JPH02229437A - 高性能バイポーラ構造製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （本発明の利用分野） 本発明は高性能バイポーラ集積回路の製造方法に関する
。それによって生じた回路は最小の水平領域と最小の接
合深さを有している。

（発明の背景） 半導体技術における現在の傾向は非常に高速で、且つ低
電力性能を有するデバイスのＬＳＩに向けられている。

高性能バイボーラ・トランジスタに本質的なパラメータ
は浅い垂直方向の接合と小さな水平形状によって実現さ
れている低い寄生キャバシタンスが存在することである
。言い換えれば、水平と垂直の方向に出来る限り小さな
ＩＣにおけるデバイスを作成することが必要である。

半導体製造技術、例えばイオン注入、誘電体絶縁、電子
ビーム及びＸ線リソグラフィー等の分野における進歩に
伴って、超高性能ＩＣデバイスの製造が可能になった。

他の製造技術において、高性能ＩＣデバイスの製造が進
歩している。

ＩＣの大きさを減少するための一つのアブローチは隣接
するバイポーラ構造を絶縁する溝やスロットを用いるこ
とである。この技術はＰＮ接合が作られるこれらの領域
に隣接して半導体ウエファにエッチング溝を設けるため
に、溝が食刻されなければならない深さを最小にするた
めに出来る限り浅いデバイスを製造することが益々重要
になっている。

第１図に示されたテキサスインスツルメントの製法は現
在実行されている最新のバイポーラ製造の代表的なもの
である。図から判るように、それはデバイスの残りの部
分からフィールド酸化物１２によって絶縁されている外
部のコレクターを有している。それによって、各々のＮ
ＰＮ｝ランジスタによって占められるＩＣの水平領域を
拡張している。同様な努力が米国特許第４３９２１４９
号、第４３１９９３２号及び第４３３８１３８号各明細
書に開示されているように、ＩＢＭによって成されてい
る。これらの全ての特許は離れたコレクターを有してい
る構造によって特徴づけられる。それらは又埋め込み層
を一体にした比較的奥行きのある構造に．よって特徴づ
けられる。そしてそれは埋め込み層において低いシート
状の抵抗を得るために必要である。この奥行きのある埋
め込み層はトレンチまたはスロット或いは上述の酸化物
絶縁の負の結果をもたらす深い絶縁を与えることが必要
となる。

分離のコレクタを使用すると、そのコレクタヘ。

の接続をなすのに酸化物に隔離した島領域を設ける必要
もでてくる。分離したコレクタを使用すると、エミッタ
とコレクタとの間に所望の低い抵抗を与えるために、比
較的に厚い埋込み層を設ける必要もでてくる。従来の構
造にふいては、埋込み層のシート抵抗率を低くするため
には、その埋込み層の厚さを約３μとする必要がある。

その上、埋込み層を形成するのに、相当の熱サイクリン
グおよび大量のドーピングが必要とされ、これらのため
に、完成品にストレスが入ってしまい、また、比較的に
深い構造となってしまう。さらに、まず先にＰ−ポリを
設けると、活性エミッタとなるべき領域が後でＮ−ポリ
エミッタのためにそのＰ−ポリを開けるために必要なエ
ッチ処理にさらされてしまう。このため、活性エミッタ
における単結晶シリコンがエッチ損傷をうける可能性が
あり、エミッタに欠陥が生ずる可能性がある。第１図に
示した型のプロセスを使用することによるもう一つ別の
問題点は、幾何学的形状を最小とするために、エミッタ
１４が活性ベース１６と自己整合されることである。し
かしながら、このためには、Ｐ−ポリ層１８がＮ−ポリ
層２４とＰ−ポリ層ｌ８とを分離する酸化物スペーサ２
２の下に不純物ベース領域２０を拡散することによって
活性ベースｌ６に接触しなければならない。そして、こ
うするには、不純物ベース領域２０および真性ベース領
域を相当に熱処理する必要があり、このような余分の熱
処理をすると、真性ベース領域１６が比較的に深くされ
てしまう。深い不純物ベース領域を設けると、このプロ
セスの目的の１つである浅い接合が得られる可能性が減
じられてしまう。

