JPH0225090A - 片面薄銅箔張回路基板の製造法 - Google Patents
片面薄銅箔張回路基板の製造法Info
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- JPH0225090A JPH0225090A JP17374488A JP17374488A JPH0225090A JP H0225090 A JPH0225090 A JP H0225090A JP 17374488 A JP17374488 A JP 17374488A JP 17374488 A JP17374488 A JP 17374488A JP H0225090 A JPH0225090 A JP H0225090A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子部品を実装するプリント配線板製造用の
銅箔と電気絶縁体とより製造された片面銅箔張積層板、
片面銅張フィルム、片面銅張シートなどの片面銅箔張回
路基板であって、特に高密度の多層プリント配線板製造
の際の最外層とじて用いるに好適な銅箔の厚みが数−〜
20p1所望厚みに対する厚みのバラツキが±2、OJ
、aA以下、好適には±1.On以下である片面薄銅箔
張回路基板の製造法である。
銅箔と電気絶縁体とより製造された片面銅箔張積層板、
片面銅張フィルム、片面銅張シートなどの片面銅箔張回
路基板であって、特に高密度の多層プリント配線板製造
の際の最外層とじて用いるに好適な銅箔の厚みが数−〜
20p1所望厚みに対する厚みのバラツキが±2、OJ
、aA以下、好適には±1.On以下である片面薄銅箔
張回路基板の製造法である。
銅箔張回路基板の製造法は、銅箔と絶縁体とを重ね通常
積層成形等によって製造され、用いる銅箔としては、電
解法による厚み1105u、701.35p、184.
12.nなどが量産され、アルミニウム箔等の担体上に
形成された5−19−などの銅箔も作られている。又、
圧延法による銅箔があるが、製造法との関係から薄くな
るほど高価なものとなり実質的には35虜以下の厚さの
箔は実用化されていない。
積層成形等によって製造され、用いる銅箔としては、電
解法による厚み1105u、701.35p、184.
12.nなどが量産され、アルミニウム箔等の担体上に
形成された5−19−などの銅箔も作られている。又、
圧延法による銅箔があるが、製造法との関係から薄くな
るほど高価なものとなり実質的には35虜以下の厚さの
箔は実用化されていない。
このような銅箔を積層成形に用いる場合、その厚みが1
8ρより薄いと皺になりやすく、銅箔を絶縁体と重ね合
わせる作業が極めて困難となるので殆ど実用化されてい
ない。またアルミニウム箔等の担体上に形成された銅箔
は、この点を改善したものであるが高価であり、更に銅
箔によるプリント配線を形成する前に担体であるアルミ
ニウム箔等の除去工程が必要という問題があった。
8ρより薄いと皺になりやすく、銅箔を絶縁体と重ね合
わせる作業が極めて困難となるので殆ど実用化されてい
ない。またアルミニウム箔等の担体上に形成された銅箔
は、この点を改善したものであるが高価であり、更に銅
箔によるプリント配線を形成する前に担体であるアルミ
ニウム箔等の除去工程が必要という問題があった。
また、プリント配線板加工工程において塩化銅や塩化鉄
などのエツチング液にて銅箔張回路基板を予備エツチン
グして銅箔を研磨してホトレジストの密着性を改良した
後、プリント配線板の製造工程に用いる方法が知られて
いたが、予備エツチングによる銅箔の除去量を多くした
