JPH02229760A - 低膨脹セラミックス製法 - Google Patents
低膨脹セラミックス製法Info
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- JPH02229760A JPH02229760A JP2016183A JP1618390A JPH02229760A JP H02229760 A JPH02229760 A JP H02229760A JP 2016183 A JP2016183 A JP 2016183A JP 1618390 A JP1618390 A JP 1618390A JP H02229760 A JPH02229760 A JP H02229760A
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は低膨脹セラミックスの製法に関するもので、更
にくわし《は、緻密質で耐熱衝撃性、気密性、耐熱性さ
らに実使用時の寸法安定性にも優れたコージエライト系
緻密質低膨脹セラミックスの製法に関するものである。
にくわし《は、緻密質で耐熱衝撃性、気密性、耐熱性さ
らに実使用時の寸法安定性にも優れたコージエライト系
緻密質低膨脹セラミックスの製法に関するものである。
(従来の技術および解決しようとする課題)近年工業技
術の進歩に伴い、耐熱性、耐熱衝撃性に優れた材料の要
求が増加している。セラミックスの耐熱衝撃性は、材料
の熱膨脹率、熱伝導率、強度、弾性率、ボアソン比等の
特性に影響されると共に、製品の大きさや形状、さらに
加熱、冷却状態即ち熱移動速度にも影響される。
術の進歩に伴い、耐熱性、耐熱衝撃性に優れた材料の要
求が増加している。セラミックスの耐熱衝撃性は、材料
の熱膨脹率、熱伝導率、強度、弾性率、ボアソン比等の
特性に影響されると共に、製品の大きさや形状、さらに
加熱、冷却状態即ち熱移動速度にも影響される。
耐熱衝撃性に影響するこれらの諸因子のうち特に熱膨脹
係数の寄与率か大てあり、とりわけ、熱移動速度が大で
あるときには熱膨脹係数のみに大きく左右されることか
知られており、耐熱衝撃性に優れた低膨脹材料の開発か
強く望まれている。
係数の寄与率か大てあり、とりわけ、熱移動速度が大で
あるときには熱膨脹係数のみに大きく左右されることか
知られており、耐熱衝撃性に優れた低膨脹材料の開発か
強く望まれている。
従来比較的低膨脹なセラミック材料として、コージエラ
イトか知られているが、一般にコージエライトは、緻密
焼結化か難しく、特に室温から800℃までの熱膨脹係
数か2. OX 10−’/’C以下となるような低膨
脹性を示すコージェライト素地では、カルシア、アルカ
リ、カリ、ソーダのような融剤となるべき不純物量を極
めて少量に限定する必要があるためガラス相か非常に少
なく多孔質になる。
イトか知られているが、一般にコージエライトは、緻密
焼結化か難しく、特に室温から800℃までの熱膨脹係
数か2. OX 10−’/’C以下となるような低膨
脹性を示すコージェライト素地では、カルシア、アルカ
リ、カリ、ソーダのような融剤となるべき不純物量を極
めて少量に限定する必要があるためガラス相か非常に少
なく多孔質になる。
特に近年自動車排気ガス浄化用触媒担体として使用され
ているコージエライト質ハニカム構造体は、室温から8
00℃まての熱膨脹係数か1.5X10−″/℃以下で
あることを必要とするため、不純物の少ないタルク、力
才リン、アルミナ等の原料か使用され、コージエライト
焼結体の気孔率はせいぜい25〜45%の範囲のものし
か得られない。
ているコージエライト質ハニカム構造体は、室温から8
00℃まての熱膨脹係数か1.5X10−″/℃以下で
あることを必要とするため、不純物の少ないタルク、力
才リン、アルミナ等の原料か使用され、コージエライト
焼結体の気孔率はせいぜい25〜45%の範囲のものし
か得られない。
従ってこのようなコージエライトセラミックスを例えば
、ハニカム構造にして回転蓄熱式熱交換体に応用した場
合、その開気孔率か大きいためハニカム構造体貫通孔を
形成する隔壁表面の気孔、特に連通気孔を通して加熱流
体と熱回収側流体との相互間に流体のリークが発生し、
熱交換効率及び熱交換体か使用されるシステム全体の効
率か低下する重大な欠点を有している。また、ターボチ
ャーシャーローターのハウジングエギゾーストマニホー
ルド等に応用した場合、開気孔率か大きいため、圧力の
高い空気が漏れてしまい重大な欠点となる。このような
ことから耐熱衝撃性に優れた、低膨脹で緻密質なコージ
エライトセラミックスが強く望まれていた。
、ハニカム構造にして回転蓄熱式熱交換体に応用した場
合、その開気孔率か大きいためハニカム構造体貫通孔を
形成する隔壁表面の気孔、特に連通気孔を通して加熱流
体と熱回収側流体との相互間に流体のリークが発生し、
熱交換効率及び熱交換体か使用されるシステム全体の効
率か低下する重大な欠点を有している。また、ターボチ
ャーシャーローターのハウジングエギゾーストマニホー
ルド等に応用した場合、開気孔率か大きいため、圧力の
高い空気が漏れてしまい重大な欠点となる。このような
ことから耐熱衝撃性に優れた、低膨脹で緻密質なコージ
エライトセラミックスが強く望まれていた。
更に、このような高温にさらされる高温構造材料では、
寸法安定性が要求され、実使用時の寸法変化率は±0.