さらに、もし、コレクタｌＯがベース領域により近接す
るように移動された場合には、コレクタベース容量が非
常に高くなり、且つブレイクダウン電圧が比較的に低く
なってしまうであろう。従って、従来のプロセスでは、
最高の性能を得つつ浅い接合を得て、装置面積を最小と
し、欠陥を低くし、寄生容量を低くするというそのプロ
セスの目的を達成するための制御が比較的に難しい。

（発明の目的） 本発明の目的は、所定のマスキングまたはリングラフ能
力内にて形状の小さなバイポーラ素子を製造する改良さ
れた方法を提供することである。

本発明の別の目的は、コレクタベース接合容量の減少し
たバイポーラ素子を製造する方法を提供することである
。

本発明のもう一つ別の目的は、コレクター基板接合容量
が非常に減少された素子を製造する方法を提供すること
である。

本発明の別の目的は、寄生コレクタ抵抗が非常に減少し
た素子を製造する方法を提供することである。

本発明のさらに別の目的は、簡単かつ精密で、良好な生
産性を与え、より容易に処理できる改良された特性を有
する浅い素子となるようなバイポーラ素子を製造する方
法を提供することである。

本発明のある関連した一つの目的は、寄生容量を最小と
するためにインプランされたベースおよび浅い接合の両
方を有するバイポーラ素子を製造する方法を提供するこ
とである。

本素子構造のさらに別の目的は、処理中の苛酷なエッチ
に対してアクチブエミッタ領域を保護しこの敏感な領域
の欠陥を減少させることである。

本発明のさらに別の目的は、ＢＩＣＭＯＳプロセスにて
ＣＭＯＳ素子を形成しても良好に作動するバイポーラ素
子を製造する方法を提供することである。

（発明の要約） これらの目的を達成するプロセスにおいては、Ｐ型材料
の活性ベース領域を先ず基体に形成するが、この基体の
少なくとも一部分は絶縁酸化物領域、トレンチ等の絶縁
域により囲まれているデバイス成形領域においてＮ型材
料となっている。活性ベース領域の形成後Ｎドープポリ
シリコン層を活性ベース領域の上に、そして絶縁トレン
チの上になっているフィールド酸化物領域の上に形成す
る。このＮポリ領域は処理されると、活性ベース領域の
上に配列したエミッタ領域と入れ合わせた形のコレクタ
をつくって最小形態の素子を形成する。適当に間隔を置
いた絶縁層を配置した後Ｐポリ層を置いて熱処理してＰ
型ドーピング材料が基体内に拡散して活性ペース領域に
接触するようにさせる。フィールド酸化物に隣接してエ
ミッタの両側にこのデザインに従って指を入れ合わせた
形のコレクタを使用すると、活性ベースのあるｅｐｉ領
域の下になっている埋められた層とコレクタとの間のア
ップ／ダウン抵抗が小さくなった素子をつくれる。薄い
ｅｐｉ領域だけを使用し、そして２つのコレクタ抵抗が
効果的につくられ、入れ合わせた形態のコレクタに延び
、有効な低いコレクタ抵抗となる。

この低いコレクタ抵抗を有利に利用してその埋められた
コレクタのシート抵抗は、コレクタを浅く埋めることに
より高められる。薄いｅｐｉ　とコレクタ領域の組み合
わせの正味の結果として比較的薄いデバイスが得られ、
そのような薄いデバイスは、低いシート抵抗の埋められ
た層を使用している従来のデバイスで必要としたものの
約１／２ないし２／３の程度の非常に浅いスロットもし
くはレンチにより隣の素子から分離できる。

浅いダブルコレクタを使用する本構造は先行技術よりも
浅く埋めた層と比較できる程度のコレクタ抵抗を有して
いる。浅く埋めたコレクタと浅いｅｐｉ層との使用によ
りこの薄いｅｐｉ層の使用により素子は製作しやすくな
り、そして欠陥が生じにくくなる。完全に酸化物絶縁さ
れていようと、トレンチ絶縁されていようと、素子を浅
くできるので絶縁深さはそれに応じて浅くなる。浅い絶
縁に必要なことはシリコンに大きい圧力をかけないこと
と、成形のための処理時間を長くしないことである。更
に、トレンチを切るのにひつような設備は非常に高価で
、典型的な６ミクロンのトレンチを切る時間は本発明の
約３−４ミクロンのトレンチの２倍である。このデバイ
スの別の利点は活性ベースを先ず拡散し、その後コレク
タとエミッタとを同時に形成し、マスキングトラレンス
はコレクタとエミッタとの間につくられ、例えそれらが
近接していても非常に高い破壊電圧をつくれる。

