JPH0222986Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0222986Y2 JPH0222986Y2 JP6194584U JP6194584U JPH0222986Y2 JP H0222986 Y2 JPH0222986 Y2 JP H0222986Y2 JP 6194584 U JP6194584 U JP 6194584U JP 6194584 U JP6194584 U JP 6194584U JP H0222986 Y2 JPH0222986 Y2 JP H0222986Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- holder
- flat plate
- large number
- ions
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Description
【考案の詳細な説明】
産業上の利用分野
本考案は、半導体ウエーハに不純物をイオン注
入法で導入する際に利用することができるターゲ
ツト・チヤンバに関するものである。
入法で導入する際に利用することができるターゲ
ツト・チヤンバに関するものである。
従来例の構成とその問題点
イオン注入装置で高密度にイオン注入を行なう
にはイオン電流量を増す必要がある。しかし、電
流量を増すと、イオン注入される半導体基板の温
度が電流に比例して増すことになる。この基板を
冷却して、多くの基板に効率よく均一にイオン注
入する必要がある。一般には、同基板の裏面を冷
却媒体に密接して冷却したり、多数の基板をチヤ
ンバー内にて回転させながら、注入しつつ同基板
内に発生する温度を下げる方式が利用されてい
る。しかしこの方式はいずれもチヤンバーの機構
上、一方は冷却媒体との熱交換効率に限界があ
り、他方はチヤンバーの大きさによつて、多数の
ウエーハ数の設置に限界が生ずるという問題点が
ある。
にはイオン電流量を増す必要がある。しかし、電
流量を増すと、イオン注入される半導体基板の温
度が電流に比例して増すことになる。この基板を
冷却して、多くの基板に効率よく均一にイオン注
入する必要がある。一般には、同基板の裏面を冷
却媒体に密接して冷却したり、多数の基板をチヤ
ンバー内にて回転させながら、注入しつつ同基板
内に発生する温度を下げる方式が利用されてい
る。しかしこの方式はいずれもチヤンバーの機構
上、一方は冷却媒体との熱交換効率に限界があ
り、他方はチヤンバーの大きさによつて、多数の
ウエーハ数の設置に限界が生ずるという問題点が
ある。
考案の目的
これらの問題を解決する手段として、本考案は
簡便な構成で目的を達するターゲツトチヤンバー
を提供する。
簡便な構成で目的を達するターゲツトチヤンバー
を提供する。
考案の構成
本考案は、平板面上に半導体基板を多数配列し
て保持し得る基板保持部および同平板の一部に通
孔を有するターゲツトを回転軸方向に複数、か
つ、それぞれを回転自在に設けたターゲツト・チ
ヤンバであり、これにより、多数の半導体基板に
対して、一回のチヤンバ操作で自在なイオン注入
工程が達成される。
て保持し得る基板保持部および同平板の一部に通
孔を有するターゲツトを回転軸方向に複数、か
つ、それぞれを回転自在に設けたターゲツト・チ
ヤンバであり、これにより、多数の半導体基板に
対して、一回のチヤンバ操作で自在なイオン注入
工程が達成される。
実施例の説明
第１図に、本考案によるターゲツト・チヤンバ
をそなえたイオン注入装置の構成図を示す。
をそなえたイオン注入装置の構成図を示す。
第１図において、１はイオン源、２はイオン種
を選別する分析装置、３はこの選別されたイオン
を加速する機構、４は加速されたイオンを集束さ
せるためのレンズ機構であり、さらに、この装置
は、ターゲツトチヤンバ５および、イオンビーム
８を半導体基板７に照射する際の同基板を支える
ホルダー６よりなり、これらをもつて、イオン注
入装置を形成する。
を選別する分析装置、３はこの選別されたイオン
を加速する機構、４は加速されたイオンを集束さ
せるためのレンズ機構であり、さらに、この装置
は、ターゲツトチヤンバ５および、イオンビーム
８を半導体基板７に照射する際の同基板を支える
ホルダー６よりなり、これらをもつて、イオン注
入装置を形成する。
第１図において、ウエーハホルダー６はウエー
ハを多数設置することを可能とする円板で構成さ
れており、さらに、この円板は同心円にて多数設
置することを可能とする。即ち重ね合せた機構を
有し、各ホルダーは独立に回転することを可能と
する。多数のホルダーは、ターゲツトチヤンバ内
部に設置し重ね合せることによつて、一回の排気
構成でホルダー枚数を増す分だけ多くのウエーハ
をイオン注入することができる。
ハを多数設置することを可能とする円板で構成さ
れており、さらに、この円板は同心円にて多数設
置することを可能とする。即ち重ね合せた機構を
