JPH02226768A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
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- JPH02226768A JPH02226768A JP1047409A JP4740989A JPH02226768A JP H02226768 A JPH02226768 A JP H02226768A JP 1047409 A JP1047409 A JP 1047409A JP 4740989 A JP4740989 A JP 4740989A JP H02226768 A JPH02226768 A JP H02226768A
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- substrate
- photoelectric conversion
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、光電変換装置に関し、特に光電変換素子(光
センナ)アレイを設けてなる光電変換装置に適用して好
適なものである。
センナ)アレイを設けてなる光電変換装置に適用して好
適なものである。
[従来の技術]
光電変換装置を小型化するとともに、歩留りを向上して
製造価格等の低廉化を図ったものとして、従来特開昭6
0−132452号および特開昭62−97370号等
に開示されたものがある。これらにおいては、光センサ
を設けたセンサ基板を他の工程で作成した支持体(以下
実装基板という)上に担持させる構成が開示されている
。
製造価格等の低廉化を図ったものとして、従来特開昭6
0−132452号および特開昭62−97370号等
に開示されたものがある。これらにおいては、光センサ
を設けたセンサ基板を他の工程で作成した支持体(以下
実装基板という)上に担持させる構成が開示されている
。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、これら従来例においては以下のような問
題点が生じていた。
題点が生じていた。
まず、特開昭60−132452号においては、実装基
板としての絶縁性セラミック基板上に駆動回路部として
の厚膜回路を形成し、かつ光センサアレイ部を実装基板
上に固定し、厚膜回路と光センサアレイ部とをワイヤボ
ンディング法により接続した構成が示されている。しか
しながら、この構成では、実装基板が非透光性であるた
めに光源の配置が制約を受け、充分な小型化を達成しえ
ないおそれが生じている。
板としての絶縁性セラミック基板上に駆動回路部として
の厚膜回路を形成し、かつ光センサアレイ部を実装基板
上に固定し、厚膜回路と光センサアレイ部とをワイヤボ
ンディング法により接続した構成が示されている。しか
しながら、この構成では、実装基板が非透光性であるた
めに光源の配置が制約を受け、充分な小型化を達成しえ
ないおそれが生じている。
一方、特開昭62−97370号においては、光センサ
アレイが形成されている透光性を有するセンサ基板を、
透光性を有する実装基板上に固定し、光センサ上に不透
光性樹脂のモールドを施した構成が示されている。そし
て、情報光を透光性実装基板および透光性センサ基板を
介して光センサ上に受容するとともに、透光性実装基板
面には不要な光線の入射を防止する遮光板が設けである
。しかしながら、この構成では、原稿面からの情報光が
透光性実装基板内と透光性センサ基板内とを透過して受
光素子(光センサ)へ入射するために、情報光の光セン
サまでの到達経路が長くなって光量ロスが発生し易く、
また各層での拡散光による迷光成分が発生してしまい、
S/N比の低下やセンサ出力の低下が生じるおそれがあ
った。
アレイが形成されている透光性を有するセンサ基板を、
透光性を有する実装基板上に固定し、光センサ上に不透
光性樹脂のモールドを施した構成が示されている。そし
て、情報光を透光性実装基板および透光性センサ基板を
介して光センサ上に受容するとともに、透光性実装基板
面には不要な光線の入射を防止する遮光板が設けである
。しかしながら、この構成では、原稿面からの情報光が
透光性実装基板内と透光性センサ基板内とを透過して受
光素子(光センサ)へ入射するために、情報光の光セン
サまでの到達経路が長くなって光量ロスが発生し易く、
また各層での拡散光による迷光成分が発生してしまい、
S/N比の低下やセンサ出力の低下が生じるおそれがあ
った。
ところで、光電変換装置の光源に光量ムラがある場合、
センサの出力信号にバラツキを生じたり、場合によって
は白スジや黒スジが現われて読取エラーが生じつるので
、これを改善するための技術として例えば特開昭63−
