JPH02228085A - レーザ回路及びその制御方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はに一ザ放射発信源に関し、特にレーザ制御の方
法及び装置に関する。

半導体レーザには２つの明確な動作領域がある。

電流が小さい時には、光出力りの入力電流１曲線に対す
る比η１が小さく、レーザの帯域幅も小さい。入力電流
Ｉが増加してしきい値電流（Ｉ　ｔｈ）に到達すると、
装置はレーザモードとなり、このモードにおける比η２
はηｌよりもはるかに太き（なる。しきい値を超えると
、レーザの帯域幅は非常に大きくなり得る。ディジタル
技術からみれば、Ｌ−１曲線上の２つの最重要動作点τ
よ゛論理０及び論理１の光出力レベルＬ。及びＬｌであ
る。

光通信の場合は、ピーク出力レベルＬ１と「消光比」　
（ε−Ｌ１／Ｌｏ）を制御し、レーザの切り替え帯域幅
をできるだけ大きくすることが望ましい。

高速アプリケーションでは、帯域幅、ターンオン遅延、
分光純度などの重要要因は、論理０動作点！。のしきい
値電流（Ｉ　ｔｈ）レベルに対する近接度にかかってい
る。これらの高周波数アプリケーションでは、論理０の
動作点の精密な位置設定が重大であり、また低価格のア
プリケーションでは、レーザの冷却が行われないので、
装置の特性、温度、時間の各範囲にわたってレーザバイ
アスと変調電流の両パラメータの正確な制御を可能にす
る何等かの形式のレーザ安定化対策が極めて重要である
。

従来技術による制御回路では、１９８７年７日１４日、
Ｒ，Ｇ、５ｖａｒＬｚｌ付与された米国特許第４．８８
０．８１０号に述べるように、レーザバイアス電流をＩ
ｔｈに近く設定するか、あるいは１９７７年２月２２日
、Ｄ、Ｄ、５ｅ１１に付与された米国特許第４．００９
，３８５号に述べるようにレーザの平均出力レベルを予
め設定されたレベルに保持するなどの手段が講じられて
いる。

特に、５ｅｌｌの特許では単一ループのフィードバック
制御で平均先出力レベルを保持することになっている。

レーザのバイアスは、基準レベルから生ずる信号とレー
ザ光出力から生ずる信号との差に反応して発生する。

別の周知のバイアス方式では、しきい値トラッキングを
使用し、モニタ回路を使って直流バイアス電流をＩｔｈ
に固定する。例えば、前述のＳｖａｒｔｚ特許は、レー
ザを通る電流に対するレーザ両端の電圧の２階または３
階の導関数、すなわちｄ２ｖ／ｄｌ　　またはｄ３■１
ｄ１３、を使って間接にＬ　を制御する安定化技術を開
示している。ｄ２Ｖ／ｄｌ２曲線は２つの最小値を示す
。しきい値電流！ｔｈのときと、低バイアス電流のとき
である。ｄ２Ｖ／ｄｌ２を使用することによってしきい
値電流（Ｉ　ｔｈ）トラッキングが改善されるが、一方
、２つの最小値が存在することによってバイアス電流１
ｏをしきい値電流Ｉｔｈ以下に設定することが困難にな
る。

信頼性のあるレーザのバイアスが常に問題になっている
。特に、高性能を要するアプリケーションとレーザ温度
に対して制御手段がないためレーザパラメータのばらつ
きの範囲が広い低価格のアプリケーションではそうであ
る。そのうえ、アプリケーションによっては、温度や時
間によるＩｔｈだけでなく傾斜η２の変化を制御する必
要が生じる。従来技術手法ではこの両パラメータの変化
に対処できていない。

［発明の概要］ レーザを通る入力端子（Ｉ）に対するレーザの光出力（
Ｌ）の２階導関数ｄ２Ｌ／ｄｌ２を利用して、レーザの
光出力パラメータ（ＬｏｌＬｌ）を制御するレーザのバ
イアスの安定化を図る回路と方法を発見した。ｄ２Ｌ／
ｄｉ２には最小点が１点あるだけなので、制御フィード
バックループで容易に検出して予め定められた値に設定
することができる。

