JPH02227846A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH02227846A JPH02227846A JP4933789A JP4933789A JPH02227846A JP H02227846 A JPH02227846 A JP H02227846A JP 4933789 A JP4933789 A JP 4933789A JP 4933789 A JP4933789 A JP 4933789A JP H02227846 A JPH02227846 A JP H02227846A
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- Japan
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- refractive index
- film
- magnetization
- magnetized film
- magneto
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気光学効果を利用して情報を記録し、また再
生するための光磁気記録媒体に関する。
生するための光磁気記録媒体に関する。
情報処理の高度化に伴い情報ファイル装置の大容量化、
高密度化が要求されており、書換え可能な高密度記録装
置として光磁気記録再生装置が注目されている。
高密度化が要求されており、書換え可能な高密度記録装
置として光磁気記録再生装置が注目されている。
従来におけるこの種の光磁気記録方式、例えば特開昭6
3−268151号は光磁気記録媒体に垂直磁化膜を用
いるため、磁化膜自体に磁化に伴う大きな反磁界に打ち
勝つ高い保磁力を必要とし、また記録装置自体にも磁化
膜の膜面に垂直な方向のる〇界を発生する強力な磁界発
生源を要し、更にカー効果による反射光偏光面の回転量
を光強度変化へ変換するために偏光ビームスプリッタ、
%波長板等の偏光光学部品が必要であって光学系が複雑
となり、装置の小型化、軽量化が難しく、そのためアク
セス又はデータ転送速度の高速化が困難であるなどの多
くの問題があった。
3−268151号は光磁気記録媒体に垂直磁化膜を用
いるため、磁化膜自体に磁化に伴う大きな反磁界に打ち
勝つ高い保磁力を必要とし、また記録装置自体にも磁化
膜の膜面に垂直な方向のる〇界を発生する強力な磁界発
生源を要し、更にカー効果による反射光偏光面の回転量
を光強度変化へ変換するために偏光ビームスプリッタ、
%波長板等の偏光光学部品が必要であって光学系が複雑
となり、装置の小型化、軽量化が難しく、そのためアク
セス又はデータ転送速度の高速化が困難であるなどの多
くの問題があった。
この対策として本発明者は、光磁気記録媒体に面内磁化
膜を用い、その磁化膜面内方向に、磁化の向き又は大き
さによって情報を記録し、その光磁気記録媒体に磁化の
向きとほぼ直交する向きに光を入射し、光磁気記録媒体
の磁化の向き又は大きさに応じて得られる反射光の光強
度に基づき記録情報を再生する光磁気記録再生方式につ
いて既に提案している(特願昭63−44851号、特
願昭63−198287号)。この光磁気記録再生方式
は光磁気記録媒体それ自体には高い保磁力を必要とせず
、磁化膜の材料選択の範囲が広がり、高出力、高信頼性
の材料を用いることが出来、しかも高磁束効率なリング
型磁気ヘッドを用いることで磁界発生源の構成も容易と
なり、また記録情報を直接光強度変化に変換することに
よって光学系を簡単にでき、且つ高い再生信号出力が得
られるなど優れた特性を有している。
膜を用い、その磁化膜面内方向に、磁化の向き又は大き
さによって情報を記録し、その光磁気記録媒体に磁化の
向きとほぼ直交する向きに光を入射し、光磁気記録媒体
の磁化の向き又は大きさに応じて得られる反射光の光強
度に基づき記録情報を再生する光磁気記録再生方式につ
いて既に提案している(特願昭63−44851号、特
願昭63−198287号)。この光磁気記録再生方式
は光磁気記録媒体それ自体には高い保磁力を必要とせず
、磁化膜の材料選択の範囲が広がり、高出力、高信頼性