05%以下であることか望まれている。
寸法安定性が要求され、実使用時の寸法変化率は±0.
05%以下であることか望まれている。
従来緻密なコージエライトセラミックスを得る方法とし
ては、コージェライト組成のバッチ調合物を溶融して成
形後、結晶化処理を行い、ガラスセラミックス化する方
法が知られている。例えば、?977年発行の[ジャー
ナル・才ブ・ザ・カナディアン・セラミック・ソサエテ
ィ」第46巻に掲載されたトッピングとマースイの論文
は、コージエライトのSiO■の20%以内をAIPO
.で置換したものを提案している。同論文によれば、A
IPO.を添加した原料主成分を1600℃で融解後冷
却したコージエライトガラスを生成し、再加熱後冷却し
てコージェライトの結晶を生成させている。得られるコ
ージエライトは緻密であるか、析出するコージェライト
結晶相の配向を制御できないため熱膨脹係数か小さいも
のでも2. 15X 10−”/”Cと未だ大きい欠点
かある。
ては、コージェライト組成のバッチ調合物を溶融して成
形後、結晶化処理を行い、ガラスセラミックス化する方
法が知られている。例えば、?977年発行の[ジャー
ナル・才ブ・ザ・カナディアン・セラミック・ソサエテ
ィ」第46巻に掲載されたトッピングとマースイの論文
は、コージエライトのSiO■の20%以内をAIPO
.で置換したものを提案している。同論文によれば、A
IPO.を添加した原料主成分を1600℃で融解後冷
却したコージエライトガラスを生成し、再加熱後冷却し
てコージェライトの結晶を生成させている。得られるコ
ージエライトは緻密であるか、析出するコージェライト
結晶相の配向を制御できないため熱膨脹係数か小さいも
のでも2. 15X 10−”/”Cと未だ大きい欠点
かある。
特開昭59−13741号公報と特開昭59−9294
3号公報の発明は、Y203又はZnOを添加した主原
料成分にB203及び/又はP205を添加し、焼成し
て得た結晶化ガラス成分を2〜7μに微粉砕してガラス
フリットとし、所要形状に成形後、再度焼成結晶化させ
てなる結晶化ガラス体を提案している。このものは熱膨
脹係数か2.4〜2.6 XIO−’/’Cと大きい欠
点かある。
3号公報の発明は、Y203又はZnOを添加した主原
料成分にB203及び/又はP205を添加し、焼成し
て得た結晶化ガラス成分を2〜7μに微粉砕してガラス
フリットとし、所要形状に成形後、再度焼成結晶化させ
てなる結晶化ガラス体を提案している。このものは熱膨
脹係数か2.4〜2.6 XIO−’/’Cと大きい欠
点かある。
コージエライトセラミックスが低膨脹性を示す理由は、
例えば昭和50年(1975年)5月27日にアーウイ
ン・エム・ラッチマン他に与えられた[アニソトロビッ
ク・コージエライトモノリス」としう名称の米国特許第
3, 885. 977号明細書(対応日本出願:特開
昭50−75611号公報)に開示されているように、
板状粘土、積層粘土に起因する平面的配向により、焼成
後のコージエライトセラミックスか、配向して形成され
るためであり、このためガラスセラミックス化による緻
密質コージエライトでは2. OX 10−@/”C以
上の高い熱膨脹係数となる。
例えば昭和50年(1975年)5月27日にアーウイ
ン・エム・ラッチマン他に与えられた[アニソトロビッ
ク・コージエライトモノリス」としう名称の米国特許第
3, 885. 977号明細書(対応日本出願:特開
昭50−75611号公報)に開示されているように、
板状粘土、積層粘土に起因する平面的配向により、焼成
後のコージエライトセラミックスか、配向して形成され
るためであり、このためガラスセラミックス化による緻
密質コージエライトでは2. OX 10−@/”C以
上の高い熱膨脹係数となる。
更に、これらの従来例には、寸法安定性に関する記載は
なんら認められない。
なんら認められない。
本発明の目的は上述した課題を解決して、熱膨脹係数か
2. OX 10−’/’C以下と低膨脹で、開気孔率
か15%以下、500〜l200℃て1000時間保持