310262号に開示されたようなものがある。これは
、光源と原稿との間の光路中に調光部材(ライティング
カーテン)を設けた構成である。このライティングカー
テンは、フィルム上に光量分布が一定になるようなパタ
ーンで設けられた遮光膜の形態を有するものであり、こ
れによって原稿面での照明光が均一な分布となるように
補正がなされる。
センサの出力信号にバラツキを生じたり、場合によって
は白スジや黒スジが現われて読取エラーが生じつるので
、これを改善するための技術として例えば特開昭63−
310262号に開示されたようなものがある。これは
、光源と原稿との間の光路中に調光部材(ライティング
カーテン)を設けた構成である。このライティングカー
テンは、フィルム上に光量分布が一定になるようなパタ
ーンで設けられた遮光膜の形態を有するものであり、こ
れによって原稿面での照明光が均一な分布となるように
補正がなされる。
しかしながら、この従来例では、別部材としてのライテ
ィングカーテンが設けられるものであるので、ライティ
ングカーテンと光源との位置合わせ精度を確保できない
おそれがあり、また別部材を設けることによるコストア
ップ等も生じる。
ィングカーテンが設けられるものであるので、ライティ
ングカーテンと光源との位置合わせ精度を確保できない
おそれがあり、また別部材を設けることによるコストア
ップ等も生じる。
[課題を解決するための手段]
本発明は、これら問題点を解決することを目的とし、そ
のために画像情報の読取りに係る原稿との対向面側に光
電変換素子が設けられ、透光性を有する基板と、基板を
支持し、透光性を有する支持体であって、基板の支持面
上に光電変換素子とこれを駆動する回路とを接続するた
めの配線部材およびその配線部材と少くとも一部が同じ
材料を用いて形成された調光部を有する支持体と、支持
体の基板の支持面とは反対の面側に設けられた光源とを
具え、光源から出射した光が支持体、調光部および基板
を透過して原稿に照射され、当該反射光が前記光電変換
素子に受容されるようにしたことを特徴とする。
のために画像情報の読取りに係る原稿との対向面側に光
電変換素子が設けられ、透光性を有する基板と、基板を
支持し、透光性を有する支持体であって、基板の支持面
上に光電変換素子とこれを駆動する回路とを接続するた
めの配線部材およびその配線部材と少くとも一部が同じ
材料を用いて形成された調光部を有する支持体と、支持
体の基板の支持面とは反対の面側に設けられた光源とを
具え、光源から出射した光が支持体、調光部および基板
を透過して原稿に照射され、当該反射光が前記光電変換
素子に受容されるようにしたことを特徴とする。
[作 用]
本発明によれば、透光性実装基板(支持体)内を照明光
が透過するために光源の配置の自由度が向上して小型化
が可能となり、また情報光(原稿面からの反射光)が透
光性実装基板内および基板(透光性センサ基板)内を透
過しない構成であるので、情報光の光量ロスおよび拡散
がなく、S/N比が向上し、センサ出力も向上する。本
発明では、基板および実装基板を照明光が透過する構成
であるので、照明光が透過する際の適度な光量ロスおよ
び拡散によって照明光が各センサに゛悪影響を及ぼすこ
となく、原稿に対して均一な照明ができる。
が透過するために光源の配置の自由度が向上して小型化
が可能となり、また情報光(原稿面からの反射光)が透
光性実装基板内および基板(透光性センサ基板)内を透
過しない構成であるので、情報光の光量ロスおよび拡散
がなく、S/N比が向上し、センサ出力も向上する。本
発明では、基板および実装基板を照明光が透過する構成
であるので、照明光が透過する際の適度な光量ロスおよ
び拡散によって照明光が各センサに゛悪影響を及ぼすこ
となく、原稿に対して均一な照明ができる。
また、従来別部材であった調光部を配線部材と少くとも
一部が同じ材料を用いて形成することにより、実装基板
上に両者を同一工程で形成でき、小型化および低廉化が
可能となる。
一部が同じ材料を用いて形成することにより、実装基板
上に両者を同一工程で形成でき、小型化および低廉化が
可能となる。
[実施例]
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明を適用可能な光電変換装置の一実施例の
断面図を示す。ここで、透光性センサ基板1は石英ガラ
スや硼珪酸ガラス等の透光性および絶縁性を有する基体
上に半導体プロセス等により形成された光センサアレイ
を有する。透光性実装基板2は、石英ガラス、硼珪酸ガ
ラス、ソーダガラス、あるいはアクリル(アルカリ元素
の溶出や拡散を防ぐSin、等の保if膜が設けられた
ものであってもよい)等の透光性および絶縁性を有する
基体上に、厚膜印刷法により形成されたAg、^g−P
d 、へg−Pt、Au等、またはフォトリソグラフィ