の材料を用いることが出来、しかも高磁束効率なリング
型磁気ヘッドを用いることで磁界発生源の構成も容易と
なり、また記録情報を直接光強度変化に変換することに
よって光学系を簡単にでき、且つ高い再生信号出力が得
られるなど優れた特性を有している。
しかし従来にあってはこの再生方式に最も適した光磁気
記録媒体構成になっておらず、本来高い再生出力をもつ
にもかかわらず、これをなし得ていないのが現状である
。
記録媒体構成になっておらず、本来高い再生出力をもつ
にもかかわらず、これをなし得ていないのが現状である
。
そこで本発明はさらに高い再生出力を得ることのできる
構成の光磁気記録媒体の提供を目的とする。
構成の光磁気記録媒体の提供を目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
本発明者はこの光磁気記録再生方式を生し得る最適の光
磁気記録媒体を得べく実験、研究を行つた結果、次の事
実を知見した。
磁気記録媒体を得べく実験、研究を行つた結果、次の事
実を知見した。
光磁気記録媒体への入射光量Pに対する磁化反転時にお
ける反射光量変化ΔPの変化の割合は概路次の如くに表
わされる。
ける反射光量変化ΔPの変化の割合は概路次の如くに表
わされる。
但し、ΔP・・・反射光量変化
P ・・・入射光量
n、・・・磁化膜に接する光入射側媒質の屈折率
n2・・・磁化膜の屈折率
θ ・・・光入射角
M ・・・磁気光学効果の大きさを表す材料個有の変数
(磁化の大きさの奇関数) i ・・・虚数単位(・J:l) この式から明らかなように再生信号出力を太きく、換言
すれば反射光量変化を大きくするためには磁化膜に接す
る光入射側の光媒質の屈折率n1磁化膜の屈折率n2が
関連し、このうちn、を小さくすればよいことが解る。
(磁化の大きさの奇関数) i ・・・虚数単位(・J:l) この式から明らかなように再生信号出力を太きく、換言
すれば反射光量変化を大きくするためには磁化膜に接す
る光入射側の光媒質の屈折率n1磁化膜の屈折率n2が
関連し、このうちn、を小さくすればよいことが解る。
ところで、従来広く用いられている光磁気記録再生方式
用の光磁気記録媒体においては、磁化膜における光入射
側に接している光媒質は高屈折率(n、 :1.5〜2
,4)の透明基板又は透明薄膜である。
用の光磁気記録媒体においては、磁化膜における光入射
側に接している光媒質は高屈折率(n、 :1.5〜2
,4)の透明基板又は透明薄膜である。
例えば透明基板は、従来はガラス、ポリカーボネイト樹
脂、ポリオレフィン樹脂等で構成されており、屈折率は
最も小さいものでガラスの1.46程度であって他は殆
どが1.5以上となっている。
脂、ポリオレフィン樹脂等で構成されており、屈折率は
最も小さいものでガラスの1.46程度であって他は殆
どが1.5以上となっている。
透明薄膜は、従来、窒化アルミ、窒化ケイ素。
酸化ケイ素、硫化亜鉛等で構成されており、屈折率は最
も小さいものでSiO□の1.46程度であって、他は
硫化亜鉛の2.4をはじめとし、はとんどが透明基板よ
り大きい屈折率となっている。
も小さいものでSiO□の1.46程度であって、他は
硫化亜鉛の2.4をはじめとし、はとんどが透明基板よ
り大きい屈折率となっている。
磁化膜に接する光入射側媒質として透明基板のそれより
も屈折率の小さい媒質を選択すれば、効果的に反射光量
変化の増大を図れることとなる。
も屈折率の小さい媒質を選択すれば、効果的に反射光量
変化の増大を図れることとなる。
本発明に係る光磁気記録媒体は、磁化の向き又は大きさ
によって情報を記録している磁化膜を有し、磁化の向き
と略直交する向きに光を入射し、磁化の向き又は大きさ
に応じて得られる反射光の強度に基づき記録情報を再生
するようにした光磁気記録媒体であって、磁化膜に接す
る媒質のうち少なくとも光入射側の媒質の屈折率を1.
45以下とすることを特徴とする。
によって情報を記録している磁化膜を有し、磁化の向き
と略直交する向きに光を入射し、磁化の向き又は大きさ
に応じて得られる反射光の強度に基づき記録情報を再生
するようにした光磁気記録媒体であって、磁化膜に接す
る媒質のうち少なくとも光入射側の媒質の屈折率を1.
