JPH0222629A - 光シャッター - Google Patents
光シャッターInfo
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- JPH0222629A JPH0222629A JP17083988A JP17083988A JPH0222629A JP H0222629 A JPH0222629 A JP H0222629A JP 17083988 A JP17083988 A JP 17083988A JP 17083988 A JP17083988 A JP 17083988A JP H0222629 A JPH0222629 A JP H0222629A
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Landscapes
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、遮光用光シヤツターに関する。さらに詳しく
は建築物や自動車、船、航空機等の窓及び仕切りに用い
られる、各種窓などの光シヤツターに関する。
は建築物や自動車、船、航空機等の窓及び仕切りに用い
られる、各種窓などの光シヤツターに関する。
大型の窓用光シヤツターとしては、機能層を、導電層を
有した透明ガラス又はプラスチックフイ(1) 電場
を用いたシャッター 1)TN液晶を樹脂の中に混合しエマルジぢン化したも
のを透明導電層を有したガラス又はプラスチックフィル
ム上に塗布し、さらに同様な透明導電材にてはさんだも
ので、電場による液晶の配向により、光線透過率を変化
させるものである。
有した透明ガラス又はプラスチックフイ(1) 電場
を用いたシャッター 1)TN液晶を樹脂の中に混合しエマルジぢン化したも
のを透明導電層を有したガラス又はプラスチックフィル
ム上に塗布し、さらに同様な透明導電材にてはさんだも
ので、電場による液晶の配向により、光線透過率を変化
させるものである。
ii)普通の液晶セルと同様に、TN液晶をガラス又は
プラスチックフィルム電極の間に封止し、電極の外側両
面に偏光板を配置する。電場によりセルの偏光性を変え
ることにより、透明又は不透明になる。
プラスチックフィルム電極の間に封止し、電極の外側両
面に偏光板を配置する。電場によりセルの偏光性を変え
ることにより、透明又は不透明になる。
1ii)酸化タングステンなどのエレクトロクロミック
物質を用いたもので、電場による酸化還元反応により、
いろいろな色に着色し、選択透過性や透過率の変化を与
えるものである。
物質を用いたもので、電場による酸化還元反応により、
いろいろな色に着色し、選択透過性や透過率の変化を与
えるものである。
iv)透明強誘電体板(PLZTなど)に透明電極を形
成し、両側に偏光板を配置したもの、電場により強誘体
の複屈折率を変え、偏光板を通過する光量をコントロー
ルする。
成し、両側に偏光板を配置したもの、電場により強誘体
の複屈折率を変え、偏光板を通過する光量をコントロー
ルする。
(2) フォトクロミンク物質を用いたもの固体のフ
ォトクロミンク物質を透明なバインダーで固めるか透明
な物質ではさんだものであり、暗所では透明であり、明
るいところでは着色する。
ォトクロミンク物質を透明なバインダーで固めるか透明
な物質ではさんだものであり、暗所では透明であり、明
るいところでは着色する。
したがって光線透過率を自由にコントロールすることは
できない。
できない。
現在までに提案されている大型光シヤツターの機構は前
述のごとく複雑であり、製法も複製で長く、高度の技術
を要する。したがって大型の光シャフター素子を低価格
で作製することはかなりの困難が予想される。
述のごとく複雑であり、製法も複製で長く、高度の技術
を要する。したがって大型の光シャフター素子を低価格
で作製することはかなりの困難が予想される。
まず、TN液晶を用いたセル方式のシャッターでは大型
のセルを作ることは配向膜の均一性とか、セルギャップ
の問題、液晶の注入等考えると、大きな面積は困難であ
る。
のセルを作ることは配向膜の均一性とか、セルギャップ
の問題、液晶の注入等考えると、大きな面積は困難であ