により形成されたAl1 、Cu、MojTO等の配線
部4を有している。また、第5図および第6図について
後述するように、基板2上には調光パターンを形成しで
ある。なお、これら基板1.2の基体には、熱膨張係数
が近似したものを用いる。
断面図を示す。ここで、透光性センサ基板1は石英ガラ
スや硼珪酸ガラス等の透光性および絶縁性を有する基体
上に半導体プロセス等により形成された光センサアレイ
を有する。透光性実装基板2は、石英ガラス、硼珪酸ガ
ラス、ソーダガラス、あるいはアクリル(アルカリ元素
の溶出や拡散を防ぐSin、等の保if膜が設けられた
ものであってもよい)等の透光性および絶縁性を有する
基体上に、厚膜印刷法により形成されたAg、^g−P
d 、へg−Pt、Au等、またはフォトリソグラフィ
により形成されたAl1 、Cu、MojTO等の配線
部4を有している。また、第5図および第6図について
後述するように、基板2上には調光パターンを形成しで
ある。なお、これら基板1.2の基体には、熱膨張係数
が近似したものを用いる。
配線部4はセンサ部と不図示の駆動回路部とを接続する
。そして、透光性実装基板2上に透光性センサ基板1を
接着層5により接着しである。この接着層5にはシリコ
ン系、アクリル系、エポキシ系等の室温あるいは加熱硬
化型、光硬化等の透光性接着剤が好適に用いられ、透光
性センサ基板1および透光性実装基板2の各基体と熱膨
張率および光屈折率が近似した材質のものを用いる。
。そして、透光性実装基板2上に透光性センサ基板1を
接着層5により接着しである。この接着層5にはシリコ
ン系、アクリル系、エポキシ系等の室温あるいは加熱硬
化型、光硬化等の透光性接着剤が好適に用いられ、透光
性センサ基板1および透光性実装基板2の各基体と熱膨
張率および光屈折率が近似した材質のものを用いる。
また、透光性センサ基板1と透光性実装基板2の配線部
4とは、ワイヤボンディング、半田付等で電気的に接続
されている。
4とは、ワイヤボンディング、半田付等で電気的に接続
されている。
而して、光源3からの照明光りは透光性実装基板2およ
び透光性センサ基板l内を透過して原稿6に照射され、
原稿6から反射した情報光が透光性センサ基板1上の受
光素子に入射して受光素子より画像信号として出力され
る。
び透光性センサ基板l内を透過して原稿6に照射され、
原稿6から反射した情報光が透光性センサ基板1上の受
光素子に入射して受光素子より画像信号として出力され
る。
本例によれば、情報光は実装基板2およびセンサ基板1
を介することなく光センサに受容されるので、光量ロス
や迷光成分によるS/N比の低下も生じない。また、本
例によれば透光性センサ基板lと透光性実装基板2とは
各々独立した部品として取り扱うことができ、すなわち
各別の工程で製作することが可能となり、従って製造工
程を統一化する必要がなくなるとともに各別の検査工程
で良品のみを使用するようにすることが可能となり、総
合的な歩留りが向上する。また、光センサ部のみを基板
1の基体上に配置することから、ある広がりを有する基
体素材について多数個の基板1を一括製造することもで
き、コストダウンが可能となる。さらに、透光性実装基
板2上には配線部4の他に駆動用ICチップや出力増幅
用ICチップ等をti 載することも可能であり、その
場合にはさらなるコストダウンが可能となる。さらに、
光源3を透光性実装基板2の裏面側に配置することによ
り、ユニット外形寸法がさらに小型化する。
を介することなく光センサに受容されるので、光量ロス
や迷光成分によるS/N比の低下も生じない。また、本
例によれば透光性センサ基板lと透光性実装基板2とは
各々独立した部品として取り扱うことができ、すなわち
各別の工程で製作することが可能となり、従って製造工
程を統一化する必要がなくなるとともに各別の検査工程
で良品のみを使用するようにすることが可能となり、総
合的な歩留りが向上する。また、光センサ部のみを基板
1の基体上に配置することから、ある広がりを有する基
体素材について多数個の基板1を一括製造することもで
き、コストダウンが可能となる。さらに、透光性実装基
板2上には配線部4の他に駆動用ICチップや出力増幅
用ICチップ等をti 載することも可能であり、その
場合にはさらなるコストダウンが可能となる。さらに、
光源3を透光性実装基板2の裏面側に配置することによ
り、ユニット外形寸法がさらに小型化する。
すなわち、本実施例によると、透光性を有する実装基板
内を照明光が透過する構成としたので、光源の配置の自
由度が向上し、すなわち光源を透光性実装基板の裏面側
に配置可能となり、光電変換装置を適用する装置の更な
る小型化が達成できる。
内を照明光が透過する構成としたので、光源の配置の自
由度が向上し、すなわち光源を透光性実装基板の裏面側