り、或いは1m角などの大面積をエツチングして、薄銅
張回路基板を製造することは出来なかった。
などのエツチング液にて銅箔張回路基板を予備エツチン
グして銅箔を研磨してホトレジストの密着性を改良した
後、プリント配線板の製造工程に用いる方法が知られて
いたが、予備エツチングによる銅箔の除去量を多くした
り、或いは1m角などの大面積をエツチングして、薄銅
張回路基板を製造することは出来なかった。
従って、片面に厚さ181未満の電解銅箔や厚さ2〇−
未満の圧延銅箔がはられた片面薄銅箔張回路基板は実質
的には量産が困難であった。
未満の圧延銅箔がはられた片面薄銅箔張回路基板は実質
的には量産が困難であった。
本発明は、大型回路基板として使用可能な薄銅箔張回路
基板を生産性よく製造する方法について鋭意検討した結
果、大面積においても場所や表裏のちがいによる厚み精
度の差が極めて小なくし、特に、厚さが0.3aun以
下の薄い片面銅張回路基板を製造する方法を見出し、本
発明に到達した。
基板を生産性よく製造する方法について鋭意検討した結
果、大面積においても場所や表裏のちがいによる厚み精
度の差が極めて小なくし、特に、厚さが0.3aun以
下の薄い片面銅張回路基板を製造する方法を見出し、本
発明に到達した。
すなわち、本発明は、銅箔と電気絶縁体とより製造され
た片面銅箔張回路基板であって、離型用のプラスチック
フィルムの両側に銅箔が外側となるように抱き合わされ
た形で積層成形され、離型用のプラスチックフィルムに
仮接着され一体化された2枚の片面銅張回路基板を銅エ
ツチング液を用い、両面をエツチングして残存銅箔の厚
さをもとの銅箔の厚さの10〜75%きしてなることを
特徴とする片面薄銅箔張回路基板の製造法である。
た片面銅箔張回路基板であって、離型用のプラスチック
フィルムの両側に銅箔が外側となるように抱き合わされ
た形で積層成形され、離型用のプラスチックフィルムに
仮接着され一体化された2枚の片面銅張回路基板を銅エ
ツチング液を用い、両面をエツチングして残存銅箔の厚
さをもとの銅箔の厚さの10〜75%きしてなることを
特徴とする片面薄銅箔張回路基板の製造法である。
以下、本発明の構成について説明する。
本発明の銅箔と電気絶縁体とより製造された片面銅箔張
回路基板は、離型性のプラスチックフィルムの両面に片
面銅張回路基板が銅箔を外側として仮接着し一体化して
なる片面銅張回路基板(以下「抱合せ板」と記す)であ
る限りにおいて、積層成形時から一体化したもの、積層
成形後に仮接着一体化したもののいずれでもよく、電子
、電気材料用として用いられている種々の市販品等いず
れも使用可能であるが、本発明の製造法を適用する場合
、通常、公称厚みが18−以上の銅箔を用いた片面銅張
のフィルム、シート、繊維強化絶縁樹脂積層板、金属芯
積層板などである。電気絶縁体層は、ポリイミド樹脂、
ポリエステル樹脂等のフィルムやシート、熱硬化性樹脂
や耐熱性の熱可塑性樹脂とガラス(Eガラス、Dガラス
、Sガラス、石英ガラス(クォーツ)その他)、セラミ
ックス類(アルミナ、窒化硼素、その他)、全芳香族ポ
リアミド、ポリイミド、セミカーボン、フッ素樹脂、そ
の他の耐熱性エンジニアリングプラスチック等を一種或
いは二種以上適宜併用してなる繊維、チョップなどを用
いた多孔質フィルム或いはシート状の補強基材とを組み
合わせてなるプリプレグを用いて製造されるものである
。また、通常の銅張積層板は積層成形の圧力により、銅
箔表面が補強基材の凹凸を一部反映し、例えばガラス織
布基材の場合的40−ピッチで4−程度のうねりを持っ
たものとなるが、機械的に精密研磨して3JJM程度以
