JPH02228657A - マスク - Google Patents
マスクInfo
- Publication number
- JPH02228657A JPH02228657A JP1049257A JP4925789A JPH02228657A JP H02228657 A JPH02228657 A JP H02228657A JP 1049257 A JP1049257 A JP 1049257A JP 4925789 A JP4925789 A JP 4925789A JP H02228657 A JPH02228657 A JP H02228657A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- patterns
- fine
- dust
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、透明基板に微細な遮光パターンを形成し、半
導体集積回路の製造に用いるフォトマスク、レチクルマ
スク等のマスクに関する。
導体集積回路の製造に用いるフォトマスク、レチクルマ
スク等のマスクに関する。
具体的な利用分野としては、半導体集積回路、その他の
電子素子等の原版などに適用できる。
電子素子等の原版などに適用できる。
〈従来技術〉
従来、フォトマスクおよびレチクルは微細なパターンを
形成する場合、電子線措画装置を使用してパターン形成
を行なっている。
形成する場合、電子線措画装置を使用してパターン形成
を行なっている。
しかしながら特に数ミクロン以下の間隔でパターンが並
んでいた場合や大きなパターンのすぐ近くに細かいパタ
ーンを配置する場合等、電子線の散乱による近接効果の
影響によりパターンが形成されなかったりゆがんでしま
う等の問題があった。
んでいた場合や大きなパターンのすぐ近くに細かいパタ
ーンを配置する場合等、電子線の散乱による近接効果の
影響によりパターンが形成されなかったりゆがんでしま
う等の問題があった。
また、従来のフォトマスクおよびレチクルは、パターン
面が露出していたため持ち運び時や転写時にパターン上
にゴミが乗ってしまったりパターンを傷つけてしまう等
の問題があった。そのためペリクルを貼りつける方法に
よりこの問題を解決しようとしていたがペリクルからゴ
ミが発生する等の問題があった。
面が露出していたため持ち運び時や転写時にパターン上
にゴミが乗ってしまったりパターンを傷つけてしまう等
の問題があった。そのためペリクルを貼りつける方法に
よりこの問題を解決しようとしていたがペリクルからゴ
ミが発生する等の問題があった。
〈発明が解決しようとする課題〉
本発明は、従来知られていたフォトマスク又はレチクル
の前記の如き欠点を解決するため、すなわち数ミクロン
以下の間隔でパターンが並んでいた場合や大きなパター
ンのすぐ近くに細かいパターンを配置する場合に、近接
効果の影響を低減させたり、パターン面の上にゴミが乗
ったりパターンを傷つけたりすることを防止できること
を目的としてなされたものである。
の前記の如き欠点を解決するため、すなわち数ミクロン
以下の間隔でパターンが並んでいた場合や大きなパター
ンのすぐ近くに細かいパターンを配置する場合に、近接
効果の影響を低減させたり、パターン面の上にゴミが乗
ったりパターンを傷つけたりすることを防止できること
を目的としてなされたものである。
く課題を解決するための手段〉
本発明では所定の微細パターンがそれぞれに形成されて
いる２つの透明基板を表裏重ねあわせることにより目的
のパターンを形成しようとするものである。たとえば複
数のパターンが数ミクロン以下の間隔で並んでいた場合
、そのパターンを表裏２つの基板に１つおきに互いちが
いに形成したり、大きなパターンのすぐ近くに細かいパ
ターンを配置する場合、大きなパターンと小さなパター
ンを表裏２つの透明基板に相補的に形成し、その透明基
板の微細パターン面同士を貼り合わせる。
