JPH02229008A - セラミック基板切断時のチッピング防止法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 セラミック基板のチッピング防止法に関し、定形サイズ
への切断時にチッピングが発生し難くなるようにするこ
とを目的とし、 セラミック基板の下面に液状の熱硬化性樹脂を塗布し、
セラミック基板の下面のマイクロクラック内に該樹脂を
浸潤させた後、該樹脂を硬化させて樹脂層を形成し、ベ
ース材上にワックスで該セラミック基板を固定した後、
カッティングホイールで前記セラミック基板を定形サイ
ズに切断する構成とした。

〔産業上の利用分野〕

この発明は、チッピング防止法に関し、特に、セラミッ
ク基板の定形サイズへの切断工程において生じるチッピ
ングを防止するチッピング防止法に関する。

〔従来の技術〕

第３図は従来のセラミック基板の切断方法の要領を示す
模式図である。同図に示す従来の切断方法では、セラミ
ック基板１を周縁部にダイアモンド砥粒を付着させたカ
ッティングホイール２で切断する際に、セラミック基板
１の下面まで正確に切断するため、ガラス等のセラミッ
ク、あるいは、カーボン等で作られたベース材３Ｆに有
機系接着剤６でセラミック基板１を固定し、このベース
材３を切断機のベントに固定した後、前記カッティング
ホイール４を高速回転させなからベース材３の途中まで
切り込ませて前記セラミ・ツク基板１を定形サイズに切
断している。

前記カッティングホイール２の径はセラミック基板１の
数倍の大きさであり、切断途中においでしょカッチイン
クホイール２の切１枡線ＡＢとセラミック基板１の下面
との挟角は第３図に示す如くに鋭い角度となっている。

〔発明が解決しようとする課題〕

この従来方法によれば、カッティングホイール２が高速
回転しながら接触することにより切断線ＡＢとセラミッ
ク基板１の下面との交点Ｂの近傍でセラミック基板１が
機械的振動を受ける。セラミック基板１ば脆性が高く、
しかも、第２図に示す如くＧこその表面に多数のマイク
ロクラック１ａを有しており、前記機械的振動を発生さ
せる加工力によってこのマイクロクラック１ａか簡単に
拡大されて、切断されたセラミック基板１の下面に例え
ば深さ０．３ｍｍないしｌ　ｉｎ、平均すれば０゜５　
ｍｍ程度という大きなチッピングが生じることが知られ
ている。

このようなチッピングは基板に形成された導体パターン
の欠１１うを招来する恐れがあり、チッピングによるパ
ターンの欠損を防止するためには、基板の導体パターン
が形成されるエリアをチッピングが及ばない範囲に限定
する必要があり、回路の集積化を高める上で不利になる
。

ところで、ポリエステル系の接着剤でセラミック基板１
をベース材３に固定することを試みたところ、チッピン
グの発生はかなり防止された。しかし、この場合には接
着剤層を薄く形成することが困難で作業性か悪いこと、
接着剤層が比較的厚肉乙こなるために切断時に接着剤の
切屑にまりカッティングホイール２か目詰まりし、切断
効率が短時間で著しく低下すること、切断後に接着剤層
を除去することか困芹であること等の問題があることが
分かった。

この発明は、上記の事情を鑑みてなされたものであり、
その目的とするところは、セラミック基板を定形サイズ
に切断する際のチッピングの発生を防止することにある
。

〔課題を解決するための手段〕

この発明においては、上記の目的を達成するため、例え
ば第１図に示す如くに、セラミック基板１の下面に液状
の熱硬化性樹脂を塗布し、セラミック基板１の下面のマ
イクロクラック１ａ内に該樹脂を浸潤させた後、該樹脂
を硬化させて樹脂層５を形成し、ベース材３上にワ・ノ
クス４でセラミック基板１を画定した後、カッチインク
ホイール２で前記セラミック基板１を定形サイズに切実
［するようにしている。

〔作　用〕

液状の樹脂は例えばスピンコータ等によって簡単に膜厚
を制御しながらセラミック基板１の下面に塗布でき、ま
た、セラミック基板１のマイクロクラック中にも簡単に
浸入させることができる。