有し、各ホルダーは独立に回転することを可能と
する。多数のホルダーは、ターゲツトチヤンバ内
部に設置し重ね合せることによつて、一回の排気
構成でホルダー枚数を増す分だけ多くのウエーハ
をイオン注入することができる。
ウエーハホルダーは各板が取りはずし可能な構
成をし、容易に設置することも可能としている。
成をし、容易に設置することも可能としている。
第２図Ａ，Ｂに、ウエーハホルダーの基本構成
を示す。第２図Ａには、ホルダー中の各平板１
１，１２，１３，１４，１５に設置されたウエー
ハ１０にイオン注入している状態を示している。
第２図Ｂにはホルダー中の平板１２に設置された
ウエーハ２０に、前方の平板１１に設けられた通
孔９を通して、イオン注入している状態を示す。
を示す。第２図Ａには、ホルダー中の各平板１
１，１２，１３，１４，１５に設置されたウエー
ハ１０にイオン注入している状態を示している。
第２図Ｂにはホルダー中の平板１２に設置された
ウエーハ２０に、前方の平板１１に設けられた通
孔９を通して、イオン注入している状態を示す。
このように各ウエーハホルダー中の各平板１１
〜１５は一個所だけウエーハサイズより大きな通
孔を有する構造を必要とし、この通孔を通過した
イオンビームにより、次のウエーハホルダーのウ
エーハにイオン注入する事を可能とする。なお、
各平板を重ねてウエーハホルダーのイオンを通過
させる通孔を、数枚合せてもこの程度の距離では
高電界中のイオンエネルギーには何ら影響を与え
ず半導体ウエーハに必要な不純物濃度をイオン注
入することができる。
〜１５は一個所だけウエーハサイズより大きな通
孔を有する構造を必要とし、この通孔を通過した
イオンビームにより、次のウエーハホルダーのウ
エーハにイオン注入する事を可能とする。なお、
各平板を重ねてウエーハホルダーのイオンを通過
させる通孔を、数枚合せてもこの程度の距離では
高電界中のイオンエネルギーには何ら影響を与え
ず半導体ウエーハに必要な不純物濃度をイオン注
入することができる。
第３図Ａ，Ｂにイオン注入操作中のウエーハホ
ルダー構成の断面図を示す。第３図Ａにおいては
一枚の静止したホルダー内平板を通過したイオン
が次のホルダー内平板上の半導体基板にイオン注
入操作される様子を示している。第３図Ｂにおい
ては３枚の静止したホルダー内平板１１，１２，
１３をそれぞれ通過したイオンが４枚目のホルダ
ー内平板上の半導体基板４０にイオン注入してい
る様子を示している。これらの例に示す様に数多
くの半導体基板保持用平板を有した機構であるな
らば、一回の排気構成で多数のウエーハへのイオ
ン注入を可能とすることができる。
ルダー構成の断面図を示す。第３図Ａにおいては
一枚の静止したホルダー内平板を通過したイオン
が次のホルダー内平板上の半導体基板にイオン注
入操作される様子を示している。第３図Ｂにおい
ては３枚の静止したホルダー内平板１１，１２，
１３をそれぞれ通過したイオンが４枚目のホルダ
ー内平板上の半導体基板４０にイオン注入してい
る様子を示している。これらの例に示す様に数多
くの半導体基板保持用平板を有した機構であるな
らば、一回の排気構成で多数のウエーハへのイオ
ン注入を可能とすることができる。
考案の効果
本考案によると、多数の基板が１回の排気でイ
オン注入可能となる。
オン注入可能となる。
さらに高密度注入の場合、ホルダー内各平板の
回転周期を調整することにより、基板の温度が上
昇することなく、操作することが可能である。な
お、ホルダー各平板の動作機構部は別に簡易にチ
ヤンバーに設ける事が可能である。
回転周期を調整することにより、基板の温度が上
昇することなく、操作することが可能である。な
お、ホルダー各平板の動作機構部は別に簡易にチ
ヤンバーに設ける事が可能である。
またホルダー内への半導体基板の装着も簡易で
あり、現在一般に使用されているイオン注入装置
に比較して、本考案は高密度のイオン注入の場合
に多数のウエーハ処理を可能とする装置である。
あり、現在一般に使用されているイオン注入装置
に比較して、本考案は高密度のイオン注入の場合
に多数のウエーハ処理を可能とする装置である。
第１図は、本考案の構成を示すイオン注入装置
のターゲツトチヤンバ、第２図Ａ，Ｂ、第３図
Ａ，Ｂはウエーハホルダの実施例斜視図とその操
作状況を示す断面図である。 １……イオン源、２……分析機構、３……加速
機構、４……レンズ機構、５……ターゲツトチヤ
ンバ、６……ウエーハホルダ、７，１０，２０，
３０，４０……半導体基板、９……通孔、１１〜
１５……ホルダ内各平板。
のターゲツトチヤンバ、第２図Ａ，Ｂ、第３図
Ａ，Ｂはウエーハホルダの実施例斜視図とその操
作状況を示す断面図である。 １……イオン源、２……分析機構、３……加速
機構、４……レンズ機構、５……ターゲツトチヤ
ンバ、６……ウエーハホルダ、７，１０，２０，
３０，４０……半導体基板、９……通孔、１１〜
１５……ホルダ内各平板。
Claims (1)