した後の寸法変化率は±0.05%以下の緻密なコージ
ェライト系セラミックスの製法を提供しようとするもの
である。
2. OX 10−’/’C以下と低膨脹で、開気孔率
か15%以下、500〜l200℃て1000時間保持
した後の寸法変化率は±0.05%以下の緻密なコージ
ェライト系セラミックスの製法を提供しようとするもの
である。
?問題点を解決するだめの手段)
本発明の低膨脹セラミックスの製法は、化学組成かMg
07.5〜20.0重量%、AI20. 22.0〜4
4.3重量%、SiO■37.0〜60重量945、P
20. 2.0〜IO.0重.fA O6てあるハッ
チを調製すること、このバッチを成形すること、および
この成形体を焼成すること、および焼成体を1150℃
−1350℃て熱処理し、結晶相の主成分がコージエラ
イト相からなり、一間気孔率か15%以下で、25〜8
00℃の間の熱膨脹係数か2.O X10−’/’C以
下、500〜l200℃で1000時間保持した後の寸
法変化率が±0.05%以下であるセラミックスを得る
ことを特徴とするものである。
07.5〜20.0重量%、AI20. 22.0〜4
4.3重量%、SiO■37.0〜60重量945、P
20. 2.0〜IO.0重.fA O6てあるハッ
チを調製すること、このバッチを成形すること、および
この成形体を焼成すること、および焼成体を1150℃
−1350℃て熱処理し、結晶相の主成分がコージエラ
イト相からなり、一間気孔率か15%以下で、25〜8
00℃の間の熱膨脹係数か2.O X10−’/’C以
下、500〜l200℃で1000時間保持した後の寸
法変化率が±0.05%以下であるセラミックスを得る
ことを特徴とするものである。
コージェライトに含有するP205は焼成時にAIPO
.となり、コージェライト結晶中のSiO■と置換固溶
し、コージエライトセラミックスよりわずかに低融点の
コージエライト系固溶体を生成しめ、焼結中に生成する
液相の1を増大し、コージエライトを容易に緻密化させ
るのである。しかもこの液相は焼結後、冷却中に大部分
コージエライト系固溶体に結晶化してしまうため、カル
シア、アルカリ、カリ、ソーダのような融剤を用いて緻
密化させたコージエライトセラミックスと異なって、熱
膨脹係数が増大することもない。また焼結後、1150
〜1350℃の温度で熱処理することにより、残存して
いるガラス相も完全に結晶化させてしまうため、500
〜1200℃に1000時間保持した後でも、寸法変化
率は±0.05%以下となる。
.となり、コージェライト結晶中のSiO■と置換固溶
し、コージエライトセラミックスよりわずかに低融点の
コージエライト系固溶体を生成しめ、焼結中に生成する
液相の1を増大し、コージエライトを容易に緻密化させ
るのである。しかもこの液相は焼結後、冷却中に大部分
コージエライト系固溶体に結晶化してしまうため、カル
シア、アルカリ、カリ、ソーダのような融剤を用いて緻
密化させたコージエライトセラミックスと異なって、熱
膨脹係数が増大することもない。また焼結後、1150
〜1350℃の温度で熱処理することにより、残存して
いるガラス相も完全に結晶化させてしまうため、500
〜1200℃に1000時間保持した後でも、寸法変化
率は±0.05%以下となる。
さらに原料を従来のコージエライトに用いられているタ
ルク、粘土、アルミナ、ブルーサイト、マグネサイト、
水酸化アルミニウムから選定することにより、コージエ
ライト結晶を配向させることができるため、熱膨脹係数
が2.OXIO−’/”C以下と低膨脹で緻密質なコー
ジエライト系セラミ・ノクスを得ることができる。
ルク、粘土、アルミナ、ブルーサイト、マグネサイト、
水酸化アルミニウムから選定することにより、コージエ
ライト結晶を配向させることができるため、熱膨脹係数
が2.OXIO−’/”C以下と低膨脹で緻密質なコー
ジエライト系セラミ・ノクスを得ることができる。
孔の直径が5μm以上の総細孔容積は、通常0. 04
cc/g以下である。
cc/g以下である。
