JPH0223002B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0223002B2 JPH0223002B2 JP57112280A JP11228082A JPH0223002B2 JP H0223002 B2 JPH0223002 B2 JP H0223002B2 JP 57112280 A JP57112280 A JP 57112280A JP 11228082 A JP11228082 A JP 11228082A JP H0223002 B2 JPH0223002 B2 JP H0223002B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- particles
- temperature
- titanate
- sintered
- batio
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
本発明は、温度変化に応じて抵抗値が変化する
焼結抵抗体に関する。さらに、半導体に金属を均
一分散して形成した焼結抵抗体と、これにパラジ
ウムを用いたものに関する。 従来、セラミツク、例えば、チタン酸系の塩類
の特定の組成物の温度対誘電率の関係について研
究され多くの報告が知られている。代表的なもの
には、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム、
チタン酸鉛などがある。また、チタン酸バリウム
−錫酸バリウム組成物、チタン酸バリウム−ジル
コン酸バリウム組成物についても、同様に温度変
化と誘導率変化の関係が報告されていて公知であ
る。これらの常用されているチタン酸バリウムま
たはこれに類する化合物を、温度に対応する一定
の抵抗値を示し、その対応感度が高いものを得
て、その温度変化に応じる感度が高く、正確で信
頼性の高い抵抗体を、焼結法で複合させて得られ
れば、きわめて有用である。 しかして、チタン塩酸の粒体のみを焼結しても
絶縁体的な特性を示すだけであるため、従来から
様々な物質を添加混合して焼結することによつて
温度抵抗変化特性を付与するようにしている。 本発明は、このような従来のチタン酸塩系の温
度抵抗変化材を改良し、温度変化に対する感度の
優れた新規な温度抵抗変化材を提供することを目
的とするものであつて、粒状のチタン酸塩に粒状
のチタンニツケル合金を10wt％前後加えて混合
し、チタン酸塩の粒体間にチタンニツケル合金粒
を介在させた状態で焼結して成ることを特徴とす
るものである。また、焼結触媒としてパラジウム
などを触媒作用を生ずるように用いて、焼結する
ことで、さらに良好なものが得られるようにす
る。 次に本発明を一実施例について説明する。 実施例 Ａ 3000メツシユBaTiO3粒子89wt％ 1100メツシユTiNi（50：50）粒子11wt％ これらの混合組成物を、よく混合し均一分散さ
せたものを約1300℃で加圧下で放電焼結をしたも
のは、比抵抗値が、常温で0.06Ωcm、800℃で102
Ωcmであつた。実施例Ａの焼結体は、第１図に示
したように、BaTiO3半導体粒１の一部に図示の
ような焼結金属TiNiの部分２を形成しているこ
とが確認された。又、TiNi粒子の添加割合は
10wt％前後が好ましく、6wt％以下の場合は添加
量が少なすぎてTiNi粒子をBaTiO3粒子間に充分
に介在させることができず、14wt％以上の場合
にはBaTiO3粒子間に於てTiNi粒子同志が連結す
る傾向が現われて金属的な特性を示すようになる
ため、何れの場合も良好な温度抵抗変化特性を得
ることができない。 実施例 Ｂ 前記の実施例Ａの焼成物形成のときに、前記の
２成分のほかに第１表のように、パラジウムの混
合添加量を変え均一分散混和したものを同一の放
電焼結条件下で得られたのは、表中のとおりであ
つた。
焼結抵抗体に関する。さらに、半導体に金属を均
一分散して形成した焼結抵抗体と、これにパラジ
ウムを用いたものに関する。 従来、セラミツク、例えば、チタン酸系の塩類
の特定の組成物の温度対誘電率の関係について研
究され多くの報告が知られている。代表的なもの
には、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム、
チタン酸鉛などがある。また、チタン酸バリウム
−錫酸バリウム組成物、チタン酸バリウム−ジル
コン酸バリウム組成物についても、同様に温度変
化と誘導率変化の関係が報告されていて公知であ
る。これらの常用されているチタン酸バリウムま
たはこれに類する化合物を、温度に対応する一定
の抵抗値を示し、その対応感度が高いものを得
て、その温度変化に応じる感度が高く、正確で信