45以下とすることを特徴とする。
本発明にあってはこれによって、磁化反転時の反射光量
変化の大きさが増大し、再生信号出力も大きくなる。
変化の大きさが増大し、再生信号出力も大きくなる。
〔実施例1]
以下本発明をその実施例を示す図面に基づき具体的に説
明する。
明する。
第1図は本発明に係る実施例1の部分断面構造図であり
、図中1はガラス(屈折率n ; 1.51)製の透明
基板、2はCart (フッ化カルシウム、屈折率n
: 1.25)製の透明薄膜、3はFe−25aton
+1cXPt製の磁化膜を示している。
、図中1はガラス(屈折率n ; 1.51)製の透明
基板、2はCart (フッ化カルシウム、屈折率n
: 1.25)製の透明薄膜、3はFe−25aton
+1cXPt製の磁化膜を示している。
透明基板lは、例えば直径13011m、厚さ1.2+
a+aの円板形に形成されており、その表面にマグネト
ロンスパッタリング法により膜厚1100nで透明薄膜
2を、次いで膜厚50n+sで磁化膜3をこの順序で途
中大気に曝すことなく連続的に積層形成しである。
a+aの円板形に形成されており、その表面にマグネト
ロンスパッタリング法により膜厚1100nで透明薄膜
2を、次いで膜厚50n+sで磁化膜3をこの順序で途
中大気に曝すことなく連続的に積層形成しである。
透明基板1の材料としてはガラスの他にポリカーボネイ
ト樹脂(屈折率rl:1.55〜1.59) 、ポリオ
レフィン樹脂(屈折率n : 1.55)等の透明合成
樹脂を用いてもよい。
ト樹脂(屈折率rl:1.55〜1.59) 、ポリオ
レフィン樹脂(屈折率n : 1.55)等の透明合成
樹脂を用いてもよい。
また透明薄膜2の材料としてはCaFzのほか、NaF
(フッ化ナトリウム、屈折率n : 1.34) 、N
aJE F&(クライオライト、屈折率n : 1.3
5) 、l、if(フッ化リチウム、屈折率n : 1
.36) 、MgFz (フッ化マグネシウム、屈折率
n目、38)等を夫々単体、積層又は混合物の状態で用
いてもよい。CaF2. NaJ、e Fh+LiFな
どによる低屈折率の透明基板1が人手できれば、透明薄
膜2を省略してもよい。
(フッ化ナトリウム、屈折率n : 1.34) 、N
aJE F&(クライオライト、屈折率n : 1.3
5) 、l、if(フッ化リチウム、屈折率n : 1
.36) 、MgFz (フッ化マグネシウム、屈折率
n目、38)等を夫々単体、積層又は混合物の状態で用
いてもよい。CaF2. NaJ、e Fh+LiFな
どによる低屈折率の透明基板1が人手できれば、透明薄
膜2を省略してもよい。
なお、第1図では透明基板1.透明薄膜2.磁化膜3は
いずれも平坦な構造とした場合について図示したが、必
要に応じてトラックサーボ用の溝を設けてもよいことは
勿論である。
いずれも平坦な構造とした場合について図示したが、必
要に応じてトラックサーボ用の溝を設けてもよいことは
勿論である。
上記した実施例1と第6.7図に示す比較例とについて
の比較試験結果を示す。比較例1は第6図に示す如くガ
ラス(屈折率n : 1.51)製の透明基板61の表
面(第6図では下面)にFe−25aFe−25ato
製の磁化膜63を積層形成して構成してあり、また第7
図に示す比較例2にあっては同じくガラス(屈折率n
: 1.51)製の透明基板71の表面にAfN(屈折
率n : 2.05.膜厚10100n製の透明薄膜7
2、Fe−Fe−25atoχPt (膜厚50nm)
製の磁化膜73を積層して構成しである。
の比較試験結果を示す。比較例1は第6図に示す如くガ
ラス(屈折率n : 1.51)製の透明基板61の表
面(第6図では下面)にFe−25aFe−25ato
製の磁化膜63を積層形成して構成してあり、また第7
図に示す比較例2にあっては同じくガラス(屈折率n
: 1.51)製の透明基板71の表面にAfN(屈折
率n : 2.05.膜厚10100n製の透明薄膜7
2、Fe−Fe−25atoχPt (膜厚50nm)
製の磁化膜73を積層して構成しである。
即ち、実施例1では磁化膜3に接する光入射側の媒質た
る透明薄膜2の屈折率が1.25であるのに対し、比較
例1.2では磁化膜63 、73に接する光入射側の媒
質の屈折率が夫々1.51.2.05となっている。
る透明薄膜2の屈折率が1.25であるのに対し、比較