コージエライト相のMgはZnおよび/またはFeで1
0モル%以下置換された鉄コージエライトまたは鉄亜鉛
コージエライトであっても良い。
0モル%以下置換された鉄コージエライトまたは鉄亜鉛
コージエライトであっても良い。
本発明の低膨脹セラミックスは化学組成がMgO?.5
〜20重量?6、A1203 22.0〜44.3重量
06、SiO■37、0〜60重量%、P206 2
.0〜10. 0重量%であるハッチを調製し、調整し
たバッチをスリップキャスト等の鋳込成形、押出成形等
の可塑成形、プレス成形等の加圧成形により任意の形状
の成形体とし、この成形体を乾燥後、1250〜l45
0℃にて2〜20h焼成し、1150〜l350℃の温
度で熱処理することにより、残存しているガラス相をさ
らに結晶化させてしまうことにより製造される。
〜20重量?6、A1203 22.0〜44.3重量
06、SiO■37、0〜60重量%、P206 2
.0〜10. 0重量%であるハッチを調製し、調整し
たバッチをスリップキャスト等の鋳込成形、押出成形等
の可塑成形、プレス成形等の加圧成形により任意の形状
の成形体とし、この成形体を乾燥後、1250〜l45
0℃にて2〜20h焼成し、1150〜l350℃の温
度で熱処理することにより、残存しているガラス相をさ
らに結晶化させてしまうことにより製造される。
P20.源となる原料はリン酸アルミニウム、リン酸マ
グネシウム、リン酸亜鉛、リン酸鉄から選ばれる一種以
上の組合せか好ましく、MgO , Al203、Si
O,源原料は主としてブルーサイト、マグネサイト、タ
ルク、粘土、アルミナから選ばれるのか好ましい。
グネシウム、リン酸亜鉛、リン酸鉄から選ばれる一種以
上の組合せか好ましく、MgO , Al203、Si
O,源原料は主としてブルーサイト、マグネサイト、タ
ルク、粘土、アルミナから選ばれるのか好ましい。
また、ブルーサイト、マグネサイト、タルク等のlil
gO源原料の平均粒径を5μm以下にすることにより、
残存する開気孔の直径を5μm以下に抑制し、開気孔率
15%以下にても充分に気密性に優れた緻密質コージェ
ライト系セラミックスを得る?とかできる。
gO源原料の平均粒径を5μm以下にすることにより、
残存する開気孔の直径を5μm以下に抑制し、開気孔率
15%以下にても充分に気密性に優れた緻密質コージェ
ライト系セラミックスを得る?とかできる。
(作 用)
本発明はコージエライト相中にP20.を2〜10重量
%、AIPO.とじて固溶させることにより、開気孔率
か15%以下で、25〜800℃の間の熱膨脹係数か2
.OX10−6/’C以下という、緻密質で低膨脹なコ
ージエライト系セラミックスが得られることを新規に見
出したことによる。P20,を2重量%以上と限定した
理由は、それ以下では、緻密化に充分な液相か生じない
ため緻密化しないためであり、P20a 10重量%以
下に限定した理由は、それ以上では、P20,がAIP
O.としての固溶限を超えてしまい高膨脹化するためで
ある。500〜l200℃で1000時間保持した後の
寸法変化率を±0.05以下としたのは、機械的部品と
して用いられた場合これ以上の寸法変化をしたのでは、
実使用上問題となるためである。
%、AIPO.とじて固溶させることにより、開気孔率
か15%以下で、25〜800℃の間の熱膨脹係数か2
.OX10−6/’C以下という、緻密質で低膨脹なコ
ージエライト系セラミックスが得られることを新規に見
出したことによる。P20,を2重量%以上と限定した
理由は、それ以下では、緻密化に充分な液相か生じない
ため緻密化しないためであり、P20a 10重量%以
下に限定した理由は、それ以上では、P20,がAIP
O.としての固溶限を超えてしまい高膨脹化するためで
ある。500〜l200℃で1000時間保持した後の
寸法変化率を±0.05以下としたのは、機械的部品と
して用いられた場合これ以上の寸法変化をしたのでは、
実使用上問題となるためである。
化学組成をMg07.5〜20重fi%、AI20.
