JPH02226954A - 光電変換装置 - Google Patents

光電変換装置

Info

Publication number
JPH02226954A
JPH02226954A JP1047411A JP4741189A JPH02226954A JP H02226954 A JPH02226954 A JP H02226954A JP 1047411 A JP1047411 A JP 1047411A JP 4741189 A JP4741189 A JP 4741189A JP H02226954 A JPH02226954 A JP H02226954A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
board
transparent
sensor
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1047411A
Other languages
English (en)
Inventor
Masayoshi Murata
正義 村田
Tatsuto Kawai
達人 川合
Katsumi Komiyama
克美 小宮山
Osamu Hamamoto
修 浜本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP1047411A priority Critical patent/JPH02226954A/ja
Priority to GB9301830A priority patent/GB2262658B/en
Priority to GB9003730A priority patent/GB2228366B/en
Priority to US07/481,227 priority patent/US5121225A/en
Priority to FR9002041A priority patent/FR2643747B1/fr
Priority to DE4005324A priority patent/DE4005324C2/de
Priority to NL9000418A priority patent/NL194486C/nl
Publication of JPH02226954A publication Critical patent/JPH02226954A/ja
Priority to US07/845,052 priority patent/US5261013A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Facsimile Heads (AREA)
  • Facsimile Scanning Arrangements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [a業上の利用分舒] 本発明は、光電変換、装置に関し、特に光電変換素子(
光センサ)アレイを設けてなる光電変換装置に適用して
好適なものである。
[従来の技術] 光電変換装置を小型化するとともに、歩留りを向上して
製造価格等の低廉化を図ったものとして、従来特開昭1
io−132452号および特開昭62−97370号
等に開示されたものがある。これらにおいては、光セン
サを設けたセンサ基板を他の工程で作成した支持体(以
下実装基板という)上に担持させる構成が開示されてい
る。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、これら従来例においては以下のような問
題点が生じていた。
まず、特開昭60−132452号においては、実装基
板としての絶縁性セラミック基板上に駆動回路部として
の厚膜回路を形成し、かつ光センサアレイ部を実装基板
上に固定し、厚膜回路と光センサアレ1イ部とをワイヤ
ボンディング法により接続した構成が示されている。し
かしながら、この構成では、実装基板が非透光性である
ために光源の配置が制約を受け、充分な小型化を達成し
えないおそれが生じている。
一方、特開昭62−97370号においては、光センサ
アレイが形成されている透光性を有するセンサ基板を透
光性を有する実装基板上に固定し、光センサ上に不通光
性樹脂のモールドを施した構成が示されている。そして
、情報光を透光性実装基板および透光性センサ基板を介
して光センサ上に受容するとともに、透光性実装基板面
には不要な光線の入射を防止する遮光板が設けである。
しかしながら、この構成では、原稿面からの情報光が透
光性実装基板内と透光性センサ基板内とを透過して受光
素子(光センサ)へ入射するために、情報光の光センサ
までの到達経路が長くなって光量ロスが発生し易く、ま
た各層での拡散光による迷光成分が発生してしまい、S
/N比の低下やセンサ出力の低下が生じるおそれがあり
た。
一方、特開昭62−97370号では、透光性実装基板
と透光性センサ基板との間の全面に透明接着剤を塗布す
ることが開示されているが、この接着層内に気泡が混入
する場合があり、この気泡が光量ロスおよび迷光成分の
発生の原因となることもある。
また、透明接着剤を選択するには光量ロスの少ない、す
なわち透過率の高い接着剤が必要となるので、接着剤の
選択の自由度が小となる。
さらに、透光性実装基板と透光性センナ基板との間の応
力の緩和についても考慮する必要がある。
[課題を解決するための手段] 本発明は、これら問題点を解決することを目的とし、そ
のために画像情報の読取りに係る原稿との対向面側に光
電変換素子が設けられ、透光性を有する基板と、その基