本発明によれば、ｄ２Ｌ／ｄｉ２フィードバックループ
を使用してバイアス電流■ｏをしきい値電流Ｉｔｈに近
接するレベルに安定化させ、さらに第２の平均出力フィ
ードパックループが変調電流！Ｍを制御する。このよう
な２重ループ構成では、論理０の光レベルがしきい値電
流ｌｔｈに対応する値に安定化され、また論理１の光レ
ベルは、温度、劣化などの原因によるレーザ装置パラメ
ータのばらつきをできるだけ少なくするようにプリセッ
トされた平均出力レベルによって制御される。

［実施例］ 第１図はレーザ光度（Ｉｕａｉｎｏｓｉｔｙ）　Ｌをレ
ーザ電流の関数として示したＬ−１曲線、Ｌ−１曲線の
１階導関数（ｄＬ／ｄｌ　）及びＬ−１曲線の２階導関
数（ｄ２Ｌ／ｄｌ２）を各々示すグラフである。レーザ
の基本パラメータはＬ−Ｉ曲線に示されており、１１　
　以下のＬ−１曲線の傾斜η１及びｔｈ’　　　ｔｈ ■　を超えるＬ−１曲線のη２を含んでいる。Ｌｈ −Ｉ曲線の上には代表的な動作点Ｉ。ＳＬｏ及び！　、
Ｌ　も示されるが、ここで！ｌはＩｏ＋１Ｍで、ディジ
タル変調電流信号の振幅となる。

前述したように。ある変調電流（１Ｍ）について消光比
、ε−Ｌ１／Ｌｏが大きくなると、光信号の検出が増大
する。従って、最高の消光比を要するアプリケーション
では下位しきい値バイアスＩＩＩ（第１図のＩ。１参照
）を必要とする。

０１　　　　ｔｈ しかし、最高の動作速度を要するアプリケーションでは
レーザ電流１　はしきい値Ｉｔｈの上になければならな
い。（第１図のＩｏ２参照）レーザの動作温度の上昇に
伴って、レーザの発光しきい値が増大し、傾斜η２は減
少することは周知である。その結果、Ｌ−Ｉ曲線の屈曲
が温度上昇に伴って緩やかになる。良好なレーザ動作を
保証するには、動作条件（レーザの劣化、温度、データ
のデユーティサイクル及びデータ速度の変化）に関わり
なく、バイアス電流をしきい値周辺に保持することが必
要である。従って、レーザのバイアスポイントはＩＯこ
れらのパラメータの変化に伴って自動的に再調整されね
ばならない。Ｉ。の再調整にはレーザの動作パラメータ
の変化量に伴って、しきい値ｌＬｈが容易に検出可能で
あることが必要である。しかし、Ｌ−１曲線の屈曲の鋭
さが動作パラメータによって大幅に変化するので、（ｄ
Ｌ／ｄｌ）はしきい値’ｔｈの変化を検出するのに適し
た特性を有していない。

前述したように、ビットレート、データのデユーティサ
イクル及びレーザの動作温度のばらつきの全てがしきい
値Ｉｔｈの上と下のｄＬ／ｄｌの値の変化に反映し、安
定（Ｉｏ）バイアス動作点の位置設定を不可能でないま
でも困難にする。

しかし、ｄＬ／ｄｉ曲線の傾斜（第１図の８１及びＳ２
参照）がしきい値の上下で０に近接した位置にとどまる
ので、これらのパラメータのばらつきｄ２　Ｌ／ｄｌ２
にはほとんど影響しないことを発見した。ｄ２ＬｌｄＩ
２曲線は、明瞭なピーク（第１図のＰ）をその特徴とし
ていことも発見した。このピークは、しきい値電流（Ｉ
　ｔｈ）の位置と、（レーザによっては）ピークの両側
での鋭い遷移、即ち曲線がしきい値の上下でゼロレベル
近くまで急降下するような遷移を示す。従って、ｄ２Ｌ
／ｄｌ２のピークＰは容易に検出でき、しきい値Ｉｔｈ
の位置を識別できると共に、レーザバイアスの制御に使
用可能である。

さらに、パラメータのばらつきに伴って大幅に変化する
ｄ２Ｌｌｄ１２の唯一の特性はしきい値（ＩＬｈ）での
ピークＰの大きさである。特に、Ｐは温度上昇に伴って
下降する。しかし、ｄ２Ｌ／ｄｌ２が閉ループフィード
バック回路の一部として検出されると、検出されたｄ２
Ｌｌｄ１２ビークの大きさはフィードバック回路のゲイ
ンによって増大される。