下の細かい凹凸度を持つが、前記うねりを取ったものを
使用することもできる。
回路基板は、離型性のプラスチックフィルムの両面に片
面銅張回路基板が銅箔を外側として仮接着し一体化して
なる片面銅張回路基板(以下「抱合せ板」と記す)であ
る限りにおいて、積層成形時から一体化したもの、積層
成形後に仮接着一体化したもののいずれでもよく、電子
、電気材料用として用いられている種々の市販品等いず
れも使用可能であるが、本発明の製造法を適用する場合
、通常、公称厚みが18−以上の銅箔を用いた片面銅張
のフィルム、シート、繊維強化絶縁樹脂積層板、金属芯
積層板などである。電気絶縁体層は、ポリイミド樹脂、
ポリエステル樹脂等のフィルムやシート、熱硬化性樹脂
や耐熱性の熱可塑性樹脂とガラス(Eガラス、Dガラス
、Sガラス、石英ガラス(クォーツ)その他)、セラミ
ックス類(アルミナ、窒化硼素、その他)、全芳香族ポ
リアミド、ポリイミド、セミカーボン、フッ素樹脂、そ
の他の耐熱性エンジニアリングプラスチック等を一種或
いは二種以上適宜併用してなる繊維、チョップなどを用
いた多孔質フィルム或いはシート状の補強基材とを組み
合わせてなるプリプレグを用いて製造されるものである
。また、通常の銅張積層板は積層成形の圧力により、銅
箔表面が補強基材の凹凸を一部反映し、例えばガラス織
布基材の場合的40−ピッチで4−程度のうねりを持っ
たものとなるが、機械的に精密研磨して3JJM程度以
下の細かい凹凸度を持つが、前記うねりを取ったものを
使用することもできる。
本発明の片面銅張積層板は上記の如きものであるが、特
に三酢酸セルロール、ポリプロピレン、ポリ−4−メチ
ルペンテン−1、ポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフ
ロロエチレン、その他のプラスチックからなり、特に好
適には接着用の表面粗面化処理(マット処理)してなる
離型用のプラスチックフィルムを用い、銅箔/プリプレ
グ/離型用のプラスチックフィルム/プリプレグ/銅箔
の順で重ねて積層成形してなる2枚の片面銅張積層板が
仮接着一体化してなる抱合せ板をそのまま又は適宜外形
加工して用いることが好適であり、特に絶縁層の厚みが
0.3〜0.05mm程度の薄い片面銅張回路基板が好
適に使用される。絶縁層が0,3〜0゜05+++m程
度の場合には、銅箔と絶縁層との熱膨張率の差に基づい
てカールし易く、このため、通常のエツチングマシンに
よるエツチング作業が困難であるが、抱合せ積層板の状
態においてはこのようなカールが全くおこらないもので
あり、又、エツチング液が離型性のプラスチックフィル
ムと片面銅張回路基板との間に染み込むことも実質的に
ないものである。
に三酢酸セルロール、ポリプロピレン、ポリ−4−メチ
ルペンテン−1、ポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフ
ロロエチレン、その他のプラスチックからなり、特に好
適には接着用の表面粗面化処理(マット処理)してなる
離型用のプラスチックフィルムを用い、銅箔/プリプレ
グ/離型用のプラスチックフィルム/プリプレグ/銅箔
の順で重ねて積層成形してなる2枚の片面銅張積層板が
仮接着一体化してなる抱合せ板をそのまま又は適宜外形
加工して用いることが好適であり、特に絶縁層の厚みが
0.3〜0.05mm程度の薄い片面銅張回路基板が好
適に使用される。絶縁層が0,3〜0゜05+++m程
度の場合には、銅箔と絶縁層との熱膨張率の差に基づい
てカールし易く、このため、通常のエツチングマシンに
よるエツチング作業が困難であるが、抱合せ積層板の状