板を支持し、透光性を有する支持体と、支持体の基板に
対する支持面とは反対の面側に設けられた光源と、支持
体と基板との間”に配置され、光源から出射した光の光
路部分に設けられた空隙部とを具え、光源から出射した
光が支持体、空隙部および基板を透過して原稿に照射さ
れ、当該反射光が光電変換素子に受容されるようにした
ことを特徴とする。
[作 用] 本発明によれば、透光性実装基板(支持体)内を照明光
が透過するために光源の配置の自由度が向上して小型化
が可能となり2また情報光(原稿面からの反射光)が透
光性実装基板内および基板(透光性センサ基板)内を透
過しない構成であるので、情報光の光量ロスおよび拡散
がなく、S/N比が向上し、センサ出力も向上する。本
発明では、基板および実装基板を照明光が透過する構成
であるので、照明光が透過する際の適度な光量ロスおよ
び拡散によって照明光が各センサに悪影響を及ぼすこと
がなく、原稿に対して均一な照明を行うことができる。
さらに、透光性実装基板とセンサ基板との間の光路部分
は空隙部(空気層)としたことにより、両基板接着時の
接着剤の気泡排除の工程が不要となる。また、接着剤の
選択の幅が拡大される。
[実施例コ 以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第1図(八)および(1’りは、それぞれ本発明の一実
施例に係る光電変換装置の側面図および斜視図である。
ここで、透光性センサ基板1は石英ガラスや硼珪酸ガラ
ス等の透光性および絶縁性を有する基体上に半導体プロ
セス等により形成された光センサアレイを有する。透光
性実装基板2は、石英ガラス、硼珪酸ガラス、ソーダガ
ラス、あるいはアクリル(アルカリ元素の溶出や拡散を
防ぐ5i02等の保護膜が設けられたものであってもよ
い)等の透光性および絶縁性を有する基体上に、厚膜印
刷法により形成されたへg、へg−Pd、 Ag−PL
^U等、またはフォトリソグラフィにより形成されt’
、 An 、Cu、Mo、ITO等の配線部4を有して
いる。これ゛ら基板の基体には、熱膨張係数が近似した
ものを用いる。
配線IK54はセンサ部と不図示の駆動回路部とを接続
する。そして、透光性実装基板2上に透光性センサ基板
1を接着層5により接着する。
透光性センサ基板1と透光性実装基板2とを固着する接
着剤5はスクリーン印刷法やデイスペンサによるライン
塗布等により形成できる。そしてその接着剤としては、
例えばシリコン・ゴム系の室温硬化型接着剤、光硬化型
アクリル系接着剤等があげられる。透光性センサ基板1
および透光性実装基板2の各基体と熱膨張率が近似した
材質のものが用いられ、センサ基板1の周縁部に対応し
た部位、例えば光電変換装置の長手方向の両側部(さら
には両端部)に配置されて基板1.2の接着を行う。こ
れにより、光源3からの照明光の光路部には空It! 
(空気層)5^が形成される。
また、透光性センサ基板1と透光性実装基板2の配線部
4とは、ワイヤボンディング、半田付等で電気的に接続
されている。
而して、光源3からの照明光りは透光性実装基板2.空
気層5八および透光性センサ基板l内を透過して原稿6
に照射され、原稿6から反射した情報光が透光性センサ
基板1上の受光素子に入射して受光素子より画像信号と
して出力される。
本例によれば、情報光は実装基板2およびセンサ基板1
を介することなく光センサに受容されるので、光量ロス
や迷光成分によるS/N比の低下も生じない。また、本
例によれば透光性センサ基板1と透光性実装基板2とは
各々独立した部品として取り扱うことができ、すなわち
各別の工程で製作することが可能となり、従って製造工
程を統一化する必要がなくなるとともに各別の検査工程
で良品のみを使用するようにすることが可能となり、総
合的な歩留りが向上する。また、光センナ部のみを基板
1の基体上に配置することから、ある広がりを有する基
体素材について多数個の基板1を一括製造することもで
き、コストダウンが可能となる。さらに、透光性実装基
板2上には配線部4の他に駆動用ICチップや出力増幅
用icチップ等を搭載することも可能であり、その場合
にはさらなるコストダウンが可能となる。さらに、光源
3を透光性実装基板2の裏面側に配置することにより、
ユニット外形寸法がさらに小型化する。
すなわち、本実施例によると、透光性を有する実装基板
内を照明光が透過する構成としたので、光源の配置の自
由度が向上し、すなわち光源を透光性実装基板の裏面側
に配置可能となり、光電変換装置を適用する装置の更な
る小型化が達成できる。
また、情報光は透光性実装基板内および透光性センサ基
板内を透過しない構成であるので、情報光の光量ロスお
よび拡散がなく、S/N比が向上してセンナ出力も良好
なものとなる。
さらに、透光性実装基板と透光性センサ基板とに熱膨張
係数が近似した材料の基体を用いることにより、両者の
接合により生じる応力の緩和が可能となり、基板の反り
や割れが発生しにくい。
加えて、透光性実装基板上に配線部を設けたことにより
、装置としての小型化が達成され、透光性実装基板と透
光性センサ基板の間に配線部を設ければ、更なる小型化
も可能となる。
また、透光性実装基板2と透光性センサ基板1との間の
照明光の光路部に空気層5Aを設けであるので、接着N
5の気泡ぬきの工程が不要となフて工程が簡略化でき、
コストダウンが達成できる。
さらに、接着剤の透過率に関わりなく、例えば着色接着
剤も使用できるようになり、接着剤の選択の自由度が向
上する。
加えて、接着剤が部分的に塗布されて硬化した状態であ
