。
Siの添加量を0.2〜3.5容量%とするのは。
0.2容量%未満では融液と粒子の濡れを向上させるの
に不十分であり、3.5容量%を越えると粒子自身が破
壊の起点となる効果の方が顕著になるからである。Si
の添加量はより好ましくは1.0〜2.5容量%である
。
に不十分であり、3.5容量%を越えると粒子自身が破
壊の起点となる効果の方が顕著になるからである。Si
の添加量はより好ましくは1.0〜2.5容量%である
。
焼結助剤としては、公知のものが使用できる。
サイアロンの量はより好ましくは30〜50容量%であ
る。
る。
さらに、末弟2の発明である導電性サイアロン焼結体の
製造方法は次の通りである。すなわち、β型サイアロン
の原料として、室温又は昇温中にSi!Nn 、 AR
M 、 A愛203の混合物又は化合物となり、且つβ
型サイアロンとしてZが所定の値になるものと、Y2O
3、XgO$c7)焼結助剤、 Ti、 Zrの窒化物
のうち1種以上が全容量に対して25〜GO容量%、S
iが全容量に対して0.2〜3.5容量%からなる混合
物を成形し、この成形体を常圧又は加圧窒素ガス雰囲気
中で1550〜1850℃で1時間以上保持した後、1
700〜1840″Cで2時間以上保持して焼結するこ
とにより、本発明導電性サイアロン焼結体が得られる。
製造方法は次の通りである。すなわち、β型サイアロン
の原料として、室温又は昇温中にSi!Nn 、 AR
M 、 A愛203の混合物又は化合物となり、且つβ
型サイアロンとしてZが所定の値になるものと、Y2O
3、XgO$c7)焼結助剤、 Ti、 Zrの窒化物
のうち1種以上が全容量に対して25〜GO容量%、S
iが全容量に対して0.2〜3.5容量%からなる混合
物を成形し、この成形体を常圧又は加圧窒素ガス雰囲気
中で1550〜1850℃で1時間以上保持した後、1
700〜1840″Cで2時間以上保持して焼結するこ
とにより、本発明導電性サイアロン焼結体が得られる。
なお、1550〜1850℃で保持するのは、融液を粒
界に均一に分布させるためである。 1550℃未満で
は融液の分布が不十分である。また、 Si!N4は一
旦融液に溶解してから析出し柱状結晶に成長するが、こ
の柱状結晶が十分に成長し互いに絡みあって緻密化する
ことによりβ型サイアロンの高強度が発現する。しかし
、1850〜1700℃では柱状結晶の成長が不十分で
あり緻密化しない、従って、融液を粒界に均一に分布さ
せる間は、5ixNaの溶解は抑制しなければならない
、ゆえに、このときの温度はlB50℃以下にする必要
がある。
界に均一に分布させるためである。 1550℃未満で
は融液の分布が不十分である。また、 Si!N4は一
旦融液に溶解してから析出し柱状結晶に成長するが、こ
の柱状結晶が十分に成長し互いに絡みあって緻密化する
ことによりβ型サイアロンの高強度が発現する。しかし
、1850〜1700℃では柱状結晶の成長が不十分で
あり緻密化しない、従って、融液を粒界に均一に分布さ
せる間は、5ixNaの溶解は抑制しなければならない
、ゆえに、このときの温度はlB50℃以下にする必要
がある。
次に1700〜1840℃で保持する理由であるが、1
700℃未満の焼結温度では上述の理由で緻密化が十分
に進まず、 1840℃を越える場合には100気圧以
上の窒素ガス中でなければ5iJ4の分解を抑制するこ
とはできないが、このような高圧では予め成型体の開気
孔をなくすことが必要となり製造工程を増やすことにな
る。なお加圧窒素ガス雰囲気中で焼結する場合は、窒素
ガス圧力は1.1〜30気圧が好ましい。
700℃未満の焼結温度では上述の理由で緻密化が十分
に進まず、 1840℃を越える場合には100気圧以
上の窒素ガス中でなければ5iJ4の分解を抑制するこ
とはできないが、このような高圧では予め成型体の開気
孔をなくすことが必要となり製造工程を増やすことにな
る。なお加圧窒素ガス雰囲気中で焼結する場合は、窒素
ガス圧力は1.1〜30気圧が好ましい。
さらに本節3の発明は、上述の焼結体又は上述の製造方
法によって製造した焼結体をニブとダイケースとを有す
る伸線用ダイスにおいて、ニブに適用することである。
法によって製造した焼結体をニブとダイケースとを有す
る伸線用ダイスにおいて、ニブに適用することである。
(作用)
以上のような本発明により、ホットプレスすることなし
に、常圧もしくは加圧の窒素雰囲気中で焼結することに
より、従来の導電性サイアロン焼結体よりも粒子間の結
合力が高く、従って抗折強度が高い焼結体を容易に得る
ことが可能となった。更に、ニブとダイケースとを有す
る伸線用ダイスにおいて、該ニブへ上述の導電性サイア
ロン焼結体を適用し、金属線材を伸線すると従来材料よ
りもダイス寿命が向上した。これは、ニブを構成する材
料の粒子間結合力向上により、粒子が剥離しにくくなリ
ニブの摩耗が抑制されたためである。
に、常圧もしくは加圧の窒素雰囲気中で焼結することに
より、従来の導電性サイアロン焼結体よりも粒子間の結
合力が高く、従って抗折強度が高い焼結体を容易に得る
ことが可能となった。更に、ニブとダイケースとを有す
る伸線用ダイスにおいて、該ニブへ上述の導電性サイア
ロン焼結体を適用し、金属線材を伸線すると従来材料よ
りもダイス寿命が向上した。これは、ニブを構成する材
料の粒子間結合力向上により、粒子が剥離しにくくなリ
ニブの摩耗が抑制されたためである。
(実施例)
以下、本発明を実施例に基づいて、更に詳細に説明する
。
。
実施例l
5i3Ni扮末(平均粒径0.5ル簡、α化率87%以
上) 、 Al2O3粉末(平均粒径0.2ルl)、M
llポリタイプ粉末(結晶型21R1平均粒径3JJ、
l)を用いて焼結体中のβ型サイアロンのZ = 0.
