JPH0222590B2 - - Google Patents
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- JPH0222590B2 JPH0222590B2 JP59266703A JP26670384A JPH0222590B2 JP H0222590 B2 JPH0222590 B2 JP H0222590B2 JP 59266703 A JP59266703 A JP 59266703A JP 26670384 A JP26670384 A JP 26670384A JP H0222590 B2 JPH0222590 B2 JP H0222590B2
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- JP
- Japan
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- pnp transistor
- collector
- phototransistor
- image sensor
- potential
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はイメージセンサに関し、特に原稿情報
を高速、高解像で読み取ることを可能にしたバイ
ポーラIC技術による一次元イメージセンサに関
するものである。
を高速、高解像で読み取ることを可能にしたバイ
ポーラIC技術による一次元イメージセンサに関
するものである。
従来の技術
近年、イメージセンサは原稿読み取りスキヤナ
の小型化、高解像度化、光学系の調整の容易性の
点で、原稿の等倍像を読み取る密着型が盛んに開
発されている。密着型ではシリコン結晶を用いた
CCDマルチチツプイメージセンサ、バイポーラ
ICマルチチツプイメージセンサ、薄膜ではCdSイ
メージセンサ、ａ−Ｓイメージセンサ等がある。
以下図面を参照しながら従来のバイポーラマルチ
チツプイメージセンサの一例について説明する。
の小型化、高解像度化、光学系の調整の容易性の
点で、原稿の等倍像を読み取る密着型が盛んに開
発されている。密着型ではシリコン結晶を用いた
CCDマルチチツプイメージセンサ、バイポーラ
ICマルチチツプイメージセンサ、薄膜ではCdSイ
メージセンサ、ａ−Ｓイメージセンサ等がある。
以下図面を参照しながら従来のバイポーラマルチ
チツプイメージセンサの一例について説明する。
第６図は外部からの選択入力信号を選択入力信
号端子５０に受けて、これを相補信号出力端子５
２に直流レベルの異なる相補信号を発生する回路
を示す、定電流回路５３からの電流が電流スイツ
チを構成するトランジスタ対５４，５５，５６に
よつて選択入力信号をロジツク基準電圧との比較
に従つて、トランジスタ５４ａまたは５４ｂ，５
５ａまたは５５ｂ，５６ａまたは５６ｂに切り換
えられ、各々の電流と抵抗対５７，５８，５９に
より直流レベルの異なる相補的な電圧が発生させ
られる。例えば、選択入力信号５１の入力端子５
１ａが“Ｈ”レベルに入力された場合、相補出力
端子５２のＡは“Ｈ”には“Ｌ”になる。この
論理振幅は抵抗対５７の値および定電流回路３の
電流値で決められる。第６図は３ビツト入力の場
合を示したが、これは、同様の繰り返しで更にビ
ツト数の多い場合へも拡張できる。
号端子５０に受けて、これを相補信号出力端子５
２に直流レベルの異なる相補信号を発生する回路
を示す、定電流回路５３からの電流が電流スイツ
チを構成するトランジスタ対５４，５５，５６に
よつて選択入力信号をロジツク基準電圧との比較
に従つて、トランジスタ５４ａまたは５４ｂ，５
５ａまたは５５ｂ，５６ａまたは５６ｂに切り換
えられ、各々の電流と抵抗対５７，５８，５９に
より直流レベルの異なる相補的な電圧が発生させ
られる。例えば、選択入力信号５１の入力端子５
１ａが“Ｈ”レベルに入力された場合、相補出力
端子５２のＡは“Ｈ”には“Ｌ”になる。この
論理振幅は抵抗対５７の値および定電流回路３の
電流値で決められる。第６図は３ビツト入力の場
合を示したが、これは、同様の繰り返しで更にビ
ツト数の多い場合へも拡張できる。