従って、フィードバックループのゲインを増大すること
によって、１ｌｌＪ定ピーク値を検出容易な値に調整す
ることができる。さらに、制御理論で周知のように、総
合オーブンループゲインが十分大きければ、その精密値
は重要ではない。従って、ループのフィードバック安定
化動作点（Ｉｏ）に目立つ変化がなく、ピークにおいて
幅の広いばらつきがあっても許容される。それゆえ、ｄ
２Ｌｌｄ１２ビークＰは検出容易で安定した性質を有し
、レーザの１゜バイアスポイントを設定するための基準
として利用可能である。

本発明によれば、電子的なアルゴリズムを利用して、フ
ィードバックループの必要応答時間に比べて短い時間で
ｄ２Ｌ／ｄｉ２特性を正確に測定する。

本発明の観点から、そのアルゴリズムは集積回路の形式
で安価に実現することができる。

これらの条件に適合するアルゴリズムは前述のｓｗａｒ
ｔ２特許で開示されている。しかし、Ｓνａｒｔ２特許
の場合には、このアルゴリズムはレーザバイアス電流に
関するレーザの電圧の導関数（例えばｄ２Ｖ／ｄ＋２）
を発生するのに使用されている。Ｓｗａｒｔ２特許の第
２図に示すように、６２１７６１２曲線にはしきい値電
流（Ｉ　ｔｈ）には空白（ヌル）またはノツチ（Ａ、Ｂ
）があり、下位バイアス電流には曲線（Ｄ）に空白また
はデイツプがある。空白が２つあるために、しきい値電
流Ｉｔｈを検知することがより困難になる。従って、Ｓ
ｗａｒＬ２特許で述べているように（第８欄、第５３−
５７行に）、−射的に単純なフィードバック方式ではｄ
２ｖｌｄ１２だけでレーザの゛バイアスポイントを最適
設定することはできない。本発明では、レーザのバイア
ス電流に関するレーザの光出力の２階導関数（即ちｄ２
Ｌ／ｄｉ　　）がしきい値電流（Ｉ　ｔｈ）で唯一の明
瞭なピーク点を有し、レーザの動作特性（即ち、バイア
スしきい値！。）ピーク光出力し１または変調レベル）
を制御するのに使用可能である、ことを認めている。

第２図の２重ループレーザ安定化回路について説明する
。第１のループは、本発明によってバイアス電流Ｉ　を
制御するのに使用されるｄ２Ｌ／ｄｌ２を決定する手段
を有する。決定手段は、クロック２００、分周器２０１
１加算器２０２、トランスコンダクタンス回路２０３、
インダクタンス２０４、レーザ２０５、光検出器２０６
、ローパスフィルタ２２０、トランスインピーダンス増
幅器２０７、排他的論理和回路２０８、乗算回路２０９
及びローパスフィルタ２１５で構成されている。ｄ２Ｌ
ｌｄＩ２信号は、レーザのバイアス電流１ｏを制御する
フィードバックループの一部としての制御回路（２１５
，２１８，２１７，２１８，２１９）によって発生され
使用される。

ｄ２Ｌｌｄ１２バイアス電流ループは、試験電流■　、
ゼネレータ構成部分２００−２０３　、インダクタ２０
４、レーザ２０５　、光検出器２０Ｂ、ローパスフィル
タ２２０、増幅器２０７及びバイアス電流制御回路２０
８．２０９．２１５−２１９で構成される。

第２のフィードバックループはレーザ２０５の平均出力
を使用してレーザ変調電流ＩＭを設定し制御する。第２
のフィードバックループは図に示すように、レーザ２０
５、光検出器２０６、ローパスフィルタ２２０、増幅器
２０７、変調電流制御囲路２１〇−２１４で構成される
。

本実施例の動作の詳細を述べる前に、第１図と第２図を
参照して回路の一般動作を説明する。第２図に示す本実
施例では、前述したように、ｄ２Ｌ／ｄ　］　　特性を
使用してバイアス電流Ｉ。（第１図参照）を制御し、平
均出力ループを使用して変調電流Ｉ。を制御する。（第
２図の）基７１！電圧Ｖ１とＶ３がバイアス電流■　を
設定する。Ｉｏ定定常 型流は基準電圧Ｖ１とｖ３の差（即ち、Ｖ３−Ｖｌ）に
比例する。ｔ−０（即ち、電源投入時）の初期バイアス
電流■。は基準電圧ｖ３に比例する。