に配置可能となり、光電変換装置を適用する装置の更な
る小型化が達成できる。
また、情報光は透光性実装基板内および透光性センサ基
板内を透過しない構成であるので、情報光の光量ロスお
よび拡散がなく、S/N比が向上してセンサ出力も良好
なものとなる。
板内を透過しない構成であるので、情報光の光量ロスお
よび拡散がなく、S/N比が向上してセンサ出力も良好
なものとなる。
さらに、透光性実装基板と透光性センサ基板とに熱膨張
(を数が近似した材料の基体を用いることにより、両者
の接合により生じる応力の緩和が可能となり、基板の反
りや割れが発生しにくい。
(を数が近似した材料の基体を用いることにより、両者
の接合により生じる応力の緩和が可能となり、基板の反
りや割れが発生しにくい。
加えて、透光性実装基板上に配線部を設けたことにより
、装置としての小型化が達成され、透光性実装基板と透
光性センサ基板の間に配線部を設ければ、更なる小型化
も可能となる。
、装置としての小型化が達成され、透光性実装基板と透
光性センサ基板の間に配線部を設ければ、更なる小型化
も可能となる。
第2図(^)および(B)は、それぞれ、本発明を適用
可能な光電変換装置の他の実施例を示す分解斜視図およ
び断面図である。本例は、透光性実装基板2と透光性セ
ンサ基板1との間に遮光層7を設けた実施例である。
可能な光電変換装置の他の実施例を示す分解斜視図およ
び断面図である。本例は、透光性実装基板2と透光性セ
ンサ基板1との間に遮光層7を設けた実施例である。
ここで、遮光層7は光路りに応じて適切に定めたスリッ
ト状窓部7^の周囲に配置されるもので、配線部4と同
一プロセスかつ同一金属材料を用いて形成することも可
能であるし、スクリーン印刷法′やディスペンス法等に
よる非透光性樹脂によフて形成してもよい。また5透光
性実装基板2と透光性センサ基板1とを接着する接着剤
を不透光性のものとして遮光層7を形成してもよく、こ
の場合には別途接着剤を介在させる工程が不要となる。
ト状窓部7^の周囲に配置されるもので、配線部4と同
一プロセスかつ同一金属材料を用いて形成することも可
能であるし、スクリーン印刷法′やディスペンス法等に
よる非透光性樹脂によフて形成してもよい。また5透光
性実装基板2と透光性センサ基板1とを接着する接着剤
を不透光性のものとして遮光層7を形成してもよく、こ
の場合には別途接着剤を介在させる工程が不要となる。
これらのように作成された遮光層7は、透光性実装基板
2上の照明光りの光路を除く部分に形成され、光入射の
ためのスリット窓部7Aを有した形状トなっているが、
このスリット状窓部は空隙として残しても良いし、透明
樹脂を充填しても良い。また、実装基板2上の窓部7^
に対応した部分には、第5図および第6図について後述
するように調光パターン部を形成する。
2上の照明光りの光路を除く部分に形成され、光入射の
ためのスリット窓部7Aを有した形状トなっているが、
このスリット状窓部は空隙として残しても良いし、透明
樹脂を充填しても良い。また、実装基板2上の窓部7^
に対応した部分には、第5図および第6図について後述
するように調光パターン部を形成する。
いずれにしても、第2図のような構成によれば、第1図
示のものと同様の効果が得られることに加え、遮光層7
により光源からの照明光の内、信号出力の雑音となるよ
うな迷光、例えば透光性実装基板2での乱反射成分を遮
断することにより、出力信号の解像度を向上することが
できる。
示のものと同様の効果が得られることに加え、遮光層7
により光源からの照明光の内、信号出力の雑音となるよ
うな迷光、例えば透光性実装基板2での乱反射成分を遮
断することにより、出力信号の解像度を向上することが
できる。
第3図は第1図または第2図の実施例に係る光電変換装
置のより詳細な断面構造を示す。
置のより詳細な断面構造を示す。
ここで、透光性を有するガラス等で形成した基体1′上
には、マトリクス配線部9、照明窓10、受光素子11
、電荷蓄積部(コンデンサ部)12、および蓄積された
電荷を適宜のタイミングで転送するためのスイッチング
用の薄膜トランジスタ(TPT)13を含む光センサが
一体形成されている。
には、マトリクス配線部9、照明窓10、受光素子11
、電荷蓄積部(コンデンサ部)12、および蓄積された
電荷を適宜のタイミングで転送するためのスイッチング
用の薄膜トランジスタ(TPT)13を含む光センサが
一体形成されている。
そして、このように構成された透光性センサ基板lが接
着層5、または遮光層7(光路部は窓7A)を介して透
光性実装基板2上に支持されている。
着層5、または遮光層7(光路部は窓7A)を介して透
光性実装基板2上に支持されている。
これら各部は、すべて同一の製造プロセスて形成するこ
とが可能である。そして各部の層構成は、例えばCrで