第７図は前記第６図の信号変換回路からの直流
レベルの異なる相補信号を入力端子７０に受け、
ブロツク選択信号をブロツク選択信号端子７１に
受けて、ブロツク選択信号によつてアクテイベイ
トされた定電流源７２の電流をカスケード接続さ
れた電流切換スイツチ７４，７５，７６，７７，
７８，７９および、電流スイツチ８０，８１，８
２，８３，８４，８５，８６，８７および選択入
力信号によつて選択されたフオトトランジスタア
レイ８９中の１個のフオトトランジスタのみに流
し、このフオトトランジスタを読み取り状態にす
ることができる。８８は電源ラインで、９０は映
像出力端子である。次に具体的な動作を説明す
る。ブロツク入力端子がオン、相補入力信号Ａ，
Ｂ，Ｃが“Ｌ”、，，が“Ｈ”の時、定電
流源の電流はブロツク入力端子７１、NPNトラ
ンジスタ７３ａ，７４ａ，７６ａ、抵抗８０ｂを
流れる。この時PNPトランジスタ８０ａはオン
し、電源よりフオトトランジスタ８９ａに充電電
流が流れ、映像出力端子９０に出力される。この
時、フオトトランジスタ８９ａのみが読み取り状
態にある。第６図の選択入力信号に応じた相補信
号により、フオトトランジスタアレイ中の任意の
フオトトランジスタが１個ずつ読み取り状態にで
きる。（例えばテレビジヨン学会技術報告1984年
VOL.8.No.26.ED812） 発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記のような電流スイツチに
PNPトランジスタを用いた構成では、PNPトラ
ンジスタが飽和するため誤動作をする。誤動作の
例を第８図に示す。第８図は１個のフオトトラン
ジスタと電流スイツチと電流スイツチを示す。９
１は負荷抵抗、９２はPNPトランジスタのベー
ス・コレクタ間の寄生容量、９３はPNPトラン
ジスタのベース、９４はPNPトランジスタのコ
レクタである。第９図はタイミング図であり、９
５はPNPトランジスタのベースの波形、９６は
映像出力信号である。まず期間T1では、デコー
ダからの電流が抵抗８０ｂを流れず、PNPトラ
ンジスタのベースは電源電圧VCCに等しい、次に
にt1になつた瞬間、デコーダからの電流が流れ、
読み取り状態になる。この時、PNPトランジス
タのベース電位は（VCC−VBE）となり、PNPト
ランジスタがオンし、充電電流がフオトトランジ
スタ８９ａに流れ、映像信号出力が出力される。
期間T2の間にフオトトランジスタに充電される
に従つて、フオトトランジスタのコレクタ電位が
上昇する。すなわちこれに従つてPNPトランジ
スタのコレクタ電位も上昇し、最後にはフオトト
ランジスタへの充電が完了した時点ではPNPト
ランジスタは飽和し、コレクタ９４の電位は
（VCC−VCE(sat)）となる。この状態の時、PNPト
ランジスタのベース・コレクタ間の寄生容量９２
は（VBE−VCE(sat)）の電圧で、コレクタ側９４が
正、ベース側９３が負の状態で充電されている。
次にt2になつた瞬間、読み取り状態が終了し、積
分状態T3に移る。この時、デコーダからの電流
が流れず、ベース９３は電源電圧VCCとなる。す
なわちベース９３は、（VCC−VBE）からVCCへVBE
だけ電位が上昇する。コレクタ９４は（VCC−
VCE(sat)＋VBE）の電源電圧より高い電位となり寄
生容量９２に蓄積されている電荷がフオトトラン
ジスタ８９ａに流入し、再充電される。この時の
信号が第９図のt2に生じている映像信号となる。
以上の説明から各フオトトランジスタにおいてそ
れを読み出し状態にする瞬間t1と積分状態にする
瞬間t2で２度映像出力信号が現われクロストーク
が発生するという問題を有していた。
レベルの異なる相補信号を入力端子７０に受け、
ブロツク選択信号をブロツク選択信号端子７１に
受けて、ブロツク選択信号によつてアクテイベイ
トされた定電流源７２の電流をカスケード接続さ
れた電流切換スイツチ７４，７５，７６，７７，
７８，７９および、電流スイツチ８０，８１，８
２，８３，８４，８５，８６，８７および選択入
力信号によつて選択されたフオトトランジスタア
レイ８９中の１個のフオトトランジスタのみに流