例1.2では磁化膜63 、73に接する光入射側の媒
質の屈折率が夫々1.51.2.05となっている。
試験は各磁化膜3.63.73を適宜に磁化し、磁化方
向と直交する入射面で波長630 nmの1ie−Ne
レーザビームを45°の入射角で入射し、その時磁化膜
の磁化の向きを反転させることにより得られる反射光量
の変化を測定した。
向と直交する入射面で波長630 nmの1ie−Ne
レーザビームを45°の入射角で入射し、その時磁化膜
の磁化の向きを反転させることにより得られる反射光量
の変化を測定した。
結果は表1に示すとおりである。
なお表1中反射光量変化は比較例1を基準にした値であ
る。
る。
(以下余白)
表 1
表1から明らかなように実施例Iは、比較例1に比較し
て15%、比較例2に比較して69%の反射光量変化の
向上が確認された。なお再生出力についても同様の向上
が認められた。
て15%、比較例2に比較して69%の反射光量変化の
向上が確認された。なお再生出力についても同様の向上
が認められた。
〔実施例2〕
第2図は実施例2の部分断面構造図であり、透明基板1
1の表面(第2図では下面)に透明薄膜12、磁化膜1
3、透明薄膜14、AI、Ag、PL等の反射膜15を
この順序で積層形成せしめ、磁化膜13の両側に透明基
板11の屈折率よりも低い屈折率を有する透明薄膜12
.14を配した構造となっている。
1の表面(第2図では下面)に透明薄膜12、磁化膜1
3、透明薄膜14、AI、Ag、PL等の反射膜15を
この順序で積層形成せしめ、磁化膜13の両側に透明基
板11の屈折率よりも低い屈折率を有する透明薄膜12
.14を配した構造となっている。
なお、透明基板比透明薄1!12,14 、磁化膜13
の材質、屈折率、膜厚等は実施例1のものと実質的に同
じである。
の材質、屈折率、膜厚等は実施例1のものと実質的に同
じである。
而してこのような実施例2にあっては透明基板11側か
ら入射した光は透明薄膜12を透過し、磁化膜13で反
射されるが、一部は磁化膜13を透過する。
ら入射した光は透明薄膜12を透過し、磁化膜13で反
射されるが、一部は磁化膜13を透過する。
実施例2の構成はこの透過光を有効に利用するための例
である。即ち磁化膜13を透過した光は透明薄膜14を
透過し、反射膜15と磁化膜13との間で多重反射し、
透明基板ll側に出射させて出射光量を増大、させるよ
うになっている。透明薄膜14に低屈折率の透明薄膜を
用いる作用は光入射側の透明薄膜12の作用と同じであ
る。即ち反射膜15で反射された光が透明画1’J14
を透過し、磁化膜13で反射される。その磁化反転時の
反射光量変化を大きくする。
である。即ち磁化膜13を透過した光は透明薄膜14を
透過し、反射膜15と磁化膜13との間で多重反射し、
透明基板ll側に出射させて出射光量を増大、させるよ
うになっている。透明薄膜14に低屈折率の透明薄膜を
用いる作用は光入射側の透明薄膜12の作用と同じであ
る。即ち反射膜15で反射された光が透明画1’J14
を透過し、磁化膜13で反射される。その磁化反転時の
反射光量変化を大きくする。
なお、必要に応じてトラックサーボ用の溝を形成してよ
いことは勿論である。
いことは勿論である。
〔実施例3〕
第3図は実施例3の部分断面構造図であり、透明基板2
1の表面(第3図では下面)に気体層22を隔てて磁化
膜23、基板26をこの順序に積層した構造としである
。
1の表面(第3図では下面)に気体層22を隔てて磁化
膜23、基板26をこの順序に積層した構造としである
。
気体層22を透明基板21と磁化膜23との間に介在さ
せるために、ドーナツ状ディスクの場合は透明基板21
と磁化膜23を積層した基板26との外周縁間及び内周
縁間にリング状のスペーサ(図示せず)を介在させであ
る。スペーサは、半径方向にセクタ区切りを兼ねた直線
状スペーサでもよい。さらに透明基板21と一体となっ
ていてもよい。なお、透明基板21.磁化膜23等の材
質については実施例1と実質的に同じである。また、こ
の実施例においても必要に応じてトラックサーボ用の溝
を形成してよいことは勿論である。
せるために、ドーナツ状ディスクの場合は透明基板21
と磁化膜23を積層した基板26との外周縁間及び内周
縁間にリング状のスペーサ(図示せず)を介在させであ
る。スペーサは、半径方向にセクタ区切りを兼ねた直線