頼性の高い抵抗体を、焼結法で複合させて得られ
れば、きわめて有用である。 しかして、チタン塩酸の粒体のみを焼結しても
絶縁体的な特性を示すだけであるため、従来から
様々な物質を添加混合して焼結することによつて
温度抵抗変化特性を付与するようにしている。 本発明は、このような従来のチタン酸塩系の温
度抵抗変化材を改良し、温度変化に対する感度の
優れた新規な温度抵抗変化材を提供することを目
的とするものであつて、粒状のチタン酸塩に粒状
のチタンニツケル合金を10wt％前後加えて混合
し、チタン酸塩の粒体間にチタンニツケル合金粒
を介在させた状態で焼結して成ることを特徴とす
るものである。また、焼結触媒としてパラジウム
などを触媒作用を生ずるように用いて、焼結する
ことで、さらに良好なものが得られるようにす
る。 次に本発明を一実施例について説明する。 実施例 Ａ 3000メツシユBaTiO3粒子89wt％ 1100メツシユTiNi（50：50）粒子11wt％ これらの混合組成物を、よく混合し均一分散さ
せたものを約1300℃で加圧下で放電焼結をしたも
のは、比抵抗値が、常温で0.06Ωcm、800℃で102
Ωcmであつた。実施例Ａの焼結体は、第１図に示
したように、BaTiO3半導体粒１の一部に図示の
ような焼結金属TiNiの部分２を形成しているこ
とが確認された。又、TiNi粒子の添加割合は
10wt％前後が好ましく、6wt％以下の場合は添加
量が少なすぎてTiNi粒子をBaTiO3粒子間に充分
に介在させることができず、14wt％以上の場合
にはBaTiO3粒子間に於てTiNi粒子同志が連結す
る傾向が現われて金属的な特性を示すようになる
ため、何れの場合も良好な温度抵抗変化特性を得
ることができない。 実施例 Ｂ 前記の実施例Ａの焼成物形成のときに、前記の
２成分のほかに第１表のように、パラジウムの混
合添加量を変え均一分散混和したものを同一の放
電焼結条件下で得られたのは、表中のとおりであ
つた。
【表】
第１表に示したように、パラジウム添加量が
0.6wt％のときは、無添加のときと、ほぼ同程度
であつたが、常温のときの比抵抗値は、添加量を
さらに0.8から1.0wt％に増加したときに、明確に
減少し、それだけ感度が増加した。 又、800℃に於ける比抵抗値についても、パラ
ジウム添加量を0.8wt％更には1.0wt％としたと
き、比抵抗値が顕著に増大し、感度が向上した。 このように、BaTiO3粒子にTiNi粒子を添加混
合して焼結することにより温度抵抗変化特性の優
れた温度抵抗変化材を得ることができ、又パラジ
ウムの少量添加によつて、温度変化に伴う比抵抗
値の変化の数値範囲がきわめて広くなることが判
然と確認された。この変化を、温度検知、測定ま
たは表示のためセンサに利用できる。勿論温度抵
抗変化体として適当な用途に適用できる。 実施例 Ｃ 前記の実施例のBaTiO3に代替して、次記のも
のを用いられることが認められた。 SrTiO3、PbTiO3、BiTiO3・MnO2 さらに、次の酸化物(1)、炭化物(2)、窒化物(3)ま
たは、これらの混合組成物の中から、任意に少な
くとも一つの化合物を選択して、BaTiO3に加え
て用い得られることが認められた。 (1) 酸化物 TiO2、TiO3、Bi2O3、SnO2、Fe2O3、
Fe3O4、ZnO (2) 炭化物 SiC、B4C、TiC、CrC、Cr3C2、NbC、
TaC、WC、VC (3) 窒化物 BN、TiN、ZrN、TaN、NbN すでに実施例について説明したように、
BaTiO3等のチタン酸塩粒子にTiNi粒を加え焼結
をしたもの、および、さらにパラジウムの少量を
加えて焼結をしたものは、良好な温度変化に対応
する抵抗体を形成することができる。 これらの特性を利用して、抵抗体としても、温
度検知体としても用いることができ、半導体を良
好な温度抵抗体にすることができる。
0.6wt％のときは、無添加のときと、ほぼ同程度
であつたが、常温のときの比抵抗値は、添加量を
さらに0.8から1.0wt％に増加したときに、明確に
減少し、それだけ感度が増加した。 又、800℃に於ける比抵抗値についても、パラ
ジウム添加量を0.8wt％更には1.0wt％としたと
き、比抵抗値が顕著に増大し、感度が向上した。 このように、BaTiO3粒子にTiNi粒子を添加混
合して焼結することにより温度抵抗変化特性の優
れた温度抵抗変化材を得ることができ、又パラジ
ウムの少量添加によつて、温度変化に伴う比抵抗
値の変化の数値範囲がきわめて広くなることが判
然と確認された。この変化を、温度検知、測定ま
たは表示のためセンサに利用できる。勿論温度抵
抗変化体として適当な用途に適用できる。 実施例 Ｃ 前記の実施例のBaTiO3に代替して、次記のも