る。
又エレクトロクロミックでは、エレクトロクロミンク物
質を大面積電極に均一に形成するためには、高度の技術
と多くの工程を必要とし、大きなコストを要する。一方
液晶のエマルシヨンを用いる光シヤツターは、比較的容
易に大面積シャッターができるが、液晶カプセルのまわ
りに誘電体が介在するため、液晶に数ボルトの電圧をか
けるためには、両側の電極に、toov前後の電圧をか
ける必要があり、非常に危険であると共に、使用場所が
制限される。
質を大面積電極に均一に形成するためには、高度の技術
と多くの工程を必要とし、大きなコストを要する。一方
液晶のエマルシヨンを用いる光シヤツターは、比較的容
易に大面積シャッターができるが、液晶カプセルのまわ
りに誘電体が介在するため、液晶に数ボルトの電圧をか
けるためには、両側の電極に、toov前後の電圧をか
ける必要があり、非常に危険であると共に、使用場所が
制限される。
又、フォトクロミック物質を使ったシャッターは、まわ
りの光に左右され、自由に透過率をコントロールできな
いという欠点がある。
りの光に左右され、自由に透過率をコントロールできな
いという欠点がある。
本発明は、以上の問題点を解決しようとするものであり
、低コストで大面積シャッターを容易に作製することが
でき動作電圧も低く、光線透過率を自由にコントロール
することができる、大型光シヤツターを提供しようとす
るものである。
、低コストで大面積シャッターを容易に作製することが
でき動作電圧も低く、光線透過率を自由にコントロール
することができる、大型光シヤツターを提供しようとす
るものである。
本発明は、結晶性低融点物質層を、ガラス又はフィルム
を基板とした透明導電層上に形成し、少なくとも該結晶
性低融点樹脂層側に保護層を設けた光シヤツターである
。
を基板とした透明導電層上に形成し、少なくとも該結晶
性低融点樹脂層側に保護層を設けた光シヤツターである
。
本発明の構成は結晶性低融点物質層と、これに接してい
る透明導電性基板と、これらの両面又は片面を保護する
保護層からなっており、透明導電層の両端には電流を流
すためのリード電極が形成されている。
る透明導電性基板と、これらの両面又は片面を保護する
保護層からなっており、透明導電層の両端には電流を流
すためのリード電極が形成されている。
本発明の動作は透明導電層に電流を流し発熱させ、結晶
性低融点物質層を融点近(まで加熱し、透明な状態とし
、それ以降は、結晶性低融点物質が融点を保つ程度の電
流を流し透明な状態を保つ。
性低融点物質層を融点近(まで加熱し、透明な状態とし
、それ以降は、結晶性低融点物質が融点を保つ程度の電
流を流し透明な状態を保つ。
次に透過率を減少させるには電流を切り、冷却すればよ
い、なお中間の透過率を得るためには、結晶性低融点物
質の中に温度センサーを設けその温度を精度よくコント
ロールすればよい0本発明に用いられる結晶性低融点物
質は分子量が100から10万で融点が30〜80°C
が好ましい、又固体は不透明で白色又は着色されており
融点以上では透明で、化学的に安定であり変色等を生じ
ないことが必要である0例えば高分子では、脂肪族ポリ
エステル樹脂、ポリエチレングリコール、ポリオキサシ
クロブタン、ポリテトラヒドロフランなどのポリエーテ
ル、低分子ポリエチレンなどがある。又低分子物質では
、エイコサン、2−メチル−24ペンタデイオール1.
6−ヘキサンデイオール、ラウリル酸などがある。これ
らは、類似化合物と混合して用いてもよく、又、透明な
バインダーと混合してもよい。
い、なお中間の透過率を得るためには、結晶性低融点物
質の中に温度センサーを設けその温度を精度よくコント
ロールすればよい0本発明に用いられる結晶性低融点物
質は分子量が100から10万で融点が30〜80°C
が好ましい、又固体は不透明で白色又は着色されており
融点以上では透明で、化学的に安定であり変色等を生じ
ないことが必要である0例えば高分子では、脂肪族ポリ
エステル樹脂、ポリエチレングリコール、ポリオキサシ
クロブタン、ポリテトラヒドロフランなどのポリエーテ
ル、低分子ポリエチレンなどがある。又低分子物質では
、エイコサン、2−メチル−24ペンタデイオール1.