フィールド酸化物の配置後に非常に僅かな熱処理を必要
とし、浅いジャンクションも使用できる。

最後に、本発明のプロセスにおいて拡散ではなく植え込
まれたベースを設けることは比較的容易であり、そして
このプロセスの段階と順序はコンビネーションバイポー
ラデバイス（ＢｆＣＭＯＳ）の成形にも非常に向いてい
る。

（実施例） 実施例 高性能バイポーラ素子を製造するのには、デバイスの寸
法及びデバイス内の寄生容量を最小にするためにすべて
の要素をスペーサにより分離する、後述するような方法
が適している。

第２Ａ図ないし第２Ｇ図は素子のレイアウトの３面図で
ある。中央の図はこの方法を実施するために用いられる
マスクを示している。下の図はこのマスク工程の結果と
して得られる構造の垂直断面図であり、右の図はこの垂
直断面図に対して９０゜の角度で取られた同構造の垂直
横断面図である。したがって、素子の完全な断面立面図
はこれらの図により与えられる。

この方法は第２Ａ図に示されたように７〜１０Ｄｃｆｆ
ｉのＰ型基板３０から始まる。その後、マスクされてい
ないＮ型ドープ材料のシート埋め込み層３２がそのドー
バントして砒素またはアンチモンを用いて形成される。

本発明の方法によれば、この埋め込み層３２の厚さは約
１μでよい。最終製品にインクディジットコレクタ構造
を使用するため、非常に薄くて従って極めて制御可能な
埋め込み層が形成される。これは、この方法が実際には
このＰ型基板３０と、約１　０　０　Ｄ／ｃｊの抵抗を
有するＮ型ドープされた埋め込み層３２とを有する前処
理されたウエーハから始まることを示唆している。

次の層（これももまた、マスクされていない層である。

）は、エビタキシャル層３４であり、この層はＮドープ
層であってその厚さはほぼ３／４μとなるだろう。この
工程を終了するまでは、埋め込みコレクタが形成されエ
ビタキシャル層が成長するまで特定の装置が形成されな
いので、ウェーハはバッチ形式で記憶できるはずである
。

ウェーハの表面を酸化した後、第１マスク工程を実施し
てトレンチ３６、３８を形成する。４０、４２で示され
る酸化物で縁取りされ、３６、３８で示される多結晶物
質で充たされたこれらのトレンチは、完全な絶縁した領
域を形成する。この領域には、活性ＮＰＮ｝ランジスタ
が形成されるだろう。

不透明なフィールドマスクが用いられてトレンチの境界
を形成する。この境界はウェーハ上で各バイポーラトラ
ンジスタを囲むだろう。２工程エッチング方法が用いら
れて、トレンチ３６、３８を形成する。最初のエッチン
グにより埋め込み層（コレクタ）までトレンチが形成さ
れるが基板内までは形成されない。次に、そのトレンチ
全体にわたりＮ゜　ドープをすることによって第２図の
点線で示されるようにＮ゛領域３９が形成される。

その後、これが後の工程で形成されるコレクタ接点から
埋め込み層〈コレクタ）３２への低抵抗電流路を与える
。

Ｎ＋　ドーパントは、トレンチ３６、３８の側から単結
晶エビタキシャル層３４およびマスク下の埋め込みＦｊ
３２まで拡赦される。第２のエッチング工程は埋め込み
コレクタを介して基板内へのトレンチのエッチングに関
係する。

トレンチ３６、３８の側壁を含むウェーハ全体が酸化さ
れる。トレンチの底部の酸化物がエッチされ、ウエーハ
全体がポリシリコンの付着物（これもトレンチ内の４０
、４２にあいて充たされている。）で覆われ、その後、
その面全体が平面化される。トレンチの形成およびその
酸化物の側壁４０、４２が、回路の隣接したトランジス
タの間の完全な電気的絶縁を与え、そのトレンチをポリ
シリコンで充たすことが、そのトレンチで形成された空
所をポリシリコンで充たすことによりデバイスの表面を
滑らかにするのを助ける。