状スペーサでもよい。さらに透明基板21と一体となっ
ていてもよい。なお、透明基板21.磁化膜23等の材
質については実施例1と実質的に同じである。また、こ
の実施例においても必要に応じてトラックサーボ用の溝
を形成してよいことは勿論である。
気体層22としてはコスト面では空気(NZ、 02等
屈折率n : 1.0003)が望ましいが、磁化膜2
3は耐食性、耐酸化性が必ずしも十分でないため、むし
ろ酸素を含まないNZ (屈折率n : 1.0002
97)、^r(屈折率n : 1.000284)、
Ne(屈折率n : 1.0000350)。
屈折率n : 1.0003)が望ましいが、磁化膜2
3は耐食性、耐酸化性が必ずしも十分でないため、むし
ろ酸素を含まないNZ (屈折率n : 1.0002
97)、^r(屈折率n : 1.000284)、
Ne(屈折率n : 1.0000350)。
He等の希ガス、不活性ガスを夫々単独又は混合して用
いるのが好ましく、若干の大気の混入も許容される。気
体に代えて液体、例えば水、アルコール、或いは真空空
間としてもよ(、屈折率が1.45以下の媒質であれば
何でもよい。
いるのが好ましく、若干の大気の混入も許容される。気
体に代えて液体、例えば水、アルコール、或いは真空空
間としてもよ(、屈折率が1.45以下の媒質であれば
何でもよい。
〔実施例4〕
第4図は実施例4の部分断面構造図であり、表面に渦巻
状又は同心円状で一定深さの凹条36aを形成したポリ
カーボネイト類の基板36の表面にスパッタリング法等
にて磁化膜33を積層することにより形成し、磁化膜3
3の表面にも一定深さの凹条33aが形成される。その
表面に平坦な透明基板31を重ね合わせ固定し、透明基
板31と磁化膜33との間に一定間隔で空間32を存在
せしめである。
状又は同心円状で一定深さの凹条36aを形成したポリ
カーボネイト類の基板36の表面にスパッタリング法等
にて磁化膜33を積層することにより形成し、磁化膜3
3の表面にも一定深さの凹条33aが形成される。その
表面に平坦な透明基板31を重ね合わせ固定し、透明基
板31と磁化膜33との間に一定間隔で空間32を存在
せしめである。
なお、基板36の材質は特に限定するものではなく、透
明、不透明の如何を問わないが、熱膨張率は透明基板3
1と大差のないものを選択するのが両基板の接合上望ま
しい。
明、不透明の如何を問わないが、熱膨張率は透明基板3
1と大差のないものを選択するのが両基板の接合上望ま
しい。
他の構成は実施例1の場合と実質的に同じである。
実施例4と前述した比較例1,2とについての比較試験
結果を示す。実施例4はポリカーボネイト樹脂を用いて
、射出成形法により表面に渦巻状溝を形成した直径99
mm、板厚0 、1tsvaの円板状基板36番形成し
、その表面にマグネトロンスパッタリング法により膜厚
50nmのFe−25aFe−25ato製の磁化膜3
3を成膜し、表面に同じポリカーボネイト樹脂を用いた
直径90+nl11.板厚1.2avの平坦な透明基板
31をAr雰囲気内で重ね合わせ、内周縁、外周縁をエ
ポキシ合成樹脂等の接着剤を用いて夫々閉塞し、空間3
2内にArガスを満たした状態としである。
結果を示す。実施例4はポリカーボネイト樹脂を用いて
、射出成形法により表面に渦巻状溝を形成した直径99
mm、板厚0 、1tsvaの円板状基板36番形成し
、その表面にマグネトロンスパッタリング法により膜厚
50nmのFe−25aFe−25ato製の磁化膜3
3を成膜し、表面に同じポリカーボネイト樹脂を用いた
直径90+nl11.板厚1.2avの平坦な透明基板
31をAr雰囲気内で重ね合わせ、内周縁、外周縁をエ
ポキシ合成樹脂等の接着剤を用いて夫々閉塞し、空間3
2内にArガスを満たした状態としである。
結果は表2に示すとおりである。
なお、表2中、反射光量変化は比較例1を基準にした値
である。
である。
表 2
表2から明らかな如く、実施例4は比較例1に比べて5
0%、また比較例2に比べて121%反射光量変化が向
上していることが解る。これによって再生出力が大幅に
上昇することが可能となる。
0%、また比較例2に比べて121%反射光量変化が向
上していることが解る。これによって再生出力が大幅に
上昇することが可能となる。
〔実施例5〕
第5図は実施例5の部分断面構造図であり、平坦な基板