6−ヘキサンデイオール、ラウリル酸などがある。これ
らは、類似化合物と混合して用いてもよく、又、透明な
バインダーと混合してもよい。
樹脂状物質を用いてシャッターを加工する場合は、あら
かじめシート状にしておき、透明導電層及び保護層とは
り合せればよいという取扱いやすさがある。低分子物の
場合には、適当な溶媒に溶かし、透明導電層上に塗布し
なければならない。
かじめシート状にしておき、透明導電層及び保護層とは
り合せればよいという取扱いやすさがある。低分子物の
場合には、適当な溶媒に溶かし、透明導電層上に塗布し
なければならない。
次に結晶性低融点物質の厚さは25μmから500#m
が適当である。あまり薄い場合は、融解した場合、透明
導電層や保護層の変形によりかたより易く、あまり厚い
場合には樹脂を融解させるために多くのエネルギーを要
するので好ましくない。
が適当である。あまり薄い場合は、融解した場合、透明
導電層や保護層の変形によりかたより易く、あまり厚い
場合には樹脂を融解させるために多くのエネルギーを要
するので好ましくない。
本発明に用いられる透明導電層は、透明導電性であり、
80℃の温度に耐える物質であればよく、ITO,Sn
ow 、ZnOなどの酸化物、Ag。
80℃の温度に耐える物質であればよく、ITO,Sn
ow 、ZnOなどの酸化物、Ag。
Auなどの金属でもい、基板物質はガラス、又は透明プ
ラスチックが用いられる0例えばポリエステルフィルム
、ポリエーテルサルフオンフィルムなどである。
ラスチックが用いられる0例えばポリエステルフィルム
、ポリエーテルサルフオンフィルムなどである。
なお、透明導電層としては、この他、ガラスやプラスチ
ックに細い抵抗線を埋め込んだ素材を用いることもでき
る。
ックに細い抵抗線を埋め込んだ素材を用いることもでき
る。
次に透明導電層の抵抗値は5Ω/口から500Ω/口が
よくさらに好ましくは10Ω/口から100Ω/口が適
している。抵抗値が小さければ一定の出力を得るのに低
電圧でよく好ましい、またあまり小さな場合は、一般に
光線透過率が低下し酸化物の場合は導電膜が厚くなり割
れ易くなる0以上述べた抵抗値はシャッターの特性によ
っても制限を受ける0例えば、結晶性低融点物質が融解
するための熱IQは Q−1”R−し ただし R:透明導電層の抵抗 ■=透明導電層に流れる電流 L:伝導及び放射により失なわれる熱量で表わされるが
、実際には時間の積分となりQ−ftQd t−ft(
1”−R−L)d tとなり、レスポンス時間の設定に
より、抵抗値が決められる場合がある。
よくさらに好ましくは10Ω/口から100Ω/口が適
している。抵抗値が小さければ一定の出力を得るのに低
電圧でよく好ましい、またあまり小さな場合は、一般に
光線透過率が低下し酸化物の場合は導電膜が厚くなり割
れ易くなる0以上述べた抵抗値はシャッターの特性によ
っても制限を受ける0例えば、結晶性低融点物質が融解
するための熱IQは Q−1”R−し ただし R:透明導電層の抵抗 ■=透明導電層に流れる電流 L:伝導及び放射により失なわれる熱量で表わされるが
、実際には時間の積分となりQ−ftQd t−ft(
1”−R−L)d tとなり、レスポンス時間の設定に
より、抵抗値が決められる場合がある。
次に透明導電膜を形成する基板であるが、透明なガラス
又はプラスチックフィルム、プラスチックシートであれ
ばよい0例えばプラスチックではポリエーテルサルフォ
ン、ポリエステルからなるフィルム又はシートがある。
又はプラスチックフィルム、プラスチックシートであれ
ばよい0例えばプラスチックではポリエーテルサルフォ
ン、ポリエステルからなるフィルム又はシートがある。
フィルムの場合は軽くフレキシブルである点ガラスより
優れている。
優れている。
次に保護層であるが、結晶性低融点物質は融解した場合
は、軟化するため形を保つために保護層が必要である。
は、軟化するため形を保つために保護層が必要である。
保護層は、ガラス板でもプラスチックフィルム又はシー
トでもよい、又、透明導電層側も必要に応じて保護して
もよい、つまり寒冷地で使用する場合の保温とか透明導
電層の基板がガラスの場合は割れ易いため、破損防止の
ため保護層を用いる場合もある。
トでもよい、又、透明導電層側も必要に応じて保護して
もよい、つまり寒冷地で使用する場合の保温とか透明導
電層の基板がガラスの場合は割れ易いため、破損防止の
ため保護層を用いる場合もある。
なお、この保護層に透明導電性フィルムを用いれば、結
晶性低融点物質を両側から透明導電膜でサンドイッチす
る事になり加熱速度を上げることができる。
晶性低融点物質を両側から透明導電膜でサンドイッチす
る事になり加熱速度を上げることができる。
結晶性低融点物質層を透明導電層上に形成しその片面又
は両面に保iiを設けることにより廉価な大面積シャッ
ターを提供することができる。
は両面に保iiを設けることにより廉価な大面積シャッ
ターを提供することができる。
(1)メチレン基とエステル基の単一ユニットの繰返し
構造を存した、融点が50℃のポリエステル樹脂を、抵
抗値が300Ω/口の透明導性フィルム上に、50μm
tX200mX300mの寸法で形成し、その上から1
閣ものガラスを融着させた。電極は30〇−長の両辺に
シルバーペイントを塗布し形成した。このシャッターの
初期の平行光線透過率は25%(at550nm)であ
った0次にこのシャッターに40VACを印加し1.5
Aの電流を流し1分経過したところ全体の結晶が融解し
、平行光線透過率が増加し、86%に達した0次に印加
電圧を切り室温(25°C)にて3分待ったところ、中
の樹脂層が結晶化し、シャッターは不透明になり平行光
線透過率は、30%まで低下した。この様な操作を10
回くり返したが、シャッターには異常はみられなかった
。
構造を存した、融点が50℃のポリエステル樹脂を、抵