22.0〜44.3重量%、SiO■37.0〜60重
量06、P20. 2.0〜10.0重量%と限定した
理由は、この範囲を超えては、コージエライト相が充分
に生成しないため、高膨脹化してしまうためてある。
22.0〜44.3重量%、SiO■37.0〜60重
量06、P20. 2.0〜10.0重量%と限定した
理由は、この範囲を超えては、コージエライト相が充分
に生成しないため、高膨脹化してしまうためてある。
焼成温度が1250℃以下ではコージェライト相か充分
に生成せず、またl450℃より大ては軟化変形してし
まう。同様に焼成時間か2hより短くてはコージエライ
ト相が充分に生成せず、20h以上では温度にもよるか
、軟化による変形か起こる。
に生成せず、またl450℃より大ては軟化変形してし
まう。同様に焼成時間か2hより短くてはコージエライ
ト相が充分に生成せず、20h以上では温度にもよるか
、軟化による変形か起こる。
また残存している開気孔の直径か5μl′r1以上の総
細孔容積を0.04 cc/g以下に限定した理由は、
加圧したガスのリーク量か直径5μm以上の細孔の総細
孔容積に依存し、0.04 cc/g以下にすることに
より、従来のコージェライトの半分以下のリーク量に抑
制することかできるためである。
細孔容積を0.04 cc/g以下に限定した理由は、
加圧したガスのリーク量か直径5μm以上の細孔の総細
孔容積に依存し、0.04 cc/g以下にすることに
より、従来のコージェライトの半分以下のリーク量に抑
制することかできるためである。
またコージエライト相2MgO・2Al20s・5Si
O2のMgは、10モル%まて、Znおよび/またはF
eで置換されていても本発明に規定するコージエライト
系セラミックスと同等の特性のコージエライト系セラミ
ックスを得ることかできる。
O2のMgは、10モル%まて、Znおよび/またはF
eで置換されていても本発明に規定するコージエライト
系セラミックスと同等の特性のコージエライト系セラミ
ックスを得ることかできる。
熱処理温度を1150〜l350℃に限定した理由は1
150℃未満の温度では、残存ガラス相の結晶化速度?
遅いため、非常に長時間の熱処理を必要とするためてあ
り、l350℃より高温では、残存ガラス相の結晶化が
起こらないからである。
150℃未満の温度では、残存ガラス相の結晶化速度?
遅いため、非常に長時間の熱処理を必要とするためてあ
り、l350℃より高温では、残存ガラス相の結晶化が
起こらないからである。
P205源を、リン酸アルミニウム、リン酸マグネシウ
ム、リン酸亜鉛、リン酸鉄から選ばれるリン酸塩化合物
一種または二種以上の組合せとした理由は、リン酸は液
体であるため混合が難しく、不均一になってしまうため
である。またリン酸ではコージエライトの生成温度以下
の低温で局所的に溶融して巨大なボアを生成してしまう
ためこれらの融点の比較的高く水等に不溶性のリン酸塩
化合物の形態で添加することが望ましい。
ム、リン酸亜鉛、リン酸鉄から選ばれるリン酸塩化合物
一種または二種以上の組合せとした理由は、リン酸は液
体であるため混合が難しく、不均一になってしまうため
である。またリン酸ではコージエライトの生成温度以下
の低温で局所的に溶融して巨大なボアを生成してしまう
ためこれらの融点の比較的高く水等に不溶性のリン酸塩
化合物の形態で添加することが望ましい。
MgO 、Al203、S+0■源をブルーサイト、マ
グ不サイト、タルク粘土、アルミナ、水酸化アルミニウ
ムから選んだ理由は、これらの原料から作られた、コー
ジェライト系セラミックスか特に低膨脹化するためであ
るか、さらにMgO源が酸化マグネシウム、Sin,源
がシリカ等から選定されても良い。
グ不サイト、タルク粘土、アルミナ、水酸化アルミニウ
ムから選んだ理由は、これらの原料から作られた、コー
ジェライト系セラミックスか特に低膨脹化するためであ
るか、さらにMgO源が酸化マグネシウム、Sin,源
がシリカ等から選定されても良い。
MgO源原料の平均粒径を5μm以下としたのは、コー
ジエライトセラミックスでは、焼結後MgO源原料粒子
の形骸ボアか残存して、開気孔の原因となるためMgO
源原料の平均粒径を5μm以下に限定することにより、
5μmより大きい開気孔を抑制することかでき、本発明
の目的である、気密性の高いコージェライトセラミック
スか得られるためてある。
ジエライトセラミックスでは、焼結後MgO源原料粒子
の形骸ボアか残存して、開気孔の原因となるためMgO
源原料の平均粒径を5μm以下に限定することにより、
