JPH02226766A

JPH02226766A - 半導体装置及びそれを用いた光電変換装置

Info

Publication number: JPH02226766A
Application number: JP1045147A
Authority: JP
Inventors: Tadao Endo; 忠夫遠藤; Noriyuki Umibe; 紀之海部; Toshihiro Saiga; 敏宏雑賀; Isao Kobayashi; 功小林; Tetsuya Shimada; 哲也嶋田
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1989-02-28
Filing date: 1989-02-28
Publication date: 1990-09-10

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は半導体装置及びそれを用いた光電変換装置に関
し、特にファクシミリ、イメージリーダー、ディジタル
複写機および電子黒板等の画像読塩りに用いられる光電
変換装置に関する。

【従来の技術］近年、ファクシミリ、イメージリーグ等の小型、高性能
化のために、等倍光学系をもつ長尺密着型光電変換＊ｆ
ｌの開発が行われている。従来。

この種の光電変換装置は一列のアレイ状に配置された各
光電変換素子に対して、それぞれスイッチ素子等で構成
された信号処理用のＩＣ（集積回路）を接続して構成し
ている。

しかしながら、その光電変換素子の個数はファクシミリ
Ｇ３規格に準するとＡ４サイズで１７２８個も必要とな
り、多数の信号処理用のＩＣが必要となる。このため、
実装工数も増え、製造コスト、並びに信頼性で満足なも
のは得られていない。

一方、信号処理用のＩＣの個数を減らし、かつ実装工数
を減らす構成としては従来からマトリクス接続による構
成が採用されている。

また、スイッチング用案子として薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ４ｈｉｎ　Ｆｉ１ｍ〒ｒａｎｓｉｓｔａｒ）を採用
し、光電変換素子、薄膜トランジスタ、マトリクス配線
等からなる一体的な構成をとることにより、信号ｓＩ９
用のＩＣＣ集ＪＡ＠路）の機能を低減し、高速読取りの
長尺密着型の画像読取装置を安価に提供する試みもなさ
れている。

さらに製造コストを下げ、信頼性の高い長尺密着型の画
像読取装置を提供するために、光電変換素子の光電変換
層、薄膜トランジスタの半導体層を同一材料の非晶質シ
リコンで形成し、光電変換素子、薄膜トランジスタ、マ
トリクス配線等を同一基板上に同一製造工程を用いて一
体的に作製する方法が開発されている。

第５図（ａ）、ｍ５図（ｂ）は、ト述の様な画像読取装
置の一画素分の平面図である。

第５図（ａ）において、１は光電変換素子部、２は′：
４積コンデンサ部、３はスイッチング作用を有する転送
用薄膜トランジスタ部、４はリセットｍルミ膜トランジ
スタ部、５は信号線用マトリクス配線部、６は％Ｉ脱膜
トランジスタ駆動ゲート線のマトリクス配線部、８は光
電変換素子用の遮光膜を兼ねた下電極部、９は素子間分
離時の半導体層、絶縁層のパターン形状を表わしている
。

また、第５図（ｂ）は第５図（ａ）のマトリクス配線部
５の部分拡大図であり、第５図（ａ）と同じく平面図で
ある。

ここではマトリクス配線部での素子間分離パターンを説
明するために、第５図（ｂ）のマトリクス配線部の部分
拡大図を用いて説明する。マトリクス配線部のフォトレ
ジストの素子分離パターン９は、共通信号配線１５に沿
ったストライプ状とし、かつ下部配線ライ・ンとしての
個別信号配線１１と上部配線ラインとしての共通信号配
線１５とのクロスポイント部でのライン幅が、それ以外
でのライン幅より大きくなるようにし、かつ個別信号配
線１１上に延在する部分の輻が個別信号配線幅より大き
くなるように形成される。

これは、該マトリクス配線における共通信号配線１５と
個別信号配線１１としての上下配線ライン間の、少なく
とも絶縁層と半導体層を含む中間層を、共通信号配線と
しての上部配線ライン１５と絶縁基板間、及び該上部配
線ラインと該下部配線ライン１１間に残し、且つ、該上
部配線ライン１５と該ド部配線ライン１１との重なり部
分の中間層の面積が、該上下配線ラインの玉なりで規定
される部分の面積より大きく、かつ類型なりで規定され
る部分を内側に包含する形に配置されるような形状の素
子間分離用パターンを採用することにより、素子間分離
時のマスクの７ラインメントずれによる問題を解決する
ようにしたものである。