し、このフオトトランジスタを読み取り状態にす
ることができる。８８は電源ラインで、９０は映
像出力端子である。次に具体的な動作を説明す
る。ブロツク入力端子がオン、相補入力信号Ａ，
Ｂ，Ｃが“Ｌ”、，，が“Ｈ”の時、定電
流源の電流はブロツク入力端子７１、NPNトラ
ンジスタ７３ａ，７４ａ，７６ａ、抵抗８０ｂを
流れる。この時PNPトランジスタ８０ａはオン
し、電源よりフオトトランジスタ８９ａに充電電
流が流れ、映像出力端子９０に出力される。この
時、フオトトランジスタ８９ａのみが読み取り状
態にある。第６図の選択入力信号に応じた相補信
号により、フオトトランジスタアレイ中の任意の
フオトトランジスタが１個ずつ読み取り状態にで
きる。（例えばテレビジヨン学会技術報告1984年
VOL.8.No.26.ED812） 発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記のような電流スイツチに
PNPトランジスタを用いた構成では、PNPトラ
ンジスタが飽和するため誤動作をする。誤動作の
例を第８図に示す。第８図は１個のフオトトラン
ジスタと電流スイツチと電流スイツチを示す。９
１は負荷抵抗、９２はPNPトランジスタのベー
ス・コレクタ間の寄生容量、９３はPNPトラン
ジスタのベース、９４はPNPトランジスタのコ
レクタである。第９図はタイミング図であり、９
５はPNPトランジスタのベースの波形、９６は
映像出力信号である。まず期間T1では、デコー
ダからの電流が抵抗８０ｂを流れず、PNPトラ
ンジスタのベースは電源電圧VCCに等しい、次に
にt1になつた瞬間、デコーダからの電流が流れ、
読み取り状態になる。この時、PNPトランジス
タのベース電位は（VCC−VBE）となり、PNPト
ランジスタがオンし、充電電流がフオトトランジ
スタ８９ａに流れ、映像信号出力が出力される。
期間T2の間にフオトトランジスタに充電される
に従つて、フオトトランジスタのコレクタ電位が
上昇する。すなわちこれに従つてPNPトランジ
スタのコレクタ電位も上昇し、最後にはフオトト
ランジスタへの充電が完了した時点ではPNPト
ランジスタは飽和し、コレクタ９４の電位は
（VCC−VCE(sat)）となる。この状態の時、PNPト
ランジスタのベース・コレクタ間の寄生容量９２
は（VBE−VCE(sat)）の電圧で、コレクタ側９４が
正、ベース側９３が負の状態で充電されている。
次にt2になつた瞬間、読み取り状態が終了し、積
分状態T3に移る。この時、デコーダからの電流
が流れず、ベース９３は電源電圧VCCとなる。す
なわちベース９３は、（VCC−VBE）からVCCへVBE
だけ電位が上昇する。コレクタ９４は（VCC−
VCE(sat)＋VBE）の電源電圧より高い電位となり寄
生容量９２に蓄積されている電荷がフオトトラン
ジスタ８９ａに流入し、再充電される。この時の
信号が第９図のt2に生じている映像信号となる。
以上の説明から各フオトトランジスタにおいてそ
れを読み出し状態にする瞬間t1と積分状態にする
瞬間t2で２度映像出力信号が現われクロストーク
が発生するという問題を有していた。
本発明は上記問題点に鑑み、上記問題点は
PNPトランジスタのコレクタ９４の電位がベー
ス９３の電位より高くなるためであり、この現象
を解決して再充電という誤動作をなくしたイメー
ジセンサを提供するものである。
PNPトランジスタのコレクタ９４の電位がベー
ス９３の電位より高くなるためであり、この現象
を解決して再充電という誤動作をなくしたイメー
ジセンサを提供するものである。
問題点を解決するための手段
上記問題を解決するために本発明のイメージセ
ンサは電流スイツチ群を構成する個々のPNPト
ランジスタのコレクタ電位がベース電位より高く
ならないようにクランプする機能を有する構成に
したものである。
ンサは電流スイツチ群を構成する個々のPNPト
ランジスタのコレクタ電位がベース電位より高く
ならないようにクランプする機能を有する構成に
したものである。
作 用
本発明は上記した構成によつて、PNPトラン
ジスタのコレクタ電位がクランプされ、ベース電
位より高くならないため、ベース・コレクタ間の