基体上に形成され、センサ部の遮光層下電極15、その
上部に配置された水素化窒化シリコン(SiNx:tl
)の絶縁層、その上部の水素化アモルファスシリコン(
a−5i:H)の半導体層、。その上部のn”a−5i
:)Iのオーミック層、さらにその上部に配置した^1
等の上電極から成るものである。
とが可能である。そして各部の層構成は、例えばCrで
基体上に形成され、センサ部の遮光層下電極15、その
上部に配置された水素化窒化シリコン(SiNx:tl
)の絶縁層、その上部の水素化アモルファスシリコン(
a−5i:H)の半導体層、。その上部のn”a−5i
:)Iのオーミック層、さらにその上部に配置した^1
等の上電極から成るものである。
このような構成の光センサ部は、パシベーション層19
によって覆われ、さらにこのパシベーション層19上に
接着層20を介して例えば50μm厚の薄板ガラス14
が設けられる。そしてこの薄板ガラス14上を原稿が摺
動するものであり、薄板ガラス14は受光素子11と原
稿6との距離を一定に保つスペーサ層として機能すると
ともに、耐摩耗層としても機能する。
によって覆われ、さらにこのパシベーション層19上に
接着層20を介して例えば50μm厚の薄板ガラス14
が設けられる。そしてこの薄板ガラス14上を原稿が摺
動するものであり、薄板ガラス14は受光素子11と原
稿6との距離を一定に保つスペーサ層として機能すると
ともに、耐摩耗層としても機能する。
かかる構成において、透光性実装基板2の裏側から照射
された照明光しは、透光性実装基板2と透光性センサ基
板1とを透過し、照明窓10を通って薄板ガラス14上
の原稿6を照明する。そして、原稿6で反射された情報
光L′は受光素子11に入射する。
された照明光しは、透光性実装基板2と透光性センサ基
板1とを透過し、照明窓10を通って薄板ガラス14上
の原稿6を照明する。そして、原稿6で反射された情報
光L′は受光素子11に入射する。
第4図は以上のような基本的構成を有する光電変換装置
をユニット化した構成の一声を示す分解斜視図である。
をユニット化した構成の一声を示す分解斜視図である。
また、第5図(^)はそのセンサユニットの平面図、同
図(B)は同じくその側面図、同図(C)は同じくその
裏面図、同図(D)は同じくそのD−[)’線断面図、
同図(E)は同じくそのE−ε′線断面図である。図示
の例では、透光性センサ基板1を透光性実装基板2上へ
接着固定し、この透光性実装基板2をベースプレート2
2へ固定し、さらにICカバー23で押える。つぎにペ
ースブレート22の下面に光源3を固定する。そして、
ユニットからはフレキシブル配線24およびコネクタ2
5を経由して画像信号を出力することができる。
図(B)は同じくその側面図、同図(C)は同じくその
裏面図、同図(D)は同じくそのD−[)’線断面図、
同図(E)は同じくそのE−ε′線断面図である。図示
の例では、透光性センサ基板1を透光性実装基板2上へ
接着固定し、この透光性実装基板2をベースプレート2
2へ固定し、さらにICカバー23で押える。つぎにペ
ースブレート22の下面に光源3を固定する。そして、
ユニットからはフレキシブル配線24およびコネクタ2
5を経由して画像信号を出力することができる。
第6図(A)および(B)は、第1図および第2図のよ
うな構成に適用可能な調光パターン部の一例を示す。本
例では、透光性実装基板2上の照明光の光路中に、配線
部4を作成する工程と同時に同一材料で調光パターン形
成部26に調光パターン26Aを形成する。この調光パ
ターン部26はAIL。
うな構成に適用可能な調光パターン部の一例を示す。本
例では、透光性実装基板2上の照明光の光路中に、配線
部4を作成する工程と同時に同一材料で調光パターン形
成部26に調光パターン26Aを形成する。この調光パ
ターン部26はAIL。
Cr、Ta、Ti等の薄膜や導電ペースト(へg、カー
ボン等)の厚膜印刷の電極材料を用いて、光源3(LE
D、Xe管、蛍光管、EL等)の光量バラツキに合わせ
て、パターンの密度、大きさ、ピッチ等を適切に定めて
形成され、原稿面での照度分布を均一化するようにする
。
ボン等)の厚膜印刷の電極材料を用いて、光源3(LE
D、Xe管、蛍光管、EL等)の光量バラツキに合わせ
て、パターンの密度、大きさ、ピッチ等を適切に定めて
形成され、原稿面での照度分布を均一化するようにする
。
第7図(A)および(B)は調光パターンの他の例を示
す。本例では、透光性実装基板2上の配線部4が照明光
の光路を横切る形態とし、この配線部4の光路部分を光
源の光量分布に応じて線幅を定めた調光パターン46を
形成する。また、配線部4による調光パターン部46以
外の光路部にはダミー配線パターンである調光パターン
27を形成する。
す。本例では、透光性実装基板2上の配線部4が照明光