5μmより大きい開気孔を抑制することかでき、本発明
の目的である、気密性の高いコージェライトセラミック
スか得られるためてある。
(実施例)
以下、本発明の実施例について説明する。
第1表に記載する調合割合に従って予め粒度調製された
ブルーサイト、マグネサイト、タルク、アルミナ、水酸
化アルミニウム、粘土、リン酸アルニミウム、リン酸マ
グネシウム、リン酸鉄を混合した。第2表に用いた原料
の化学分析値を示す。
ブルーサイト、マグネサイト、タルク、アルミナ、水酸
化アルミニウム、粘土、リン酸アルニミウム、リン酸マ
グネシウム、リン酸鉄を混合した。第2表に用いた原料
の化学分析値を示す。
この混合物100重量部に水5〜10重量部、でんぷん
糊(水分80%)20重1部を加え二−ダーで十分に混
練し真空押出成形機にてピッチ1.0皿、薄壁の厚さ0
. 10mmの三角セル形状を有し、65順四方長さか
120 mmのハニカム柱状体に押出した。このハニカ
ム成形体を乾燥後第1表に記載した焼成条件で焼成し、
さらに1 150’C−1350℃の高温で熱処理し、
本発明の実施例1−13、参考例15〜29のコージエ
ライト系セラミックハニカムを得た。
糊(水分80%)20重1部を加え二−ダーで十分に混
練し真空押出成形機にてピッチ1.0皿、薄壁の厚さ0
. 10mmの三角セル形状を有し、65順四方長さか
120 mmのハニカム柱状体に押出した。このハニカ
ム成形体を乾燥後第1表に記載した焼成条件で焼成し、
さらに1 150’C−1350℃の高温で熱処理し、
本発明の実施例1−13、参考例15〜29のコージエ
ライト系セラミックハニカムを得た。
第1表に示した各種コージエライト系セラミックハニカ
ムについて粉末X線回折によりコージェライト結晶を定
量すると共に、25℃から800℃温度範囲における熱
膨脹係数、開気孔率、水銀圧入式ボロシメーターにより
セラミックハニカム薄壁部の直径5μm以上の総細孔容
積、加圧空気の薄壁からのリーク量をそれぞれ測定比較
した。加圧空気の薄壁からのリーク量はコージェライト
系セラミックハニカムの一方の端面に中央に20mm
X 20■の正方形の穴を有する65X65mmのゴム
製パッキンを装着し、もう一方の端面に穴の無い65
X 65mmのゴム製パッキンを装着密閉し、前記ゴム
製パッキンの穴に1.4kg/ctlの加圧空気を導入
し、加圧空気の流量を測定して単位面積当り、単位時間
当りのリーク量(kg/m2sec )とした。さらに
5mmX5mmX50Lのセラミックハニカム試料を1
200℃にて1000時間保持した後の寸法変化率をマ
イクロメーターにて測定した。結果は第1表に示す通り
てある。また第1表中タルクの*印は平均粒径か2.0
μmのもの、**印は平均粒径か10.0μmのものを
示し、その他はすべて平均粒径は5.0μmである。
ムについて粉末X線回折によりコージェライト結晶を定
量すると共に、25℃から800℃温度範囲における熱
膨脹係数、開気孔率、水銀圧入式ボロシメーターにより
セラミックハニカム薄壁部の直径5μm以上の総細孔容
積、加圧空気の薄壁からのリーク量をそれぞれ測定比較
した。加圧空気の薄壁からのリーク量はコージェライト
系セラミックハニカムの一方の端面に中央に20mm
X 20■の正方形の穴を有する65X65mmのゴム
製パッキンを装着し、もう一方の端面に穴の無い65
X 65mmのゴム製パッキンを装着密閉し、前記ゴム
製パッキンの穴に1.4kg/ctlの加圧空気を導入
し、加圧空気の流量を測定して単位面積当り、単位時間
当りのリーク量(kg/m2sec )とした。さらに
5mmX5mmX50Lのセラミックハニカム試料を1
200℃にて1000時間保持した後の寸法変化率をマ
イクロメーターにて測定した。結果は第1表に示す通り
てある。また第1表中タルクの*印は平均粒径か2.0
μmのもの、**印は平均粒径か10.0μmのものを
示し、その他はすべて平均粒径は5.0μmである。
?1表に示す実施例1〜13、参考例15〜29の結果
、およびその結果に基づ< P206含有量と開気孔率
および熱膨脹係数の関係を示す第1図から明らかなよう
に、コージェライト組成にP20,を2.0〜IO.0
重量%含有させると、本発明で目的とする開気孔率が1
5%以下であると共に25〜800℃の間の熱膨脹係数
が2.O XIO−”/’C以下である低膨脹セラミッ
クスか得られた。また、P205が2.0〜1060重
量%の範囲内でかつMg07. 5〜20.0重量%、
AI20,22.0〜44.3重量%、SiO■j7.