寄生容量に蓄積される電荷が第９図のt2の時点で
フオトトランジスタへ流入することがなく、再充
電による誤動作が解決される。
ジスタのコレクタ電位がクランプされ、ベース電
位より高くならないため、ベース・コレクタ間の
寄生容量に蓄積される電荷が第９図のt2の時点で
フオトトランジスタへ流入することがなく、再充
電による誤動作が解決される。
実施例
以下本発明の一実施例のイメージセンサについ
て、図面を参照しながら説明する。
て、図面を参照しながら説明する。
第１図は本発明の第１の実施例におけるイメー
ジセンサのフオトトランジスタと電流スイツチを
示すものである。１はクランプ用ダイオード接続
されたトランジスタ列であり、８０ａはPNPト
ランジスタ、８０ｂは抵抗、８９ａはフオトトラ
ンジスタ、８８は電源、９０は映像信号出力端
子、９１は負荷抵抗である。
ジセンサのフオトトランジスタと電流スイツチを
示すものである。１はクランプ用ダイオード接続
されたトランジスタ列であり、８０ａはPNPト
ランジスタ、８０ｂは抵抗、８９ａはフオトトラ
ンジスタ、８８は電源、９０は映像信号出力端
子、９１は負荷抵抗である。
以上のように構成されたイメージセンサについ
て、以下第１図を用いてその動作を説明する。
て、以下第１図を用いてその動作を説明する。
第２図の期間T1では電源は抵抗８０ｂを流れ
ず、PNPトランジスタのベース９３は電源電圧
VCCに等しい、次に読み取り状態T2になると抵抗
８０ｂに電流は流れ、ベース９３はVCC−VBE2
（VBE2はPNPトランジスタのベース・エミツタ間
の電圧）の電位となりPNPトランジスタ８０ａ
はオンする。PNPトランジスタ８０ａがオンす
ればフオトトランジスタ８９ａに充電電流が流
れ、これが映像信号出力端子９０に出力される。
フオトトランジスタ８９ａが充電されるにつれ
て、PNPトランジスタのコレクタ９４の電位が
上昇しnVBE1（VBE1はNPNトランジスタの立ち上
がり電圧）以上の電位になれば電流は、ダイオー
ド接続されたｎ個のトランジスタ列へ流れ、これ
以上コレクタ９４の電位は上昇せずクランプされ
る。このｎの値（個数）は（VCC−VBE2）＜nVBE1
の関係を満たす範囲であればよい。このようにす
ればPNPトランジスタ８０ａのコレクタ９４は
ベース９３より上昇せず、t2の時点で読み取り状
態から積分状態に移つても再充電はなくなり誤動
作はなく、第２図のt2の時点で、映像出力信号は
現われない。
ず、PNPトランジスタのベース９３は電源電圧
VCCに等しい、次に読み取り状態T2になると抵抗
８０ｂに電流は流れ、ベース９３はVCC−VBE2
（VBE2はPNPトランジスタのベース・エミツタ間
の電圧）の電位となりPNPトランジスタ８０ａ
はオンする。PNPトランジスタ８０ａがオンす
ればフオトトランジスタ８９ａに充電電流が流
れ、これが映像信号出力端子９０に出力される。
フオトトランジスタ８９ａが充電されるにつれ
て、PNPトランジスタのコレクタ９４の電位が
上昇しnVBE1（VBE1はNPNトランジスタの立ち上
がり電圧）以上の電位になれば電流は、ダイオー
ド接続されたｎ個のトランジスタ列へ流れ、これ
以上コレクタ９４の電位は上昇せずクランプされ
る。このｎの値（個数）は（VCC−VBE2）＜nVBE1
の関係を満たす範囲であればよい。このようにす
ればPNPトランジスタ８０ａのコレクタ９４は
ベース９３より上昇せず、t2の時点で読み取り状
態から積分状態に移つても再充電はなくなり誤動
作はなく、第２図のt2の時点で、映像出力信号は
現われない。
第３図はクランプ機能をｎ個のダイオード列で
行なう例を示す。この場合も各ダイオードの順方
向電圧降下をVDとすると（VCC−VBE2）＞nVDの関
係を満たす範囲の個数ｎでよく、PNPトランジ
スタ８９ａのコレクタはnVDの電位でクランプさ
れこれ以上電位は上昇しない。
行なう例を示す。この場合も各ダイオードの順方
向電圧降下をVDとすると（VCC−VBE2）＞nVDの関
係を満たす範囲の個数ｎでよく、PNPトランジ
スタ８９ａのコレクタはnVDの電位でクランプさ
れこれ以上電位は上昇しない。
第４図はクランプ機能を抵抗で行なう例を示