の光路を横切る形態とし、この配線部4の光路部分を光
源の光量分布に応じて線幅を定めた調光パターン46を
形成する。また、配線部4による調光パターン部46以
外の光路部にはダミー配線パターンである調光パターン
27を形成する。
第8図は第6図または第7図のような調光パターンを形
成した場合(シェーディング後)と、これを設けなかっ
た場合(シェーディング前)との光量分布を示す。
成した場合(シェーディング後)と、これを設けなかっ
た場合(シェーディング前)との光量分布を示す。
図より明らかなように、調光パターンを施した場合には
、光電変換素子(センサビット)の配列範囲にわたって
良好で均一な光量分布が得られた。従って、原稿面は均
一な照明光により照明され、読取り画像が良好なものと
なる。
、光電変換素子(センサビット)の配列範囲にわたって
良好で均一な光量分布が得られた。従って、原稿面は均
一な照明光により照明され、読取り画像が良好なものと
なる。
さらに、以上のようにして構成されたセンサユニット1
00を用いて、ファクシミリ装置、イメージリーダその
他の種々の装置を構成することができる。
00を用いて、ファクシミリ装置、イメージリーダその
他の種々の装置を構成することができる。
第9図は本例に係るセンサユニット100を用いて構成
した画像処理装置く例えばファクシミリ)の−例を示す
。
した画像処理装置く例えばファクシミリ)の−例を示す
。
ここで、102は原稿6を読取り位置に向けて給送する
ための給送ローラ、104は原稿6を一枚ずつ確実に分
離給送するための分離片である。106はセンサユニッ
ト100に対向して読取り位置に設けられて原g46の
被読取り面を規制するとともに原fA 6を搬送するプ
ラテンローラである。
ための給送ローラ、104は原稿6を一枚ずつ確実に分
離給送するための分離片である。106はセンサユニッ
ト100に対向して読取り位置に設けられて原g46の
被読取り面を規制するとともに原fA 6を搬送するプ
ラテンローラである。
Pは図示の例ではロール紙形態とした記録媒体であり、
センサユニット100により読取られた画像情報、ある
いはファクシミリ装置等の場合には外部から送信された
画像情報が形成される。110は当該画像形成を行うた
めの記録ヘッドであり、サーマルヘッド、インクジェッ
ト記録ヘッド等種々のものを用いることができる。また
、この記録ヘッドは、シリアルタイプのものでも、ライ
ンタイプのものでもよい。112は記録へラド110に
よる記録位置に対して記録媒体Pを搬送するとともにそ
の被記録面を規制するプラテンローラである。
センサユニット100により読取られた画像情報、ある
いはファクシミリ装置等の場合には外部から送信された
画像情報が形成される。110は当該画像形成を行うた
めの記録ヘッドであり、サーマルヘッド、インクジェッ
ト記録ヘッド等種々のものを用いることができる。また
、この記録ヘッドは、シリアルタイプのものでも、ライ
ンタイプのものでもよい。112は記録へラド110に
よる記録位置に対して記録媒体Pを搬送するとともにそ
の被記録面を規制するプラテンローラである。
120は操作入力を受容するスイッチや、メツセージそ
の他装置の状態を報知するための表示部等を配したオペ
レーションパネルである。130はシステムコントロー
ル基板であり、各部の制御を行う制御部や、光センサの
駆動回路部1画像情報の処理部、送受信部等が設けられ
る。140は装置の電源である。
の他装置の状態を報知するための表示部等を配したオペ
レーションパネルである。130はシステムコントロー
ル基板であり、各部の制御を行う制御部や、光センサの
駆動回路部1画像情報の処理部、送受信部等が設けられ
る。140は装置の電源である。
以上の実施例においては、光電変換装置と原稿6との間
に光学系を介在させずに、原稿が密着または近接して読
取りが行われる構成について述べたが、情報光(原稿面
からの反射光)を光学系を介して受光素子上に結像させ
る構成に対しても本発明は有効に適用できる。
に光学系を介在させずに、原稿が密着または近接して読
取りが行われる構成について述べたが、情報光(原稿面
からの反射光)を光学系を介して受光素子上に結像させ
る構成に対しても本発明は有効に適用できる。
すなわち、第10図に示すように、透光性センサ基板1
と原稿6との間に集束性光伝送体アレイまたはファイバ
プレートのような光学系部材8を用いた構成であっても
、本発明を容易に適用可能である。
と原稿6との間に集束性光伝送体アレイまたはファイバ
プレートのような光学系部材8を用いた構成であっても
、本発明を容易に適用可能である。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明によれば、本実施例による
