JPS6320744A - 光磁気デイスク - Google Patents
光磁気デイスクInfo
- Publication number
- JPS6320744A JPS6320744A JP61164106A JP16410686A JPS6320744A JP S6320744 A JPS6320744 A JP S6320744A JP 61164106 A JP61164106 A JP 61164106A JP 16410686 A JP16410686 A JP 16410686A JP S6320744 A JPS6320744 A JP S6320744A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- disk
- recording
- thickness
- magneto
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は情報の記録に用いられ、薄膜構成に特徴を有す
る光磁気ディスクに関するものである。
る光磁気ディスクに関するものである。
従来の技術
近年、情報化社会の進展と共に書き換え可能な大容量光
磁気ディスクの実用化が強く望まれている。その中で特
に注目を集めている光磁気メモリは、ディジタル、メモ
リとして優nた特性を有していることが最近にiって確
められて来よ。
磁気ディスクの実用化が強く望まれている。その中で特
に注目を集めている光磁気メモリは、ディジタル、メモ
リとして優nた特性を有していることが最近にiって確
められて来よ。
ところで、光磁気薄膜材料は、記録感度を決定する主要
因であるキュリー温度、再生信号の品質を決定するカー
回転角、及び低温での膜作製等の制約から、希土類遷移
金属非晶質磁性体が用いられる。この希土類遷移金属は
、Fe、Go、Niのいずれか1種以上と、Gd、Tb
、Dyを中心とする希土類元素のいずれか1種以上の合
金で構成される。
因であるキュリー温度、再生信号の品質を決定するカー
回転角、及び低温での膜作製等の制約から、希土類遷移
金属非晶質磁性体が用いられる。この希土類遷移金属は
、Fe、Go、Niのいずれか1種以上と、Gd、Tb
、Dyを中心とする希土類元素のいずれか1種以上の合
金で構成される。
具体的には、TbFe 、 GdTbFe 、 TbF
eCo などである。
eCo などである。
しかしながら、これら磁性体薄膜は、他の磁性体材料に
比べ力−回転角が大きいものの、その角度は0.3〜0
.5度であり、十分な信号対雑音比が得らrLない。具
体的には、光磁気ディスクをディジタルメモリとして使
用する場合、次のような問題が生じる。つまり、ディス
ク上に記録さnfc領域(ドメイン)の長さが、記録、
再生に用いる光ビームスポット径より十分大きい場合に
は十分な信号対雑音比が得らnる反面、記録されたドメ
イン長が光ビームスポット径と同程度になると急激に信
号対雑音比が劣化する。したがって、信号対雑音比が高
密度記録の限界を与える乏め、記録密度を向上させるて
ばさらに大きな信号対雑音比を得ることが必要となる。
比べ力−回転角が大きいものの、その角度は0.3〜0
.5度であり、十分な信号対雑音比が得らrLない。具
体的には、光磁気ディスクをディジタルメモリとして使
用する場合、次のような問題が生じる。つまり、ディス
ク上に記録さnfc領域(ドメイン)の長さが、記録、
再生に用いる光ビームスポット径より十分大きい場合に
は十分な信号対雑音比が得らnる反面、記録されたドメ
イン長が光ビームスポット径と同程度になると急激に信
号対雑音比が劣化する。したがって、信号対雑音比が高
密度記録の限界を与える乏め、記録密度を向上させるて
ばさらに大きな信号対雑音比を得ることが必要となる。
このような欠点を除くために、従来から光磁気ディスク
の構成シ′こ於いて、基板と磁性体薄膜の間にSiO、
ZnS 、 5i5N4 、ムlNなどの高屈折率誘電
体薄膜を用いる方式が提案されている。こrLは誘電体
薄膜による多重反射を利用し、カー回転角の増加を図る
もつである。したがって、誘電体薄膜の膜厚は、その屈
折率をn、記録、再生に用いるレーザ波長をλとすると
き、λ/ 4n に設定される。