- 平板面上に半導体基板を多数配列して保持し得
る基板保持部および同平板の一部に通孔を有する
ターゲツトを回転軸方向に複数、かつ、それぞれ
を回転制御自在に設けたターゲツト・チヤンバ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6194584U JPS60174241U (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | タ−ゲツト・チヤンバ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6194584U JPS60174241U (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | タ−ゲツト・チヤンバ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60174241U JPS60174241U (ja) | 1985-11-19 |
| JPH0222986Y2 true JPH0222986Y2 (ja) | 1990-06-21 |
Family
ID=30590691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6194584U Granted JPS60174241U (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | タ−ゲツト・チヤンバ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60174241U (ja) |
-
1984
- 1984-04-25 JP JP6194584U patent/JPS60174241U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60174241U (ja) | 1985-11-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9490153B2 (en) | Mechanical alignment of substrates to a mask | |
| JP4252237B2 (ja) | イオン注入装置およびイオン注入方法 | |
| JPS62281322A (ja) | イオン注入装置用基板支持構造 | |
| JPS6255854A (ja) | 半導体ウエハ−用イオン注入装置 | |
| WO2013122779A1 (en) | Techniques for handling media arrays | |
| US5932883A (en) | Ion implanter for implanting ion on wafer with low contamination | |
| US4806769A (en) | Disk exchangeable target mechanism with effective cooling means, for ion implantation system | |
| US7173260B2 (en) | Removing byproducts of physical and chemical reactions in an ion implanter | |
| JPS6276147A (ja) | イオン注入装置 | |
| JPH03208887A (ja) | 分子線エピタキシャル成長方法 | |
| JPS63472A (ja) | 真空成膜装置 | |
| US20050104012A1 (en) | Ion implanting apparatus | |
| CN223123863U (zh) | 一种高效率多能量层离子源注入机 | |
| JP2707080B2 (ja) | イオン打込方法及びその装置 | |
| US20120074591A1 (en) | Thin wafer support assembly | |
| TWI850879B (zh) | 用於處理多個工件的旋轉碟及包括其的離子植入系統 | |
| JP2575370Y2 (ja) | イオン注入装置 | |
| KR200159282Y1 (ko) | 하드 베이크 오븐을 내장한 이온 주입 장치 | |
| JPH0210642A (ja) | イオン注入装置 | |
| JPH06272038A (ja) | イオン注入装置 | |
| JP2573028Y2 (ja) | イオン注入装置用ディスク | |
| JPS6114633B2 (ja) | ||
| JPH088221B2 (ja) | イオン注入方法 | |
| JPH0449815Y2 (ja) | ||
| JPS61214345A (ja) | イオン注入装置のためのプラテンおよびビーム設定フラグ組立体 |