そして、例えば約４００℃に加熱すること（焼成）によ
り導体パターンに悪影響を与えることなく樹脂を硬化さ
せて、セラミック基板１の下面のマイクロクラック１ａ
の周囲のセラミンク素材を互いに結合させることができ
る。その結果、切断加工時に加工力が加えられてもにマ
イクロクラックは簡単には拡大しなくなる。

〔実施例〕

以下、この発明の実施例を図面に基づき詳細に説明する
。

第１図はこの発明の一実施例に係るセラミ・ツク基板の
切断方法の要領を示す模式図である。この方法では厚さ
約１０ｉ１１のセラミック基板１の下面に液状のポリイ
ミド樹脂を数十μｍ程度の厚さに塗布する。これにより
、第２図に示ず如くにセラミック基板１の下面のマイク
ロクランク１ａがポリイミド樹脂によって浸潤される。

そして、約４００°Ｃ程度に加熱してポリイミド樹脂を
硬化させることにより第１図及び第２図に示す如くに例
えば数十μｍ程度の充分に薄いポリイミド層５が形成さ
れる。この後、ポリイミド層５の下面にワックス（！Ｉ
！ｌ？’、）４を約０．１ｉｎ以下の厚さに付着させ、
ベース材３の上面に前記セラミック基板１及びポリイミ
ド層５を固定する。更にこの後、ベース材３を切断機の
ベントに固定し、高速回転するカッティングホイール２
を従来と同様にセラミック基板１からベース材３にかけ
て切り込ませて、回転軸心と直角の方向に切り進める。

この方法によれば、液状のポリイミド樹脂をセラミック
基板、１の下面に塗布することにより、セラミック基板
１の下面のマイクロクラック１ａ内にポリイミド樹脂が
浸入し、これが硬化されることによりマイクロクランク
１ａの周囲のセラミック素材がポリイミド樹脂によって
互いに結合される。したがって、切断の際に加工力がマ
イクロクラックｌａの周囲のセラミック素材に伝播して
もポリイミド樹脂によってマイクロクラック１ａの周囲
のセラミック素材が互いに結合されているのでマイクロ
クラック１ａが容易には拡大しなくなり、チッピングの
発生が著しく抑制される。また、チッピングが生じても
その大きさを実用上無視できる０、３■ｌ以下、平均０
．１龍程度に抑えることができる。そして、このように
切断の加工精度を高めることにより導体パターンを形成
できるエリアを切断線に一層近接させることが可能にな
り、回路の集積度を高める上で有利になる。

また、ポリイミド層５は電気絶縁性に優れているので切
断後にセラミック基板１から除去する必要はないが、例
えばヒドラジン等の溶剤を使用することによりワックス
４とともに除去してもよい。

本実施例では熱硬化性樹脂としてポリイミドを用いたが
、エポキシ、カゼイン等の樹脂を用いてもよい。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明のセラミック基板の切断方法に
よれば、切断前に熱硬化性樹脂をセラミック基板の下面
に含浸させて硬化させることによりマイクロクラックの
周囲のセラミック素材を互いに結合し、切断加工時に加
工力によって基板下面のマイクロクランクが拡大するこ
とを防止できるので、チッピングの発生を防止すること
ができ、切断線に一層接近した範囲までパターンを形成
することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例に係るセラミック基板の切
断方法の要領を示す模式図、第２図はセラミック基板の
下面の形状を示す模式図、第３図は従来のセラミック基
板の切断方法の要領を示す模式図である。 図中、 １・・・セラミック基板、 ２・・・カッティングホイール、３・・・ベース材、４
・・・ワックス、５・・・ポリイミド層。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 〔１〕セラミック基板（１）の下面に液状の熱硬化性樹
   脂を塗布し、セラミック基板（１）の下面のマイクロク
   ラック内に該樹脂を浸潤させた後、該樹脂を硬化させて
   樹脂層（５）を形成し、ベース材（３）上にワックス（
   ４）で該セラミック基板（１）を固定した後、カッティ
   ングホイール（２）で前記セラミック基板（１）を定形
   サイズに切断することを特徴とするセラミック基板切断
   時のチッピング防止法。