態においてはこのようなカールが全くおこらないもので
あり、又、エツチング液が離型性のプラスチックフィル
ムと片面銅張回路基板との間に染み込むことも実質的に
ないものである。
上記の両面銅箔張回路基板をエツチングする本発明の銅
エツチング液は、過酸化水素/硫酸、過硫酸塩、塩化銅
又は塩化鉄などを主剤とし、主剤の安定剤、銅の溶解促
進剤、エツチングされた銅箔面の状態を制御するための
助剤などを配合してなる水溶液であり、通常のエツチン
グ装置を用い通常のエツチング条件で条件制御を厳密に
行うことにより実施可能であるが、通常のエツチングに
用いられるエツチング液に比較してエツチング成分の濃
度を低く保つ方法、温度を低く保つ方法又は銅箔面上の
供給エツチング液の接触量(スプレー法の場合にはスプ
レー圧力やスプレー数)を少なくする方法(特に、被エ
ツチング基板の進行方向に対して垂直な方向のスプレー
ノズルを小さくし、かつ数を増やし、更にノズルのエツ
チング液噴射角度を被エツチング基板に対して垂直から
30〜75°程度傾ける)等並びにこれらを適宜組み合
わせることによってエツチング速度を通常より遅くして
行うことが好適であり、特にエツチング液の濃度又はエ
ツチング温度を通常に比較して低くする方法が好適であ
る。
エツチング液は、過酸化水素/硫酸、過硫酸塩、塩化銅
又は塩化鉄などを主剤とし、主剤の安定剤、銅の溶解促
進剤、エツチングされた銅箔面の状態を制御するための
助剤などを配合してなる水溶液であり、通常のエツチン
グ装置を用い通常のエツチング条件で条件制御を厳密に
行うことにより実施可能であるが、通常のエツチングに
用いられるエツチング液に比較してエツチング成分の濃
度を低く保つ方法、温度を低く保つ方法又は銅箔面上の
供給エツチング液の接触量(スプレー法の場合にはスプ
レー圧力やスプレー数)を少なくする方法(特に、被エ
ツチング基板の進行方向に対して垂直な方向のスプレー
ノズルを小さくし、かつ数を増やし、更にノズルのエツ
チング液噴射角度を被エツチング基板に対して垂直から
30〜75°程度傾ける)等並びにこれらを適宜組み合
わせることによってエツチング速度を通常より遅くして
行うことが好適であり、特にエツチング液の濃度又はエ
ツチング温度を通常に比較して低くする方法が好適であ
る。
エツチング液として過酸化水素/硫酸系を用いる場合、
通常、過酸化水素(H2O2)の濃度は0.7〜14w
/v%、硫酸(H,SO,)の濃度は1〜25w/v%
でH20□/H,SO,のモル比が0.2〜1で温度2
0〜55℃の範囲とすることが望ましく、特に安定的に
高い厚み精度の両面の厚みの異なる薄銅箔張回路基板を
製造するためには、H2O2の濃度は2〜6w/v%、
硫酸の濃度は3〜l1w/v%、銅濃度30〜60g/
1で温度25〜35℃の範囲から選択するのが好適で
ある。
通常、過酸化水素(H2O2)の濃度は0.7〜14w
/v%、硫酸(H,SO,)の濃度は1〜25w/v%
でH20□/H,SO,のモル比が0.2〜1で温度2
0〜55℃の範囲とすることが望ましく、特に安定的に
高い厚み精度の両面の厚みの異なる薄銅箔張回路基板を
製造するためには、H2O2の濃度は2〜6w/v%、
硫酸の濃度は3〜l1w/v%、銅濃度30〜60g/
1で温度25〜35℃の範囲から選択するのが好適で
ある。
この過酸化水素/硫酸系のエツチング剤には、過酸化水
素の安定剤、銅の溶解促進剤などの添加剤を加える方法
は好ましいものである。このような添加剤としてはメタ
ノール、エタノール、プロパツール、ブタノールなどの
1価アルコール;エチレングリコール、プロピレングリ
