JPH07109917B2 - レーザ回路及びその制御方法 - Google Patents
レーザ回路及びその制御方法Info
- Publication number
- JPH07109917B2 JPH07109917B2 JP1345132A JP34513289A JPH07109917B2 JP H07109917 B2 JPH07109917 B2 JP H07109917B2 JP 1345132 A JP1345132 A JP 1345132A JP 34513289 A JP34513289 A JP 34513289A JP H07109917 B2 JPH07109917 B2 JP H07109917B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- current
- signal
- bias current
- derivative
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 19
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 4
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 3
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 3
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010420 art technique Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000960 laser cooling Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/06832—Stabilising during amplitude modulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06812—Stabilisation of laser output parameters by monitoring or fixing the threshold current or other specific points of the L-I or V-I characteristics
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はレーザ放射発信源に関し、特にレーザ制御の方
法及び装置に関する。
法及び装置に関する。
半導体レーザには２つの明確な動作領域がある。電流が
小さい時には、光出力Ｌの入力電源Ｉ曲線に対する比η
１が小さく、レーザの帯域幅も小さい。入力電流Ｉが増
加してしきい値電流（Ith）に到達すると、装置はレー
ザモードとなり、このモードにおける比η２はη１より
もはるかに大きくなる。しきい値を超えると、レーザの
帯域幅は非常に大きくなり得る。ディジタル技術からみ
れば、Ｌ−Ｉ曲線上の２つの最重要動作点は理論０及び
理論１の光出力レベルL0及びL1である。光通信の場合
は、ピーク出力レベルL1と「消光比」（ε＝L1/L0）を
制御し、レーザの切り替え帯域幅をできるだけ大きくす
ることが望ましい。
小さい時には、光出力Ｌの入力電源Ｉ曲線に対する比η
１が小さく、レーザの帯域幅も小さい。入力電流Ｉが増
加してしきい値電流（Ith）に到達すると、装置はレー
ザモードとなり、このモードにおける比η２はη１より
もはるかに大きくなる。しきい値を超えると、レーザの
帯域幅は非常に大きくなり得る。ディジタル技術からみ
れば、Ｌ−Ｉ曲線上の２つの最重要動作点は理論０及び
理論１の光出力レベルL0及びL1である。光通信の場合
は、ピーク出力レベルL1と「消光比」（ε＝L1/L0）を
制御し、レーザの切り替え帯域幅をできるだけ大きくす
ることが望ましい。
高速アプリケーションでは、帯域幅、ターンオン遅延、
分光純度などの重要要因は、論理０動作点I0のしきい値
電流（Ith）レベルに対する近接度にかかっている。こ
れらの高周波数アプリケーションでは、論理０の動作点
の精密な位置設定が重大であり、また低価格のアプリケ
ーションでは、レーザの冷却が行われないので、装置の
特性、温度、時間の各範囲にわたってレーザバイアスと
変調電流の両パラメータの正確な制御を可能にする何等
かの形式のレーザ安定化対策が極めて重要である。
分光純度などの重要要因は、論理０動作点I0のしきい値
電流（Ith）レベルに対する近接度にかかっている。こ
れらの高周波数アプリケーションでは、論理０の動作点
の精密な位置設定が重大であり、また低価格のアプリケ
ーションでは、レーザの冷却が行われないので、装置の
特性、温度、時間の各範囲にわたってレーザバイアスと
変調電流の両パラメータの正確な制御を可能にする何等
かの形式のレーザ安定化対策が極めて重要である。
従来技術による制御回路では1987年 7月14日、R.G.Swar
tzi付与された米国特許第4,680,810号に述べるように、
レーザバイアス電流をIthに近く設定するか、あるいは1
977年 2月22日、D.D.Se11に付与された米国特許第4,00
9,385号に述べるようにレーザの平均出力レベルを予め
設定されたレベルに保持するなどの手段が講じられてい
る。
tzi付与された米国特許第4,680,810号に述べるように、
レーザバイアス電流をIthに近く設定するか、あるいは1
977年 2月22日、D.D.Se11に付与された米国特許第4,00
9,385号に述べるようにレーザの平均出力レベルを予め
設定されたレベルに保持するなどの手段が講じられてい
る。
特に、Sellの特許では単一ループのフィードバック制御
で平均光出力レベルを保持することになっている。レー
ザのバイアスは、基準レベルから生ずる信号とレーザ光
出力から生ずる信号との差に反応して発生する。
で平均光出力レベルを保持することになっている。レー
ザのバイアスは、基準レベルから生ずる信号とレーザ光
出力から生ずる信号との差に反応して発生する。
別の周知のバイアス方式では、しきい値トラッキングを
使用し、モニタ回路を使って直流バイアス電流をIthに
固定する。例えば、前述のSwartz特許は、レーザを通る
電流に対するレーザ両端の電圧の２階または３階の導関
数、すなわちd2V/dI2またはd3V/dI3、を使って間接にL0
を制御する安定化技術を開示している。d2V/dI2曲線は
２つの最小値を示す。しきい値電流Ithのときと、低バ
イアス電流のときである。d2V/dI2を使用することによ
ってしきい値電流（Ith）トラッキングが改善される
が、一方、２つの最小値が存在することによってバイア
ス電流I0をしきい値電流Ith以下に設定することが困難
になる。
使用し、モニタ回路を使って直流バイアス電流をIthに
固定する。例えば、前述のSwartz特許は、レーザを通る
電流に対するレーザ両端の電圧の２階または３階の導関
数、すなわちd2V/dI2またはd3V/dI3、を使って間接にL0
を制御する安定化技術を開示している。d2V/dI2曲線は
２つの最小値を示す。しきい値電流Ithのときと、低バ
イアス電流のときである。d2V/dI2を使用することによ
ってしきい値電流（Ith）トラッキングが改善される
が、一方、２つの最小値が存在することによってバイア
ス電流I0をしきい値電流Ith以下に設定することが困難
になる。
信頼性のあるレーザのバイアスが常に問題になってい
る。特に、高性能を要するアプリケーションとレーザ温
度に対して制御手段がないためレーザパラメータのばら
つきの範囲が広い低価格のアプリケーションではそうで
ある。そのうえ、アプリケーションによっては、温度や
時間によるIthだけでなく傾斜η２の変化を制御する必
要が生じる。従来技術手法ではこの両パラメータの変化
に対処できていない。
る。特に、高性能を要するアプリケーションとレーザ温
度に対して制御手段がないためレーザパラメータのばら
つきの範囲が広い低価格のアプリケーションではそうで
ある。そのうえ、アプリケーションによっては、温度や
時間によるIthだけでなく傾斜η２の変化を制御する必
要が生じる。従来技術手法ではこの両パラメータの変化
に対処できていない。
［発明の概要］ レーザを通る入力電流（Ｉ）に対するレーザの光出力
（Ｌ）の２階導関数d2L/dI2を利用して、レーザの光出
力パラメータ（L0、L1）を制御するレーザのバイアスの
安定化を図る回路と方法を発見した。d2L/dI2には最小
点が１点あるだけなので、制御フィードバックループで
容易に検出して予め定められた値に設定することができ
る。
（Ｌ）の２階導関数d2L/dI2を利用して、レーザの光出
力パラメータ（L0、L1）を制御するレーザのバイアスの
安定化を図る回路と方法を発見した。d2L/dI2には最小
点が１点あるだけなので、制御フィードバックループで
容易に検出して予め定められた値に設定することができ
る。
本発明によれば、d2L/dI2フィードバックループを使用
してバイアス電流I0をしきい値電流Ithに近接するレベ
ルに安定化させ、さらに第２の平均出力フィードバック
ループが変調電流IMを制御する。このような２重ループ
構成では、論理０の光レベルがしきい値電流Ithに対応
する値に安定化され、また論理１の光レベルは、温度、
劣化などの原因によるレーザ装置パラメータのばらつき
をできるだけ少なくするようにプリセットされた平均出
力レベルによって制御される。
してバイアス電流I0をしきい値電流Ithに近接するレベ
ルに安定化させ、さらに第２の平均出力フィードバック
ループが変調電流IMを制御する。このような２重ループ
構成では、論理０の光レベルがしきい値電流Ithに対応
する値に安定化され、また論理１の光レベルは、温度、
劣化などの原因によるレーザ装置パラメータのばらつき
をできるだけ少なくするようにプリセットされた平均出
力レベルによって制御される。
［実施例］ 第１図はレーザ光度（luminosity）Ｌをレーザ電流の関
数として示したＬ−Ｉ曲線、Ｌ−Ｉ曲線の１階導関数
（dL/dI）及びＬ−Ｉ曲線の２階導関数（d2L/dI2）を各
々示すグラフである。レーザの基本パラメータはＬ−Ｉ
曲線に示されており、Ith、Ith以下のＬ−Ｉ曲線の傾斜
η１及びIthを超えるＬ−Ｉ曲線のη２を含んでいる。
Ｌ−Ｉ曲線の上には代表的な動作点I0、L0及びI1、L1も
示されるが、ここでI1はI0＋IMで、ディジタル変調電流
信号の振幅となる。
数として示したＬ−Ｉ曲線、Ｌ−Ｉ曲線の１階導関数
（dL/dI）及びＬ−Ｉ曲線の２階導関数（d2L/dI2）を各
々示すグラフである。レーザの基本パラメータはＬ−Ｉ
曲線に示されており、Ith、Ith以下のＬ−Ｉ曲線の傾斜
η１及びIthを超えるＬ−Ｉ曲線のη２を含んでいる。
Ｌ−Ｉ曲線の上には代表的な動作点I0、L0及びI1、L1も
示されるが、ここでI1はI0＋IMで、ディジタル変調電流
信号の振幅となる。
前述したように、ある変調電流（IM）について消光比、
ε＝L1/L0が大きくなると、光信号の検出が増大する。
従って、最高の消光比を要するアプリケーションでは下
位しきい値バイアスI01＜Ith（第１図のI01参照）を必
要とする。しかし、最高の動作速度を要するアプリケー
ションではレーザ電流I02はしきい値Ithの上になければ
ならない。（第１図のI02参照） レーザの動作温度の上昇に伴って、レーザの発光しきい
値が増大し、傾斜η２は減少することは周知である。そ
の結果、Ｌ−Ｉ曲線は屈曲が温度上昇に伴って緩やかに
なる。良好なレーザ動作を保証するためには、動作条件
（レーザの劣化、温度、データのデューティサイクル及
びデータ速度の変化）に関わりなく、バイアス電流をし
きい値周辺に保持することが必要である。従って、レー
ザのバイアスポイントはI0これらのパラメータの変化に
伴って自動的に再調整されねばならない。I0の再調整に
はレーザの動作パラメータの変化量に伴って、しきい値
Ithが容易に検出可能であることが必要である。しか
し、Ｌ−Ｉ曲線の屈曲の鋭さが動作パラメータによって
大幅に変化するので、（dL/dI）はしきい値Ithの変化を
検出するのに適した特性を有していない。
ε＝L1/L0が大きくなると、光信号の検出が増大する。
従って、最高の消光比を要するアプリケーションでは下
位しきい値バイアスI01＜Ith（第１図のI01参照）を必
要とする。しかし、最高の動作速度を要するアプリケー
ションではレーザ電流I02はしきい値Ithの上になければ
ならない。（第１図のI02参照） レーザの動作温度の上昇に伴って、レーザの発光しきい
値が増大し、傾斜η２は減少することは周知である。そ
の結果、Ｌ−Ｉ曲線は屈曲が温度上昇に伴って緩やかに
なる。良好なレーザ動作を保証するためには、動作条件
（レーザの劣化、温度、データのデューティサイクル及
びデータ速度の変化）に関わりなく、バイアス電流をし
きい値周辺に保持することが必要である。従って、レー
ザのバイアスポイントはI0これらのパラメータの変化に
伴って自動的に再調整されねばならない。I0の再調整に
はレーザの動作パラメータの変化量に伴って、しきい値
Ithが容易に検出可能であることが必要である。しか
し、Ｌ−Ｉ曲線の屈曲の鋭さが動作パラメータによって
大幅に変化するので、（dL/dI）はしきい値Ithの変化を
検出するのに適した特性を有していない。
前述したように、ビットレート、データのデューティサ
イクル及びレーザの動作温度のばらつきの全てがしきい
値Ithの上と下のdL/dIの値の変化に反映し、安定（I0）
バイアス動作点の位置設定を不可能でないまでも困難に
する。
イクル及びレーザの動作温度のばらつきの全てがしきい
値Ithの上と下のdL/dIの値の変化に反映し、安定（I0）
バイアス動作点の位置設定を不可能でないまでも困難に
する。
しかし、dL/dI曲線の傾斜（第１図のS1及びS2参照）が
しきい値の上下で０に近接した位置にとどまるので、こ
れらのパラメータのばらつきd2L/dI2にはほとんど影響
しないことを発見した。d2L/dI2曲線は、明瞭なピーク
（第１図のＰ）をその特徴としていることも発見した。
このピークは、しきい値電流（Ith）の位置と、（レー
ザによっては）ピークの両側での鋭い遷移、即ち曲線が
しきい値の上下でゼロレベル近くまで急降下するような
遷移を示す。従って、d2L/dI2のピークＰは容易に検出
でき、しきい値Ithの位置を識別できると共に、レーザ
バイアスの制御に使用可能である。
しきい値の上下で０に近接した位置にとどまるので、こ
れらのパラメータのばらつきd2L/dI2にはほとんど影響
しないことを発見した。d2L/dI2曲線は、明瞭なピーク
（第１図のＰ）をその特徴としていることも発見した。
このピークは、しきい値電流（Ith）の位置と、（レー
ザによっては）ピークの両側での鋭い遷移、即ち曲線が
しきい値の上下でゼロレベル近くまで急降下するような
遷移を示す。従って、d2L/dI2のピークＰは容易に検出
でき、しきい値Ithの位置を識別できると共に、レーザ
バイアスの制御に使用可能である。
さらに、パラメータのばらつきに伴って大幅に変化する
d2L/dI2の唯一の特性はしきい値（Ith）でのピークＰの
大きさである。特に、Ｐは温度上昇に伴って下降する。
しかし、d2L/dI2が閉ループフィードバック回路の一部
として検出されると、検出されたd2L/dI2ピークの大き
さはフィードバック回路のゲインによって増大される。
従って、フィードバックループのゲインを増大すること
によって、測定ピーク値を検出容易な値に調整すること
ができる。さらに、制御理論で周知のように、総合オー
プンループゲインが十分大きければ、その精密値は重要
ではない。従って、ループのフィードバック安定化動作
点（I0）に目立つ変化がなく、ピークにおいて幅の広い
ばらつきがあっても許容される。それゆえ、d2L/dI2ピ
ークＰは検出容易で安定した性質を有し、レーザのI0バ
イアスポイントを設定するための基準として利用可能で
ある。
d2L/dI2の唯一の特性はしきい値（Ith）でのピークＰの
大きさである。特に、Ｐは温度上昇に伴って下降する。
しかし、d2L/dI2が閉ループフィードバック回路の一部
として検出されると、検出されたd2L/dI2ピークの大き
さはフィードバック回路のゲインによって増大される。
従って、フィードバックループのゲインを増大すること
によって、測定ピーク値を検出容易な値に調整すること
ができる。さらに、制御理論で周知のように、総合オー
プンループゲインが十分大きければ、その精密値は重要
ではない。従って、ループのフィードバック安定化動作
点（I0）に目立つ変化がなく、ピークにおいて幅の広い
ばらつきがあっても許容される。それゆえ、d2L/dI2ピ
ークＰは検出容易で安定した性質を有し、レーザのI0バ
イアスポイントを設定するための基準として利用可能で
ある。
本発明によれば、電子的なアルゴリスムを利用して、フ
ィードバックループの必要応答時間に比べて短い時間で
d2L/dI2特性を正確に測定する。本発明の観点から、そ
のアルゴリズムは集積回路の形式で安価に実現すること
ができる。
ィードバックループの必要応答時間に比べて短い時間で
d2L/dI2特性を正確に測定する。本発明の観点から、そ
のアルゴリズムは集積回路の形式で安価に実現すること
ができる。
これらの条件に適合するアルゴリズムは前述のSwartz特
許で開示されている。しかし、Swartz特許の場合には、
このアルゴリズムはレーザバイアス電流に関するレーザ
の電圧の導関数（例えばd2L/dI2）を発生するのに使用
されている。Swartz特許の第２図に示すように、d2L/dI
2曲線にはしきい値電流（Ith）には空白（ヌル）または
ノッチ（Ａ、Ｂ）があり、下位バイアス電流には曲線
（Ｄ）に空白またはディップがある。空白が２つあるた
めに、しきい値電流Ithを検知することがより困難にな
る。従って、Swartz特許で述べているように（第８欄、
第53−57行に）、一般的に単純なフィードバック方式で
はd2L/dI2だけでレーザのバイアスポイントを最適設定
することはできない。本発明では、レーザのバイアス電
流に関するレーザの光出力の２階導関数（即ちd2L/d
I2）がしきい値（Ith）で唯一の明瞭なピーク点を有
し、レーザの動作特性（即ち、バイアスしきい値I0）ピ
ーク光出力Ｌ、または変調レベル）を制御するのに使用
可能である、ことを認めている。
許で開示されている。しかし、Swartz特許の場合には、
このアルゴリズムはレーザバイアス電流に関するレーザ
の電圧の導関数（例えばd2L/dI2）を発生するのに使用
されている。Swartz特許の第２図に示すように、d2L/dI
2曲線にはしきい値電流（Ith）には空白（ヌル）または
ノッチ（Ａ、Ｂ）があり、下位バイアス電流には曲線
（Ｄ）に空白またはディップがある。空白が２つあるた
めに、しきい値電流Ithを検知することがより困難にな
る。従って、Swartz特許で述べているように（第８欄、
第53−57行に）、一般的に単純なフィードバック方式で
はd2L/dI2だけでレーザのバイアスポイントを最適設定
することはできない。本発明では、レーザのバイアス電
流に関するレーザの光出力の２階導関数（即ちd2L/d
I2）がしきい値（Ith）で唯一の明瞭なピーク点を有
し、レーザの動作特性（即ち、バイアスしきい値I0）ピ
ーク光出力Ｌ、または変調レベル）を制御するのに使用
可能である、ことを認めている。
第２図の２重ループレーザ安定化回路について説明す
る。第１のループは、本発明によってバイアス電流I0を
制御するのに使用されるd2L/dI2を決定する手段を有す
る。決定手段は、クロック200、分周器201、加算器20
2、トランスコンダクタンス回路203、インダクタンス20
4、レーザ205、光検出器206、ローパスフィルタ220、ト
ランスインピーダンス増幅器207、排他的論理和回路20
8、乗算回路209及びローパスフィルタ215で構成されて
いる。d2L/dI2信号は、レーザのバイアス電流I0を制御
するフィードバックループの一部としての制御回路（21
5、216、217、218、219）によって発生され使用され
る。d2L/dI2バイアス電流ループは、試験電流It、ゼネ
レータ構成部分200−203、インダクタ204、レーザ205、
光検出器206、ローパスフィルタ220、増幅器207及びバ
イアス電流制御回路208、209、215−219で構成される。
る。第１のループは、本発明によってバイアス電流I0を
制御するのに使用されるd2L/dI2を決定する手段を有す
る。決定手段は、クロック200、分周器201、加算器20
2、トランスコンダクタンス回路203、インダクタンス20
4、レーザ205、光検出器206、ローパスフィルタ220、ト
ランスインピーダンス増幅器207、排他的論理和回路20
8、乗算回路209及びローパスフィルタ215で構成されて
いる。d2L/dI2信号は、レーザのバイアス電流I0を制御
するフィードバックループの一部としての制御回路（21
5、216、217、218、219）によって発生され使用され
る。d2L/dI2バイアス電流ループは、試験電流It、ゼネ
レータ構成部分200−203、インダクタ204、レーザ205、
光検出器206、ローパスフィルタ220、増幅器207及びバ
イアス電流制御回路208、209、215−219で構成される。
第２のフィードバックループはレーザ205の平均出力を
使用してレーザ変調電流IM設定し制御する。第２のフィ
ードバックループは図に示すように、レーザ205、光検
出器206、ローパスフィルタ220、増幅器207、変調電流
制御回路210−214で構成される。
使用してレーザ変調電流IM設定し制御する。第２のフィ
ードバックループは図に示すように、レーザ205、光検
出器206、ローパスフィルタ220、増幅器207、変調電流
制御回路210−214で構成される。
本実施例の動作の詳細を述べる前に、第１図と第２図を
参照して回路の一般動作を説明する。第２図に示す本実
施例では、前述したように、d2L/dI2特性を使用してバ
イアス電流I0（第１図参照）を制御し、平均出力ループ
を使用して変調電流IMを制御する。（第２図の）基準電
圧V1とV3がバイアス電流I0を設定する。I0定常電流は基
準電圧V1とV3の差（即ち、V3−V1）に比例する。ｔ＝０
（即ち、電源投入時）の初期バイアス電流I0は基準電圧
V3に比例する。基準電圧V1とV3は独立なので、初期電流
と定常電流はそれぞれ別個に設定される。
参照して回路の一般動作を説明する。第２図に示す本実
施例では、前述したように、d2L/dI2特性を使用してバ
イアス電流I0（第１図参照）を制御し、平均出力ループ
を使用して変調電流IMを制御する。（第２図の）基準電
圧V1とV3がバイアス電流I0を設定する。I0定常電流は基
準電圧V1とV3の差（即ち、V3−V1）に比例する。ｔ＝０
（即ち、電源投入時）の初期バイアス電流I0は基準電圧
V3に比例する。基準電圧V1とV3は独立なので、初期電流
と定常電流はそれぞれ別個に設定される。
第２図の本実施例では、増幅器218のゲインと基準電圧V
3を設定することによって、レーザ205はしきい値Ithの
上か下のどちらかにバイアスされうる。電源が回路に最
初に投入される時の下位しきい値バイアスモードでは、
バイアス電流I0はゼロから開始し、第１図に示すように
d2L/dI2のピーク値の直下のI0まで増加する。この下位
しきい値バイアスモードでは、増幅器218のゲインは＋
１に、基準電圧V3は０に、基準電圧V1は０未満にそれぞ
れ設定される。
3を設定することによって、レーザ205はしきい値Ithの
上か下のどちらかにバイアスされうる。電源が回路に最
初に投入される時の下位しきい値バイアスモードでは、
バイアス電流I0はゼロから開始し、第１図に示すように
d2L/dI2のピーク値の直下のI0まで増加する。この下位
しきい値バイアスモードでは、増幅器218のゲインは＋
１に、基準電圧V3は０に、基準電圧V1は０未満にそれぞ
れ設定される。
上位しきい値バイアスモードは、増幅器218のゲインを
反転すると共に、V3をゼロを超える値にすることによっ
て設定される。この上位しきい値モードでは、電源投入
時バイアス電流はIthを超える電流から開始し、d2L/dI2
のピーク値がI02に近くなるまで下降する。バイアス電
流I0をI01からI02のどちらかで安定するように設定でき
るので、第２図に示すレーザバイアス安定化回路を帯域
幅（I02）または消光比（I01）のそれぞれに対して最適
化することができる。
反転すると共に、V3をゼロを超える値にすることによっ
て設定される。この上位しきい値モードでは、電源投入
時バイアス電流はIthを超える電流から開始し、d2L/dI2
のピーク値がI02に近くなるまで下降する。バイアス電
流I0をI01からI02のどちらかで安定するように設定でき
るので、第２図に示すレーザバイアス安定化回路を帯域
幅（I02）または消光比（I01）のそれぞれに対して最適
化することができる。
別の実施例（図示せず）では、基準電圧V1を別のローパ
スフィルタ215の次に置き、比較器216の正の入力として
の基準電圧V3と結合することもできる。
スフィルタ215の次に置き、比較器216の正の入力として
の基準電圧V3と結合することもできる。
バイアス電流I0の設定後は、変調電流ループがt3のとき
（第２図の213参照）イネーブルされる。変調電流IMは
レーザ205の所望の平均動作出力に到達するまで上昇す
る。平均レーザ動作出力は変調電流IMを制御する比較器
211の電圧V2を使用して設定される。
（第２図の213参照）イネーブルされる。変調電流IMは
レーザ205の所望の平均動作出力に到達するまで上昇す
る。平均レーザ動作出力は変調電流IMを制御する比較器
211の電圧V2を使用して設定される。
第２図の本実施例では、d2L/dI2ループの時定数（T1＝R
1xC1）は平均出力ループの時定数（T2＝R2xC2）よりも
短い。従って、動作条件に変化が生じると、回路は先ず
バイアス電流I0を安定化し、次に変調電流IMを調整す
る。
1xC1）は平均出力ループの時定数（T2＝R2xC2）よりも
短い。従って、動作条件に変化が生じると、回路は先ず
バイアス電流I0を安定化し、次に変調電流IMを調整す
る。
第２図において、バイアス電流I0を制御するd2L/dI2ル
ープと変調電流IMを制御する平均出力ループとを使用す
る２重ループレーザ安定化回路の詳細を本発明に従って
説明する。Swartz特許の第５図に類似する回路を用い
て、回路200−203で試験電流（It）を発生させる。発振
器またはクロック200を用いて、50％デューティサイク
ルの周波数f1でクロック信号を発生する。ディジタル分
周回路201はクロック信号f1を分周して信号f2を発生す
る。別の発振回路を使ってf2を発生することもできる。
ディジタル信号f1とf2は加算器202でアナログ合計さ
れ、出力電圧はトランスコンダクタンス回路203によっ
て試験電流（It）に変換される。試験電流Itはインダク
タ204を経由してレーザ205に投入される。インダクタは
通常、低周波のトランスコンダクタンス増幅器203、217
を高周波変調器214から分離するのに使用される。最適
設計では省略可能である。
ープと変調電流IMを制御する平均出力ループとを使用す
る２重ループレーザ安定化回路の詳細を本発明に従って
説明する。Swartz特許の第５図に類似する回路を用い
て、回路200−203で試験電流（It）を発生させる。発振
器またはクロック200を用いて、50％デューティサイク
ルの周波数f1でクロック信号を発生する。ディジタル分
周回路201はクロック信号f1を分周して信号f2を発生す
る。別の発振回路を使ってf2を発生することもできる。
ディジタル信号f1とf2は加算器202でアナログ合計さ
れ、出力電圧はトランスコンダクタンス回路203によっ
て試験電流（It）に変換される。試験電流Itはインダク
タ204を経由してレーザ205に投入される。インダクタは
通常、低周波のトランスコンダクタンス増幅器203、217
を高周波変調器214から分離するのに使用される。最適
設計では省略可能である。
レーザ205からの光出力はモニタ用光検出器206に結合さ
れる（coupled）。光検出器206はレーザ205からの光を
モニタし、レーザ205からの瞬時光出力に比例する電流I
pを出力する。ローパスフィルタ220は増幅器207の飽和
を避けるために、高周波データ変調信号を除去する。本
発明では、光検出器206のフィルタされた出力電流Ipは
第１（平均出力）及び第２（d2L/dI2）の２重フィード
バックループの両方で使用される。トランスインピーダ
ンス増幅器207は光検出器206からのフィルタされた光電
流Ipを電圧Vpに変換する。
れる（coupled）。光検出器206はレーザ205からの光を
モニタし、レーザ205からの瞬時光出力に比例する電流I
pを出力する。ローパスフィルタ220は増幅器207の飽和
を避けるために、高周波データ変調信号を除去する。本
発明では、光検出器206のフィルタされた出力電流Ipは
第１（平均出力）及び第２（d2L/dI2）の２重フィード
バックループの両方で使用される。トランスインピーダ
ンス増幅器207は光検出器206からのフィルタされた光電
流Ipを電圧Vpに変換する。
排他的論理回路208を使って、ディジタル信号f1とf2か
ら部分積φＮを生成する。２重平衡混合器または乗算器
209を使用して、検出された光電流Ipに比例する電圧Vp
をφＮとアナログ乗算する。混合器209の出力は加算回
路219によって基準電圧V1に加算される。合計出力は増
幅器218によってバッファされてから、時定数T1＝R1xC1
のローパスフィルタ215を通される。回路200−209、21
5、218−220に関連するこれらの手順によって、ローパ
スフィルタ215の出力として２階導関数d2L/dI2信号が発
生する。フィルタ215はフィールドバック制御ループを
安定化する信号路に基本ポールも設定する。
ら部分積φＮを生成する。２重平衡混合器または乗算器
209を使用して、検出された光電流Ipに比例する電圧Vp
をφＮとアナログ乗算する。混合器209の出力は加算回
路219によって基準電圧V1に加算される。合計出力は増
幅器218によってバッファされてから、時定数T1＝R1xC1
のローパスフィルタ215を通される。回路200−209、21
5、218−220に関連するこれらの手順によって、ローパ
スフィルタ215の出力として２階導関数d2L/dI2信号が発
生する。フィルタ215はフィールドバック制御ループを
安定化する信号路に基本ポールも設定する。
２階導関数d2L/dI2信号は比較器216によって基準信号V3
と比較される。フィードバックループはレーザのバイア
ス電流I0を調整し、検出されたd2L/dI2の値がしきい値
直下のバイアス（I01）または直上のバイアス（I02）の
どちらかに一致するようにする。I01またはI02の選択
は、バッファ増幅器218のゲインの極性によって、及び
基準電圧V3によって制御され、その結果回路への電源投
入時のバイアス電流の値が決定される。
と比較される。フィードバックループはレーザのバイア
ス電流I0を調整し、検出されたd2L/dI2の値がしきい値
直下のバイアス（I01）または直上のバイアス（I02）の
どちらかに一致するようにする。I01またはI02の選択
は、バッファ増幅器218のゲインの極性によって、及び
基準電圧V3によって制御され、その結果回路への電源投
入時のバイアス電流の値が決定される。
本発明の別の態様によれば、２重フィールドバックルー
プ間の干渉を防止する回路が設けられている。この回路
に最初に電源が投入されると、バイアス電流を設定する
d2L/dI2ループは、データ変調電流がIM入力される前
に、I01またはI02のしきい値近くで先ず安定化されう
る。これが必要なのはデータ変調電流IMがI0＝01−IMの
バイアス電流で下位しきい値ピークの誤りを発生させる
ことがあり、これが初期しきい値ロッキングを不能にす
るからである。ｔ＝０で電源がd2L/dI2ループに投入さ
れる一方で、回路213は（平均出力）変調電流IMループ
を無効にしておく。d2L/dI2ループが直流バイアス電流I
0を設定するのに十分な時間（ｔ＝T3）が経過すると、
回路213は平均出力フィードバックループを動作可能に
する。平均出力フィードバックループは適切な平均出力
が得られるまでIMを調整する（第１図）。その間、d2L/
dI2ループは直流バイアスI0をしきい値に保持する。
プ間の干渉を防止する回路が設けられている。この回路
に最初に電源が投入されると、バイアス電流を設定する
d2L/dI2ループは、データ変調電流がIM入力される前
に、I01またはI02のしきい値近くで先ず安定化されう
る。これが必要なのはデータ変調電流IMがI0＝01−IMの
バイアス電流で下位しきい値ピークの誤りを発生させる
ことがあり、これが初期しきい値ロッキングを不能にす
るからである。ｔ＝０で電源がd2L/dI2ループに投入さ
れる一方で、回路213は（平均出力）変調電流IMループ
を無効にしておく。d2L/dI2ループが直流バイアス電流I
0を設定するのに十分な時間（ｔ＝T3）が経過すると、
回路213は平均出力フィードバックループを動作可能に
する。平均出力フィードバックループは適切な平均出力
が得られるまでIMを調整する（第１図）。その間、d2L/
dI2ループは直流バイアスI0をしきい値に保持する。
上記の平均出力フィードバックループの動作によってレ
ーザ205の変調電流IMを調整し、その結果、レーザの温
度、データ信号などの変動に対して最適の変調電流IMを
設定する。
ーザ205の変調電流IMを調整し、その結果、レーザの温
度、データ信号などの変動に対して最適の変調電流IMを
設定する。
第２フィードバックループは光電流Ipの平均値を測定す
る。電圧Vpは検出された光電流Ipに比例し、時定数Ｔ＝
R2xC2のフィルタ210でフィルタされる。フィルタ210はI
tに比例する低周波試験信号を排除し、また平均出力フ
ィードバックループの安定性を保証する。フィルタ210
の出力はレーザ205の平均出力に比例する。比較器211は
フィルタされた電圧Vpを基準電圧V2と比較する。比較器
211の出力はトランスコンダクタンス回路212によって電
流IMに変換される。基準電圧V2はその直流レベルがデー
タ信号230のデューティサイクルに比例して変化するよ
うにデューティサイクル補償がなされる。第１図に示す
ように、基準電圧V2を使用して変調電流IMをL1の光出力
のピーク値に一致する値に設定する。従って、レーザ電
流は論理ゼロのデータ信号に対してはI0であり、論理１
のデータ信号に対してはI0＋IMとなる。
る。電圧Vpは検出された光電流Ipに比例し、時定数Ｔ＝
R2xC2のフィルタ210でフィルタされる。フィルタ210はI
tに比例する低周波試験信号を排除し、また平均出力フ
ィードバックループの安定性を保証する。フィルタ210
の出力はレーザ205の平均出力に比例する。比較器211は
フィルタされた電圧Vpを基準電圧V2と比較する。比較器
211の出力はトランスコンダクタンス回路212によって電
流IMに変換される。基準電圧V2はその直流レベルがデー
タ信号230のデューティサイクルに比例して変化するよ
うにデューティサイクル補償がなされる。第１図に示す
ように、基準電圧V2を使用して変調電流IMをL1の光出力
のピーク値に一致する値に設定する。従って、レーザ電
流は論理ゼロのデータ信号に対してはI0であり、論理１
のデータ信号に対してはI0＋IMとなる。
d2L/dI2と平均出力ループとの干渉を防止するために、I
0ループ（d2L/dI2ループ）の時定数T1がIMループ（平均
出力ループ）の時定数T2よりもはるかに小さくする必要
がある。
0ループ（d2L/dI2ループ）の時定数T1がIMループ（平均
出力ループ）の時定数T2よりもはるかに小さくする必要
がある。
本発明のアナログ回路及びディジタル回路はシリコンバ
イポーラ技術またはFET技術と非シリコン技術（例えば
ガリュウムひ素FETまたはバイポーラ）による周知の離
散回路または集積回路を使用して実現することができ
る。
イポーラ技術またはFET技術と非シリコン技術（例えば
ガリュウムひ素FETまたはバイポーラ）による周知の離
散回路または集積回路を使用して実現することができ
る。
上記の記述は本発明の原理の実施例を具体的に説明した
ものであって、他にも各種の機器や回路を本発明の精神
及び範囲を逸脱することなく、この技術に精神する当業
者によって実現可能である。
ものであって、他にも各種の機器や回路を本発明の精神
及び範囲を逸脱することなく、この技術に精神する当業
者によって実現可能である。
第１図は、レーザ電流（Ｉ）の関数としてのレーザ光
度、Ｌ−Ｉ曲線の１階導関数（dL/dI）、及びＬ−Ｉ曲
線の２階導関数（d2L/dI2）の各々を示すグラフ； 第２図は、バイアス電流及び変調電流を制御するために
本発明を組込んだ２重ループレーザ安定回路の一例を示
すブロック図である。
度、Ｌ−Ｉ曲線の１階導関数（dL/dI）、及びＬ−Ｉ曲
線の２階導関数（d2L/dI2）の各々を示すグラフ； 第２図は、バイアス電流及び変調電流を制御するために
本発明を組込んだ２重ループレーザ安定回路の一例を示
すブロック図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−233938（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−97691（ＪＰ，Ａ)
Claims (11)
- 【請求項１】レーザを通る電流（Ｉ）に関する前記レー
ザからの光出力（Ｌ）の２階導関数（d2L/dI2）の関数
である２階導関数信号を決定する決定手段と、 前記２階導関数信号に応答して、前記２階導関数信号が
所定のレベルに等しくなるようにするバイアス電流を設
定する制御手段とからなるレーザ回路であって、前記決
定手段が、 試験電流を前記バイアス電流と合体させる手段と、 前記レーザからの光出力に比例する光信号を発生する検
出手段と、 第１および第２の周波数の信号の和に比例する前記試験
電流を発生する試験電流発生手段と、 前記第１および第２の周波数の信号の積に比例する積信
号を発生する積信号発生手段と、 前記光信号と前記積信号を混合する信号混合手段と、 前記信号混合手段の出力をフィルタリングして前記２階
導関数信号を生成するローパスフィルタ手段とからなる
ことを特徴とするレーザ回路。 - 【請求項２】前記制御手段が、 前記２階導関数信号と基準信号とを比較して前記バイア
ス電流を設定する比較手段を有し、 前記基準信号の初期レベルおよび最終レベルが別個に設
定されるように前記基準信号が経時変化することを特徴
とする請求項１レーザ回路。 - 【請求項３】前記初期基準信号は、起動時の初期レーザ
バイアス電流が前記レーザのしきい値電流を超えるよう
なレベルに設定されることを特徴とする請求項２のレー
ザ回路。 - 【請求項４】前記初期基準信号は、起動時の初期レーザ
バイアス電流が前記レーザのしきい値電流以下であるよ
うなレベルに設定されることを特徴とする請求項２のレ
ーザ回路。 - 【請求項５】前記光出力に応答して、レーザを通る変調
電流を制御して前記レーザの平均出力を所定のレベルに
設定するフィードバック手段をさらに有することを特徴
とする請求項１のレーザ回路。 - 【請求項６】前記フィードバック手段は、前記光出力を
基準信号と比較し、かつ前記比較結果に従って前記変調
電流を調整する第２の手段を含むことを特徴とする請求
項５のレーザ回路。 - 【請求項７】前記基準信号が前記レーザへの入力データ
信号のデューティサイクルに比例することを特徴とする
請求項６のレーザ回路。 - 【請求項８】バイアス電流を前記レーザに印加した後、
所定の時間、変調電流と前記バイアス電流との合体を不
能にする手段をさらに有することを特徴とする請求項１
のレーザ回路。 - 【請求項９】前記決定手段および前記制御手段は、前記
レーザの動作特性のいかなる変化に対してもバイアス電
流を安定化するバイアス電流フィールドバックループ手
段を形成することを特徴とする請求項１のレーザ回路。 - 【請求項１０】レーザを通る電流（Ｉ）に関する前記レ
ーザからの光出力（Ｌ）の２階導関数（d2L/dI2）の関
数である２階導関数信号を決定する決定ステップと、 前記２階導関数信号に応答して、前記２階導関数信号が
所定のレベルに等しくなるようにバイアス電流を設定す
るステップとからなることを特徴とするレーザ回路の制
御方法において、前記決定ステップが、 試験電流を前記バイアス電流と合体させるステップと、 前記レーザからの光出力に比例する光信号を発生するス
テップと、 第１および第２の周波数の信号の和に比例する前記試験
電流を発生するステップと、 前記第１および第２の周波数の信号の積に比例する積信
号を発生するステップと、 前記光信号と前記積信号を混合する混合ステップと、 前記混合ステップの出力をフィルタリングして前記２階
導関数信号を生成するステップとからなることを特徴と
するレーザ回路制御方法。 - 【請求項１１】フィードバック手段によって前記レーザ
を通る変調電流を制御し、前記レーザの平均出力を所定
のレベルに保持するステップをさらに有することを特徴
とする請求項10の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/291,899 US5027362A (en) | 1988-12-29 | 1988-12-29 | Laser control method and circuitry |
| US291899 | 1988-12-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02228085A JPH02228085A (ja) | 1990-09-11 |
| JPH07109917B2 true JPH07109917B2 (ja) | 1995-11-22 |
Family
ID=23122351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1345132A Expired - Lifetime JPH07109917B2 (ja) | 1988-12-29 | 1989-12-28 | レーザ回路及びその制御方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5027362A (ja) |
| EP (1) | EP0376555B1 (ja) |
| JP (1) | JPH07109917B2 (ja) |
| DE (1) | DE68918425T2 (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5323408A (en) * | 1992-07-21 | 1994-06-21 | Alcatel N.V. | Regulation of preconduction current of a laser diode using the third derivative of the output signal |
| JP3226624B2 (ja) * | 1992-09-24 | 2001-11-05 | 日本オプネクスト株式会社 | レーザダイオード駆動回路及び光伝送装置 |
| US5502298A (en) * | 1992-12-21 | 1996-03-26 | Ericsson Raynet | Apparatus and method for controlling an extinction ratio of a laser diode over temperature |
| US5442510A (en) * | 1993-06-23 | 1995-08-15 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Control system for tracking nonlinear systems |
| DE69517614T2 (de) * | 1994-03-22 | 2001-02-15 | Uniphase Opto Holdings Inc., San Jose | Halbleiterdiodenlaser und dessen Herstellungsverfahren |
| US5535038A (en) * | 1994-06-17 | 1996-07-09 | Hinch; Stephen W. | Apparatus and method for determining extinction ratio of digital laser transmitters |
| US5767995A (en) * | 1996-03-13 | 1998-06-16 | Lucent Technologies Inc. | System and methods for assessing the suitability of analog lasers for broadband access applications |
| US6198497B1 (en) | 1998-06-03 | 2001-03-06 | Hewlett-Packard | Adjustment of a laser diode output power compensator |
| US6580735B1 (en) * | 2000-03-31 | 2003-06-17 | Alcatel | Ultra-linear laser drive circuit |
| US6917639B2 (en) * | 2001-08-09 | 2005-07-12 | Ricoh Company, Ltd. | Laser driver circuit |
| US7215891B1 (en) | 2003-06-06 | 2007-05-08 | Jds Uniphase Corporation | Integrated driving, receiving, controlling, and monitoring for optical transceivers |
| US7468998B2 (en) * | 2005-03-25 | 2008-12-23 | Pavilion Integration Corporation | Radio frequency modulation of variable degree and automatic power control using external photodiode sensor for low-noise lasers of various wavelengths |
| JP2007281294A (ja) * | 2006-04-10 | 2007-10-25 | Hitachi Cable Ltd | レーザ制御装置 |
| US7697793B2 (en) * | 2006-06-15 | 2010-04-13 | Lightwire, Inc. | Silicon modulator offset tuning arrangement |
| US7447395B2 (en) * | 2006-06-15 | 2008-11-04 | Sioptical, Inc. | Silicon modulator offset tuning arrangement |
| US7403215B2 (en) * | 2006-08-22 | 2008-07-22 | Lexmark International, Inc. | Current driver and power control for electrophotographic devices |
| US7643525B2 (en) | 2007-10-31 | 2010-01-05 | Lexmark International, Inc. | Current driver and power control for electrophotographic devices |
| JP6032601B2 (ja) * | 2011-12-21 | 2016-11-30 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体光増幅器の制御方法及び測定方法、並びに半導体光増幅装置 |
| EP3002891A4 (en) * | 2013-06-29 | 2016-04-13 | Huawei Tech Co Ltd | OPTICAL SIGNAL CONTROL METHOD, SIGNAL CONTROL DEVICE, AND OPTICAL NETWORK SYSTEM |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE31969E (en) * | 1976-03-22 | 1985-08-13 | At&T Bell Laboratories | Laser control circuit |
| US4009385A (en) * | 1976-03-22 | 1977-02-22 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Laser control circuit |
| US4344173A (en) * | 1978-09-25 | 1982-08-10 | Northern Telecom Limited | Stabilization circuit for a digitally operated laser |
| CA1210070A (en) * | 1984-10-26 | 1986-08-19 | Northern Telecom Limited | Laser transmitter |
| US4698817A (en) * | 1985-02-28 | 1987-10-06 | Northern Telecom Limited | Peak optical power control circuit for laser driver |
| US4680810A (en) * | 1985-06-28 | 1987-07-14 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Labs | Means for controlling a semiconductor device and communication system comprising the means |
| US4868836A (en) * | 1986-02-27 | 1989-09-19 | Spectra-Physics, Inc. | Laser diode power control and modulator circuit |
| DE3706572A1 (de) * | 1987-02-28 | 1988-09-08 | Philips Patentverwaltung | Regelung von laserdioden |
-
1988
- 1988-12-29 US US07/291,899 patent/US5027362A/en not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-12-14 DE DE68918425T patent/DE68918425T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-12-14 EP EP89313101A patent/EP0376555B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-12-28 JP JP1345132A patent/JPH07109917B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0376555A3 (en) | 1991-01-30 |
| EP0376555A2 (en) | 1990-07-04 |
| DE68918425T2 (de) | 1995-01-19 |
| EP0376555B1 (en) | 1994-09-21 |
| JPH02228085A (ja) | 1990-09-11 |
| DE68918425D1 (de) | 1994-10-27 |
| US5027362A (en) | 1991-06-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH07109917B2 (ja) | レーザ回路及びその制御方法 | |
| US4995045A (en) | Laser control circuit | |
| US5850409A (en) | Laser modulation control method and apparatus | |
| AU593889B2 (en) | Method and apparatus for controlling power output of a laser | |
| GB2025121A (en) | Improvements in or relating to the stabilisation of injection lasers | |
| US7403551B2 (en) | Method and device for adjusting a laser | |
| US6907055B2 (en) | Method and circuit for measuring the optical modulation amplitude (OMA) in the operating region of a laser diode | |
| US7492797B2 (en) | Laser driver circuit | |
| US4101847A (en) | Laser control circuit | |
| US6370170B1 (en) | Laser frequency stabilization apparatus | |
| US7782916B2 (en) | Laser diode driver able to precisely control the driving current | |
| US6778570B2 (en) | Laser driving apparatus and method | |
| JP2005057216A (ja) | レーザダイオード駆動回路及び光送信装置 | |
| JPS5816581A (ja) | パルス変調形光出力制御回路 | |
| US5097219A (en) | Pll for controlling frequency deviation of a variable frequency oscillator | |
| JP2841085B2 (ja) | 安定化したループ利得を有するスイッチング電圧調整器 | |
| JP2864814B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS5941315B2 (ja) | 半導体レ−ザの出力安定化方式 | |
| JP2833993B2 (ja) | スイッチングレギュレータ | |
| JP2632418B2 (ja) | 高周波ｐｗｍインバータ装置 | |
| JPH0287822A (ja) | 自動位相制御回路 | |
| JPS6335032A (ja) | レ−ザダイオ−ド駆動回路 | |
| JPH085386A (ja) | 光ファイバジャイロ | |
| JPH0553078B2 (ja) | ||
| JPH04113720A (ja) | 位相同期発振器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081122 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091122 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091122 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101122 Year of fee payment: 15 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101122 Year of fee payment: 15 |