の構成シ′こ於いて、基板と磁性体薄膜の間にSiO、
ZnS 、 5i5N4 、ムlNなどの高屈折率誘電
体薄膜を用いる方式が提案されている。こrLは誘電体
薄膜による多重反射を利用し、カー回転角の増加を図る
もつである。したがって、誘電体薄膜の膜厚は、その屈
折率をn、記録、再生に用いるレーザ波長をλとすると
き、λ/ 4n に設定される。
ところが、これら誘電体薄膜を用い念構造の光磁気ディ
スクは、カー回転が増加する反面反射率の減少及び光エ
ネルギ吸収率の増加を招く。したがって、記録感度の向
上が望める反面、再生時にも同様のエネルギ吸収を生じ
る。しかしながら磁性体薄膜は高温fヒによるカー回転
角の劣化を生じる念め、再生時に於ける光強度を小さく
する必要がある。再生時に於けるレーザ投入パワーを工
0、光磁気ディスクの反射率をR、カー回転角をθXと
するとき、シヲノトノイズに対する信号対雑音比S/N
1−j S / N oc jiisin2θ、−−−(1)
で表わされる。前述の誘電体薄膜を用い念構造の光磁気
ディスクでは、カー回転角θにの増加と共K、Io +
Hの低下を招き、大きなS/N向上は得られなかっ乏
。
スクは、カー回転が増加する反面反射率の減少及び光エ
ネルギ吸収率の増加を招く。したがって、記録感度の向
上が望める反面、再生時にも同様のエネルギ吸収を生じ
る。しかしながら磁性体薄膜は高温fヒによるカー回転
角の劣化を生じる念め、再生時に於ける光強度を小さく
する必要がある。再生時に於けるレーザ投入パワーを工
0、光磁気ディスクの反射率をR、カー回転角をθXと
するとき、シヲノトノイズに対する信号対雑音比S/N
1−j S / N oc jiisin2θ、−−−(1)
で表わされる。前述の誘電体薄膜を用い念構造の光磁気
ディスクでは、カー回転角θにの増加と共K、Io +
Hの低下を招き、大きなS/N向上は得られなかっ乏
。
発明が解決しようとする問題点
光磁気ディスクでは、前述の如く信号対雑音比により高
密度記録の限界が与えらnる。したがって光のエネルギ
吸収量を低減することにより、再生時の光強度を増加さ
せ大きな信号対雑音比を得ることは容易に考えられてい
た(レリえば特開56−74844号公報)。
密度記録の限界が与えらnる。したがって光のエネルギ
吸収量を低減することにより、再生時の光強度を増加さ
せ大きな信号対雑音比を得ることは容易に考えられてい
た(レリえば特開56−74844号公報)。
ところで、ディスクの回転方式には角速度一定力式と線
速度一定力式がある。一般にデータファイル用ディスク
ドライブでは、高速アクセスの必要性から、角速度一定
力式が用いられる。し念がって大きな信号対雑音比を得
るために光エネルギ吸収量を低減させた場合、同時に記
録感度の低下をも招き、次のような問題が生じる。つま
りディスクを角速度一定力式では、線速度が犬きくなる
ディスク外周部に於いて、記録に大パワーのレーザが必
要となる。ところがドライブの装置規模、コスト面から
は半導体レーザを用いることが不可欠であり、その結果
ディスク回転数が著しく制約され、必要なデータ転送速
度が得られないという問題点を有していた。
速度一定力式がある。一般にデータファイル用ディスク
ドライブでは、高速アクセスの必要性から、角速度一定
力式が用いられる。し念がって大きな信号対雑音比を得
るために光エネルギ吸収量を低減させた場合、同時に記
録感度の低下をも招き、次のような問題が生じる。つま
りディスクを角速度一定力式では、線速度が犬きくなる
ディスク外周部に於いて、記録に大パワーのレーザが必
要となる。ところがドライブの装置規模、コスト面から
は半導体レーザを用いることが不可欠であり、その結果
ディスク回転数が著しく制約され、必要なデータ転送速
度が得られないという問題点を有していた。
本発明は上記問題点に鑑み、ディスク基板上に第1の保
護層、磁性体薄膜、第2の保護層がこの順に形成さt″
L之光磁気ディスクに於いて、データ転送速度を損うこ
となく、大きな信号対雑音比を得る優れ次元磁気ディス
クを提供することを目的とする。
護層、磁性体薄膜、第2の保護層がこの順に形成さt″
L之光磁気ディスクに於いて、データ転送速度を損うこ
となく、大きな信号対雑音比を得る優れ次元磁気ディス