コール、ブタンジオール、ベンタンジオールなどの2価
のアルコール;グリセリン、ペンタエリスリトールなど
の3価以上のアルコール;ポリエチレングリコールなど
のグリコールエーテル類;アミノ安息香酸、アミノテト
ラゾール、フェニル尿素などの含窒素有機環状化合物類
などが例示され、通常0.1〜5%の範囲から適宜選択
される。
素の安定剤、銅の溶解促進剤などの添加剤を加える方法
は好ましいものである。このような添加剤としてはメタ
ノール、エタノール、プロパツール、ブタノールなどの
1価アルコール;エチレングリコール、プロピレングリ
コール、ブタンジオール、ベンタンジオールなどの2価
のアルコール;グリセリン、ペンタエリスリトールなど
の3価以上のアルコール;ポリエチレングリコールなど
のグリコールエーテル類;アミノ安息香酸、アミノテト
ラゾール、フェニル尿素などの含窒素有機環状化合物類
などが例示され、通常0.1〜5%の範囲から適宜選択
される。
CuC]□を主剤とする塩化第二銅エツチング液の場合
ニハ例えばCuC’12−28201.421b トH
C1(20’Be’) 0.6galを溶解して水溶液
Lgalとしたもの(CuC1,・211.0170g
/j2. HCI 19w/v%の水溶液)程度の濃度
以下とした水溶液を用い、温度30〜40℃で行う方法
が例示される。
ニハ例えばCuC’12−28201.421b トH
C1(20’Be’) 0.6galを溶解して水溶液
Lgalとしたもの(CuC1,・211.0170g
/j2. HCI 19w/v%の水溶液)程度の濃度
以下とした水溶液を用い、温度30〜40℃で行う方法
が例示される。
NLOIl、 NH2Cl、 CLI、 NaClO2
,N114NO3などを含む水溶液の所謂「アルカリエ
ツチング液」の場合には例えばNH4OH3mol/4
2. NaCNaC102l0/A。
,N114NO3などを含む水溶液の所謂「アルカリエ
ツチング液」の場合には例えばNH4OH3mol/4
2. NaCNaC102l0/A。
NH=C11mol#、 N1JCOs 1mol/
j2. NH4NO31mol/β程度の濃度以下と
し、水溶液中のCu濃度を10 lb/gal (74
,89g/j2)以下、温度 30〜45℃に保つ方法
、又は通常の液濃度としてエツチング温度を20〜30
℃程度にする方法が例示される。
j2. NH4NO31mol/β程度の濃度以下と
し、水溶液中のCu濃度を10 lb/gal (74
,89g/j2)以下、温度 30〜45℃に保つ方法
、又は通常の液濃度としてエツチング温度を20〜30
℃程度にする方法が例示される。
(NH,) 、S20.を主剤とする過硫酸塩エツチン
グ液の場合には例えば(NH4)2320821b/g
a、1(240gz#り程度の濃度以下とした水溶液を
用い、20〜35℃の温度で行う方法が例示される。
グ液の場合には例えば(NH4)2320821b/g
a、1(240gz#り程度の濃度以下とした水溶液を
用い、20〜35℃の温度で行う方法が例示される。
塩化第二鉄を主剤とするエツチング液の場合、例えばF
eCIa(40°Be’) 5.8j!、 HCI(3
5wt%)1.2j2及び水3.0βの比率で配合して
なる水溶液で、室温(25℃)程度以下の温度で行う方
法が例示される。
eCIa(40°Be’) 5.8j!、 HCI(3
5wt%)1.2j2及び水3.0βの比率で配合して
なる水溶液で、室温(25℃)程度以下の温度で行う方
法が例示される。
クロム酸/硫酸エツチング液の場合には例えばCrO+
240g/、f!5Naz30440.5g/β、H