45となるように配合し、更に焼結助材としてY2O3
粉末(平均粒径0.6 川霧)を(Y203/β型サイ
アロン+Y20x)X100 =7.3重量%となるよ
うに配合した。これに対し、 TiM 、 ZrH(い
ずれも平均粒径2ル鳳)およびSi(平均粒径2戸鳳)
を表1に示す割合となるように添加した。これらを混合
、成形後、常圧窒素ガス雰囲気中で1600℃で2時間
保持した後、 1750℃で5時間保持して焼結し、室
温まで徐冷した。これにより得られた焼結体の常温抗折
強度、電気抵抗率を表1に示す。
上) 、 Al2O3粉末(平均粒径0.2ルl)、M
llポリタイプ粉末(結晶型21R1平均粒径3JJ、
l)を用いて焼結体中のβ型サイアロンのZ = 0.
45となるように配合し、更に焼結助材としてY2O3
粉末(平均粒径0.6 川霧)を(Y203/β型サイ
アロン+Y20x)X100 =7.3重量%となるよ
うに配合した。これに対し、 TiM 、 ZrH(い
ずれも平均粒径2ル鳳)およびSi(平均粒径2戸鳳)
を表1に示す割合となるように添加した。これらを混合
、成形後、常圧窒素ガス雰囲気中で1600℃で2時間
保持した後、 1750℃で5時間保持して焼結し、室
温まで徐冷した。これにより得られた焼結体の常温抗折
強度、電気抵抗率を表1に示す。
実施例2
実施例1に示す本発明の焼結体のうち、いくつかを伸線
用ダイスのニブに適用し、伸線テストに供試した。その
結果を表2に示す。
用ダイスのニブに適用し、伸線テストに供試した。その
結果を表2に示す。
(以下余白)
(発明の効果)
本発明により、従来のものより抗折強度が高く、放電加
工可能なβ型サイアロン焼結体の製造が可能となった。
工可能なβ型サイアロン焼結体の製造が可能となった。
また本発明のサイアロンを伸線用ダイスに適用すること
により、ダイスの高寿命化が可能となった0本発明のサ
イアロンは伸線用ダイスに限定されるものではなく、バ
イトその他金属加工用工具にも適用が可能である。
により、ダイスの高寿命化が可能となった0本発明のサ
イアロンは伸線用ダイスに限定されるものではなく、バ
イトその他金属加工用工具にも適用が可能である。
第1図は融液とセラミックス粒子の謂れを示す説明図で
ある。 1assセラミックス粒子、2・昏・融液、3・・・S
i粒子。
ある。 1assセラミックス粒子、2・昏・融液、3・・・S
i粒子。
Claims (3)
- (1)焼結助剤を含むβ型サイアロン(Si_6_−_
zAl_zO_zN_8_−_z)と、Ti、Zrの窒
化物のうち1種以上が全容量に対して25〜60容量%
、Siが全容量に対して0.2〜3.5容量%からなる
ことを特徴とする導電性サイアロン焼結体。 - (2)焼結助剤を含むβ型サイアロンの原料と、Ti、
Zrの窒化物のうち1種以上が全容量に対して25〜6
0容量%,Siが全容量に対して0.2〜3.5容量%
からなる混合物を成形し、この成形体を常圧又は加圧窒
素ガス雰囲気中で1550〜1850℃で1時間以上保
持した後、1700〜1840℃で2時間以上保持して
焼結することを特徴とする導電性サイアロン焼結体の製
造方法。 - (3)ニブとダイケースとを有する伸線用ダイスにおい
て、該ニブが特許請求の範囲第1項記載の導電性サイア
ロン焼結体からなることを特徴とする伸線用ダイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1045462A JPH02225376A (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 導電性サイアロン焼結体、その製造方法及び伸線用ダイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1045462A JPH02225376A (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 導電性サイアロン焼結体、その製造方法及び伸線用ダイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02225376A true JPH02225376A (ja) | 1990-09-07 |
Family
ID=12720032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1045462A Pending JPH02225376A (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 導電性サイアロン焼結体、その製造方法及び伸線用ダイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02225376A (ja) |
-
1989
- 1989-02-28 JP JP1045462A patent/JPH02225376A/ja active Pending
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