基準電圧ＶｔとＶ３は独立なので、初期電流と定常電流
はそれぞれ別個に設定される。

第２図の本実施例では、増幅器２１ｇのゲインと基準電
圧Ｖ３を設定することによって、レーザ２０５はしきい
値Ｉｔｈの上か下のどちらかにバイアスされうる。電源
が回路に最初に投入される時の下位しきい値バイアスモ
ードでは、バイアス電流■。はゼロから開始し、第１図
に示すようにｄ２Ｌｌｄ１２のピーク値の直下のｌ。ま
で増加する。この下位しきい値バイアスモードでは、増
幅器２１８のゲインは＋１に、基準電圧ｖ３は０に、基
準電圧Ｖｔは０未満にそれぞれ設定される。

上位しきい値バイアスモードは、増幅器２１８のゲイン
を反転すると共に、Ｖ３をゼロを超える値にすることに
よって設定される。この上位しきい値モードでは、電源
投入時バイアス電流はＩｔｈを超える電流から開始し、
ｄ２ＬｌｄＩ２のピーク値が１　に近くなるまで下降す
る。バイアス電流Ｉ。

をＩ　から！。２のどちらかで安定するように設定ｌ できるので、第２図に示すレーザバイアス安定化回路を
帯域幅（ｌｏ２）または消光比（Ｉｏｌ）のそれぞれに
対して最適化することができる。

別の実施例（図示せず）では、基準電圧Ｖｌを別のロー
パスフィルタ２１５の次に置き、比較器２１６の正の入
力としての基準電圧ｖ３と結合することもできる。

バイアス電流１ｏの設定後は、変調電流ループがｔ３の
とき（第２図の２１３参照）イネーブルされる。変調電
流■。はレーザ２０５の所望の平均動作出力に到達する
まで上昇する。平均レーザ動作出力は変調電流ＩＭを制
御する比較器２１１の電圧ｖ２を使用して設定される。

第２図の本実施例では、ｄ２　Ｌ／ｄｌ２ループの時定
数（Ｔｌ　−ＲｌｘＣｌ）は平均出力ループの時定数（
Ｔ２−Ｒ２ｘＣ２＞よりも短い。従って、動作条件に変
化が生じると、回路は先ずバイアス電流！。を安定化し
、次に変調電流■。を調整する。

第２図において、バイアス電流１ｏを制御するｄ　　Ｌ
／ｄｌ　　ループと変調電流■。を制御する平均出力ル
ープとを使用する２重ループレーザ安定化回路の詳細を
本発明に従って説明する。５ｖａｒｔ２特許の第５図に
類似する回路を用いて、回路２００−２０３で試験電流
（Ｉｔ）を発生させる。発振器またはクロック２００を
用いて、５０％デユーティサイクルの周波数ｆ１でクロ
ック信号を発生する。ディジタル分周回路２０１はクロ
ック信号ｆ１を分周して信号ｆ２を発生する。別の発振
回路を使ってｆ２を発生することもできる。ディジタル
信号ｆ１とｆ２は加算器２０２でアナログ合計され、出
力電圧はトランスコンダクタンス回路２０３によって試
験電流（１）に変換される。試験電流■１はインダクタ
２０４を経由してレーザ２０５に投入される。

インダクタは通常、低周波のトランスコンダクタンス増
幅器２０３．２１７を高周波変調器２１４から分離する
のに使用される。最適設計では省略可能である。

レーザ２０５からの光出力はモニタ用光検出器２０６に
結合される（ｃｏｕｐｌｅｄ）。光検出器２０Ｂはレー
ザ２０５からの光をモニタし、レーザ２０５からの瞬時
光出力に比例する電流■　を出力する。ロー３スフィル
タ２２０は増幅器２０７の飽和を避けるために、高周波
データ変調信号を除去する。本発明では、光検出器２０
Ｂのフィルタされた出力電流！。

は第１（平均出力）及び第２　（ｄ２Ｌ／ｄｌ２）の２
重フィードバックループの両方で使用される。トランス
インピーダンス増幅器２０７は光検出器２０６からのフ
ィルタされた光電流■　を電圧Ｖ　に変ｐ　　　　　　
　　ｐ 換する。