2S04(96%)180 g/j2程度の濃度以下と
した水溶液を用いる方法が例示される。
240g/、f!5Naz30440.5g/β、H
2S04(96%)180 g/j2程度の濃度以下と
した水溶液を用いる方法が例示される。
しかしながら例えばアルカリエツチング液では、液の安
定性が悪いという欠点があり、過硫酸塩エツチング液で
はエツチングされた銅が水溶液から析出し易い欠点があ
り、塩化第二鉄エツチング液では溶解銅濃度の変化によ
りエツチング速度が大きく変化する欠点があり、更にク
ロム酸/硫酸エツチング液の場合、積層板の樹脂を侵す
という欠点があるので、本発明においては過酸化水素/
硫酸系のエツチング液が液管理の点や公害などの点から
最も好ましい。
定性が悪いという欠点があり、過硫酸塩エツチング液で
はエツチングされた銅が水溶液から析出し易い欠点があ
り、塩化第二鉄エツチング液では溶解銅濃度の変化によ
りエツチング速度が大きく変化する欠点があり、更にク
ロム酸/硫酸エツチング液の場合、積層板の樹脂を侵す
という欠点があるので、本発明においては過酸化水素/
硫酸系のエツチング液が液管理の点や公害などの点から
最も好ましい。
本発明の製造法におけるエツチング方法は、好適にはス
プレー式エツチングマシンで行い、銅箔のエツチング速
度を好適には、0.01ρ/秒〜0.イIfm/秒、特
に0,03JJ3/秒〜0,3Js/秒の範囲とする。
プレー式エツチングマシンで行い、銅箔のエツチング速
度を好適には、0.01ρ/秒〜0.イIfm/秒、特
に0,03JJ3/秒〜0,3Js/秒の範囲とする。
エツチング速度が速いと、僅かな時間のずれで残存銅箔
の厚さが変化し易く、遅いと時間並びに装置面で経済的
でない。
の厚さが変化し易く、遅いと時間並びに装置面で経済的
でない。
スプレーエツチングにより所定厚みの銅箔とするために
は、通常、所定のエツチング液を用い、スプレー圧力又
は使用スプレー数を調整して両面のエツチング速度を所
望の速度範囲に設定する方法を使用する。
は、通常、所定のエツチング液を用い、スプレー圧力又
は使用スプレー数を調整して両面のエツチング速度を所
望の速度範囲に設定する方法を使用する。
上記したエツチング剤で処理した積層板の銅箔面は清浄
化した後、適宜乾燥し、銅箔面の保護のために防錆剤の
塗布や剥離可能な樹脂による被覆を行う。
化した後、適宜乾燥し、銅箔面の保護のために防錆剤の
塗布や剥離可能な樹脂による被覆を行う。
ここに清浄化とは、中和、酸洗浄、水洗、湯洗などの公
知の不純物の除去法でよく、用いた過酸化水素/硫酸水
溶液による銅エツチング液の安定剤その他の成分を考慮
して適宜選択するが、通常は中和→酸洗浄→(防錆或い
は保護膜被覆)を行うのが好ましい。
知の不純物の除去法でよく、用いた過酸化水素/硫酸水
溶液による銅エツチング液の安定剤その他の成分を考慮
して適宜選択するが、通常は中和→酸洗浄→(防錆或い
は保護膜被覆)を行うのが好ましい。
適宜乾燥した後、本発明の防錆剤或いは剥離可能な樹脂
により銅箔面を保護する。防錆剤としては公知の銅の防
錆剤が挙げられ、ベンゾ) IJアゾールなどのアゾー
ル化合物が挙げられ、これに界面活性剤等を適宜併用し
たものが例示される。又、剥離可能な樹脂としては、ポ
リエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン樹
脂、エチレン−酢酸ビニル樹脂、塩化ビニリデン、ポリ
アクリレート共重合体、1,2−ポリブタジェン樹脂、
ポリエステル樹脂、その他の熱可塑性樹脂製のフィルム
類やフォトレジストフィルム;パラフィンワックス、ポ