のを用いられることが認められた。 SrTiO3、PbTiO3、BiTiO3・MnO2 さらに、次の酸化物(1)、炭化物(2)、窒化物(3)ま
たは、これらの混合組成物の中から、任意に少な
くとも一つの化合物を選択して、BaTiO3に加え
て用い得られることが認められた。 (1) 酸化物 TiO2、TiO3、Bi2O3、SnO2、Fe2O3、
Fe3O4、ZnO (2) 炭化物 SiC、B4C、TiC、CrC、Cr3C2、NbC、
TaC、WC、VC (3) 窒化物 BN、TiN、ZrN、TaN、NbN すでに実施例について説明したように、
BaTiO3等のチタン酸塩粒子にTiNi粒を加え焼結
をしたもの、および、さらにパラジウムの少量を
加えて焼結をしたものは、良好な温度変化に対応
する抵抗体を形成することができる。 これらの特性を利用して、抵抗体としても、温
度検知体としても用いることができ、半導体を良
好な温度抵抗体にすることができる。
第１図は、本発明の一実施例の焼結体粒子の一
例示図である。 １……BaTiO3粒、２……TiNi部分。
例示図である。 １……BaTiO3粒、２……TiNi部分。
Claims (1)
- １ 粒状のチタン酸塩に粒状のチタンニツケル合
金を10wt％前後加えて混合し、チタン酸塩の粒
体間にチタンニツケル合金粒を介在させた状態で
焼結して成ることを特徴とする温度による抵抗変
化材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11228082A JPS593901A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | 温度による抵抗変化材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11228082A JPS593901A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | 温度による抵抗変化材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS593901A JPS593901A (ja) | 1984-01-10 |
| JPH0223002B2 true JPH0223002B2 (ja) | 1990-05-22 |
Family
ID=14582741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11228082A Granted JPS593901A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | 温度による抵抗変化材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS593901A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0754761B2 (ja) * | 1986-03-14 | 1995-06-07 | 田中電子工業株式会社 | センサ−材料 |
| WO2013065373A1 (ja) * | 2011-11-01 | 2013-05-10 | 株式会社村田製作所 | 半導体セラミックおよびそれを用いたｐｔｃサーミスタ |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55134903A (en) * | 1979-04-10 | 1980-10-21 | Tdk Electronics Co Ltd | Semiconductor porcelain composition |
| JPS575309A (en) * | 1980-06-12 | 1982-01-12 | Nippon Soken | Method of producing positive temperature coefficient porclain semiconductor |
| JPS5831505A (ja) * | 1981-08-18 | 1983-02-24 | 株式会社明電舎 | 限流素子の製造方法 |
| JPS58116702A (ja) * | 1981-12-29 | 1983-07-12 | セントラル硝子株式会社 | 半導性チタン酸バリウム材料 |
-
1982
- 1982-06-29 JP JP11228082A patent/JPS593901A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS593901A (ja) | 1984-01-10 |
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