次に第２Ｂ図に目を転じると、次のマスクが使用されて
、活性素子を囲み、さらにその素子を隣接した素子から
絶縁するとともに形成すべき接続部の一部のための絶縁
支持層を与えるだけのフィールド酸化物４４の部分が形
成される。一般に、そのフィールド酸化物４４はトレン
チ全体にわたって成長されてポリシリコントレンチの充
填物を電気的に絶縁する。窒化層（その範囲はマスクに
より決まる。》は、活性デバイスが配置されるべき領域
の酸化を防止する。

破線で囲んだ範囲に示すように、フィールド酸化物は一
般にシンカー内に突き出ており、これは「鳥の嘴」と呼
ばれている。フィールド酸化物の破線の範囲は、トレン
チ３６、３８の側壁に沿って、多結晶質のシリコンと単
結晶質のシリコンとの領域の間に存在する酸化物層の存
在の結果であり、その酸化物層は、熱によって促進され
るフィールド酸化物の反応を促す余分な自由シリコンは
有していない。その後、活性領域を形成する窒化物は除
去される。

次の過程は、第２Ｃ図に示すように、固有の或いは活性
ベース領域５０を形成することである。

マスクはエビタクシー層の中に或る領域を形成する。こ
の領域には微量の硼素が添加物として（Ｐ型のベースに
対して）付加され、第２Ｃ図におけるＰ領域５０として
示すように、活性ベースを形成する。Ｐ領域の側邪の勾
配は、続いて行われる加熱過程の間に起きる添加物とし
ての硼素の拡散の程度による。

次の過程は、第２Ｄ図に示すように、ベース５０と並べ
てポリシリコンのエミッタおよびコレクタの接触５２、
５４、５６を同時に形成することである。好ましい実施
態様においては、ポリシリコンのエミッタ５２は活性ペ
ース５０上に形成され、Ｎ型の不純物質を添加される。

また、好ましい実施態様においては、同じＮ型のポリ物
質の二つの領域５４、５６がさらに同時に形成される。

これらは本トランジスタ装置の中間コレクタ接触領域を
形成する際に用いられる。特に、第２Ｄ図に示すマスク
は、エミフタと二つのコレクタが形成される活性領域を
形成する際に用いられる。ポリシリコン層（ボリＩ）は
最初ウェーハ全体に形成される。次いで、ポリシリコン
にはＮ＋の不純物が付加される。ポリを形成した後に、
本来の位置にあるようにＮ＋ポリを添加することも可能
である。

エミッタ、コレクタ５２、５４、５６を配置した後、チ
タニウムまたはタングス．テンをスパッタし、エミッタ
およびコレクタ上に珪素化合物の薄い層５７、５９を形
成する。次いで、表面全体を゛酸化物５８で覆う。対象
物には、ＮＰＮ｝ランジスタのエミッタおよびコレクタ
の範囲として形成される範囲に位置する酸化物、珪素化
合物およびポリがサンドイッチ状に付加される。第２Ｄ
図のマスクを用いて゛、エミッタ、コレクタおよびそれ
ぞれの接触部からなる範囲を除く全ての範囲に右いて酸
化物、珪素化合物およびポリＩがエッチングにより除去
され、ポリ■エミッタと二つのコレクタ要素とが残る。

これらのエミγタとコレクタとは第２Ｄ図のハッチの部
分で示すものであり、珪素化合物と酸化物とで覆われて
いる。

次の過程はスペーサ６０、６２、６４、６６、６８を形
成することである。これらのスペーサは本素子における
エミッタとコレクタの拡散を分離させるものである。第
２Ｅ図に示すように、スペーサは本素子一面を酸化物層
で覆い、次いでこの酸化物層に異方性エッチングを施す
ことにより形成する。このエッチングによりエビタクシ
ー領域の酸化物と第２Ｃ図の酸化物５８とが除去され、
コレクタとエミッタ領域の垂直方向の側壁および酸化物
層の分離スペーサ６０、６２、６４、６６、６８に沿っ
て存在する酸化物が残る。