リエチレンワックス、ロジン、低分子量ポリスチレンな
どの汎用溶媒溶解性の樹脂類;フォトレジスト樹脂液な
どが例示され、洗浄された銅箔面に直接圧着などしても
良いし、前記の防錆処理した面にさらに圧着などして銅
箔面を被覆する。
により銅箔面を保護する。防錆剤としては公知の銅の防
錆剤が挙げられ、ベンゾ) IJアゾールなどのアゾー
ル化合物が挙げられ、これに界面活性剤等を適宜併用し
たものが例示される。又、剥離可能な樹脂としては、ポ
リエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン樹
脂、エチレン−酢酸ビニル樹脂、塩化ビニリデン、ポリ
アクリレート共重合体、1,2−ポリブタジェン樹脂、
ポリエステル樹脂、その他の熱可塑性樹脂製のフィルム
類やフォトレジストフィルム;パラフィンワックス、ポ
リエチレンワックス、ロジン、低分子量ポリスチレンな
どの汎用溶媒溶解性の樹脂類;フォトレジスト樹脂液な
どが例示され、洗浄された銅箔面に直接圧着などしても
良いし、前記の防錆処理した面にさらに圧着などして銅
箔面を被覆する。
以下、実施例、比較例により本発明を具体的に説明する
。なお、エツチングした銅箔の厚みは、渦電流方式で測
定した。
。なお、エツチングした銅箔の厚みは、渦電流方式で測
定した。
実施例1
1020++on X 1020mmで厚さ0.1mm
のガラス布基材エポキシ樹脂プリプレグ、1050mm
X 1050mmで公称厚さ18−銅箔(日鉱グール
ド社製、JTC処理電解銅箔)及びテトラ−フィルム
(Du Pont社製)を用い、銅箔/プリプレグ/テ
トラ−フィルム/プリプレグ/銅箔の順に重ねて二枚の
鏡面板間に挟み、30kg/c[I!、170℃、2時
間の条件で積層成形して、0.1mmの片面銅張積層板
がフィルムを介して仮接着一体化した「抱合板」を製造
した。
のガラス布基材エポキシ樹脂プリプレグ、1050mm
X 1050mmで公称厚さ18−銅箔(日鉱グール
ド社製、JTC処理電解銅箔)及びテトラ−フィルム
(Du Pont社製)を用い、銅箔/プリプレグ/テ
トラ−フィルム/プリプレグ/銅箔の順に重ねて二枚の
鏡面板間に挟み、30kg/c[I!、170℃、2時
間の条件で積層成形して、0.1mmの片面銅張積層板
がフィルムを介して仮接着一体化した「抱合板」を製造
した。
この抱合板を水平スプレーエツチングマシンを用い、過
酸化水素/硫酸エツチング液(三″菱瓦斯化学側製、F
ES−6000,)!2oz=7.78w/v%、 H
2S04=11゜7w/v%)の3倍希釈液を用い、下
記条件でエツチング しブこ。
酸化水素/硫酸エツチング液(三″菱瓦斯化学側製、F
ES−6000,)!2oz=7.78w/v%、 H
2S04=11゜7w/v%)の3倍希釈液を用い、下
記条件でエツチング しブこ。
・ Cu = 40g/β
・標準配列のエツチング速度 0.18 / sec。
ついで、中和→酸洗浄→水洗した後、水溶性の防錆剤(
例えば、C,B、ブライト (三菱瓦斯・化学■製)、
コロミンCB (花王アトラス和製など)を用いて、防
錆処理をして乾燥した。
例えば、C,B、ブライト (三菱瓦斯・化学■製)、
コロミンCB (花王アトラス和製など)を用いて、防
錆処理をして乾燥した。
ついで、外形加工して1000mm X 1000mm
の抱合板とした後、離型フィルムから剥離して厚さ0.
1mmの片面銅張板2枚とした。この銅張板の銅箔の厚
さを、渦電流式膜厚計(電測工業■製、グーメス渦電流
式膜厚計、型式O3−1)で測定した結果を第1表に示
した。
の抱合板とした後、離型フィルムから剥離して厚さ0.