0〜60. ci重量%の範囲が好ましいことが第1表
からわかる。
、およびその結果に基づ< P206含有量と開気孔率
および熱膨脹係数の関係を示す第1図から明らかなよう
に、コージェライト組成にP20,を2.0〜IO.0
重量%含有させると、本発明で目的とする開気孔率が1
5%以下であると共に25〜800℃の間の熱膨脹係数
が2.O XIO−”/’C以下である低膨脹セラミッ
クスか得られた。また、P205が2.0〜1060重
量%の範囲内でかつMg07. 5〜20.0重量%、
AI20,22.0〜44.3重量%、SiO■j7.
0〜60. ci重量%の範囲が好ましいことが第1表
からわかる。
また、コージエライト相のMgOをZnまたはFeで部
分的に置換しても本発明の低膨脹セラミックスを得るこ
とができる。
分的に置換しても本発明の低膨脹セラミックスを得るこ
とができる。
さらに、1.4 kg/cnr加圧空気のセラミックハ
ニカム薄壁からのリーク量と孔の直径が5μm以上の細
孔容積との相関関係を示す第2図から明らかなように、
リーク量と孔の直径が5μm以上の細孔容積には高い相
関が認められる。第4図には実施例6および参考例16
. 18の細孔径分布曲線を示す。直径5μm以上の総
細孔容積の少ない実施例6にあっては、参考例16.
18に比してリーク量が第2図から明らかなように著し
く低くなる。さらに第2図より5μm以上の細孔の総細
孔容積を0.04cc/g以下にすることによりリーク
量を通常のコージエライトの半分以下に低減することか
できた。また、1200℃にて保持したときの寸法変化
率の時間依存性を示す第3図から明らかなように、本発
明の範囲である1150〜1350℃の高温で熱処理す
ることによりl200℃で1000時間保持した後でも
従来寸法変化率が小さくて良好とされていたコージエラ
イトとほぼ同等の±0.05%以下を達成することがで
きた。
ニカム薄壁からのリーク量と孔の直径が5μm以上の細
孔容積との相関関係を示す第2図から明らかなように、
リーク量と孔の直径が5μm以上の細孔容積には高い相
関が認められる。第4図には実施例6および参考例16
. 18の細孔径分布曲線を示す。直径5μm以上の総
細孔容積の少ない実施例6にあっては、参考例16.
18に比してリーク量が第2図から明らかなように著し
く低くなる。さらに第2図より5μm以上の細孔の総細
孔容積を0.04cc/g以下にすることによりリーク
量を通常のコージエライトの半分以下に低減することか
できた。また、1200℃にて保持したときの寸法変化
率の時間依存性を示す第3図から明らかなように、本発
明の範囲である1150〜1350℃の高温で熱処理す
ることによりl200℃で1000時間保持した後でも
従来寸法変化率が小さくて良好とされていたコージエラ
イトとほぼ同等の±0.05%以下を達成することがで
きた。
以上のことから本発明の範囲のセラミックスによると、
気密性が良好であると共に熱膨脹係数および高温での寸
法変化率が通常のコージエライトと同じ程度であるので
良好な耐衝撃性も得られ、高温構造材料として極めて優
れた特性を得ることができた。
気密性が良好であると共に熱膨脹係数および高温での寸
法変化率が通常のコージエライトと同じ程度であるので
良好な耐衝撃性も得られ、高温構造材料として極めて優
れた特性を得ることができた。
第4図および第5図は参考例l6および参考例l8の微
構造組織をそれぞれ示していて、多孔質であり大きな気
孔か存在していることかわかる。また第6図は実施例4
の微構造組織を示し、上述した参考例に比べて大きな気
孔が少なく緻密質であることかわかる。また第7図は実
施例4に対するCuKa線によるX線回折チャートを示
し、このチャートから主たる結晶相かコージェライト相
で二次結晶相としてムライト、コランダム、スビネルか
存在することかわかる。
構造組織をそれぞれ示していて、多孔質であり大きな気
孔か存在していることかわかる。また第6図は実施例4
の微構造組織を示し、上述した参考例に比べて大きな気
孔が少なく緻密質であることかわかる。また第7図は実
施例4に対するCuKa線によるX線回折チャートを示
し、このチャートから主たる結晶相かコージェライト相
で二次結晶相としてムライト、コランダム、スビネルか
存在することかわかる。
(発明の効果)
以上詳細に説明したところから明らかなように、本発明
の低膨脹セラミックスの製法によれば、コージエライト
相中にP205を2〜IO重量%含有させたものを焼成
後さらに1150〜l350℃で熱処理することにより
、コージエライトと同等の低膨脹性を維持しつつ素地の
緻密化を達成できると共に、P205の添加によって損
なわれた高温での寸法変化率をコージェライトと同等の
程度まで低減できる低膨脹セラミックスを得ることかで
きる。
の低膨脹セラミックスの製法によれば、コージエライト
相中にP205を2〜IO重量%含有させたものを焼成
後さらに1150〜l350℃で熱処理することにより
、コージエライトと同等の低膨脹性を維持しつつ素地の
緻密化を達成できると共に、P205の添加によって損
