JPH0222542B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0222542B2 JPH0222542B2 JP59251110A JP25111084A JPH0222542B2 JP H0222542 B2 JPH0222542 B2 JP H0222542B2 JP 59251110 A JP59251110 A JP 59251110A JP 25111084 A JP25111084 A JP 25111084A JP H0222542 B2 JPH0222542 B2 JP H0222542B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass tube
- large diameter
- electrode
- electrodes
- glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W95/00—Packaging processes not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、例えば半導体チツプでなる整流素
子を挾持した電極部材間をガラス管で気密封止し
てなるリードレスガラス封止ダイオード等のリー
ドレス半導体装置の製造方法に関する。
子を挾持した電極部材間をガラス管で気密封止し
てなるリードレスガラス封止ダイオード等のリー
ドレス半導体装置の製造方法に関する。
一般に、上記のようなリードレスガラス封止ダ
イオードは、第４図に示すように構成されてい
る。すなわち、大径部１１ａ，１１ｂの中央に突
出する小径部１２ａ，１２ｂを有する１対の電極
１３ａ，１３ｂを、その小径部１２ａ，１２ｂの
先端で対向させる。そして、上記１対の電極１３
ａ，１３ｂの小径部１２ａ，１２ｂ先端の相互間
に、整流回路の形成された半導体チツプ１４を圧
接挾持させ、これと共に、上記半導体チツプ１４
を含む電極小径部１２ａ，１２ｂの周囲をガラス
管１５で囲む。この後、加熱処理によりそれぞれ
の電極小径部１２ａ，１２ｂにガラス管１５を密
着させ、上記半導体チツプ１４を気密封止してリ
ードレスガラス封止ダイオードを構成している。
この場合、上記気密封止時においては、ダイオー
ドはその電極小径部１２ａ，１２ｂの突出方向に
対応して直立した状態で封止治具内に設置され加
熱されるので、上記ガラス管１５は下側の電極大
径部１１ａに片寄つて密着される。
イオードは、第４図に示すように構成されてい
る。すなわち、大径部１１ａ，１１ｂの中央に突
出する小径部１２ａ，１２ｂを有する１対の電極
１３ａ，１３ｂを、その小径部１２ａ，１２ｂの
先端で対向させる。そして、上記１対の電極１３
ａ，１３ｂの小径部１２ａ，１２ｂ先端の相互間
に、整流回路の形成された半導体チツプ１４を圧
接挾持させ、これと共に、上記半導体チツプ１４
を含む電極小径部１２ａ，１２ｂの周囲をガラス
管１５で囲む。この後、加熱処理によりそれぞれ
の電極小径部１２ａ，１２ｂにガラス管１５を密
着させ、上記半導体チツプ１４を気密封止してリ
ードレスガラス封止ダイオードを構成している。
この場合、上記気密封止時においては、ダイオー
ドはその電極小径部１２ａ，１２ｂの突出方向に
対応して直立した状態で封止治具内に設置され加
熱されるので、上記ガラス管１５は下側の電極大
径部１１ａに片寄つて密着される。
しかしこのようにガラス管１５が、一方の電極
大径部１１ａに片寄つて密着してしまうと、例え
ば加熱処理後の冷却時において、電極１３ａ，１
３ｂよりガラス管１５の熱膨張係数が大きいため
に、ガラス管１５がその管軸方向ｘに縮み、電極
大径部１１ａとの密着部分においてひび割れ１６
ａ，１６ｂ，…が発生してしまう。このため、製
品外観を悪くするばかりでなく、歩留向上を妨げ
る大きな原因となつている。
大径部１１ａに片寄つて密着してしまうと、例え
ば加熱処理後の冷却時において、電極１３ａ，１
３ｂよりガラス管１５の熱膨張係数が大きいため
に、ガラス管１５がその管軸方向ｘに縮み、電極
大径部１１ａとの密着部分においてひび割れ１６
ａ，１６ｂ，…が発生してしまう。このため、製
品外観を悪くするばかりでなく、歩留向上を妨げ
る大きな原因となつている。
この発明は上記のような問題点に鑑みなされた
もので、ガラス管と電極大径部とを密着させるこ
となく、ガラス管のひび割れ発生を防止すること
ができるようになるリードレス半導体装置の製造
方法を提供することを目的とする。
もので、ガラス管と電極大径部とを密着させるこ
となく、ガラス管のひび割れ発生を防止すること
ができるようになるリードレス半導体装置の製造
方法を提供することを目的とする。
すなわちこの発明に係るリードレス半導体装置
の製造方法は、加熱時に下側となる一方の電極大
径部に小径部の突出方向に対応する複数の貫通孔
を形成し、この貫通孔に上記電極大径部を介して
ガラス管に当接する貫通部材を挿通させ、予めガ
ラス管の端面と電極大径部の側面との間に間隙を
保持した状態でガラス管の加熱封止処理を施すよ
うにしたものである。
の製造方法は、加熱時に下側となる一方の電極大