1mmの片面銅張板2枚とした。この銅張板の銅箔の厚
さを、渦電流式膜厚計(電測工業■製、グーメス渦電流
式膜厚計、型式O3−1)で測定した結果を第1表に示
した。
実施例2
実施例1と同様にして得た抱合板をシャーで切・温度
30℃。
30℃。
断して500mm X 330 n++nの抱合板6枚
とした。
とした。
この外形加工した抱合板を用い、実施例1と同様にして
エツチング、洗浄、防錆乾繰した後、それぞれ離型フィ
ルムから剥離して銅箔の平均厚さ8.8虜、厚さ0.1
mmの片面板 12枚を得た。
エツチング、洗浄、防錆乾繰した後、それぞれ離型フィ
ルムから剥離して銅箔の平均厚さ8.8虜、厚さ0.1
mmの片面板 12枚を得た。
剥離の際、周辺部へのエツチング液や洗浄、防錆液の染
み込みを観察したが、染み込みは見られなかった。
み込みを観察したが、染み込みは見られなかった。
実施例3
厚さ40−の接着剤付きの公称厚み18−〇銅箔(三井
金属■製)を銅箔を外側として厚さ30ρのポリプロピ
レンフィルムの両面に重ね、温度140℃の熱ロールに
2秒間加圧するようにして通し、仮接着した抱合シート
とした。
金属■製)を銅箔を外側として厚さ30ρのポリプロピ
レンフィルムの両面に重ね、温度140℃の熱ロールに
2秒間加圧するようにして通し、仮接着した抱合シート
とした。
この仮接着抱合シートを用いる他は実施例1と同様にし
て銅箔の厚さ8.8−の接着剤付銅箔を得た。
て銅箔の厚さ8.8−の接着剤付銅箔を得た。
以上、発明の詳細な説明および実施例、比較例から明瞭
な如く、本発明の製造法によれば、抱合板を用いて、銅
箔の厚みが181以下である絶縁層の薄い片面薄銅張積
層板が2枚同時に、エツチング液等により汚染もなく、
容易に製造され、しかも銅箔の厚み精度、銅箔の剥離強
度においても優れたものが製造できる。
な如く、本発明の製造法によれば、抱合板を用いて、銅
箔の厚みが181以下である絶縁層の薄い片面薄銅張積
層板が2枚同時に、エツチング液等により汚染もなく、
容易に製造され、しかも銅箔の厚み精度、銅箔の剥離強
度においても優れたものが製造できる。
この結果、高密度プリント配線板や高密度多層プリント
配線板用の外層銅張片面板が、精度よく安価に容易に製
造できるので、その産業上の意義は極めて大きいもので
ある。
配線板用の外層銅張片面板が、精度よく安価に容易に製
造できるので、その産業上の意義は極めて大きいもので
ある。
特許出願人 三菱瓦斯化学株式会社
Claims (1)
- 銅箔と電気絶縁体とより製造された片面銅箔張回路基
板であって、離型用のプラスチックフィルムの両側に銅
箔が外側となるように抱き合わされた形で積層成形され
、離型用のプラスチックフィルムに仮接着され一体化さ
れた2枚の片面銅張回路基板を銅エッチング液を用い、
両面をエッチングして残存銅箔の厚さをもとの銅箔の厚
さの10〜75%としてなることを特徴とする片面薄銅
箔張回路基板の製造法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17374488A JPH0225090A (ja) | 1988-07-14 | 1988-07-14 | 片面薄銅箔張回路基板の製造法 |
| DE68923904T DE68923904T2 (de) | 1988-05-20 | 1989-05-18 | Verfahren zur Herstellung eines mit einer dünnen Kupferfolie kaschierten Substrats für Schaltungsplatten. |
| EP89108934A EP0342669B1 (en) | 1988-05-20 | 1989-05-18 | Method for preparing thin copper foil-clad substrate for circuit boards |
| US07/354,954 US4917758A (en) | 1988-05-20 | 1989-05-19 | Method for preparing thin copper foil-clad substrate for circuit boards |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17374488A JPH0225090A (ja) | 1988-07-14 | 1988-07-14 | 片面薄銅箔張回路基板の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0225090A true JPH0225090A (ja) | 1990-01-26 |
Family
ID=15966328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17374488A Pending JPH0225090A (ja) | 1988-05-20 | 1988-07-14 | 片面薄銅箔張回路基板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0225090A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005260253A (ja) * | 2005-04-04 | 2005-09-22 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
-
1988
- 1988-07-14 JP JP17374488A patent/JPH0225090A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005260253A (ja) * | 2005-04-04 | 2005-09-22 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
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