す。この場合、フオトトランジスタ充電完了後抵
抗３に流れる電流IRと抵抗３の積の電圧でPNPト
ランジスタ８９ａのコレクタ９４はクランプされ
る。
す。この場合、フオトトランジスタ充電完了後抵
抗３に流れる電流IRと抵抗３の積の電圧でPNPト
ランジスタ８９ａのコレクタ９４はクランプされ
る。
以上のようにダイオード接続されたトランジス
タ列、ダイオード列、抵抗等でクランプ機能を持
たせることによりフオトトランジスタへの再充電
による誤動作はなくなる。また低照度時の使用の
場合、従来では、PNPトランジスタのコレクタ
電位がエミツタ電位付近まで上昇するため、コレ
クタ・エミツタ間電圧が小さくなり、読み取り状
態に移るt1の時点では第５図に示すVCE1で動作
し、電流容量はIC1であつた。しかし、本発明の
クランプ機能を施せば、PNPトランジスタのコ
レクタ電位は、ダイオード接続されたトランジス
タ列を用いた場合、nVBE、ダイオードを用いた
場合nVD、抵抗を用いた場合、IR×（抵抗３の値）
以上上昇せず、コレクタ・エミツタ間の電圧が、
従来より大きくなり第５図ではVCE2＞VCE1とな
り、電流容量はIC2＞IC1で充電時の突入電流値は
大きくなり、出力値も大きくなる。
タ列、ダイオード列、抵抗等でクランプ機能を持
たせることによりフオトトランジスタへの再充電
による誤動作はなくなる。また低照度時の使用の
場合、従来では、PNPトランジスタのコレクタ
電位がエミツタ電位付近まで上昇するため、コレ
クタ・エミツタ間電圧が小さくなり、読み取り状
態に移るt1の時点では第５図に示すVCE1で動作
し、電流容量はIC1であつた。しかし、本発明の
クランプ機能を施せば、PNPトランジスタのコ
レクタ電位は、ダイオード接続されたトランジス
タ列を用いた場合、nVBE、ダイオードを用いた
場合nVD、抵抗を用いた場合、IR×（抵抗３の値）
以上上昇せず、コレクタ・エミツタ間の電圧が、
従来より大きくなり第５図ではVCE2＞VCE1とな
り、電流容量はIC2＞IC1で充電時の突入電流値は
大きくなり、出力値も大きくなる。
発明の効果
以上のように本発明はイメージセンサの電流ス
イツチであるPNPトランジスタのコレクタに、
ダイオード接続されたトランジスタ列、あるいは
ダイオード列、あるいは抵抗等により構成された
クランプ回路を設けることにより、PNPトラン
ジスタのコレクタ・ベース間寄生容量に蓄積した
電荷の流入するために起る再充電による誤動作を
防止するという優れた効果がある。また、読み取
り状態に移つた瞬間（t1時点）のPNPトランジス
タの電流供給能力が従来よりも大きくなりイメー
ジセンサの感度があがるという優れた効果もあ
る。
イツチであるPNPトランジスタのコレクタに、
ダイオード接続されたトランジスタ列、あるいは
ダイオード列、あるいは抵抗等により構成された
クランプ回路を設けることにより、PNPトラン
ジスタのコレクタ・ベース間寄生容量に蓄積した
電荷の流入するために起る再充電による誤動作を
防止するという優れた効果がある。また、読み取
り状態に移つた瞬間（t1時点）のPNPトランジス
タの電流供給能力が従来よりも大きくなりイメー
ジセンサの感度があがるという優れた効果もあ
る。
第１図は本発明の第一の実施例におけるイメー
ジセンサの電流スイツチのPNPトランジスタの
コレクタをダイオード接続したトランジスタ列で
クランプした図、第２図は第１図の回路からの映
像信号出力の波形図、第３図はクランプ機能をダ
イオード列で行なつた図、第４図はクランプ機能
の抵抗で行なつた図、第５図はPNPトランジス
タの読み取り状態に移つた瞬間の動作点の図、第
６図は従来のイメージセンサの選択信号入力を直
流レベルの異なる相補的な選択信号を発生する回
路図、第７図はブロツク選択信号、相補的な選択
信号を受けて、任意のフオトトランジスタを読み
取り状態にするデコーダ、電流スイツチ、光検知
素子アレイ等の回路図、第８図は従来の電流スイ
ツチの誤動作を示す回路図、第９図は誤動作する
ことにより出力される映像信号出力の波形図であ
る。 １……クランプ用のダイオード接続されたトラ
ンジスタ列、２……クランプ用ダイオード列、３