クを提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段
この目的を達成する乏め、本発明の光磁気ディスクに基
板上に少なくとも記録再生に使用される領域内で内周;
■りから外周i’l<に行くに従って膜厚が減少する第
1の保護膜が形成され、さらに磁性体薄膜、第2の保護
膜が積層され念溝成とiっている。
板上に少なくとも記録再生に使用される領域内で内周;
■りから外周i’l<に行くに従って膜厚が減少する第
1の保護膜が形成され、さらに磁性体薄膜、第2の保護
膜が積層され念溝成とiっている。
作用
一般に光磁気ディスクは、記録ドメインの長さが短かく
なるに従って、再生信号は小さくなる。
なるに従って、再生信号は小さくなる。
角速度一定でディスクを回転させながら記録を行う場合
、内周部はど記録ドメイン長は短かくなり、外周部はど
長くなる。最短記録ドメイン長は最短パルス幅を最内周
部に記録したとき充分な信号対雑音比が得られることか
ら決定される。一方外周部はど媒体移動速度が大きくな
るなめ、記録時、消去時の光投入パワーを犬きくする必
要がある。
、内周部はど記録ドメイン長は短かくなり、外周部はど
長くなる。最短記録ドメイン長は最短パルス幅を最内周
部に記録したとき充分な信号対雑音比が得られることか
ら決定される。一方外周部はど媒体移動速度が大きくな
るなめ、記録時、消去時の光投入パワーを犬きくする必
要がある。
つまり半導体レーザを用いることのできる最大限の投入
パワーで十分記録できるという記録感度の制約からディ
スクの回転数が決定される。
パワーで十分記録できるという記録感度の制約からディ
スクの回転数が決定される。
し之がって、ディスクの内周部では信号出力の大きさが
装置設計の限界を与えており、ディスク7つ外周部では
記録感度が装置設計の限界を与える。
装置設計の限界を与えており、ディスク7つ外周部では
記録感度が装置設計の限界を与える。
本ブd明は、第1 C’)保護膜が、内周部にいくにつ
れて1漠厚が・1〈形成されることにより熱拡散を利用
して再生時の温1度上昇を抑え、大きな再生パワーによ
る信号再生を可能とし、装置設計の限界を与える信号出
力を最大限得ると共に、第1の保護膜が外周部に行くに
つれて膜厚が薄く形成されることにより熱拡散を防止し
、記録感度の低下を防ぎ、ディスクの高速回転を維持す
るものである。
れて1漠厚が・1〈形成されることにより熱拡散を利用
して再生時の温1度上昇を抑え、大きな再生パワーによ
る信号再生を可能とし、装置設計の限界を与える信号出
力を最大限得ると共に、第1の保護膜が外周部に行くに
つれて膜厚が薄く形成されることにより熱拡散を防止し
、記録感度の低下を防ぎ、ディスクの高速回転を維持す
るものである。
これにより、従来の光磁気ディスクと比較し、データの
転送速度の低下を招くことなく、記録密度を向上させ、
ディスク1枚幽之りの記録容量を増加させるものである
。
転送速度の低下を招くことなく、記録密度を向上させ、
ディスク1枚幽之りの記録容量を増加させるものである
。
実施例
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。第1図は、本発明の一実施例による光磁気ディ
スクの構造と第1の保護膜の膜厚分布との対応を示す図
である。第1図において、11はプラスチックあるいは
ガラスの基板、12は第1の保護薄膜、13は磁性体薄
膜、14は第2の保護膜である。円盤状の基板11上に
基板の内周部から外周部に向かって連続的に膜厚が減少
するように第1の保護膜12を形成する。この第1の保
護膜12の上に厚みの均一な磁性体薄膜13、第2の保
護膜14を順に積層する。
明する。第1図は、本発明の一実施例による光磁気ディ
スクの構造と第1の保護膜の膜厚分布との対応を示す図
である。第1図において、11はプラスチックあるいは
ガラスの基板、12は第1の保護薄膜、13は磁性体薄
膜、14は第2の保護膜である。円盤状の基板11上に
基板の内周部から外周部に向かって連続的に膜厚が減少
するように第1の保護膜12を形成する。この第1の保
護膜12の上に厚みの均一な磁性体薄膜13、第2の保
護膜14を順に積層する。
本実施例の光磁気ディスクは直径130Wtttφであ