排他的論理回路２０８を使って、ディジタル信号ｆ１と
ｆ２から部分積φＮを生成する。２重平衡混合器または
乗算器２０９を使用して、検出された光電流１ｐに比例
する電圧ＶｐをφＮとアナログ乗算する。混合器２０９
の出力は加算回路２１９によって基準電圧ｖ１に加算さ
れる。合計出力は増幅器２１８によってバッファされて
から、時定数Ｔｌ−ＲｌｘＣｌのローパスフィルタ２１
５を通される。回路２００−２０９．２１５．２１ｇ−
２２０に関連するこれらの手順によって、ローパスフィ
ルタ２１５の出力として２階導関数ｄ２Ｌ／ｄｌ２信号
が発生する。フィルタ２１５はフィールドバック制御ル
ープを安定化する信号路に基本ボールも設定する。

２階導関数ｄ２Ｌｌｄ１２信号は比較器２１６によって
基準信号ｖ３と比較される。フィードバックループはレ
ーザのバイアス電流！。を調整し、検出されたｄ２Ｌノ
ｄ１２の値がしきい値直下のバイアス（Ｉｏｌ）または
直上のバイアス（Ｉｏ２）のどちらかに一致するように
する。■　またはＩＯ２の選択ｌ は、バッファ増幅器２１８のゲインの極性によって、及
び基準電圧ｖ３によって制御され、その結果回路への電
源投入時のバイアス電流の値が決定される。

本発明に別の態様によれば、２重フィールドパックルー
プ間の干渉を防止する回路が設けられている。この回路
に最初に電源が投入されると、バイアス電流を設定する
ｄ２Ｌ／ｄｌ２ループは、データ変調電流がＩＮ入力さ
れる前に、Ｉｏｌまたは！。２のしきい値近くで先ず安
定化されうる。これが必要なのはデータ変調電流ＩＭが
１゜−１ｏ１−ＩＸのバイアス電流で下位しきい値ピー
クの誤りを発生させることがあり、これが初期しきい値
ロッキングを不能にするからである。１−０で電源がｄ
２Ｌ／ｄｌ２ループに投入される一方で、回路２１３は
（平均出力）変調電流■８ループを無効にしておく。ｄ
２Ｌｌｄ１２ループが直流バイアス電流■を設定するの
に十分な時間（ｔ−７３）が経過すると、回路２１３は
平均出力フィードパックループを動作可能にする。平均
出力フィ−ドバックループは適切な平均出力が得られる
までＩＭを調整する（第１図）。その間、ｄ２Ｌ／ｄ＋
２ループは直流バイアスＩｏをしきい値に保持する。

上記の平均出力フィードパックループの動作によってレ
ーザ２０５の変調電流ＩＮを調整し、その結果、レーザ
の温度、データ信号などの変動に対して最適の変調電流
！８を設定する。

第２フイードバツクループは光電流Ｉ　の平均値を測定
する。電圧Ｖ　は検出された光電流Ｉｐに比例し、時定
数Ｔ２−　Ｒ２ｘＣ２のフィルタ２１０でフィルタされ
る。フィルタ２１０はｌｔに比例する低周波試験信号を
排除し、また平均出力フィードパックループの安定性を
保証する。フィルタ２１０の出力はレーザ２０５の平均
出力に比例する。比較器２１１はフィルタされた電圧Ｖ
　を基準電圧ｖ２と比較する。比較器２１１の出力はト
ランスコンダクタンス回路２１２によって電流ＩＭに変
換される。

基準電圧ｖ２はその直流レベルがデータ信号２３０のデ
ユーティサイクルに比例して変化するようにデユーティ
サイクル補償がなされる。第１図に示すように、基準電
圧Ｖ２を使用して変調電流ＩＮをＬｌの光出力のピーク
値に一致する値に設定する。従って、レーザ電流は論理
ゼロのデータ信号に対してはＩｏであり、論理１のデー
タ信号に対してはｌＱ＋ＩＭとなる。

ｄ２　Ｌ／ｄｌ２と平均出力ループとの干渉を防止する
ために、■　ループ（ｄ２Ｌ／ｄｌ２ループ）の時定数
Ｔ１が１Ｍループ（平均出力ループ）の時定数Ｔ２より
もはるかに小さくする必要がある。