るので、透光性実装基板2と透光性センサ基板lとの熱
膨張率に差があっても接着剤の弾力性により応力を緩和
することができる。
第2図(A)および(B)は、それぞれ、本発明を通用
可能な光電変換装置の他の実施例を示す分解斜視図およ
びその主要部分の断面図である。なお、第2図(八)に
おいては例えば両側付近に設けられる接着剤5を図示し
ていない。
本例では、透光性実装基板・2と透光性センサ基板1と
の間に遮光層7が設けである。遮光N7は光路りに応じ
て適切に定めたスリット状窓部7^の周囲に配置される
もので、配線部4と同一プロセスかつ同一金属材料を用
いて形成することも可能であるし、スクリーン印刷法や
ディスペンス法等による非透光性樹脂によりて形成して
もよい。
いずれにしても、第2図のような構成によねば、第1図
について述べた基本的な効果に加え、遮光層7により光
源からの照明光の内、信号出力の雑音となるような迷光
、例えば透光性実装基板2での乱反射成分を遮断するこ
とにより、出力信号の解像度を向上することができる。
なお、上記した第1図の構成において、接着剤5を不透
光性のものとすることにより遮光層として機能させても
よく、この場合には別途遮光層7を設ける工程が不要と
なる。換言すれば、第1図において接着剤5は不透光性
のものも選択でき、その意味で接着剤としての材料選択
の幅が拡大されるものであるが、その場合には接着剤S
自体を遮光層として機能させることもできるようになる
わけである。
第3図は第1図または第2図の実施例に係る光電変換装
置のより詳細な断面構造を示す。
ここで、透光性を有するガラス等で形成した基体1′上
には、マトリクス配線部9、照明窓10、受光素子11
、電荷蓄積部(コンデンサ部)12、および蓄積された
電荷を適宜のタイミングで転送するためのスイッチング
用の薄1摸トランジスタ(TPT)13を含む光センサ
が一体形成されている。
そして、このように構成された透光性センサ基板lが接
着層5(光路部は空気層5A)を介して透光性実装基板
2上に支持されている。これら各部は、すべて同一の製
造プロセスで形成することが可能である。そして各部の
層構成は、例えばC「で基体上に形成され、センサ部の
遮光層下電極15、その上部に配置された水素化窒化シ
リコン(SiNx:If)の絶縁層、その上部の水素化
アモルファスシリコン(a−5i+ll)の半導体層、
その上部のn’a−5i+Hのオーミック層、さらにそ
の上部に配置したへ1等の上電極から成るものである。
このような構成の光センサ部は、パシベーション層19
によって覆われ、さらにこのパシベーション層19上に
接着層20を介して例えば50μm厚の薄板ガラス14
が設けられる。そしてこの薄板ガラス14上を原稿が摺
動するものであり、薄板ガラス14は受光素子11と原
稿6とのVf!離を一定に保つスペーサ層として機能す
るとともに、耐摩耗層としても機能する。
かかる構成において、透光性実装基板2の裏側から照射
された照明光しは、透光性実装基板2と透光性センサ基
板1とを透過し、照明窓10を通って薄板ガラス14上
の原稿6を照明する。そして、原稿6で反射された情報
光L′は受光素子11に入射する。
第4図は以上のような基本的構成を有する光電変換装置
をユニット化した構成の一例を示す分解斜視図である。
また、第5図(A)はそのセンサユニットの平面図、同
図(B)は同じくその側面図、同図(C)は同じくその
裏面図、同図(D)は同じくそのD−D’線断面図、同
図(E)は同じくそのE−E’線断面図である。図示の
例では、透光性センサ基板1を透光性実装基板2上へ接
着固定し、この透光性実装基板2をベースプレート22
へ固定し、さらにICカバー23で押える。つぎにベー
スプレート22の下面に光fA3を固定する。そして、
ユニットからはフレキシブル配線24およびコネクタ2
5を経由して画像信号を出力することができる。
さらに、このようにして構成されたセンサユニット10
0を用いて、ファクシミリ装置、イメージリーダその他
の種々の装置を構成することができる。
第6図は本例に係るセンサユニット100を用いて構成
した画像処理装置(例えばファクシミリ)の−例を示す
ここで、102は原稿6を読取り位置に向けて給送する
ための給送ローラ、104は原稿6を一枚ずつ確実に分
離給送するための分離片である。108は゛センサユニ
ッl−100に対向して読取り位置に設けられて原稿6
の被読取り面を規制するとともに原稿6を搬送するプラ
テンローラである。
Pは図示の例ではロール紙形態とした記録媒体であり、
センサユニット100により読取られた画像情報、ある
いはファクシミリ装置等の場合には外部から送信された
画像情報が形成される。110は当該画像形成を行うた
めの記録ヘッドであり、サーマルヘッド、インクジェッ
ト記録ヘッド等種々のものを用いることができる。また
、この記録ヘッドは、シリアルタイプのものでも、ライ
ンタイプのものでもよい。112は記録ヘッド110に
よる記録位置に対して記録媒体Pを搬送するとともにそ
の被記録面を規制するプラテンローラである。
120は操作入力を受容するスイッチや、メツセージそ
の他装置の状態を報知するための表示部等を配したオペ
レーションパネルである。130はシステムコントロー
ル基板であり、各部の制御を行う制御部や、光センサの
駆IJ回路部9画像情報の処理部、送受信部等が設けら
れる。140は装置の電源である。
以上の実施例においては、光電変換装置と原稿6との間
に光学系を介在させずに、原稿が密着または近接して読
取りが行われる構成について述べたが、情報光(原稿面