り、半径30Mから半径60!ffまでが記録再生にさ
れる。この記録再生に使用される領域の厚内周部での第
1の保護膜12の厚みは200OAであり、最外周部で
の膜厚は500Aである。
り、半径30Mから半径60!ffまでが記録再生にさ
れる。この記録再生に使用される領域の厚内周部での第
1の保護膜12の厚みは200OAであり、最外周部で
の膜厚は500Aである。
次に本実施例の光磁気ディスクの作製方法について述べ
る。第2図は第1の保護膜の作製装置の構成図を示す。
る。第2図は第1の保護膜の作製装置の構成図を示す。
第2図において、21は基板ホルダー、22はプラスチ
ックあるいはガラスからなる基板、23はMg0x、
5iOyを蒸発させる蒸発源、24は膜厚補正板である
。まず、第2図に示される電子ビーム蒸発源を装備した
蒸着装置を用いて第1の保護膜であるMg0x、 5i
Oy (o<x<1 、 O(Y<2 )を製膜する。
ックあるいはガラスからなる基板、23はMg0x、
5iOyを蒸発させる蒸発源、24は膜厚補正板である
。まず、第2図に示される電子ビーム蒸発源を装備した
蒸着装置を用いて第1の保護膜であるMg0x、 5i
Oy (o<x<1 、 O(Y<2 )を製膜する。
最初2 X 10 Torrまで排気し念後、基板ホ
ルダ21に装着され之直径13QM’lφの基板22を
6 Orpmにて回転させながら蒸発源23からMg0
x、S工07を蒸着する。このとき、所望の膜厚分布を
得るために、膜厚補正板24を蒸発源23と基板22と
の間に配する。その上に、蒸着装置、あるいはスパッタ
装置を用いて、磁性体薄膜であるGdTbFeを800
ム、第2の保護膜であるMg0x 、 5iOyをeo
oム形成する。
ルダ21に装着され之直径13QM’lφの基板22を
6 Orpmにて回転させながら蒸発源23からMg0
x、S工07を蒸着する。このとき、所望の膜厚分布を
得るために、膜厚補正板24を蒸発源23と基板22と
の間に配する。その上に、蒸着装置、あるいはスパッタ
装置を用いて、磁性体薄膜であるGdTbFeを800
ム、第2の保護膜であるMg0x 、 5iOyをeo
oム形成する。
これらの構成からなる製膜装置によりMg0x 。
5iOyを製膜すれば、第1図に示される膜厚分布を有
する保護膜が得られる。なお、製膜速度は、膜厚補正板
24の効果で、内周部1oA/sec。
する保護膜が得られる。なお、製膜速度は、膜厚補正板
24の効果で、内周部1oA/sec。
外周部0.2ム/sea以下となる。
次に本実施例の光磁気ディスクの記録再生特性を第3図
に示す。第3図aは本実施す]の特性図、第3図すは従
来構成の特性図を示すものである。記録は3000 r
pH1でディスクを回転させながら、4.5MHz
の信号を記録した。したがって記録ドメイン長は最内周
部が従来の1.0μmより短い0.8μm、最外周部が
2.0μmとなっている。
に示す。第3図aは本実施す]の特性図、第3図すは従
来構成の特性図を示すものである。記録は3000 r
pH1でディスクを回転させながら、4.5MHz
の信号を記録した。したがって記録ドメイン長は最内周
部が従来の1.0μmより短い0.8μm、最外周部が
2.0μmとなっている。
従来構造では最内周部の信号対雑音比(C/N )は6
0.0 (iB であったが、本実施例では外周部の記
録感度低下を招くことなく信号対雑音比(C/N )5
2.0 dB を得ることができる。
0.0 (iB であったが、本実施例では外周部の記
録感度低下を招くことなく信号対雑音比(C/N )5
2.0 dB を得ることができる。
尚、第3図において実線Aは記録レーザパワーを、点線
Bは信号対雑音比を示している。
Bは信号対雑音比を示している。
なお、本実施例では第1の保護膜をMg0x、 5iO
yとしたが5102でもよい。5i02の場合には内周
部の膜厚を300OAとする。また、本実施例では、磁
性体膜として(1,dTbFeを用い念が他の光磁気磁
性体でもよい。
yとしたが5102でもよい。5i02の場合には内周
部の膜厚を300OAとする。また、本実施例では、磁
性体膜として(1,dTbFeを用い念が他の光磁気磁
性体でもよい。