第２Ｅ図の右側に示されている横断面が円形であるスペ
ーサはステップ６９を有する。このステップ６９は、第
２Ｅ図に示すような接触パッドを形成するためのエッチ
ングを行う前にスペーサを形成したためにできたもので
ある。本過程においては、スペーサを形成すること、す
なわち前記過程で外郭を形成されたエミッタおよびコレ
クタのパターンを形成することよりも以前に、酸化物５
８内の接触パッドを最初にエッチングするように本過程
を改変することもできる。これによってスペーサのステ
ップを除去し、スベーサはポリの縁に沿ってのみ形成さ
れ、酸化物の付いたポリに沿っては形成されない。

限定して付加的に行う加熱と同様に、酸化物生成過程を
達成するために行う加熱によって、Ｎ＋添加物源として
Ｎ＋ポリ領域を用いてエミッタ領域７０とコレクタ領域
７２、７４をエビタクシー層３４内に拡散することがで
きる。拡散したエミッタ領域７０は活性ベース領域内に
含まれ、エビタクシー３４によってコレクタ領域？２、
７４から十分に分離されている。

第２Ｅ図は、また、本発明において使用される方法を示
し、特に、ポリ層５６の頂部の下に後述される異方性の
ステップの間に酸化層を介してエッチングすることによ
り、第１のポリ層５６に接触するようにし、この結果、
接触は、エミッタ接点を与える目的で、このポリ層につ
くられ得る。

たとえ右側断面が１つの層への接点のみを示すとしても
、第１のポリ層５６に酸化物を介してエッチングするこ
のステップは、エミッタ７０及び入れ合った形状のコレ
クタ７２の一端の両者への接点の窓を開けるように使用
され得ることが、マスクの設計から気付かれるべきであ
る。特に、第２Ｅ図の接点Ｉマスクは、ポリＩを露呈す
るように離れてエッチングされるエミッタ及びコレクタ
接点のポリにわたって酸化コーティングの領域を形成す
る。前記パラグラフ（スペーサの構成）において示され
るように、第２Ｄ図の接点■マスクにより形成される接
点内の酸化物は、第２Ｅ図の右側断面に囲まれている酸
化ステップの除去で、第２Ｄ図のポリＩマスク及びエッ
チングステップより以前に、除去され得る。第２Ｅ図の
底断面において、基本領域５０は、両側の活性エミッタ
７０の端縁を越えて拡がっていることに気付かれたい。

また、エビタキシー内に拡散するポリＩ内のＮタイプド
ーパントからの結果であるエミッタ７０、コレクタ７２
、７４のそれぞれの下に、非常に薄い層に気付かれたい
。この拡散された領域は、実際に、活性コレクタ、エミ
ッタ接点、活性エミッタ領域を形成する。この拡散は、
エミッタ及びコレクタ接点抵抗を減少させ、シンカー３
９により埋め込み層（コレクタ）によりコレクタ接点を
つくるのを助ける。

第２Ｆ図に示される次のステップは、Ｐドープされたポ
リ堆積である第２のポリ層を置く。このボリ７６の層は
、コレクタ５８を覆いスペーサ酸化物６０を覆ってステ
ップダウンする酸化層にわたってコレクタｅｐｉ３４の
領域内に通過して、下の基本シリコン層５０に接触する
ようにし、そして、エミッタ７０を覆い再び下のシリコ
ン基体５０にステップダウンする酸化物にわたって通過
し、それから、他のコレクタ酸化領域５８の頂部にわた
って通過する。この領域は、導電領域であるように入れ
合った形状のコレクタの一方側にわたって出され、フィ
ールド酸化物８２にわたって終端する。第２Ｆ図に示さ
れるマスク内の窓は、第２Ｅ図に示されるマスク内の窓
に整合させられ、該窓よりわずかに大きいことに気付か
れたい。このサイズ関係は、ポリの第１の層５７、５８
及び第２の層８３の間で達成するように、使用される。