からの反射光)を光学系を介して受光素子上に結像させ
る構成に対しても本発明は有効に適用できる。
すなわち、第7図に示すように、透光性センサ基板1と
原稿6との間に集束性光伝送体アレイまたはファイバプ
レートのような光学系部材8を用いた構成であっても、
本発明を容易に通用可能である。
また、上側では透光性実装基板上に配線部を形成したが
、他の部材に設けられていてもよい。この場合、例えば
透光性センサ基板からフレキシブル配線等により直接配
線を引出してもよい。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば、本実施例゛によ
ると、透光性を有する実装基板内を照明光が透過する構
成としたので、光源の配置の自由度が向上し、すなわち
光源を透光性実装基板の裏面側に配置可能となり、光電
変換装蓋を適用する装置の更なる小型化が達成できる。
また、情報光は透光性実装基板内および透光性センサ基
板内を透過しない構成であるので、情報光の光量ロスお
よび拡散がなく、S/N比が向上してセンサ出力も良好
なものとなる。
さらに、透光性実装基板と透光性センサ基板との間の照
明光の光路部に空気層を設けであるので、接看層の気泡
ぬきの工程が不要となって工程が簡略化でき、コストダ
ウンが達成できる。
さらに、接着剤の透過率に関わりなく、例えば着色接着
剤も使用できるようになり、接着剤の選択の自由度が向
上する。
加えて、接着剤が部分的に塗布されて硬化した状態であ
るので、透光性実装基板と透光性センナ幕板との熱膨張
率に差があっても接着剤の弾力性により応力を緩和する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図(^)および(B)は、それぞれ本発明の一実施
例に係る光電変換装置の側面図および斜視図、 第2図(A)および(B)は、それぞれ、本発明の他の
実施例に係る光電変換装置の分解斜視図および模式的断
面図、 第3図は第1図(A) 、 (l])または第2図(A
) 、 (B)の実施例に係る光電変換装置のより詳細
な断面図、 第4図は光電変換装置を用いて構成したセンサユニット
の一例を示す分解斜視図、 第5図(^) 、 (B) 、 (C) 、 (D)お
よび(E)は、それぞれ、そのセンサユニットの平面図
、側面図、裏面図、 D−D線断面図およびE−E’線
断面図、第6図は本発明を適用可能な画像処理装置の一
例を示す断面図、 第7図は本発明のさらに他の実施例を示す模式的断面図
である。 1・・・透光性センサ基板、 2・・・透光性実装基板(支持体)、 3・・・光源、 4・・・配線部、 5・・・接着層、 5^・・・空気層、 6・・・原稿、 7・・・遮光層、 8・・・光学系部材。 第2図CB) 第5図(E)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)画像情報の読取りに係る原稿との対向面側に光電変
    換素子が設けられ、透光性を有する基板と、該基板を支
    持し、透光性を有する支持体と、該支持体の前記基板の
    支持面とは反対の面側に設けられた光源と、前記支持体
    と前記基板との間に配置され、前記光源から出射した光
    の光路部分に設けられた空隙部とを具え、前記光源から
    出射した光が前記支持体、前記空隙部および前記基板を
    透過して前記原稿に照射され、当該反射光が前記光電変
    換素子に受容されるようにしたことを特徴とする光電変
    換装置。 2)前記空隙部は、前記支持体と前記基板との間に前記
    光路部分を除いて接着層を配置することにより形成され
    ることを特徴とする請求項1記載の光電変換装置。
JP1047411A 1989-02-21 1989-02-28 光電変換装置 Pending JPH02226954A (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1047411A JPH02226954A (ja) 1989-02-28 1989-02-28 光電変換装置
GB9301830A GB2262658B (en) 1989-02-21 1990-02-19 Photoelectric converter
GB9003730A GB2228366B (en) 1989-02-21 1990-02-19 Photoelectric converter and image reading apparatus mounting the same
US07/481,227 US5121225A (en) 1989-02-21 1990-02-20 Photoelectric converter and image reading apparatus mounting the same
FR9002041A FR2643747B1 (fr) 1989-02-21 1990-02-20 Convertisseur photoelectrique et appareil de lecture d'images sur lequel il est monte
DE4005324A DE4005324C2 (de) 1989-02-21 1990-02-20 Fotoelektrischer Wandler
NL9000418A NL194486C (nl) 1989-02-21 1990-02-21 Foto-elektrische omzetter en beelduitleesinrichting voorzien van een dergelijke omzetter.