次に、第５図（ａ）および第５図（ｂ）に示した光電変
換装置の作製方法を第６図の製造工程図を用いて説明す
る。

第６図は半導体装置の断面を示す図ではあるが、同図に
おける断面形状は、理解を容易にするために模式的に描
かれており、各素子部の配置は第５図との直接的な対応
はない、ただし、製造工程そのものは第６図に示されて
いるものと同様である。

まず、第６図（ａ）に示す様に１両面研磨済のガラス基
体（コーニング社製＃７０５９）２１に中性洗剤、もし
くは有機アルカリ系洗剤を用いて通常の洗浄を施した。

次に、電子ビーム蒸着法でＣｒを０．１ｇｍ厚に堆積せ
しめ、ポジ型フォトレジスト（シプレー社製ＡＺ−１３
７０）を用いて所望の形状にフォトレジストパターンを
形成した後、硝酸第２セリウムアンモニウム、および過
塩素酸の混合水溶液を用いて、不要なＣｒを除去し、光
電変換素子、マトリクス配線コンデンサの下層電極およ
び薄膜トランジスタのゲート電極としての１１−１．１
１−２．１１−３および１１−４を形成した（第６図（
ａ））。

次いで、容量結合型のグロー放電分解装置にガラス基体
２１をセットし、ｌＸｌ０−６Ｔｏｒｒの真空中で２３
０℃に維持した０次いで、装置内にＨ？で１０％に希釈
した５ｉＨａを５ＳＣＣＭのｔＩｔ量で、またＮＨ３を
２０３ＣＣＭの流量で同時に流入させ、１３．５６ＭＨ
ｚの高周波電源を用いて、ＲＦ放電電力１５Ｗで２時間
グロー放電し、窒化シリコンからな・る絶縁層１２を０
．３ル厚に形成した０次に、５ｉ）ｉ４ガスをＩＯ３ｃ
ｃＭの流量で流入させ、放電電力８Ｗ、ガス圧０゜０７
Ｔｏ　ｒ　ｒで２．５時間グロー放電し、非晶質シリコ
ンイントリンシック層１３を０．５０．１に形成した。

続いて、Ｈ２で１０％に希釈したＳｉｇｎと８２　とで
１１００ｐｐに希釈したＰＨ３とを混合比１：１０で混
合したガスを原料として用い、放電電力３０Ｗでオーミ
ックコンタクト層であるｎ゛層１４をＯ，１２ｇ堆積せ
しめた（第６図（ｂ））。

次にポジ型フォトレジスト（東京応化製０ＦＰＲ−１３
００）を用いて、コンタクトホールのパターンを形成し
、プラズマエツチング法でＲＦ放電電力ｔｏｏｗ、ガス
圧０．３０ＴｏｒｒでＣＦ４ガスによるドライエツチン
グを行なってｎ°層１４および非晶質シリコンのイント
リンシック層１３の不要部を除去し、コンタクトホール
１０を形成した（第６図（ｅ）’）。

次に、電子ビーム蒸着法でＡｉを０．５終厚に堆積せし
めて、導電層を形成し、続いて、所望の形状にフォトレ
ジストパターンを形成した後、リン酸（８５容量％溶液
）、硝酸（６０容量％水溶液）、氷酢酸、および水を１
６：ｌ：２：ｌの容量比で混合した液で、露出部分の導
電層を除去し、上部電極１５−１．１５−３．１５−４
を形成し、しかる後に前述したプラズマエツチング法で
ＣＦ４ガスによるドライエツチングを行なって露出部分
のｎ゛層１４を除去し、所望パターンのｎ″層１４を形
成し、次いでフォトレジストを剥離した（２１６図（ｄ
）”）。

次に、素子間分離用に、７オトレジストパターンを形成
するのであるが、該フォトレジストパターンは第５図（
ｂ）に示されている様に、マトリクス配線部のフォトレ
ジストの素子間分離パターン９は、上部配線ライン１５
と下部配線ライン１１のクロスポイント部でのライン幅
が、それ以外でのライン幅よりも大きくなるようにし、
かつ、下部配線ラインｔｉ上に延在する部分の幅が下部
配線ライン幅よりも大きくなるように形成する必要があ
る。

上述のフォトレジストパターンの形成後、プラズマエツ
チング法により・、ＣＦ４ガスを用いて。

ドライエツチングを行ない、不要なイントリンシック半
導体層２絶縁層を除去し、素子間分離を行なう。

次いで、フォトレジストを剥離することにより、第５図
（ａ）、第５図（ｂ）の素子分離パターンを形成し、光
電変換装置を作製した（第６図（ｅ））。

Ｅ発ＩＩが解決しようとしている課題］しかしながら、
光電変換素子の微弱な出力を上述したマトリクス配線を
経由して読出すため、光電変換素子の出力個別信号配置
１１１１とマトリクスの共通信号配線１５との交差部に
おいて形成される容量を十分に小さくしないと、各出力
信号間でクロストークが生じるという問題がある。

特に、上記従来の光電変換装置のように、マトリクス信
号配線における個別信号配線と共通信号配線との間に半
導体層を含み、かつその半導体層の面積が個別信号配線
と共通信号配線との交差部において、個別信号配線と共
通信号配線との重なり上より規定される面積よりも大き
い場合には、より大きな容量が形成され、各出力信号間
でのクロストークが大きくなるという問題がある。

また、上記従来例では原稿の両像を読み取る際に、原稿
からの反射光等の光の影響に対する備えが為されていな
い、ｎｐも、反射光等の光が共通信号配線の配線幅より
も大なる半導体層の存在する交差部を照射すると１個別
値号配線と共通信号配線間の交差部容量が変化し、クロ
ストークの増大やクロストークのばらつきを強調すると
いう問題があった。

したがって１本発明の目的は、上述した従来の問題を解
決し１個別値号配線と共通信号配線の交差部の容量カッ
プリングの影響が小さく、また、入射光による影響も防
止でき、それによりクロストークの小さいマトリクス信
号配線部を具備した半導体装置、及びそれを用いた光電
変換装置を低コストで実現することにある。

［課題を解決するための手段及び作用Ｊ本発明は上述し
た課題を解決するたの手段として。

マトリクス状に配列された複数の信号線と、該信号線に
よる半導体層を含む交差部から構成されるマトリクス信
号配線を有する半導体装置において、前記交差部の半導体層が前記交差部とその近傍において
、交差する前記信号線の報と同一形状に形成されている
ことを特徴とする半導体装置を提供するものであり。

また、複数の光電変換素子と、前記各光電変換素子から
出力される個別信号配線と、該個別信号配線を接続する
共通信号配線と、前記各信号配線による半導体層を含む
交差部とから構成されるマトリクス信号配線を有する半
導体装置を用いた光電変換装置において。

前記個別信号配線と共通信号配線とが互いに交差する交
差部とその近傍において、前記交差部の半導体層が前記
共通信号配線の配線幅と同一形状に形成されていること
を特徴とする光電変換装置を提供するものである。

すなわち、マトリクス信号配線部においては。

個別信号配線と共通信号配線とが互いに交差する交差部
とその近傍における半導体層は、共通信号配線の配線幅
と同一形状にパターン形成されていることにより、交差
部における半導体層の面積が小さくなり、交差部容量を
低減し、また入射光が当たる面積も小さくなる。

［実施例］以下、図面を用いて、本発明になる一実施例を説明する
。

第１図（ａ）は光電変換素子、蓄積コンデンサ、転送用
薄膜トランジスタ、リセット用錦膜トランジスタ、マト
リクス信号配線を同一基板上に形成した光電変換装置の
一画素分の平面図である。　また、第１図（ｂ）は第１
図（ａ）の断面の一部を模式的に示した図であるが、説
明のため簡略化したこともあり、第１図（ａ）との直接
的な関係はない。

また、第１図（Ｃ）は第１図（ａ）のマトリクス配線部
５の一部を拡大し、模式的に示した平面図である。

第１図には１ビツト分が図示されているが、実際の光電
変換装置はこの１ビツトに対応する部分を基板上にライ
ン状に複数個差べて、−次元の光電変換装置としている
。

第１図（ａ）において、ｌは光電変＃！素子部。

２は蓄積コンデンサ部、３は転送用薄膜トランジスタ部
、４はリセット用９Ｍトランジスタ部、５は信号線用マ
トリクス配線部、６は薄膜トランジ−メタ駆動用ゲート
線のマトリクス配線部、８は光電変換素子用の遮光膜を
薯ねた下電極部、９は素子間分離時の半導体層、絶縁層
のパターン形状を表わしている。

また、第１図（ｂ）に示すように、本実施例においては
、原稿Ｐからの反射光り、Ｌ’を、光電変換素子部１に
入射させて読取る型の光電変換装置を示した。

第１図（ｂ）において、光導電性半導体層１３及び絶縁
層１２は、光電変換素子部ｌ、蓄積コンデンサ部２．Ｑ
膜トランジスタ（ＴＰＴ）　ａｌ１３に形成されている
ほか、マトリクス信号配線部５の個別信号配＃ａ１１と
共通信号配線１５との間にも形成されている。さらに共
通信号配線１５と光導電性半導体層１３との界面にはｆ
ｉ＋にドープされた水素化非晶質シリコン（ａ−！３ｉ
：Ｈ）層１４が形成され、オーダー、り接合がとられて
いる。

また、１６は共通信号配線１５の間に配置された線間シ
ールド配線である。

また、ｔＩＩＪｌ　ｒｊ！Ｊ（Ｃ）　ニ示ｔＨニ、　マ
）　ｕ　９　ス信号配線部５においては２個別上号配線
１１と共通信号配線１５とが互いに交差する交差部の半
導体層は共通信号配線の配線幅と同一形状にパターン形
成されている。これにより、原稿からの反射光等が交差
部の半導体層へ入射する問題を回避し。

さらには交差部における半導体層の面積が小さくなり、
交差部容量を低減する効果がある。

すなわち、マトリクス信号配線部５の個別信号配線１１
と共通信号配線１５との交差部においては、両氏線間に
容量結合が生じるために、出力信号にクロストークが生
じるが、従来の光電変換装置に比べて、交差部の容量が
実質的に小さくなるため、クロストーク量が大幅に軽減
されるのである。

また、この交差部に、なんらかの光が大量に入射したと
しても、半導体層に入射することは、はとんどなく、交
差部の容量に変化はおこらない。

なお、１６は共通信号配線間の線間シールド配線であり
、各共通信号配線間の容量カップリングを十分小さくシ
、各共通信号配線間のクロス）−りを防止するために設
けられている。

次に、第１図（ａ）、第１図（ｂ）および第１図（Ｃ）
に示した光電変換装置の作製方法を第２図の製造工程図
を用いて説明する。尚、同図における断面形状は、理解
を容易にするために模式的に描かれており、各素子部の
配置は第１図との直接的な対応はない、ただし、製造工
程そのものは第２図に示されているものと同様であ、る
。

まず、第２図（ａ）に示す様に、両面研磨済のガラス基
体（コーニング社製＃７０５９）２１に中性洗剤、もし
くは有機アルカリ系洗剤を用いて通常の洗浄を施した。

次に、電子ビーム蒸着法でＣｒを０．１ｐｍ厚に堆積せ
しめ、ポジ型フォトレジスト（シグレー社製ＡＺ−１３
７０）を用いて所望の形状にフォトレジストパターンを
形成した後、硝酸第２セリウムアンモニウム、および過
塩素酸の混合水溶液を用いて、不要なＣｒを除去し、光
電変換素子。

マトリクス配線コンデンサの下層電極および薄膜トラン
ジスタのゲート電極としての１１−１゜１１−２．１１
−３およびマトリクス信号配線としての個別信号配線１
１−５を形成した（第２図（Ｉｋ））。

次いで、容量結合型のグロー放電分解装置にガラス基体
２１をセットし、ｌＸｌ０−６ＴｏｒｒｃＦ）真空中で
２３０℃に維持した０次いで、装置内にＨ２で１０％に
希訳したＳ　ｉ　Ｈ４を５ＳＣＣＭのＩＩＬｆｌで、ま
たＮＨ３を２０ＳＣＣＭの流量で同時に流入させ、１３
．５６ＭＨｚの高周波電源を用いて、ＲＦ放電電力１５
Ｗで２時間グロー放電し、窒化シリコンからなる絶縁層
１２を０．３ル厚に形成した０次に、５ｉｎ４ガスをｉ
ｏｓｃｃＭの流量で流入させ、放電電力８Ｗ、ガス圧０
゜０７　Ｔ　ｏ　ｒ　ｒで２．５時間グロー放電し、非
晶質シリコンイントリンシック層１３を０．５０ｐ厚に
形成した。

続いて、Ｈ２で１０％に６釈したＳｉＨ＊とＲ２とでｌ
ｏＯｐｐｍに希釈したＰＨ３とを混合比１：ｌＯで混合
したガスを原料として用い、放電電力３０Ｗでオーミッ
クコンタクト層であるｎ゛層１４を０．１２μ堆積せし
めた（第２図（ｂ））。

次にポジ型フォトレジスト（東京応化製０ＦＰＲ−１３
００）を用いて、コンタクトホールのパターンを形成し
、プラズマエツチング法でＲＦ放電電力ｔｏｏｗ、ガス
圧０．３０ＴｏｒｒでＣＦ４ガスによるドライエツチン
グを行なってｎ・層１４および非晶質シリコンのイント
リンシック層１３の不要部を除去し、コンタクトホール
ｌＯを形成した（第２図（ｃ））。

次に、電子ビーム蒸着法でＡｎを０．５＃Ｌ厚に堆積せ
しめて、導電層を形成し、続いて、所望の形状にフォト
レジストパターンを形成した後、リン酸（８５容量％溶
液）、硝酸（６０容量％水溶液）、氷酢酸、および水を
１６＝１：２：１の容量比で混合した液で、露出部分の
導電層を除去し、上部電極１５−１．１５−２．１５−
３．１５−５を形成し、しかる後に前述したプラズマエ
ツチング法でＣＦ４ガスによるドライエツチングを行な
って露出部分のｎ・層１４を除去し、所望パターンのｎ
°層１４を形成し、次いでフォトレジストを剥離した（
第２図（ｄ））。

次に、素子間分離用に、フォトレジストパターンを形成
するのであるが、ここでは本発明の主たる目的であるマ
トリクス配線部での素子間分離パターンを説明するため
に、第３図のマトリクス信号配線部の部分拡大図を用い
て説明する。

第３図において、斜線で示した部分が、フォトレジスト
の素子分離パターンであり、該パターンは上部配線ライ
ンである共通信号配線１５に沿ったストライプ状に形成
され、かつ下部配線ラインである個別信号配線１１と共
通信号配線１５との交差部においては、形成されていな
い、従って交差部近傍の素子分離のためには、実質的に
は共通信号配線１５がマスクとして作用する。

を述のような素子間分離用のフォトレジストパターンを
形成した後に、プラズマエツチング法により、ＣＦｓ　
ガスを用いて、ドライエツチングを行なって、不要なイ
ントリンシック半導体層、絶縁層を除去し、素子間分離
を行なう。

次いで、フォトレジストを剥離することにより、第１図
（ａ）、第１図（ｂ）、第１図（ｅ）の素子分離パター
ンを形成し、光電変換装置を作製した（第２図Ｃｆ３）
　）　。

次に本発明の光電変換装置の読取り動作について説明す
る。

光電変換部ｌに入射した光情報は、光電変換素子から蓄
積コンデンサ、転送用ＴＰＴ、リセット用ＴＰＴ、マト
リクス信号配線を通って、電圧出力となる。

実際には１例えば総画素数１７２８ビ、トの光電変換素
子は、４８ビ、トを１ブロツクとして。

３６ブロツクに分割してあり、各動作は順次このブロッ
ク学位で進む。

＃＄４図に本発明の光電変換装置の３６ブロツク分の等
価回路を示す。

第４図において、１ブロツクを構成する光電変・検素子
Ｓ　ト１〜Ｓ　ｌ−４８上に入射した光情報は、光電流
に変換され、蓄積コンデンサＣ３＋−＋〜Ｃ５＋−ａｎ
に電荷として蓄えられる。一定時間後、ゲート駆動線Ｇ
１に電圧パルスが加えられると、転送用ＴＦＴ；　Ｔｌ
−＋　”Ｔｌ−４８がオン状態に切替えられる。これに
より、蓄積コンデンサｃ　ｓ　ｌ−、〜ＣＳ　１−４８
の電荷は信号配線マトリクスを通って、負荷コンデンサ
ＣＬ＋　ｘｃＬ＊ａに転送される。

続いて、負荷コンデンサＣＬ＋　−ＣＬｓａに転送され
た第１ブロツクの信号…力はスイッチＩＣによって直列
信号に°変換され、インピーダンス変換後、外部に取出
される。また、この時同時に負荷コンデンサＣＬ１＝Ｃ
Ｌ　４ｓの電荷はリセットされる。

次にゲート駆動線Ｇ２に電圧パルスを印加する。これに
より第２ブロツクの転送動作が開始され、同時にリセッ
トＴＦＴ；　Ｒ＋−＋　”Ｒ１−４８が導通し、第１ブ
ロツクの蓄積コンデンサＣ３Ｉ。１〜Ｃ５１１８の電荷
がリセットされ、次の読出しに備えることになる。

以下、ゲート駆動線Ｇ３．Ｇ４　　・・・を順次駆動し
、ｌライフ分のデータを出力する。

尚１本実施例では光電変換装置について述べたが、本発
明は交差部に半導体層を含むマトリクス信号配線を有す
る半導体装置であれば、これに限定されることはない。

［発明の効果］以上説明した様に１本発明は。

マトリクス信号配線の個別信号配線と、共通信号配線と
が互いに交差する交差部において、交差部の半導体層が
前記共通信号配線の配線幅と同一形状に形成されている
ことにより、各信号配線の交差部での容量カップリング
を小さくすることができ、クロストークを減少させる効
果がある。

また、入射光に対する半導体層の面積が小さいため、入
射光による交差部のクロストークの影響もなくすことが
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）は本発明の第１の実施例を上から見た模式
図。第１図（ｂ）は第１図（５Ｌ）の断面模式図（ただし、
Ｉｌ接的な関係はない、）第１図（Ｃ）は第１図（ａ）のマトリクス配線部の一部
の拡大図。第２図は第１図の実施例の作製工程を示す図。第３図は本発明のマトリクス配線部の素子分離パターン
を示す図。第４図は実施例に用いる等価回路図。第５図（ＪＬ）は従来例の光電変換装置を上から見た模
式図。第５図（ｂ）は第５図（ａ）゛の従来例のマトリクス配
線Ｍ５の部分拡大図。第６図は第５図に示した従来例の光電変換装置の作製工
程を示す図。１・・・光電変換素子部？・・・蓄積コンデンサ部３・・・転送用（スイッチング用）薄膜トランジスタ（
テＦ↑）部４・・・リセット用薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）部５・
・・マトリクス信号配線部６・・・薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）駆動用ゲート線の
マトリクス配線部８・・・遮光膜源、下電極部９・・・素子間分離時の半導体層と絶縁層ｌＯ，コンタ
クトホール１１・・・個別信号配線１２・・・絶縁層１３・・・光導電性半導体層１４・・・水素化非晶質シリコン（ａ−１ｉ：Ｈ）層１５・・・共通信号配線１６・・・線間シールド配線２１・・・ガラス基体代理人　弁理士　　山　下　積　平第２図 ’＝２１Ｑ第図（Ｃ）第３図第５図（ｂ）

Claims

【特許請求の範囲】

（１）マトリクス状に配列された複数の信号線と、該信
号線による半導体層を含む交差部から構成されるマトリ
クス信号配線を有する半導体装置において、前記交差部の半導体層が前記交差部とその近傍において
、交差する前記信号線の幅と同一形状に形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
（２）複数の光電変換素子と、前記各光電変換素子から
出力される個別信号配線と、該個別信号配線を接続する
共通信号配線と、前記各信号配線による半導体層を含む
交差部とから構成されるマトリクス信号配線を有する半
導体装置を用いた光電変換装置において、前記個別信号配線と共通信号配線とが互いに交差する交
差部とその近傍において、前記交差部の半導体層が前記
共通信号配線の配線幅と同一形状に形成されていること
を特徴とする光電変換装置。
（３）前記複数の光電変換素子毎に薄膜トランジスタを
接続するとともに、前記複数の光電変換素子をブロック
に分割し、該ブロック毎に薄膜トランジスタのスイッチ
ング動作により、信号出力することを特徴とする請求項
２に記載の光電変換装置。