特に、ポリシリコン島及び相互結合を形成するように、
ポリシリコンの第２の層は、全表面にわたって堆積させ
られ、Ｐドーパン｝　（ＢＦ．）でインプラントされる
。全表面は、それから、窒化物により覆われ、基体領域
への、エミッタ及びコレクタ電極、抵抗本体への、ロー
カル相互結合への接点として作用する導電ボリ■に単に
わたって窒化物を残すマスクが形成される。窒化物を使
用してポリ■をマスクし、この窒化物の外側のポリ■は
、除去される（過エッチングなしに）。

窒化物の外側の領域は、それから、酸化され、残りのＰ
ドープされたポリを絶縁酸化物に変換し、一方、ポリ■
端縁に沿って絶縁酸化キャップを形成している。

第２Ｇ図に示されるマスクステップは、ポリの適切な層
の下に、基体コレクタ及びエミッタ接点９０、９２、９
４を形成するように、講じられる。

Ｐドープされたポリ層８３及び活性ベース領域５０間の
結合は、ドープされたポリ層を熱処理することにより、
与えられ、これは、ポリ内のＰタイプドーピング材質が
下の基板３４内に拡散するようにし、付帯的ベース領域
８６、８８をつくり、この領域８６、８８は、このＰタ
イブポリ材質及び活性真正ベース５００間に接点を与え
る。特別のステップをこのプロセスに加え、Ｐポリ層の
堆積に従わねばならない珪素化合物のステップより前に
、Ｐポリ層をマスクすることにより、ポリ抵抗を簡単に
形成するようにすることは、可能である。このマスクス
テップなしに、全てのＰボリは、珪素化合される。マス
クステップにより、珪素化合物が形成されない場合に、
抵抗は、第２１図に示されるように、接触子の１つに直
列であるように、形成され得る。すなわち、ドープされ
たボリ■は、導電であるが、珪素化合物で覆われたポリ
■の領域（約１〜２オーム／平方）より、かなり高い抵
抗（約５００オーム／平方）を有する。ドープされる領
域の長さ、シート抵抗、及び、断面領域を注意深く制御
することにより、プロセスは、（抵抗マスクで）活性抵
抗にわたって窒化物を残し、一方、抵抗マスクの外側の
残りのポ！Ｊｎ９８を珪素化合する９７により、抵抗９
６を形成する（第２１図）。

第２Ｇ図に示す様に、ガラス層９１が構造全体を覆って
いる。接触子９０、９２、９４が設置される部分には窓
が開けられている。

第２Ｇ図に示される完成した断面図を見る者にとっては
直ちに明らかであるように、極めて薄い層３４及び３２
は本発明の素子の薄いエビ層及び埋め込み層を形成する
のに必要である。二重のコレクタ領域７２、７４を有す
る入り込んだコレクタが設けられているので、コレクタ
及び下層の埋め込み層３２０間のアップ／ダウン抵抗が
、薄膜３４の存在及びエミッタから二つのコレクタの各
々までの間でバランスされたコレクタ抵抗の存在の両方
により減少される。コレクタはエミッタと同じ活性領域
にあるので、第１図の従来の素子と比較してエミッタか
らの距離を約半分にして設置することができる。エミッ
タから半分の距離でコレクタが位置しているので、コレ
クタ抵抗は約１／４に減少することができる。埋め込み
層はより薄《する（約１／４）ことができ、従来技術の
１／２から１／３の深さの分離技術を用いることができ
、且つ同様のコレクタ抵抗値を維持することができ・る
。このことは、製造時間及びコストを減少し、制御を改
善し、より小さい寄生コレクター基板間容量（４０％）
を有するより浅い構造を可能にする。従って、より高速
の機能を達成する。

同様に、より低いコレクタ抵抗が本発明の方法の目標と
なる場合は、このコレクタ抵抗は同じ方法により約１／
４に減少することができる。

Ｎポリからなるコレクタおよびエミッタを用いると、エ
ミッタ及びコレクタを同じ分離構造内に集積することが
可能になる。同じ方法及び構造でエミッタ及びコレクタ
を形成することにより、コレクタ及びエミッタ要素間の
ホトリソグラフィにより決められた領域内に位置するベ
ース要素および接触子（約０．２５ミクロンの酸化物ス
ベーサによって分離されている）を有し、後のステップ
においてマスクのアライメントに対する配慮が除去され
る。従って、エミッタから約半分の距離で、且つ従来技
術と比較してより小さい基板対全コレクタ領域比４０％
を有している二重コレクタを形成することを可能にする
。