径部に小径部の突出方向に対応する複数の貫通孔
を形成し、この貫通孔に上記電極大径部を介して
ガラス管に当接する貫通部材を挿通させ、予めガ
ラス管の端面と電極大径部の側面との間に間隙を
保持した状態でガラス管の加熱封止処理を施すよ
うにしたものである。
以下図面によりこの発明の一実施例を説明す
る。
る。
第１図は例えばリードレスガラス封止ダイオー
ドの気密封止過程を示すもので、まず、大径部２
１ａ，２１ｂの中央に小径の突出部２２ａ，２２
ｂを有する断面Ｔ字状の１対の電極２３ａ，２３
ｂを、その突出部２２ａ，２２ｂの先端で対向配
置する。このそれぞれの電極２３ａ，２３ｂは例
えばガラス材と馴染みの良好なFe−Ni合金にCu
被覆されたジユメツト線等の金属線にヘツデイン
グ加工を施して形成されるもので、この電極大径
部２０ａ，２１ｂの何れか一方（この場合２１
ａ）には、例えば第２図に示すように、電極突出
部２２ａ，２２ｂを中心にして、その突出方向に
対応する長溝等の複数の貫通孔２４ａ〜２４ｄを
形成する。
ドの気密封止過程を示すもので、まず、大径部２
１ａ，２１ｂの中央に小径の突出部２２ａ，２２
ｂを有する断面Ｔ字状の１対の電極２３ａ，２３
ｂを、その突出部２２ａ，２２ｂの先端で対向配
置する。このそれぞれの電極２３ａ，２３ｂは例
えばガラス材と馴染みの良好なFe−Ni合金にCu
被覆されたジユメツト線等の金属線にヘツデイン
グ加工を施して形成されるもので、この電極大径
部２０ａ，２１ｂの何れか一方（この場合２１
ａ）には、例えば第２図に示すように、電極突出
部２２ａ，２２ｂを中心にして、その突出方向に
対応する長溝等の複数の貫通孔２４ａ〜２４ｄを
形成する。
次に、上記電極突出部２２ａ，２２ｂの先端相
互間に半導体チツプ１４を圧接挾持させ、これと
共に、上記半導体チツプ１４を含む突出部２２
ａ，２２ｂの周囲をガラス管２５で囲む。この場
合、ガラス管２５の幅は、電極大径部２１ａ，２
１ｂとの間に間隙を残すものとする。そして、上
記貫通孔２４ａ〜２４ｄの形成された電極大径部
２１ａを下側にしてガラス管２５の管軸方向を垂
直にし、気密封止治具２６内に設置する。
互間に半導体チツプ１４を圧接挾持させ、これと
共に、上記半導体チツプ１４を含む突出部２２
ａ，２２ｂの周囲をガラス管２５で囲む。この場
合、ガラス管２５の幅は、電極大径部２１ａ，２
１ｂとの間に間隙を残すものとする。そして、上
記貫通孔２４ａ〜２４ｄの形成された電極大径部
２１ａを下側にしてガラス管２５の管軸方向を垂
直にし、気密封止治具２６内に設置する。
この場合、この気密封止治具２６の底面には、
上記一方の電極大径部２１ａの貫通孔２４ａ〜２
４ｂ位置に対応してこの大径部２１ａの高さより
若干長い突き上げピン２７ａ〜２７ｄが設けられ
ているもので、ここで、突き上げピン２７ａ〜２
７ｄは上記それぞれの貫通孔２４ａ〜２４ｄに挿
通され、上記ガラス管２５を電極大径部２１ａを
介してその側面よりΔt（例えば0.1mm）程度突き上
げた状態にする。そして、上記ガラス管２５の端
面と電極大径部２１ａの側面との間の間隙Δtを
保持した状態で加熱封止処理を施し、電極２３
ａ，２３ｂの小径突出部２２ａ２２ｂの外周面に
ガラス管２５を密着させ、この後、上記ピン２７
ａ〜２７ｄを抜いて冷却する。ここで、上記突き
上げピン２７ａ〜２７ｄは、ガラス材が溶着する
ことのない材質のものとする。
上記一方の電極大径部２１ａの貫通孔２４ａ〜２
４ｂ位置に対応してこの大径部２１ａの高さより
若干長い突き上げピン２７ａ〜２７ｄが設けられ
ているもので、ここで、突き上げピン２７ａ〜２
７ｄは上記それぞれの貫通孔２４ａ〜２４ｄに挿
通され、上記ガラス管２５を電極大径部２１ａを
介してその側面よりΔt（例えば0.1mm）程度突き上
げた状態にする。そして、上記ガラス管２５の端
面と電極大径部２１ａの側面との間の間隙Δtを
保持した状態で加熱封止処理を施し、電極２３
ａ，２３ｂの小径突出部２２ａ２２ｂの外周面に
ガラス管２５を密着させ、この後、上記ピン２７
ａ〜２７ｄを抜いて冷却する。ここで、上記突き
上げピン２７ａ〜２７ｄは、ガラス材が溶着する
ことのない材質のものとする。
すなわちこのような気密封止過程においては、
加熱処理による電極２３ａ，２３ｂとガラス管２
５との密着時において、下側の電極大径部２１ａ
に形成した貫通孔２４ａ〜２４ｄに、気密封止治
具２６に設けた突き上げピン２７ａ〜２７ｄを挿
通させ、ガラス管２５を電極大径部２１ａから若
干離した状態で保持するようにしたので、第３図
に示すように、ガラス管２５はそれぞれの電極大
径部２１ａ，２１ｂとの間に適度な間隙を維持し
た状態でそれぞれの小径突出部２２ａ，２２ｂの
外周に密着するようになる。
加熱処理による電極２３ａ，２３ｂとガラス管２
５との密着時において、下側の電極大径部２１ａ
に形成した貫通孔２４ａ〜２４ｄに、気密封止治
具２６に設けた突き上げピン２７ａ〜２７ｄを挿
通させ、ガラス管２５を電極大径部２１ａから若
干離した状態で保持するようにしたので、第３図
に示すように、ガラス管２５はそれぞれの電極大
径部２１ａ，２１ｂとの間に適度な間隙を維持し
た状態でそれぞれの小径突出部２２ａ，２２ｂの