なわれた高温での寸法変化率をコージェライトと同等の
程度まで低減できる低膨脹セラミックスを得ることかで
きる。
そのため、その応用範囲は熱交゛換体としてのセク・レ
キュペレー夕、セラミックターボチャージャーローター
用ハウジング等、機密性を必要とする低膨脹材料として
広く十分な実用性を備えている。
キュペレー夕、セラミックターボチャージャーローター
用ハウジング等、機密性を必要とする低膨脹材料として
広く十分な実用性を備えている。
第1図はコージエライト系セラミックハニカムのP20
,含有量と開気孔率および熱膨脹係数の関係を示す図、 第2図は1.4kg/cnf加圧空気のセラミックハニ
カム薄壁からのリーク量と孔の直径が5μm以上の総細
孔容積との相関を表わす図、 第3図は1200℃にて保持したときの寸法変化率の時
間依存性を示す図、 第4図は細孔分布曲線を示す図、 第5図および第6図は従来の低膨脹セラミックスの結晶
の構造を拡大して示す写真、 第7図は本発明の低膨脹セラミックスの結晶の構造を拡
大して示す写真、 第8図は化学組成を同定するのに使用したX線回折チャ
ートを示す図である。 第 1図 P20ダ冷t10f檀量%) 0 /00 2tυ300 400 500 600
700 11130 Q00 1000/200’C
5P4Btff’a’f第 2図 1415)tM工久上n NJ JL n &!ftf
JL&# (’ %)第4図 8B几様 (ミクロン2
,含有量と開気孔率および熱膨脹係数の関係を示す図、 第2図は1.4kg/cnf加圧空気のセラミックハニ
カム薄壁からのリーク量と孔の直径が5μm以上の総細
孔容積との相関を表わす図、 第3図は1200℃にて保持したときの寸法変化率の時
間依存性を示す図、 第4図は細孔分布曲線を示す図、 第5図および第6図は従来の低膨脹セラミックスの結晶
の構造を拡大して示す写真、 第7図は本発明の低膨脹セラミックスの結晶の構造を拡
大して示す写真、 第8図は化学組成を同定するのに使用したX線回折チャ
ートを示す図である。 第 1図 P20ダ冷t10f檀量%) 0 /00 2tυ300 400 500 600
700 11130 Q00 1000/200’C
5P4Btff’a’f第 2図 1415)tM工久上n NJ JL n &!ftf
JL&# (’ %)第4図 8B几様 (ミクロン2
Claims (3)
- 1.化学組成がMgO7.5〜20.0重量%、Al_
2O_322.0〜44.3重量%、SiO_237.
0〜60.0重量%、P_2O_52.0〜10.0重
量%であるバッチを調製すること、このバッチを成形す
ること、およびこの成形体を焼成すること、および焼成
体を1150℃〜1350℃で熱処理し、結晶相の主成
分がコージェライト相からなり、開気孔率が15%以下
で、25〜800℃の間の熱膨脹係数が2.0×10^
−^6/℃以下、500〜1200℃で1000時間保
持した後の寸法変化率が±0.05%以下であることを
特徴とする低膨脹セラミックスの製法。 - 2.P_2O_5源原料がリン酸アルミニウム、リン酸
マグネシウム、リン酸亜鉛、リン酸鉄から選ばれた一種
以上の組合せてあり、MgO、Al_2O_3、SiO
_2源が主としてブルーサイト、マグネサイト、タルク
、粘土、アルミナから選ばれた特許請求範囲第1項に記
載の低膨脹セラミックスの製法。 - 3.MgO源原料の平均粒径が5μm以下である特許請
求範囲第1項に記載の低膨脹セラミックスの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016183A JPH066506B2 (ja) | 1985-05-14 | 1990-01-29 | 低膨脹セラミックス製法 |
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|---|---|---|---|---|
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-
1990
- 1990-01-29 JP JP2016183A patent/JPH066506B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
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| US8449645B2 (en) | 2009-03-31 | 2013-05-28 | Hitachi Metals, Ltd. | Ceramic honeycomb structure and its production method |
| JP5724873B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2015-05-27 | 日立金属株式会社 | セラミックハニカム構造体及びその製造方法 |
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