46の表面に磁化膜43を積層形成し、その表面に、下
面側に一定深さで渦巻状又は同心円状の凹条41aを形
成した透明基板41を重ね合わせ、同様に透明基板41
と磁化膜43との間に一定間隔で渦巻状又は同心円状の
空間42を存在せしめである。
46の表面に磁化膜43を積層形成し、その表面に、下
面側に一定深さで渦巻状又は同心円状の凹条41aを形
成した透明基板41を重ね合わせ、同様に透明基板41
と磁化膜43との間に一定間隔で渦巻状又は同心円状の
空間42を存在せしめである。
他の構成、材質は実施例4と実質的に同じである。
なお、以上示した実施例はその数例を示したにすぎず、
様々な変形が可能である。たとえば、基板26,36.
46の両面に磁化膜を成膜し、その両面に透明基板21
.31.41を接合し、両面に空間22.32.42を
形成することで、両面光磁気ディスクが構成される。ま
た他の実施例でも実施例2と同様な反射膜構成をとるこ
ともできる。このように様々な変形が可能であり、本発
明はここに示した実施例に限定されるものではない。
様々な変形が可能である。たとえば、基板26,36.
46の両面に磁化膜を成膜し、その両面に透明基板21
.31.41を接合し、両面に空間22.32.42を
形成することで、両面光磁気ディスクが構成される。ま
た他の実施例でも実施例2と同様な反射膜構成をとるこ
ともできる。このように様々な変形が可能であり、本発
明はここに示した実施例に限定されるものではない。
以上の如く本発明にあっては磁化膜における光入射側の
媒質の屈折率を1.45以下とすることにより、磁化反
転時の反射光量変化の大きさを効率的に増大させ得るこ
ととなって、大きな再生信号出力が得られ、そのため光
磁気記録再生のための装置構成の簡略化が図れ、信頼性
を高め得るなど本発明は優れた効果を奏するものである
。
媒質の屈折率を1.45以下とすることにより、磁化反
転時の反射光量変化の大きさを効率的に増大させ得るこ
ととなって、大きな再生信号出力が得られ、そのため光
磁気記録再生のための装置構成の簡略化が図れ、信頼性
を高め得るなど本発明は優れた効果を奏するものである
。
第1図は実施例1の部分断面構造図、第2図は実施例2
の部分断面構造図、第3図は実施例3の部分断面構造図
、第4図は実施例4の部分断面構造図、第5図は実施例
5の部分断面構造図、第6図は比較例1の部分断面構造
図、第7図は比較例2の部分断面構造図である。
の部分断面構造図、第3図は実施例3の部分断面構造図
、第4図は実施例4の部分断面構造図、第5図は実施例
5の部分断面構造図、第6図は比較例1の部分断面構造
図、第7図は比較例2の部分断面構造図である。
Claims (1)
- 1、磁化の向き又は大きさによって情報を記録している
磁化膜を有し、磁化の向きと略直交する向きに光を入射
し、磁化の向き又は大きさに応じて得られる反射光の強
度に基づき記録情報を再生するようにした光磁気記録媒
体であって、磁化膜に接する媒質のうち少なくとも光入
射側の媒質の屈折率を1.45以下としたことを特徴と
する光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4933789A JPH02227846A (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4933789A JPH02227846A (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02227846A true JPH02227846A (ja) | 1990-09-11 |
Family
ID=12828181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4933789A Pending JPH02227846A (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02227846A (ja) |
-
1989
- 1989-02-28 JP JP4933789A patent/JPH02227846A/ja active Pending
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