いる２つの透明基板を表裏重ねあわせることにより目的
のパターンを形成しようとするものである。たとえば複
数のパターンが数ミクロン以下の間隔で並んでいた場合
、そのパターンを表裏２つの基板に１つおきに互いちが
いに形成したり、大きなパターンのすぐ近くに細かいパ
ターンを配置する場合、大きなパターンと小さなパター
ンを表裏２つの透明基板に相補的に形成し、その透明基
板の微細パターン面同士を貼り合わせる。
こうすることにより微細パターンをもつフォトマスク、
レチクルを効率良く作成することができ、さらにパター
ン上のゴミの問題を解決することができる。
レチクルを効率良く作成することができ、さらにパター
ン上のゴミの問題を解決することができる。
〈発明の詳述〉
本発明の貼り合わせ型レチクル、フォトマスクを第１図
から第１５図に示す図面に基づいて説明する。
から第１５図に示す図面に基づいて説明する。
ここでは−例として数ミクロン以下の間隔でパターンが
並んでおり、大きなパターンと小さなパターンが混在す
るレチクルを例にとって説明する。
並んでおり、大きなパターンと小さなパターンが混在す
るレチクルを例にとって説明する。
第１５図はその全体図である。第１図と第２図は、その
パターンの一部分の理想的な形状を示し、第１図は数ミ
クロン以下の間隔で並んでいた場合、第２図は大きなパ
ターンのすぐ近くにいた小さなパターンがある場合であ
る。
パターンの一部分の理想的な形状を示し、第１図は数ミ
クロン以下の間隔で並んでいた場合、第２図は大きなパ
ターンのすぐ近くにいた小さなパターンがある場合であ
る。
従来の技術すなわち１つの基板上に電子線溝画法により
パターンを形成した場合、第１図は第３図の様に、第２
図は第４図のように近接効果の影響を受けて正値な微細
パターン形成が出来ない。
パターンを形成した場合、第１図は第３図の様に、第２
図は第４図のように近接効果の影響を受けて正値な微細
パターン形成が出来ない。
また第５図は従来のレチクルの断面図であるがマスクの
持ち運び等でパターン２上にゴミ３が乗った場合、ゴミ
３がパターン２上にあるため転写時にパターン２のみな
らずゴミ３にも焦点が合ってしまう、このためゴミ３も
一緒に転写されてしまう、第６図は、マスク、レチクル
上にペリクル４を貼ったものであるが、ペリクル４上の
ゴミ７は転写時には焦点が合わないため転写されないが
、ペリクル４を貼る際に出るゴミすなわちペリクル支持
用発泡体５を基板１に押しつけた時にペリクル支持様発
泡体５より出るゴミ６がパターン２上にあるとそれが転
写されてしまう等の問題があった０本発明においては第
９図と第１０図、第１２図と第１３図のように微細パタ
ーンを相補的に分解して第７図から第８図に示すように
上部基Ｆｉ８と下部基板９を貼り合わせる。こうするこ
とにより第１１図、第１４図のように所定のパターンを
得ることができる。
持ち運び等でパターン２上にゴミ３が乗った場合、ゴミ
３がパターン２上にあるため転写時にパターン２のみな
らずゴミ３にも焦点が合ってしまう、このためゴミ３も
一緒に転写されてしまう、第６図は、マスク、レチクル
上にペリクル４を貼ったものであるが、ペリクル４上の
ゴミ７は転写時には焦点が合わないため転写されないが
、ペリクル４を貼る際に出るゴミすなわちペリクル支持
用発泡体５を基板１に押しつけた時にペリクル支持様発
泡体５より出るゴミ６がパターン２上にあるとそれが転
写されてしまう等の問題があった０本発明においては第
９図と第１０図、第１２図と第１３図のように微細パタ
ーンを相補的に分解して第７図から第８図に示すように
上部基Ｆｉ８と下部基板９を貼り合わせる。こうするこ
とにより第１１図、第１４図のように所定のパターンを
得ることができる。
ここで第１１図においては第９、第１０図のようにパタ
ーンの間隔を大きくすることが出来るため、また第１４
図においては第１２図、第１３図のように大きなパター
ンと小さなパターンを分解することが出来るため、近接
効果の影響を低減することが出来る。また第８図のよう