外周に密着するようになる。
したがつて、製品外観が良くなるばかりでな
く、ガラス管２５と電極大径部２１ａ，２１ｂと
が密着することがないので、気密封止後の冷却時
においても、ガラス管２５の縮みによりひび割れ
不良が発生することはない。ここで、例えば200
個のリードレスガラス封止ダイオードを製造した
際に、従来では４個ものひび割れ不良が発生して
いたのに対し、この実施例ではその不良個数を皆
無にすることができる。
く、ガラス管２５と電極大径部２１ａ，２１ｂと
が密着することがないので、気密封止後の冷却時
においても、ガラス管２５の縮みによりひび割れ
不良が発生することはない。ここで、例えば200
個のリードレスガラス封止ダイオードを製造した
際に、従来では４個ものひび割れ不良が発生して
いたのに対し、この実施例ではその不良個数を皆
無にすることができる。
以上のようにこの発明によれば、ガラス管と電
極大径部との間に間隙を維持した状態で加熱によ
る半導体素子の気密封止を施すようにしたので、
ガラス管と電極大径部とが密着することなく、ガ
ラス管のひび割れ発生を防止することができ、製
品歩留の向上が可能となるリードレス半導体装置
の製造方法を提供できる。
極大径部との間に間隙を維持した状態で加熱によ
る半導体素子の気密封止を施すようにしたので、
ガラス管と電極大径部とが密着することなく、ガ
ラス管のひび割れ発生を防止することができ、製
品歩留の向上が可能となるリードレス半導体装置
の製造方法を提供できる。
第１図はこの発明の一実施例に係るリードレス
半導体装置の気密封止過程を示す断面構成図、第
２図は上記リードレス半導体装置の一方の電極を
示す平面図、第３図は上記リードレス半導体装置
を示す断面構成図、第４図は従来のリードレス半
導体装置を示す断面構成図である。 １４……半導体チツプ、２１ａ，２１ｂ……電
極大径部、２２ａ，２２ｂ……電極小径突出部、
２３ａ，２３ｂ……電極、２４ａ〜２４ｄ……貫
通孔、２５……ガラス管、２７ａ〜２７ｄ……突
き上げピン。
半導体装置の気密封止過程を示す断面構成図、第
２図は上記リードレス半導体装置の一方の電極を
示す平面図、第３図は上記リードレス半導体装置
を示す断面構成図、第４図は従来のリードレス半
導体装置を示す断面構成図である。 １４……半導体チツプ、２１ａ，２１ｂ……電
極大径部、２２ａ，２２ｂ……電極小径突出部、
２３ａ，２３ｂ……電極、２４ａ〜２４ｄ……貫
通孔、２５……ガラス管、２７ａ〜２７ｄ……突
き上げピン。
Claims (1)
- １ 大径部の中央に突出部を有する断面Ｔ字状の
１対の電極をその突出部先端で対向させ少なくと
も一方の電極大径部に上記突出方向に対応する複
数の貫通孔を形成する手段と、上記１対の電極の
対向する突出部相互間に半導体素子を挾持させ、
この半導体素子を含む突出部の周囲を上記大径部
との間に間隙の残るガラス管で囲む手段と、この
ガラス管の管軸方向を垂直にし下側となる上記一
方の電極大径部の貫通孔にその電極大径部を介し
て上記ガラス管の下端を突き上げるガラス材が溶
着しない材質の貫通部材を挿通させ、この後上記
ガラス管と上記電極突出部の外周面とを熱処理に
より密着させる手段とを具備したことを特徴とす
るリードレス半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59251110A JPS61129850A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | リ−ドレス半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59251110A JPS61129850A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | リ−ドレス半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61129850A JPS61129850A (ja) | 1986-06-17 |
| JPH0222542B2 true JPH0222542B2 (ja) | 1990-05-18 |
Family
ID=17217797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59251110A Granted JPS61129850A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | リ−ドレス半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61129850A (ja) |
-
1984
- 1984-11-28 JP JP59251110A patent/JPS61129850A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61129850A (ja) | 1986-06-17 |
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