本発明のアナログ回路及びディジタル回路はシリコンバ
イポーラ技術またはＦＥＴ技術と非シリコン技術（例え
ばガリュウムひ素ＦＥＴまたはバイポーラ）による周知
の離散回路または集積回路を使用して実現することがで
きる。

上記の記述は本発明の原理の実施例を具体的に説明した
ものであって、他にも各種の機器や回路を本発明の精神
及び範囲を逸脱することなく、この技術に精通する当業
者によって実現可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、レーザ電流（１）の関数としてのレーザ光度
、Ｌ−Ｉ曲線の１階導関数（ｄＬ／ｄｌ）、及びＬ−１
曲線の２階導関数（ｄ２Ｌ／ｄｌ２＞の各々を示すグラ
フ； 第２図は、バイアス電流及び変調電流を制御するために
本発明を組込んだ２重ループレーザ安定回路の一例を示
すブロック図である。 出 願 人：アメリカン テレフォン アンド

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. （１）レーザを通る電流に関する前記レーザからの光出
   力の２階導関数（ｄ＾２Ｌ／ｄｌ＾２）の関数である２
   階導関数信号を決定する手段と； 前記２階導関数信号に応答して、予め定められたレベル
   の前記２階導関数信号をもたらすレーザバイアス電流を
   設定する制御手段と； を有することを特徴とするレーザ回路。
2. （２）前記制御手段が； 前記２階導関数信号と基準信号とを比較して前記バイア
   ス電流を設定する比較手段を有し、前記基準信号の初期
   レベル及び最終レベルが別個に設定されるように前記基
   準信号が経時変化することを特徴とする請求項１に記載
   のレーザ回路。
3. （３）前記初期基準信号レベルによって、起動時の初期
   レーザバイアス電流が前記レーザのしきい値電流を超え
   ることが保証されることを特徴とする請求項２に記載の
   レーザ回路。
4. （４）前記初期基準信号レベルによって、起動時の初期
   レーザバイアス電流が前記レーザのしきい値電流以下で
   あることが保証されることを特徴とする請求項２に記載
   のレーザ回路。
5. （５）前記光出力に反応して、レーザを通る変調電流を
   制御して前記レーザの平均出力を予め定められたレベル
   に設定するフィードバック手段をさらに有することを特
   徴とする請求項１に記載のレーザ回路。
6. （６）前記フィードバック手段は； 前記光出力を基準信号と比較し、かつ前記比較結果に従
   って前記変調電流を調整する第２の手段を含むことを特
   徴とする請求項５に記載のレーザ回路。
7. （７）前記基準信号が前記レーザへの入力データ信号の
   デューティィクルに比例することを特徴とする請求項６
   に記載のレーザ回路。
8. （８）前記決定手段は； 試験電流を前記バイアス電流と合体させる手段前記レー
   ザからの光出力に比例する光の信号を発生する検出手段
   と； 第１及び第２周波数の信号の和に比例する前記試験電流
   を発生する試験電流発生手段と； 前記第１及び第２周波数の信号の積に比例する積信号を
   発生する積信号発生手段と； 前記光信号と前記積信号を混合する信号混合手段と； 前記混合手段の出力をフィルタリングして前記２階導関
   数信号を生成するローパスフィルタ手段と； を含むことを特徴とする請求項１に記載のレーザ回路。
9. （９）バイアス電流を前記レーザに印加した後、予め定
   められた時間、変調電流を前記バイアス電流との合体を
   不能にする（ｄｉｓａｂｌｉｎｇ）手段をさらに有する
   ことを特徴とする請求項１に記載のレーザ回路。
10. （１０）前記決定手段及び前記制御手段は、前記アス電
    流を安定化するバイアス電流フィールドバックループ手
    段を形成することを特徴とする請求項１に記載のレーザ
    回路。
11. （１１）レーザを通る電流に関する前記レーザからの光
    出力の２階導関数（ｄ＾２Ｌ／ｄｌ＾２）の関数である
    ２階導関数信号を決定するステップと； 前記２階導関数信号に応答して、予め定められたレベル
    を有する前記２階導関数信号をもたらすレーザバイアス
    電流を設定するステップと；を有することを特徴とする
    レーザ回路の制御方法。
12. （１２）フィードバック手段によって前記レーザを通る
    変調電流を制御し、前記レーザの平均出力を予め定めら
    れたレベルに保持するステップを有することを特徴とす
    る請求項１１に記載のレーザ回路の制御方法。