……クランプ用抵抗、９２……PNPトランジス
タのベース・コレクタ間の寄生容量。
ジセンサの電流スイツチのPNPトランジスタの
コレクタをダイオード接続したトランジスタ列で
クランプした図、第２図は第１図の回路からの映
像信号出力の波形図、第３図はクランプ機能をダ
イオード列で行なつた図、第４図はクランプ機能
の抵抗で行なつた図、第５図はPNPトランジス
タの読み取り状態に移つた瞬間の動作点の図、第
６図は従来のイメージセンサの選択信号入力を直
流レベルの異なる相補的な選択信号を発生する回
路図、第７図はブロツク選択信号、相補的な選択
信号を受けて、任意のフオトトランジスタを読み
取り状態にするデコーダ、電流スイツチ、光検知
素子アレイ等の回路図、第８図は従来の電流スイ
ツチの誤動作を示す回路図、第９図は誤動作する
ことにより出力される映像信号出力の波形図であ
る。 １……クランプ用のダイオード接続されたトラ
ンジスタ列、２……クランプ用ダイオード列、３
……クランプ用抵抗、９２……PNPトランジス
タのベース・コレクタ間の寄生容量。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電流スイツチを構成するPNPトランジスタ
と、前記PNPトランジスタのコレクタにコレク
タが接続されたフオトトランジスタと、前記
PNPトランジスタのコレクタに接続され、前記
PNPトランジスタが飽和することを防止するク
ランプ手段とを備えたことを特徴とするイメージ
センサ。 ２ クランプ手段は、ダイオード接続された１個
あるいは複数個のトランジスタで構成した特許請
求の範囲第１項記載のイメージセンサ。 ３ クランプ手段は、１個あるいは複数個のダイ
オードで構成した特許請求の範囲第１項記載のイ
メージセンサ。 ４ クランプ手段は、抵抗で構成した特許請求の
範囲第１項記載のイメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59266703A JPS61144165A (ja) | 1984-12-18 | 1984-12-18 | イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59266703A JPS61144165A (ja) | 1984-12-18 | 1984-12-18 | イメ−ジセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61144165A JPS61144165A (ja) | 1986-07-01 |
| JPH0222590B2 true JPH0222590B2 (ja) | 1990-05-21 |
Family
ID=17434507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59266703A Granted JPS61144165A (ja) | 1984-12-18 | 1984-12-18 | イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61144165A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04112478U (ja) * | 1991-03-15 | 1992-09-30 | ヒロセ電機株式会社 | 縦型コネクタ構造 |
-
1984
- 1984-12-18 JP JP59266703A patent/JPS61144165A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04112478U (ja) * | 1991-03-15 | 1992-09-30 | ヒロセ電機株式会社 | 縦型コネクタ構造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61144165A (ja) | 1986-07-01 |
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