また、本実施例では、基板にプラスチ、り、ガラスを用
いたが、金属などの基板でもよい。
いたが、金属などの基板でもよい。
発明の効果
本発明は、基板上に膜厚が内周部から外周部に行くにつ
れて減少され之第1の保護膜が形成され、その上に磁性
体薄膜、第2の保護膜が積層されているので外周部にお
ける記録感度の低下を招くことなく、内周部の信号対雑
音比を2dB向上させ、その結果、最短記録ドメイン長
と1μmから0・8μmに短かくすることができ、ディ
スク1枚あたりの記録容量を25%増加させることがで
きる。
れて減少され之第1の保護膜が形成され、その上に磁性
体薄膜、第2の保護膜が積層されているので外周部にお
ける記録感度の低下を招くことなく、内周部の信号対雑
音比を2dB向上させ、その結果、最短記録ドメイン長
と1μmから0・8μmに短かくすることができ、ディ
スク1枚あたりの記録容量を25%増加させることがで
きる。
第1図は本発明の一実施例における光磁気ディスクの構
造と膜厚分布との対応図、第2図:・笠本宛明の光磁気
ディスクを実現するための保護膜作表装置の構成図、第
3図は不発明の一実施例における記録再生特性図である
。 11・・・・・基板、12・・・・・・第1の保護薄膜
、13・・・・・・磁性体薄膜、14・・・・・・第2
の保護薄膜、21−・・・・基板ホルダ、22・・−・
・・基板、23・・山・蒸発源、24・・・・・・膜厚
補正板。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名寸 q 沙 ぐ1 法 8 と螢萩群彌吐℃ 、=迭!ツ“トー°ぐい−普 二)
造と膜厚分布との対応図、第2図:・笠本宛明の光磁気
ディスクを実現するための保護膜作表装置の構成図、第
3図は不発明の一実施例における記録再生特性図である
。 11・・・・・基板、12・・・・・・第1の保護薄膜
、13・・・・・・磁性体薄膜、14・・・・・・第2
の保護薄膜、21−・・・・基板ホルダ、22・・−・
・・基板、23・・山・蒸発源、24・・・・・・膜厚
補正板。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名寸 q 沙 ぐ1 法 8 と螢萩群彌吐℃ 、=迭!ツ“トー°ぐい−普 二)
Claims (1)
- 一定の角速度で回転される円盤状の基板上に、第1の保
護薄膜、磁性体薄膜、第2の保護薄膜が、この順に積層
され、前記第1の保護薄膜は、少くとも記録再生に使用
される領域内で、内周部から外周部にいくに従って減少
する膜厚を有しているものであることを特徴とする光磁
気ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61164106A JPS6320744A (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | 光磁気デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61164106A JPS6320744A (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | 光磁気デイスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6320744A true JPS6320744A (ja) | 1988-01-28 |
Family
ID=15786872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61164106A Pending JPS6320744A (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | 光磁気デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6320744A (ja) |
-
1986
- 1986-07-11 JP JP61164106A patent/JPS6320744A/ja active Pending
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