に基板上にゴミが乗った場合においても転写時には焦点
が合わないため転写されない。
ーンの間隔を大きくすることが出来るため、また第１４
図においては第１２図、第１３図のように大きなパター
ンと小さなパターンを分解することが出来るため、近接
効果の影響を低減することが出来る。また第８図のよう
に基板上にゴミが乗った場合においても転写時には焦点
が合わないため転写されない。
ここで第７図における接着剤は無色透明のものが好まし
く、上部基Ｆｉ８と下部基板９は所定のアライメントマ
ーク１７，２０．２８で重ね合わせ、強く圧着させるこ
とが好ましい、また第９図、第１２図の上部基板上の微
細パターンは所望のパターンとは裏返しに形成されなけ
ればならない。
く、上部基Ｆｉ８と下部基板９は所定のアライメントマ
ーク１７，２０．２８で重ね合わせ、強く圧着させるこ
とが好ましい、また第９図、第１２図の上部基板上の微
細パターンは所望のパターンとは裏返しに形成されなけ
ればならない。
〈実施例〉
本発明の貼り合わせ型レチクル、フォトマスクの実施例
として、５インチ角のレチクルで数ミクロン以下の間隔
でパターンが並んでいるものを例にとって説明する。
として、５インチ角のレチクルで数ミクロン以下の間隔
でパターンが並んでいるものを例にとって説明する。
５インチ角正方形のクロム膜付石英ガラス基板、凸版印
刷■製商品名５００９−ＱＺ−ＴＩ（Ｒ３に電子線レジ
スト、チッソ■製ＰＢＳをスピンコード法で所定の膜厚
で塗布、所定のプリベーク処理をほどこしたものを２枚
用意する。
刷■製商品名５００９−ＱＺ−ＴＩ（Ｒ３に電子線レジ
スト、チッソ■製ＰＢＳをスピンコード法で所定の膜厚
で塗布、所定のプリベーク処理をほどこしたものを２枚
用意する。
作成しようとするパターンの最終形状は第１図に示すも
のとし、パターンの巾を０．５ μｍ、パターンのピッ
チを１．０ μｍとする。
のとし、パターンの巾を０．５ μｍ、パターンのピッ
チを１．０ μｍとする。
一方の基板に第９図のように、他方の基板には第１０図
のように、所定の電子線量で電子線描画装置パーキンエ
ルマー社９３ＦＩＥＢＥＳ ｍヲ用いてパターンを描画
する。このときパターンの巾が０．５ μｍ１パターン
のピッチが２．０ μｍになる様にする。
のように、所定の電子線量で電子線描画装置パーキンエ
ルマー社９３ＦＩＥＢＥＳ ｍヲ用いてパターンを描画
する。このときパターンの巾が０．５ μｍ１パターン
のピッチが２．０ μｍになる様にする。
所定の現像液、リンス液で現像処理後、所定のポストベ
ーク処理を行ない、所定のエツチング液でクロム層のエ
ツチングを行なう。
ーク処理を行ない、所定のエツチング液でクロム層のエ
ツチングを行なう。
所定の剥Ｎ溶液でレジスト層を剥離後、洗浄を行ない、
パターン中が０．５ μｍ、パターンのピッチが２．０
μｍなる第９図、第１０図に示すパターンを有する基
板をそれぞれ１枚ずつ得た。
パターン中が０．５ μｍ、パターンのピッチが２．０
μｍなる第９図、第１０図に示すパターンを有する基
板をそれぞれ１枚ずつ得た。
紫外線硬化タイプの透明接着剤、日本ロックタイト製ロ
ックタイト３５８をロールコート法あるいはスピンコー
ド法で前記２つの基板に所定の膜厚でパターンのあるク
ロム膜面に全面塗布する。２つの基板をアライメントマ
ーク１７により位置合わせつつパターンのあるクロム膜
面どおしを重ね合わせ圧着させる。この時圧着基板とし
てテフロン製基板が望ましい。以上のようにして第１１
図に示すパターンを得た。
ックタイト３５８をロールコート法あるいはスピンコー
ド法で前記２つの基板に所定の膜厚でパターンのあるク
ロム膜面に全面塗布する。２つの基板をアライメントマ
ーク１７により位置合わせつつパターンのあるクロム膜
面どおしを重ね合わせ圧着させる。この時圧着基板とし
てテフロン製基板が望ましい。以上のようにして第１１
図に示すパターンを得た。
圧着後基板外にはみ出した当該接着剤をふき取り全面に
