JPH0222863A - 半導体集積回路パッケージ装置 - Google Patents
半導体集積回路パッケージ装置Info
- Publication number
- JPH0222863A JPH0222863A JP63173135A JP17313588A JPH0222863A JP H0222863 A JPH0222863 A JP H0222863A JP 63173135 A JP63173135 A JP 63173135A JP 17313588 A JP17313588 A JP 17313588A JP H0222863 A JPH0222863 A JP H0222863A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- write
- built
- eprom
- rom
- leads
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路パッケージ装置に関し、特に書
き込み専用装置を必要とするＲＯＭを内蔵した半導体集
積回路パッケージ装置のリード配置に関するものである
。
き込み専用装置を必要とするＲＯＭを内蔵した半導体集
積回路パッケージ装置のリード配置に関するものである
。
書き込み専用装置を必要とするＲＯＭを内蔵した集積回
路（ＩＣ）として、例えば紫外線消去形ＥＦＲＯＭ内蔵
ワンチップマイコンＩＣがある。
路（ＩＣ）として、例えば紫外線消去形ＥＦＲＯＭ内蔵
ワンチップマイコンＩＣがある。
ここで内蔵ＥＰＲＯＭのメモリ容量は４にビット８にビ
ットのものから、最近さらに増大し、今後は２５６にビ
ット、５１２にビット等のものも出現すると予想される
。
ットのものから、最近さらに増大し、今後は２５６にビ
ット、５１２にビット等のものも出現すると予想される
。
また、前記ＲＯＭ内蔵ＩＣの他の例として今後成長が期
待される分野ではＥＦＲＯＭやＳＲＡＭ等の異なるメモ
リをワンチップにした多機能メモリＩＣがある。この場
合も、ＥＦＲＯＭのメモリ容量は２５６にビット、５１
２にビットのもの等が出現すると考えられる。
待される分野ではＥＦＲＯＭやＳＲＡＭ等の異なるメモ
リをワンチップにした多機能メモリＩＣがある。この場
合も、ＥＦＲＯＭのメモリ容量は２５６にビット、５１
２にビットのもの等が出現すると考えられる。
次に前記ＲＯＭ内蔵ＩＣの構造と動作について説明する
。
。
内蔵ＲＯＭは書き込み専用装置を用いてデータの書き込
みが実施されることになるが、前記ＲＯＭ内蔵ＩＣは例
えばマイコンＩＣであったり、或いは多機能メモリであ
ったりするために一般的にリード数が多くなり、標準的
な２４本、２８本のデユアルーインライン パッケージ
（ＤＩＰ：Ｄｕａｌ−夏ｎ１ｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）
ではなく、４０本やそれ以上のリード数を備えたパッケ
ージ装置に収納される場合が多くなる。これは例えばプ
ラスチック リード チンブ キャリア（Ｐ Ｌ ＣＣ
： Ｐｌａｓｔｉｃ Ｌｅａｄｅｄ Ｃｈｉｐ Ｃａｒ
ｅｅｒ）等のパッケージであって、第４図に示したよう
な構造をしており、ＲＯＭ内蔵ＩＣ４１の上の電橋とリ
ード４２とを金属線４３で配線し、樹脂４４で封止した
ものである。
みが実施されることになるが、前記ＲＯＭ内蔵ＩＣは例
えばマイコンＩＣであったり、或いは多機能メモリであ
ったりするために一般的にリード数が多くなり、標準的
な２４本、２８本のデユアルーインライン パッケージ
（ＤＩＰ：Ｄｕａｌ−夏ｎ１ｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）
ではなく、４０本やそれ以上のリード数を備えたパッケ
ージ装置に収納される場合が多くなる。これは例えばプ
ラスチック リード チンブ キャリア（Ｐ Ｌ ＣＣ
： Ｐｌａｓｔｉｃ Ｌｅａｄｅｄ Ｃｈｉｐ Ｃａｒ
ｅｅｒ）等のパッケージであって、第４図に示したよう
な構造をしており、ＲＯＭ内蔵ＩＣ４１の上の電橋とリ
ード４２とを金属線４３で配線し、樹脂４４で封止した
ものである。
そして、前記のようなＩＣに内蔵されるＲＯＭとしてＥ
ＦＲＯＭが考えられるが、その書き込みを実施する場合
にはＥＰＲＯＭ単体ＩＣと同じように、書き込み装置を
必要とする。ＥＦＲＯＭの書き込みには２１Ｖ或いは１
２．５Ｖの高電圧が必要であり、書き込み専用装置等を
使用して書き込みを行わなければならない、しかし、第
４図で示したＥＦＲＯＭ内蔵ＩＣの場合、そのリード配
置が同じメモリ容量を持つＥＰＲＯＭ単体ＩＣと共通性
を持つとは限らない。
ＦＲＯＭが考えられるが、その書き込みを実施する場合
にはＥＰＲＯＭ単体ＩＣと同じように、書き込み装置を
必要とする。ＥＦＲＯＭの書き込みには２１Ｖ或いは１
２．５Ｖの高電圧が必要であり、書き込み専用装置等を
使用して書き込みを行わなければならない、しかし、第
４図で示したＥＦＲＯＭ内蔵ＩＣの場合、そのリード配
置が同じメモリ容量を持つＥＰＲＯＭ単体ＩＣと共通性
を持つとは限らない。
従来のＥＦＲＯＭ内蔵ＩＣは以上のように構成されてい
るため、同じメモリ容量を持つＥＰＲＯＭ単体のリード
配置に基づいた書き込み装置が使えないという問題点が
あり、これを解決するためには、必ず前記ＥＦＲＯＭ内
蔵ＩＣのリード配置に適した専用の書き込み装置が必要
となるという問題点、或いは従来使用していた同じメモ
リ容量を持つＥＰＲＯＭ単体ＩＣの書き込み装置を利用
してソケットアダプタなどによるリード配置変換が必要
となるという問題点があった。
るため、同じメモリ容量を持つＥＰＲＯＭ単体のリード
配置に基づいた書き込み装置が使えないという問題点が
あり、これを解決するためには、必ず前記ＥＦＲＯＭ内
蔵ＩＣのリード配置に適した専用の書き込み装置が必要
となるという問題点、或いは従来使用していた同じメモ
リ容量を持つＥＰＲＯＭ単体ＩＣの書き込み装置を利用
してソケットアダプタなどによるリード配置変換が必要
となるという問題点があった。
本発明は上記のような問題点を解消するためになされた
もので、ＥＰＲＯＭを含むＩＣのＥＦＲＯＭの書き込み
において、同じメモリ容量をもつＥＰＲＯＭ単体ＩＣの
書き込み装置を利用することができ、これにより専用の
書き込み装置又は専用のソケットアダプタを作る無駄を
なくすことができる半導体集積回路パッケージ装置を得
ることを目的としている。
もので、ＥＰＲＯＭを含むＩＣのＥＦＲＯＭの書き込み
において、同じメモリ容量をもつＥＰＲＯＭ単体ＩＣの
書き込み装置を利用することができ、これにより専用の
書き込み装置又は専用のソケットアダプタを作る無駄を
なくすことができる半導体集積回路パッケージ装置を得
ることを目的としている。
本発明に係るＲＯＭ内蔵ＩＣパッケージ装置は、該パッ
ケージのリード群を、リード配置が内蔵ＲＯＭと同容量
及び同種のＲＯＭ単体ＩＣのリード配置と等しい書き込
み専用リード群を含むものとしたものである。
ケージのリード群を、リード配置が内蔵ＲＯＭと同容量
及び同種のＲＯＭ単体ＩＣのリード配置と等しい書き込
み専用リード群を含むものとしたものである。
この発明においては、ＩＣ本来のリード群に加えて、リ
ード配置がＩＣ内蔵ＲＯＭと同容量及び゛同種のＲＯＭ
単体ＩＣのリード配置と等しい書き込み専用リード群を
設けたから、前記ＩＣ内蔵ＲＯＭの書き込みを行う際に
、これと同じメモリ容量を持つＥＰＲＯＭ単体ＩＣの書
き込み装置を用いることができ、書き込みを行うために
専用の書き込み装置を作成したり、アダプタ等を準備す
る必要をなくすことができる。
ード配置がＩＣ内蔵ＲＯＭと同容量及び゛同種のＲＯＭ
単体ＩＣのリード配置と等しい書き込み専用リード群を
設けたから、前記ＩＣ内蔵ＲＯＭの書き込みを行う際に
、これと同じメモリ容量を持つＥＰＲＯＭ単体ＩＣの書
き込み装置を用いることができ、書き込みを行うために
専用の書き込み装置を作成したり、アダプタ等を準備す
る必要をなくすことができる。
以下、本発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例によるＥＰＲＯＭ内藏ＩＣの
リード配置を示しており、図において１はＥＦＲＯＭ内
蔵ＩＣパッケージ本体、１５はそのリード配置が内蔵Ｒ
ＯＭと同じ容量を持っＥＰＲＯＭ単体ＩＣのリード配置
と等しい内蔵ＲＯＭ書込み専用リード群であり、ここで
は、ＰＬｃｃパッケージにおいて、内蔵ＥＰＲＯＭの書
き込みに必要とされるリードを該パッケージ外部で成形
加工して、本来のリードとは別に設けている。
リード配置を示しており、図において１はＥＦＲＯＭ内
蔵ＩＣパッケージ本体、１５はそのリード配置が内蔵Ｒ
ＯＭと同じ容量を持っＥＰＲＯＭ単体ＩＣのリード配置
と等しい内蔵ＲＯＭ書込み専用リード群であり、ここで
は、ＰＬｃｃパッケージにおいて、内蔵ＥＰＲＯＭの書
き込みに必要とされるリードを該パッケージ外部で成形
加工して、本来のリードとは別に設けている。
次に作用効果について説明する。
以上のようなリード配置を行うことにより、ＥＦＲＯＭ
内蔵ＩＣのＥＰＲＯＭ部の書き込みにおいて、同じメモ
リ容量を持つＥＰＲＯＭ単体ＩＣに書き込み可能な書き
込み装置を用いることができ、つまり第２図（ａ）、
（ｂ）に示すように前記ＥＦＲＯＭ内蔵ＩＣのＥＦＲＯ
Ｍ書き込み用リード群を書き込み装置のソケット２６に
挿入することにより書込みが可能である。このため、わ
ざわざＥＰＲＯＭ内１１１内裏１１ｃ専用み装置又はソ
ケットアダプタを作る必要がな（なる。
内蔵ＩＣのＥＰＲＯＭ部の書き込みにおいて、同じメモ
リ容量を持つＥＰＲＯＭ単体ＩＣに書き込み可能な書き
込み装置を用いることができ、つまり第２図（ａ）、
（ｂ）に示すように前記ＥＦＲＯＭ内蔵ＩＣのＥＦＲＯ
Ｍ書き込み用リード群を書き込み装置のソケット２６に
挿入することにより書込みが可能である。このため、わ
ざわざＥＰＲＯＭ内１１１内裏１１ｃ専用み装置又はソ
ケットアダプタを作る必要がな（なる。
なお、上記実施例では、パフケージ外部でリードを加工
して書き込み専用リード群１５を形成したが、パッケー
ジ内部においてリードを分岐させて外部にまで伸ばすよ
うにしてもよい。第３図（ａ）又は（ｂ）はこのような
構成のリードを持つＥＦＲＯＭ内蔵ＩＣを示し、図中３
２は本来のリード、３４は封止樹脂、３５は上記本来の
リードの先端を分割して形成した書込み専用リード群３
５である。
して書き込み専用リード群１５を形成したが、パッケー
ジ内部においてリードを分岐させて外部にまで伸ばすよ
うにしてもよい。第３図（ａ）又は（ｂ）はこのような
構成のリードを持つＥＦＲＯＭ内蔵ＩＣを示し、図中３
２は本来のリード、３４は封止樹脂、３５は上記本来の
リードの先端を分割して形成した書込み専用リード群３
５である。
この場合も上記実施例の効果と同様な効果を有する。
また、上記各実施例ではＲＯＭとしてＥＦＲＯＭを示し
たが、これはＥＥＦＲＯＭでもよく、また、内ｉｆＥＥ
ＰＲＯＭの容量や書き込みに必要なリード数等について
も特定するものではない。
たが、これはＥＥＦＲＯＭでもよく、また、内ｉｆＥＥ
ＰＲＯＭの容量や書き込みに必要なリード数等について
も特定するものではない。
以上のように、本発明によれば、ＩＣパッケージ装置の
本来のリード群に加えて、該ＩＣ内蔵のＲＯＭと同容量
のＲＯＭ単体ＩＣのリード配置と同一のリード配置を有
する書き込み専用リード群を設けたので、書き込み時Ｒ
ＯＭ単体ＩＣの書き込み装置を利用することができ、こ
れにより専用の書き込み装置あるいは専用のソケットア
ダプタを必要としない半導体集積回路パッケージ装置を
得ることができる。
本来のリード群に加えて、該ＩＣ内蔵のＲＯＭと同容量
のＲＯＭ単体ＩＣのリード配置と同一のリード配置を有
する書き込み専用リード群を設けたので、書き込み時Ｒ
ＯＭ単体ＩＣの書き込み装置を利用することができ、こ
れにより専用の書き込み装置あるいは専用のソケットア
ダプタを必要としない半導体集積回路パッケージ装置を
得ることができる。
第１図は本発明の一実施例による書き込み専用リード群
を備えたパッケージ装置を示す図、第２図は本装置と書
き込み装置ソケットとの着脱方法を説明するための図、
第３図は本発明の他の実施例によるリードの加工方法を
示す図、第４図は従来のパッケージ装置の部分断面図で
ある。 図において、１５．２５．３５は書き込み専用リード群
、２６は書き込み装置のＩＣソケット、４１はＩＣチッ
プ、２２．３２．４２はリード、４３は金属線、４４は
モールド樹脂である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
を備えたパッケージ装置を示す図、第２図は本装置と書
き込み装置ソケットとの着脱方法を説明するための図、
第３図は本発明の他の実施例によるリードの加工方法を
示す図、第４図は従来のパッケージ装置の部分断面図で
ある。 図において、１５．２５．３５は書き込み専用リード群
、２６は書き込み装置のＩＣソケット、４１はＩＣチッ
プ、２２．３２．４２はリード、４３は金属線、４４は
モールド樹脂である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）書き込み専用装置を必要とする内蔵ＲＯＭを有す
る半導体集積回路を、複数のリードからなるリード群と
ともに樹脂封止してなるパッケージ装置において、 上記リード群は、 メモリ容量及び種類が上記内蔵ＲＯＭと等しいＲＯＭ単
体と同一のリード配置を有する、上記内蔵ＲＯＭの書込
みのための書込みリード群を含むものであることを特徴
とする半導体集積回路パッケージ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63173135A JPH0222863A (ja) | 1988-07-11 | 1988-07-11 | 半導体集積回路パッケージ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63173135A JPH0222863A (ja) | 1988-07-11 | 1988-07-11 | 半導体集積回路パッケージ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0222863A true JPH0222863A (ja) | 1990-01-25 |
Family
ID=15954768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63173135A Pending JPH0222863A (ja) | 1988-07-11 | 1988-07-11 | 半導体集積回路パッケージ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0222863A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9423157B2 (en) | 2008-10-20 | 2016-08-23 | Abengoa Solar New Technologies, S.A. | Selective solar absorbent coating and manufacturing method |
-
1988
- 1988-07-11 JP JP63173135A patent/JPH0222863A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9423157B2 (en) | 2008-10-20 | 2016-08-23 | Abengoa Solar New Technologies, S.A. | Selective solar absorbent coating and manufacturing method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6777801B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing same | |
| US6288924B1 (en) | Semiconductor device and process for manufacturing the same | |
| US5895887A (en) | Semiconductor device | |
| US5796750A (en) | Method for programming a programmable logic device in an automatic tester | |
| JP2007184650A (ja) | プログラム可能な電子処理装置用のマウント | |
| JP2560805B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0222863A (ja) | 半導体集積回路パッケージ装置 | |
| JPH04206659A (ja) | 半導体記憶装置 | |
| US5338981A (en) | Semiconductor device having a decoding circuit for selection chips | |
| US6163042A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
| US20050144584A1 (en) | Programmable logic module and upgrade method thereof | |
| JPH05243474A (ja) | 半導体装置 | |
| KR100270496B1 (ko) | 패키지일측에만리드단자를구비한반도체장치 | |
| JPH08129627A (ja) | メモリカード及び集積回路 | |
| JPS59126659A (ja) | 電圧変換回路を一体化したｉｃパツケ−ジ | |
| JPS58110063A (ja) | 集積回路装置 | |
| JPH03225932A (ja) | Ｉｃチップ | |
| JPS6089955A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04139866A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH042480Y2 (ja) | ||
| JPS60167290A (ja) | アダプタ | |
| JPS61290748A (ja) | メモリモジユ−ル | |
| JPH0353559A (ja) | 集積回路パッケージ | |
| EP0343633A2 (en) | Semiconductor integrated circuit | |
| JPS63310155A (ja) | 半導体集積回路装置 |