上述の説明から同様に明らかなように、スペーサ６０、
６２、６４、６６がベース領域５０とコレクタ領域７２
、７４との間に与えれ、コレクタからベースの距離が３
／１（Ｎクロンの程度の極めて狭い場合であっても、寄
生容量は極めて小さくブレークダウン電圧を比較的高い
値に維持することができる。

この構造の付加的な利点は、エミッタの下の活性領域は
決してエッチ（ＲＩＥ）されず、本質的により欠陥が少
ない、従って、より歩留まりが高いということにある。

従来の素子及び製造方法はポリＩを第１のＰドープベー
ス（Ｐポリ最先製造方法）として設け、エミッタ用Ｐポ
リストライプ間の空間を開けている。ベース領域間の領
域の下層の単結晶シリコンは、反応性イオンエッチ（Ｒ
ＩＥ）の照射に曝され、エミッタを損傷する可能性があ
る。本発明のＮポリを先にする製造方法は、活性エミッ
タが先設けられ、浅い且つ感度の高いエミッタ領域のシ
リコンをポリエッチ（シリコンエッチ）またＲＩＥスペ
ーサエッチ（酸化物エッチ）の何れの影響も受けない。

【図面の簡単な説明】

第１図は、比較的小さい構造の装置を作るのに使用され
る従来技術を説明する図、 第２Ａ図から第２Ｇ図は、本発明における各工程を実施
するのに使用されるシークエンスを説明する図、 第２Ｈ図は、完成したＮＰＮ素子の平面図、第２■図は
、本発明の技術により可能なＰ型抵抗の説明図。 く土 ’Ｔ

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）僅かな空隙を有して入り込んだコレクタ及びエミ
   ッタ接触子を有するバイポーラトランジスタを製造する
   方法において、 Ｐ型基板材料層上にＮ型材料層を設けてなる基板内に素
   子領域を決める工程であり、前記バイポーラトランジス
   タは、前記Ｎ型材料を通過して前記Ｐ型材料層迄延びる
   前記領域を囲む領域分離シンカの形成及びこの分離体上
   にフィールド酸化を形成することにより形成される工程
   、前記基板中にＰ型材料の活性ベース領域を形成する工
   程、 前記基板上に前記ベース領域を覆う領域が定められたＮ
   ドープポリシリコンの層を形成する工程、 前記領域が定められたＮドープポリシリコン層上に酸化
   物を堆積し、前記層をエッチングして前記コレクタおよ
   び前記エミッタ上に保護層を形成する工程、 下層にＮドープ材料を拡散して、バイポーラトランジス
   タのコレクタ及びエミッタを形成する工程、 前記酸化物の層上に領域が定められたＰドープ材料の層
   を形成する工程、 前記活性ベース領域と接触するが前記分離によって前記
   コレクタ領域から分離されてＰドーピング材料を前記基
   板中に拡散して、低いコレクタベース間容量を有する最
   小構造素子を形成する工程を有するバイポーラトランジ
   スタを製造する方法。
2. （２）前記Ｎ型シリコン材料が、Ｎ型エピタキシャル層
   であることを特徴とする請求項１記載の方法。
3. （３）前記ベース領域を形成する工程が、ボロンのイオ
   ン注入によって前記領域を形成する工程を含むことを特
   徴とする請求項１記載の方法。
4. （４）Ｎドープされたポリシリコンの層を形成する工程
   が、前記活性ベース領域と前記フィールド酸化物領域に
   隣接するコレクタを同時に決める工程を含み、最小コレ
   クターベース間容量及び最小コレクター基板間容量が達
   成されることを特徴とする請求項１記載の方法。
5. （５）前記酸化物層をエッチングする工程が、異方的に
   前記酸化物層をエッチングし、前記領域が定められてい
   るコレクタ及びエミッタ領域に隣接するスペーサーを作
   る工程からなり、前記Ｐドープされたポリシリコン領域
   がコレクタ及びエミッタから隔離されていることを特徴
   とする請求項１記載の方法。