抗値が300Ω/口の透明導性フィルム上に、50μm
tX200mX300mの寸法で形成し、その上から1
閣ものガラスを融着させた。電極は30〇−長の両辺に
シルバーペイントを塗布し形成した。このシャッターの
初期の平行光線透過率は25%(at550nm)であ
った0次にこのシャッターに40VACを印加し1.5
Aの電流を流し1分経過したところ全体の結晶が融解し
、平行光線透過率が増加し、86%に達した0次に印加
電圧を切り室温(25°C)にて3分待ったところ、中
の樹脂層が結晶化し、シャッターは不透明になり平行光
線透過率は、30%まで低下した。この様な操作を10
回くり返したが、シャッターには異常はみられなかった
。
(2)100μm厚のポリエチレンテレフタレートフィ
ルム上にITOをスパツクした透明導電層上に、分子量
約5000、融点約50°Cのポリエチレングリコール
を約70℃に保ち、グラビアコーターにて、約30μの
厚さに塗布した6次にこの上から100μのポリエチレ
ンテレフタレートフィルムにてカバーし、エツジをポリ
イミドテープにてシールすることにより300X300
mのシャッターを得た。このシャッターの透明電極の両
端に40 VACを印加し、2Aを澁すことにより1分
後シャッターは透明になった。次に電流を切り、2分後
には、不透明になりはじめ、4分で完全にスリガラ状に
なった。このときの平行光線透過率は40%であった。
ルム上にITOをスパツクした透明導電層上に、分子量
約5000、融点約50°Cのポリエチレングリコール
を約70℃に保ち、グラビアコーターにて、約30μの
厚さに塗布した6次にこの上から100μのポリエチレ
ンテレフタレートフィルムにてカバーし、エツジをポリ
イミドテープにてシールすることにより300X300
mのシャッターを得た。このシャッターの透明電極の両
端に40 VACを印加し、2Aを澁すことにより1分
後シャッターは透明になった。次に電流を切り、2分後
には、不透明になりはじめ、4分で完全にスリガラ状に
なった。このときの平行光線透過率は40%であった。
この様な操作は、くり返し性があることが確認され、大
型光シヤツターとして十分に使用できるものであった。
型光シヤツターとして十分に使用できるものであった。
以上のように本発明の光シヤツターは容易に大面積のも
のを作製することができ、動作電圧が低く、光線透過率
を自由にコントロールすることがものである。
のを作製することができ、動作電圧が低く、光線透過率
を自由にコントロールすることがものである。
第1図は、結晶低融点物質を用いた光シヤツターの断面
図を示す。 特許出願人 住友ベークライト株式会社特許出願大
阪田産業株式会社
図を示す。 特許出願人 住友ベークライト株式会社特許出願大
阪田産業株式会社
Claims (1)
- (1)結晶性低融点物質層をガラス又はプラスチックフ
ィルムを基板とした透明導電層上に形成し、少なくとも
該結晶性低融点物質層側に保護層を設けることを特徴と
する光シャッター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17083988A JPH0222629A (ja) | 1988-07-11 | 1988-07-11 | 光シャッター |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17083988A JPH0222629A (ja) | 1988-07-11 | 1988-07-11 | 光シャッター |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0222629A true JPH0222629A (ja) | 1990-01-25 |
Family
ID=15912286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17083988A Pending JPH0222629A (ja) | 1988-07-11 | 1988-07-11 | 光シャッター |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0222629A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61277372A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-08 | Toshiba Corp | 電源装置 |
| JP2017520018A (ja) * | 2014-06-05 | 2017-07-20 | マイクロソフト テクノロジー ライセンシング,エルエルシー | シースルー減光パネル |
-
1988
- 1988-07-11 JP JP17083988A patent/JPH0222629A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61277372A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-08 | Toshiba Corp | 電源装置 |
| JP2017520018A (ja) * | 2014-06-05 | 2017-07-20 | マイクロソフト テクノロジー ライセンシング,エルエルシー | シースルー減光パネル |
| US10670937B2 (en) | 2014-06-05 | 2020-06-02 | Microsoft Technology Licensing, Llc | See-through dimming panel |
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