表裏から所定の波長の紫外線を照射する。
表裏から所定の波長の紫外線を照射する。
すなわち当該接着剤を硬化させる。
以上のようにして微細なパターンを有し、パターン上に
ゴミが無くパターンにキズが付（可能性が皆無であるレ
チクルを得ることが出来る。
ゴミが無くパターンにキズが付（可能性が皆無であるレ
チクルを得ることが出来る。
尚本発明が実施のみに限定されないことは言うまでもな
い。
い。
〈発明の効果〉
以上の説明かられかるように本発明によればパターン作
成時の近接効果が低減されるため、微細パターンを必要
とするフォトマスク、レチクルを完全な形で提供出来、
パターン上にゴミが無く、キズが付（可能性が皆無であ
るというところに本発明の有効的な工業的な意義がある
。
成時の近接効果が低減されるため、微細パターンを必要
とするフォトマスク、レチクルを完全な形で提供出来、
パターン上にゴミが無く、キズが付（可能性が皆無であ
るというところに本発明の有効的な工業的な意義がある
。
当然のことながら、基板外面に付着したゴミは、半導体
素子には転写されないものである。
素子には転写されないものである。
第１図は、微細パターンの一例を示す拡大平面図、第２
図は微細パターンの他の例を示す拡大平面図、第３図お
よび第４図は従来の方法によりパターンを作成した際の
近接効果の様子を示す拡大平面図、第５図は、従来のレ
チクルマスクの一部拡大図、第６図は、従来のレチクル
マスクにペリクルを装着した際の要部拡大図、第７図は
、本発明による上部基板と下部基板の貼り合わせ前の様
子を示す断面図、第８図は、本発明の貼り合わせ後のマ
スクを示す一部拡大断面図、第９図は、本発明により第
１図の微細パターンを分割して形成したパターンのうち
上部基板パターンを示す拡大平面図、第１Ｏ図は、本発
明によ−り第１図の微細パターンを分割して形成したパ
ターンのうち下部基板パターンを示す拡大平面図、第１
１図は、本発明により第９図と第１０図のパターンを貼
り合わせて得られる微細パターンを示す拡大平面図、第
１２図は、本発明により第２図の微細パターンを分割し
て形成されたパターンのうち上部基板パターンを示す拡
大平面図、第１３図は、本発明により第２図の微細パタ
ーンを分割して形成されたパターンのうち下部基板パタ
ーンを示す拡大平面図、第１４図は、本発明により第１
２図と第１３図のパターンを貼り合わせて得られる微細
パターンを示す拡大平面図、第１５図は、本発明の貼り
合わせ型レチクル、フォトマスクの一実施例を示す斜視
図である。 １ 基板 ２ パターン ３ パターン上のゴミ ４ ペリクル ５ ペリクル支持用発泡体 ６ ペリクル支持用発泡体から出たゴミ７ ペリクル上
のゴミ ８ 上部基板 ９ 下部基板 １０ 上部基板上のパターン １１ 下部基板上のパターン １２ 接着剤 １３ 上部基板上のゴミ １４ 接着層 １５ 上部基板上パターン １６ 下部基板のパターンが貼り合わされる位置１７
アライメントマーク １日 上部基板のパターンが貼り合わされる位置下部
基板上パターン アライメントマーク 上部基板上パターン 下部基板のパターンが貼り合わされる位置上部基板のパ
ターンが貼り合わされる位置下部基板上パターン 上部基板 パターン形成部 下部基板 アライメントマーク 特 許 出 願 人 凸版印刷株式会社 代表者 鈴木和夫 第５図 第８図 第１図 第２図 第３図 第４′図 第１５図
図は微細パターンの他の例を示す拡大平面図、第３図お
よび第４図は従来の方法によりパターンを作成した際の
近接効果の様子を示す拡大平面図、第５図は、従来のレ
チクルマスクの一部拡大図、第６図は、従来のレチクル
マスクにペリクルを装着した際の要部拡大図、第７図は
、本発明による上部基板と下部基板の貼り合わせ前の様
子を示す断面図、第８図は、本発明の貼り合わせ後のマ
スクを示す一部拡大断面図、第９図は、本発明により第
１図の微細パターンを分割して形成したパターンのうち
上部基板パターンを示す拡大平面図、第１Ｏ図は、本発