と、透光性を有する実装基板内を照明光が透過する構成
としたので、光源の配置の自由度が向上し、すなわち光
源を透光性実装基板の裏面側に配置可能となり、光電変
換装置を適用する装置の更なる小型化が達成できる。
と、透光性を有する実装基板内を照明光が透過する構成
としたので、光源の配置の自由度が向上し、すなわち光
源を透光性実装基板の裏面側に配置可能となり、光電変
換装置を適用する装置の更なる小型化が達成できる。
また、情報光は透光性実装基板内および透光性センサ基
板内を透過しない構成であるので、情報光の光量ロスお
よび拡散がなく、S/N比が向上してセンサ出力も良好
なものとなる。
板内を透過しない構成であるので、情報光の光量ロスお
よび拡散がなく、S/N比が向上してセンサ出力も良好
なものとなる。
さらに、本発明によれば、調光パターン部を透光性実装
基板上に、例えば醋°線部と同一工程・同一材料で形成
するようにしたので、別部材のライティングカーテンを
設ける必要がなく、また組立工程の必要もなくなるので
、装置としての小型化および低融化が可能となる。
基板上に、例えば醋°線部と同一工程・同一材料で形成
するようにしたので、別部材のライティングカーテンを
設ける必要がなく、また組立工程の必要もなくなるので
、装置としての小型化および低融化が可能となる。
加えて、透光性実装基板上の調光パターン部を配線部そ
のもので形成することもできるので、更なる小型化も可
能であり、ICチップの配置等における設計の自由度も
向上する。
のもので形成することもできるので、更なる小型化も可
能であり、ICチップの配置等における設計の自由度も
向上する。
第1図は本発明の一実施例に係る光電変換装置の模式的
断面図、 第2図(^)および(B)は、それぞれ、本発明の他の
実施例に係る光電変換装置の分解斜視図および模式的断
面図、 第3図は第1図または第2図(^)、(B)の実施例に
係る光電変換装置のより詳細な断面図、第4図は光電変
換装置を用いて構成したセンサユニットの一例を示す分
解斜視図、 第5図(^) 、 (B) 、 (C) 、 (D)お
よび(E)は、それぞれ、そのセンサユニットの平面図
、側面図、rA断面図 D−D線断面図およびE−E’
線断面図、第6図(A)および(B)は、それぞれ、本
発明の主要部に係る調光パターンの一実施例を示すため
の光電変換装置の分解斜視図および実装基板の平面図、 第7図(A)および(B)は、それぞれ調光パターンの
他の実施例を示すための光電変換装置の分解斜視図およ
び実装基板の平面図、 第8図は調光パターンの形成の有無による光量分布を示
す線図、 第9図は本発明を適用可能な画像処理装置の一例を示す
断面図、 第10図は本発明のさらに他の実施例を示す模式的断面
図である。 1・・・透光性センサ基板、 2・・・透光性実装基板(支持体)、 3・・・光源、 4・・・配線部、 5・・・接着層、 6・・・原稿、 7・・・遮光層、 7^・・・窓部、 8・・・光学系部材、 26・・・調光パターン形成部、 26八、46.27・・・調光パターン。 第2図(B) 第5図(E) 第 図(A) 第 図(B) 第 図 第 図(B) 第1θ図
断面図、 第2図(^)および(B)は、それぞれ、本発明の他の
実施例に係る光電変換装置の分解斜視図および模式的断
面図、 第3図は第1図または第2図(^)、(B)の実施例に
係る光電変換装置のより詳細な断面図、第4図は光電変
換装置を用いて構成したセンサユニットの一例を示す分
解斜視図、 第5図(^) 、 (B) 、 (C) 、 (D)お
よび(E)は、それぞれ、そのセンサユニットの平面図
、側面図、rA断面図 D−D線断面図およびE−E’
線断面図、第6図(A)および(B)は、それぞれ、本
発明の主要部に係る調光パターンの一実施例を示すため
の光電変換装置の分解斜視図および実装基板の平面図、 第7図(A)および(B)は、それぞれ調光パターンの
他の実施例を示すための光電変換装置の分解斜視図およ
び実装基板の平面図、 第8図は調光パターンの形成の有無による光量分布を示
す線図、 第9図は本発明を適用可能な画像処理装置の一例を示す
断面図、 第10図は本発明のさらに他の実施例を示す模式的断面
図である。 1・・・透光性センサ基板、 2・・・透光性実装基板(支持体)、 3・・・光源、 4・・・配線部、 5・・・接着層、 6・・・原稿、 7・・・遮光層、 7^・・・窓部、 8・・・光学系部材、 26・・・調光パターン形成部、 26八、46.27・・・調光パターン。 第2図(B) 第5図(E) 第 図(A) 第 図(B) 第 図 第 図(B) 第1θ図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)画像情報の読取りに係る原稿との対向面側に光電変