US07/845,052 US5261013A (en) 1989-02-21 1992-03-03 Photoelectric converter and image reading apparatus mounting the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1047411A JPH02226954A (ja) 1989-02-28 1989-02-28 光電変換装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP07008293A Division JP3120948B2 (ja) 1995-01-23 1995-01-23 実装基板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02226954A true JPH02226954A (ja) 1990-09-10

Family

ID=12774390

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1047411A Pending JPH02226954A (ja) 1989-02-21 1989-02-28 光電変換装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH02226954A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007300141A (ja) * 2007-08-08 2007-11-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd イメージセンサ
WO2009107209A1 (ja) * 2008-02-27 2009-09-03 株式会社渕上ミクロ ヒータ装置及び測定装置並びに熱伝導率推定方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63102361A (ja) * 1986-10-20 1988-05-07 Seiko Epson Corp 密着型固体撮像装置
JPH02185064A (ja) * 1989-01-12 1990-07-19 Ricoh Co Ltd 完全密着型等倍センサ

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63102361A (ja) * 1986-10-20 1988-05-07 Seiko Epson Corp 密着型固体撮像装置
JPH02185064A (ja) * 1989-01-12 1990-07-19 Ricoh Co Ltd 完全密着型等倍センサ

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007300141A (ja) * 2007-08-08 2007-11-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd イメージセンサ
WO2009107209A1 (ja) * 2008-02-27 2009-09-03 株式会社渕上ミクロ ヒータ装置及び測定装置並びに熱伝導率推定方法
CN102217414A (zh) * 2008-02-27 2011-10-12 莫列斯日本有限公司 加热器装置及测定装置以及热传导率推定方法
JP5509443B2 (ja) * 2008-02-27 2014-06-04 日本モレックス株式会社 測定装置及び熱伝導率推定方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5065006A (en) Image sensors with simplified chip mounting
US5121225A (en) Photoelectric converter and image reading apparatus mounting the same
US5261013A (en) Photoelectric converter and image reading apparatus mounting the same
JP2744307B2 (ja) 光電変換装置
KR19990037485A (ko) 광학 디바이스 및 화상 판독 장치
US5266828A (en) Image sensors with an optical fiber array
JPH02226954A (ja) 光電変換装置
JP3120948B2 (ja) 実装基板
JP2854593B2 (ja) 光電変換装置および画像処理装置
JPH02219358A (ja) 光電変換装置
JPH02226768A (ja) 光電変換装置
JPH0250566A (ja) 等倍光センサー
JP3255762B2 (ja) 完全密着型イメージセンサユニット
JP2573432Y2 (ja) イメージセンサ
JPH02226953A (ja) 光電変換装置
JPS61188964A (ja) 密着型イメ−ジセンサ
JP3109679B2 (ja) 光電変換装置
JP3116734B2 (ja) 完全密着型イメージセンサユニット
JP3551173B2 (ja) イメージセンサユニット
JP2998468B2 (ja) 完全密着型イメージセンサユニット及び製造方法
JPH05303058A (ja) 光ファイバアレイ基板および光ファイバアレイ基板を用いた完全密着型イメージセンサ
JPH06350800A (ja) 光ファイバアレイを有する基板の認識方法及びその基板を用いた半導体装置
JP2548680Y2 (ja) イメージセンサ
JP2002101265A (ja) 光電変換装置及びx線撮像装置
JPH0630191A (ja) 密着型イメージセンサ及びイメージセンサユニット