明によ−り第１図の微細パターンを分割して形成したパ
ターンのうち下部基板パターンを示す拡大平面図、第１
１図は、本発明により第９図と第１０図のパターンを貼
り合わせて得られる微細パターンを示す拡大平面図、第
１２図は、本発明により第２図の微細パターンを分割し
て形成されたパターンのうち上部基板パターンを示す拡
大平面図、第１３図は、本発明により第２図の微細パタ
ーンを分割して形成されたパターンのうち下部基板パタ
ーンを示す拡大平面図、第１４図は、本発明により第１
２図と第１３図のパターンを貼り合わせて得られる微細
パターンを示す拡大平面図、第１５図は、本発明の貼り
合わせ型レチクル、フォトマスクの一実施例を示す斜視
図である。 １ 基板 ２ パターン ３ パターン上のゴミ ４ ペリクル ５ ペリクル支持用発泡体 ６ ペリクル支持用発泡体から出たゴミ７ ペリクル上
のゴミ ８ 上部基板 ９ 下部基板 １０ 上部基板上のパターン １１ 下部基板上のパターン １２ 接着剤 １３ 上部基板上のゴミ １４ 接着層 １５ 上部基板上パターン １６ 下部基板のパターンが貼り合わされる位置１７
アライメントマーク １日 上部基板のパターンが貼り合わされる位置下部
基板上パターン アライメントマーク 上部基板上パターン 下部基板のパターンが貼り合わされる位置上部基板のパ
ターンが貼り合わされる位置下部基板上パターン 上部基板 パターン形成部 下部基板 アライメントマーク 特 許 出 願 人 凸版印刷株式会社 代表者 鈴木和夫 第５図 第８図 第１図 第２図 第３図 第４′図 第１５図
Claims (1)
- （１）緻密に隣接している微細パターンを相補的にそれ
ぞれに形成した２枚の透明基板の微細パターンを形成さ
れた面同士を接合してなることを特徴とするマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1049257A JPH02228657A (ja) | 1989-03-01 | 1989-03-01 | マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1049257A JPH02228657A (ja) | 1989-03-01 | 1989-03-01 | マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02228657A true JPH02228657A (ja) | 1990-09-11 |
Family
ID=12825783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1049257A Pending JPH02228657A (ja) | 1989-03-01 | 1989-03-01 | マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02228657A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63283508A (ja) * | 1987-05-15 | 1988-11-21 | Kubota Ltd | 施肥装置付田植機 |
| JPS6445920U (ja) * | 1987-09-18 | 1989-03-22 |
-
1989
- 1989-03-01 JP JP1049257A patent/JPH02228657A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63283508A (ja) * | 1987-05-15 | 1988-11-21 | Kubota Ltd | 施肥装置付田植機 |
| JPS6445920U (ja) * | 1987-09-18 | 1989-03-22 |
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