換素子が設けられ、透光性を有する基板と、 該基板を支持し、透光性を有する支持体であつて、前記
基板の支持面上に前記光電変換素子とこれを駆動する回
路とを接続するための配線部材および該配線部材と少く
とも一部が同じ材料を用いて形成された調光部を有する
支持体と、 該支持体の前記基板の支持面とは反対の面側に設けられ
た光源と を具え、該光源から出射した光が前記支持体、前記調光
部および前記基板を透過して前記原稿に照射され、当該
反射光が前記光電変換素子に受容されるようにしたこと
を特徴とする光電変換装置。 2)前記調光部は前記配線部材と同一工程でパターン形
成されてなることを特徴とする請求項1記載の光電変換
装置。 3)前記配線部材の少くとも一部が前記調光部に兼用さ
れていることを特徴とする請求項2記載の光電変換装置
。 4)前記調光部は前記光量のばらつきを均一化するパタ
ーンに形成されてなることを特徴とする請求項1ないし
3のいずれかの項に記載の光電変換装置。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1047409A JPH077832B2 (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 光電変換装置 |
| GB9301830A GB2262658B (en) | 1989-02-21 | 1990-02-19 | Photoelectric converter |
| GB9003730A GB2228366B (en) | 1989-02-21 | 1990-02-19 | Photoelectric converter and image reading apparatus mounting the same |
| US07/481,227 US5121225A (en) | 1989-02-21 | 1990-02-20 | Photoelectric converter and image reading apparatus mounting the same |
| FR9002041A FR2643747B1 (fr) | 1989-02-21 | 1990-02-20 | Convertisseur photoelectrique et appareil de lecture d'images sur lequel il est monte |
| DE4005324A DE4005324C2 (de) | 1989-02-21 | 1990-02-20 | Fotoelektrischer Wandler |
| NL9000418A NL194486C (nl) | 1989-02-21 | 1990-02-21 | Foto-elektrische omzetter en beelduitleesinrichting voorzien van een dergelijke omzetter. |
| US07/845,052 US5261013A (en) | 1989-02-21 | 1992-03-03 | Photoelectric converter and image reading apparatus mounting the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1047409A JPH077832B2 (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 光電変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02226768A true JPH02226768A (ja) | 1990-09-10 |
| JPH077832B2 JPH077832B2 (ja) | 1995-01-30 |
Family
ID=12774330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1047409A Expired - Fee Related JPH077832B2 (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-28 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH077832B2 (ja) |
-
1989
- 1989-02-28 JP JP1047409A patent/JPH077832B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH077832B2 (ja) | 1995-01-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |