JPH0248465A - チタン酸バリウム系半導体磁器 - Google Patents
チタン酸バリウム系半導体磁器Info
- Publication number
- JPH0248465A JPH0248465A JP63195753A JP19575388A JPH0248465A JP H0248465 A JPH0248465 A JP H0248465A JP 63195753 A JP63195753 A JP 63195753A JP 19575388 A JP19575388 A JP 19575388A JP H0248465 A JPH0248465 A JP H0248465A
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- JP
- Japan
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- barium titanate
- based semiconductor
- barium
- semiconductor porcelain
- solid solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/02—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
- H01C7/022—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient mainly consisting of non-metallic substances
- H01C7/023—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient mainly consisting of non-metallic substances containing oxides or oxidic compounds, e.g. ferrites
- H01C7/025—Perovskites, e.g. titanates
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- Ceramic Engineering (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［Ａ東上の利用分野］
本発明は、チタン酸バリウム系半導体磁器に係り、特に
、通信回線に誘起する雷サージや、商用電源との混触防
護用に用いるチタン酸バリウム系半導体磁器に関するも
のである。
、通信回線に誘起する雷サージや、商用電源との混触防
護用に用いるチタン酸バリウム系半導体磁器に関するも
のである。
［従来の技術］
従来のチタン酸バリウム系半導体磁器は、ＢａＴｉ０３
（チタン酸バリウム）、又はＢａＴｉ０３ （チタン酸
バリウム）を主としてこれにキュリー点制御のためのス
トロンチウム（Ｓｒ）、スズ（Ｓ ｎ）又はジルコニウ
ム（Ｚｒ）を添加したチタン酸バリウム系磁器組成物に
対し、稽土類元よ，イットリウム（Ｙ）、ニオブ（Ｎｂ
）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂ＋）Ｒの内から
選ばれた少なくとも１種を半導体化のための微量添加物
として加えた組成を有している。このような量縫添加物
の添加により正の抵抗温度係数を有する半導体磁器を得
ることができる。
（チタン酸バリウム）、又はＢａＴｉ０３ （チタン酸
バリウム）を主としてこれにキュリー点制御のためのス
トロンチウム（Ｓｒ）、スズ（Ｓ ｎ）又はジルコニウ
ム（Ｚｒ）を添加したチタン酸バリウム系磁器組成物に
対し、稽土類元よ，イットリウム（Ｙ）、ニオブ（Ｎｂ
）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂ＋）Ｒの内から
選ばれた少なくとも１種を半導体化のための微量添加物
として加えた組成を有している。このような量縫添加物
の添加により正の抵抗温度係数を有する半導体磁器を得
ることができる。
しかし、このようなｆｌｉｔ添加物のみでは抵抗の温度
変化率が小さいので、マンガン（Ｍｎ）、ケイ素（Ｓｉ
）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔ ｉ ） ”！
ｐの酸化物を添加して、その抵抗温度特性の勾配を急峻
にすることにより、無接点スイッチや電子機奏の加熱防
止用部品等に用いられるようにしている。
変化率が小さいので、マンガン（Ｍｎ）、ケイ素（Ｓｉ
）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔ ｉ ） ”！
ｐの酸化物を添加して、その抵抗温度特性の勾配を急峻
にすることにより、無接点スイッチや電子機奏の加熱防
止用部品等に用いられるようにしている。
しかしながら従来技術によるチタン酸バリウム系半導体
磁器においては、これを通信回線用保安器に利用して屋
外に設置した場合、昼、夜の気温変化が大きいときには
これに伴ない抵抗値が増減するために、その変化の度合
によっては通常の通信に支障をさたすという問題点があ
った。
磁器においては、これを通信回線用保安器に利用して屋
外に設置した場合、昼、夜の気温変化が大きいときには
これに伴ない抵抗値が増減するために、その変化の度合
によっては通常の通信に支障をさたすという問題点があ
った。
従って、本発明は上記実情に鑑みて成されたもので、そ
の目的は、使用環境での温度変化に基づく抵抗変動を小
さくすることにより例えば通信用保安憲に用いた場合１
通常使用時での通信全良好に行えるようしたチタン酸バ
リウム系半導体磁器を提供するにある９ Ｙａ題を達成するためのｆ段］ 上記目的を達成するための第１の発明のチタン酸／＜リ
ウム系半導体磁器の特徴は、バリウム（Ｂａ）の一部を
０．０Ｏｆ 〜Ｏ，ｆａｔパーセントのマグネシウム（
Ｍｇ）で置換固溶したものである。
の目的は、使用環境での温度変化に基づく抵抗変動を小
さくすることにより例えば通信用保安憲に用いた場合１
通常使用時での通信全良好に行えるようしたチタン酸バ
リウム系半導体磁器を提供するにある９ Ｙａ題を達成するためのｆ段］ 上記目的を達成するための第１の発明のチタン酸／＜リ
ウム系半導体磁器の特徴は、バリウム（Ｂａ）の一部を
０．０Ｏｆ 〜Ｏ，ｆａｔパーセントのマグネシウム（
Ｍｇ）で置換固溶したものである。
又、第２発明のチタン酸バリウム系半導体磁器の特徴は
、バリウム（Ｂ ａ）の一部を０．０１〜５．０ａｔパ
ーセントの鉛（Ｐｂ）で置換固溶したものである。
、バリウム（Ｂ ａ）の一部を０．０１〜５．０ａｔパ
ーセントの鉛（Ｐｂ）で置換固溶したものである。
又、第３の発明のチタン酸バリウム系半導体磁器の特徴
は、バリウム（Ｂ ａ）の−・部を０．００１〜０．１
ａｔパーセントのマグネシウム（Ｍｇ）及び０．０１〜
５．０ａｔバーセントノ鉛（Ｐｂ）で同時と換固溶した
ものである。
は、バリウム（Ｂ ａ）の−・部を０．００１〜０．１
ａｔパーセントのマグネシウム（Ｍｇ）及び０．０１〜
５．０ａｔバーセントノ鉛（Ｐｂ）で同時と換固溶した
ものである。
［作用］
第１の発明においては、バリウム（Ｂ ａ）の−部と置
換されて固溶されたｏ、ｏｏｔ〜Ｏ，ｌａ【パーセット
のマグネシウム（Ｍｇ）が、使用環境の温度変化に基づ
くチタン酸バリウム系半導体磁器の抵抗値の変動を抑え
る。
換されて固溶されたｏ、ｏｏｔ〜Ｏ，ｌａ【パーセット
のマグネシウム（Ｍｇ）が、使用環境の温度変化に基づ
くチタン酸バリウム系半導体磁器の抵抗値の変動を抑え
る。
第２の発明においては、バリウム（Ｂ ａ）の−部と置
換されて固溶された０、０１〜５．０ａｔパーセントの
鉛（ｐ ｂ）が、使用環境の温度変化に基づくチタン酸
バリウム系半導体磁器の抵抗値の変動を抑える。
換されて固溶された０、０１〜５．０ａｔパーセントの
鉛（ｐ ｂ）が、使用環境の温度変化に基づくチタン酸
バリウム系半導体磁器の抵抗値の変動を抑える。
第３の発明においては、バリウム（Ｂ ａ）の−部と置
換されて固溶された０、００１〜０．１ａｌ バーセン
トのマグネシウム（Ｍｇ） 及ヒ０−０１〜５．０ａｔ
パーセントの鉛（：Ｐｂ）が、使用環境の温度変化に基
づくチタン酸バリウム系半導体磁器の抵抗値の変動を抑
える。
換されて固溶された０、００１〜０．１ａｌ バーセン
トのマグネシウム（Ｍｇ） 及ヒ０−０１〜５．０ａｔ
パーセントの鉛（：Ｐｂ）が、使用環境の温度変化に基
づくチタン酸バリウム系半導体磁器の抵抗値の変動を抑
える。
［発明の実施例Ｊ
以下に第１の発明の実施例について説明する。
チタン酸バリウム系半導体磁器は、チタン酸バリウム（
ＢａＴｉ０３）、又はチタン酸バリウム（Ｂ ａＴ ｉ
０３）を主としてこれにキュリー点制御のためのスト
ロンチウム（Ｓｒ）、スズ（Ｓ ｎ）又はジルコニウム
（Ｚ ｒ）が添加された組成のチタン酸バリウム系磁器
組成物に対し、積上類元素、イ・ントリウム（Ｙ）、ニ
オブ（Ｎｂ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ、
）群の内から選ばれた少なくともｌ！！を半導体化のた
めの微峡添加物として加えられた組成を有している。
ＢａＴｉ０３）、又はチタン酸バリウム（Ｂ ａＴ ｉ
０３）を主としてこれにキュリー点制御のためのスト
ロンチウム（Ｓｒ）、スズ（Ｓ ｎ）又はジルコニウム
（Ｚ ｒ）が添加された組成のチタン酸バリウム系磁器
組成物に対し、積上類元素、イ・ントリウム（Ｙ）、ニ
オブ（Ｎｂ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ、
）群の内から選ばれた少なくともｌ！！を半導体化のた
めの微峡添加物として加えられた組成を有している。
又、更に、上記チタン酸バリウム系半導体磁器は、正の
抵抗温度特性を向上させて抵抗温度勾配を急峻にするた
めの、、１１添加物が添加された組成を有している。こ
の１添加物としては、マンガン（Ｍｎ）、ケイ素（Ｓｔ
）、アルミニウム（Ａ１）、チタン（ＴＩ）等の酸化物
がある。
抵抗温度特性を向上させて抵抗温度勾配を急峻にするた
めの、、１１添加物が添加された組成を有している。こ
の１添加物としては、マンガン（Ｍｎ）、ケイ素（Ｓｔ
）、アルミニウム（Ａ１）、チタン（ＴＩ）等の酸化物
がある。
上記チタン酸バリウム系半導体磁器の特徴は、バリウム
（Ｂａ）の一部を０−００１〜０．１ａｔパーセントの
マグネシウム（Ｍｇ）で置換固溶されたものである。上
記組成に限定した理由は上記下限値以下では温度特性比
の向上が認められないためであり、又、上限値以下では
常温における比抵抗・が著しく高くなったり、良好な焼
結体が得にくくなるためである。
（Ｂａ）の一部を０−００１〜０．１ａｔパーセントの
マグネシウム（Ｍｇ）で置換固溶されたものである。上
記組成に限定した理由は上記下限値以下では温度特性比
の向上が認められないためであり、又、上限値以下では
常温における比抵抗・が著しく高くなったり、良好な焼
結体が得にくくなるためである。
而して、上記組成のチタン酸バリウム系半導体磁器を成
形するには、ＢａＣ０ｚ 、Ｓ ｒｃ０３ＭｇＣＯ３
、Ｙ２ ０３ 、ＴｉＯ２、ＭｎＯ，Ｓ ｉ０２
、Ｚｒ０ｚ 、５ｂ２０３ を所定量秤量し、これ
らを混合粉砕して、乾燥した後、温度約１１００度Ｃで
２時間保持して仮焼成を行う、仮焼成後、再度、粉砕乾
燥し、ポリビニルアルコールを結合剤として加え、１５
０メツシュ程度の粒度に造粒する。造粒後、プレス機械
により圧力的１０００Ｋｇ／ｃｍｌ程度を加えて、直径
１０ｍｍ。
形するには、ＢａＣ０ｚ 、Ｓ ｒｃ０３ＭｇＣＯ３
、Ｙ２ ０３ 、ＴｉＯ２、ＭｎＯ，Ｓ ｉ０２
、Ｚｒ０ｚ 、５ｂ２０３ を所定量秤量し、これ
らを混合粉砕して、乾燥した後、温度約１１００度Ｃで
２時間保持して仮焼成を行う、仮焼成後、再度、粉砕乾
燥し、ポリビニルアルコールを結合剤として加え、１５
０メツシュ程度の粒度に造粒する。造粒後、プレス機械
により圧力的１０００Ｋｇ／ｃｍｌ程度を加えて、直径
１０ｍｍ。
厚さ３ｍｍの円板上に整形し、電気炉で温度約１３７０
度Ｃに昇温させ、約１時間焼結してチタン酸バリウム系
半導体磁器を焼成する。
度Ｃに昇温させ、約１時間焼結してチタン酸バリウム系
半導体磁器を焼成する。
又、第２の発明におけるチタン酸バリウム系半導体／ａ
器の特徴は、バリウム（Ｂ ａ）の一部を０−０１〜５
．０ａｔパーセントの鉛（Ｐ ｂ）で置換、［、ｆｆｌ
溶してなるものである。上記組成に限定した理由は、上
記下限値以下では温度特性比の向上が認められないため
であり、又、上限値以下では常温における比抵抗が著し
く高くなったり、良好な焼結体が得られにくくなるため
である。而して、この第２の発明におしするチタン酸バ
リウム系半導体磁器を成形するには、ＢａＣＯｘ 、
５ｒＣ０３、ＰｂＯ，Ｙ２０３ 、ｒｒ０２ 、Ｍ
ｎＯ，Ｓｉｏ２ 、ＺｒＯ２，５ｂ２０３ を所定量秤
量した後に上記と同様な成形工程を経ることにより斯る
チタン酸バリウム形半導体磁器を得ることができる。
器の特徴は、バリウム（Ｂ ａ）の一部を０−０１〜５
．０ａｔパーセントの鉛（Ｐ ｂ）で置換、［、ｆｆｌ
溶してなるものである。上記組成に限定した理由は、上
記下限値以下では温度特性比の向上が認められないため
であり、又、上限値以下では常温における比抵抗が著し
く高くなったり、良好な焼結体が得られにくくなるため
である。而して、この第２の発明におしするチタン酸バ
リウム系半導体磁器を成形するには、ＢａＣＯｘ 、
５ｒＣ０３、ＰｂＯ，Ｙ２０３ 、ｒｒ０２ 、Ｍ
ｎＯ，Ｓｉｏ２ 、ＺｒＯ２，５ｂ２０３ を所定量秤
量した後に上記と同様な成形工程を経ることにより斯る
チタン酸バリウム形半導体磁器を得ることができる。
又、第３の発明におけるチタン酸バリウム系半導体磁器
の特徴は、バリウム（Ｂ ａ）の一部１゜、００１〜Ｏ
，ｌａｔパーセントのマグネシウム（Ｍｇ）及び０．０
１〜０．１ａＬパーセントの鉛（Ｐ ｂ）で置換固溶し
たものである。上記組成に限定した理由は、上記下限値
以下では温度特性比の向上が認められないためであり、
又、上記上限値以上では常温における比抵抗が著しく高
くなったり、良好な焼結体が得られにくくなるためであ
る。而して、この第３の発明におけるチタン酸バリウム
形半導体磁器を成形するには、ＢａＣＯ３、ＭｇＣ０＝
、ＳｒＣＯ３、ＰｂＯ，Ｙ；ＩＯ２、ＴｉＯ２、Ｍ
ｎＯ，５ｉＯｚ 、Ｚｒ０２Ｓｂ２０ｔ を所定量秤
量した後に上記と同様な成形工程を経ることにより所る
チタン酸バリウム形半導体磁器を得ることができる。
の特徴は、バリウム（Ｂ ａ）の一部１゜、００１〜Ｏ
，ｌａｔパーセントのマグネシウム（Ｍｇ）及び０．０
１〜０．１ａＬパーセントの鉛（Ｐ ｂ）で置換固溶し
たものである。上記組成に限定した理由は、上記下限値
以下では温度特性比の向上が認められないためであり、
又、上記上限値以上では常温における比抵抗が著しく高
くなったり、良好な焼結体が得られにくくなるためであ
る。而して、この第３の発明におけるチタン酸バリウム
形半導体磁器を成形するには、ＢａＣＯ３、ＭｇＣ０＝
、ＳｒＣＯ３、ＰｂＯ，Ｙ；ＩＯ２、ＴｉＯ２、Ｍ
ｎＯ，５ｉＯｚ 、Ｚｒ０２Ｓｂ２０ｔ を所定量秤
量した後に上記と同様な成形工程を経ることにより所る
チタン酸バリウム形半導体磁器を得ることができる。
而して、上述の如く円板上に成形しチタン酸バリウム系
半導体磁器の両面にオーム正接触を示す電極を取り付け
ることにより正特性サーミスタを形成する。
半導体磁器の両面にオーム正接触を示す電極を取り付け
ることにより正特性サーミスタを形成する。
このような正特性サーミスタを用いて、半導体磁器のマ
グネシウム（Ｍｇ）、鉛（Ｐ ｂ）の添加量をそれぞれ
変更した場合の常温比抵抗値ρ（２５℃）、温度特性比
Ｒ（−２０℃）／Ｒ（ｍｉｎ）、Ｒ（６０℃） ／Ｒ（
ｍ ｉ ｎ）表１に示し、又、温度−比抵抗値の特性線
図を図面に示す。
グネシウム（Ｍｇ）、鉛（Ｐ ｂ）の添加量をそれぞれ
変更した場合の常温比抵抗値ρ（２５℃）、温度特性比
Ｒ（−２０℃）／Ｒ（ｍｉｎ）、Ｒ（６０℃） ／Ｒ（
ｍ ｉ ｎ）表１に示し、又、温度−比抵抗値の特性線
図を図面に示す。
尚、図面中、実線は本実施例を示し、破線はを来例を示
す。
す。
而して、上述の如く、バリウム（Ｂ ａ）の一部をマグ
ネシウム（Ｍｇ）或いは鉛（Ｐｂ）、又はマグネシウム
（Ｍｇ）及び鉛（Ｐ ｂ）で同時に置換固溶することで
図面に示す如＜Ｒｍｉｎ値を示すＮＴＣ領域でそのＮＴ
Ｃ特性を抑えることが可能となった。即ち、Ｒｍｉｎ値
を境に約±４０度Ｃの広い温度範囲に亙って抵抗イ＾の
変動の少ないＰＴＣサーミスタを得ることができた。具
体的には従来値が１．３０以上のものを１．２０以下に
抑えることができた。
ネシウム（Ｍｇ）或いは鉛（Ｐｂ）、又はマグネシウム
（Ｍｇ）及び鉛（Ｐ ｂ）で同時に置換固溶することで
図面に示す如＜Ｒｍｉｎ値を示すＮＴＣ領域でそのＮＴ
Ｃ特性を抑えることが可能となった。即ち、Ｒｍｉｎ値
を境に約±４０度Ｃの広い温度範囲に亙って抵抗イ＾の
変動の少ないＰＴＣサーミスタを得ることができた。具
体的には従来値が１．３０以上のものを１．２０以下に
抑えることができた。
通常、国内での使用環境温度は一２０℃〜６０℃を考え
れば良いため、この温度範囲内で温度特性比［Ｒ（−２
０℃） ／Ｒ（ｍｉ ｎ） 、 Ｒ（６０’Ｃ） ／
Ｒ（ｍ ｆ ｎ） ］が小さい、換言するならば、抵抗
変動が小さいＰＴＣサーミスタを得ることができる。
れば良いため、この温度範囲内で温度特性比［Ｒ（−２
０℃） ／Ｒ（ｍｉ ｎ） 、 Ｒ（６０’Ｃ） ／
Ｒ（ｍ ｆ ｎ） ］が小さい、換言するならば、抵抗
変動が小さいＰＴＣサーミスタを得ることができる。
このように使用環境の温度変化の範囲内において、環境
温度が変動してもサーミスタの抵抗値が従来例の如く大
きくは変動しないので、通信回線。
温度が変動してもサーミスタの抵抗値が従来例の如く大
きくは変動しないので、通信回線。
における雷サージや商用電源の混触防止に用いる保安器
の構成部品として要求される信頼性の高いＰＴＣサーミ
スタを提供できる。
の構成部品として要求される信頼性の高いＰＴＣサーミ
スタを提供できる。
［発明の効果］
以上説明した始〈チタン酸バリウム系半導体磁器のバリ
ウムの一部をマグネシウムで置換固溶するか或いは鉛で
置換固溶するか又はマグネシウム及び鉛で同時に置換固
溶することにより使用環境の温度範囲内において温度変
化に基く抵抗の変化を抑えることができるので、このチ
タン酸バリウム系半導体Ｆｊ１塁を通信回線用保安器の
構成部品に用いた場合、この通信用保安器の信頼性を向
−Ｅさせることができる。
ウムの一部をマグネシウムで置換固溶するか或いは鉛で
置換固溶するか又はマグネシウム及び鉛で同時に置換固
溶することにより使用環境の温度範囲内において温度変
化に基く抵抗の変化を抑えることができるので、このチ
タン酸バリウム系半導体Ｆｊ１塁を通信回線用保安器の
構成部品に用いた場合、この通信用保安器の信頼性を向
−Ｅさせることができる。
表１は、チタン酸バリウム系半導体磁器の主成分の組ｒ
＆割合、２５℃での比抵抗値、温度特性比について従来
例と本実施例とを比較した表、図面は温度変化に基いた
比抵抗値の変動について従来例と本実施例とを比較した
線図である。 手続補正書 補正の内容 明細書の図面の簡単な説明の欄を下記の通り補昭和８３
年１２月 正する。
＆割合、２５℃での比抵抗値、温度特性比について従来
例と本実施例とを比較した表、図面は温度変化に基いた
比抵抗値の変動について従来例と本実施例とを比較した
線図である。 手続補正書 補正の内容 明細書の図面の簡単な説明の欄を下記の通り補昭和８３
年１２月 正する。
Claims (3)
- （１）ＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウム）、又はＢａＴ
ｉＯ３（チタン酸バリウム）を主としてこれにキュリー
点制御のためのストロンチウム（Ｓｒ），スズ（Ｓｎ）
又はジルコニウム（Ｚｒ）を添加したチタン酸バリウム
系磁器組成物に対し、稀土類元素，イットリウム（Ｙ）
，ニオブ（Ｎｂ），アンチモン（Ｓｂ），ビスマス（Ｂ
ｉ）群の内から選ばれた少なくとも１種を半導体化のた
めの微量添加物として加え，更にＰＴＣ特性を向上させ
るための複数の副添加物を含有してなるチタン酸バリウ
ム系半導体磁器において、 バリウム（Ｂａ）の一部を０．００１〜０．１ａｔパー
セントのマグネシウム（Ｍｇ）で置換固溶したことを特
徴とするチタン酸バリウム系半導体磁器。 - （２）ＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウム）、又はＢａＴ
ｉＯ３（チタン酸バリウム）を主としてこれにキュリー
点制御のためのストロンチウム（Ｓｒ），スズ（Ｓｎ）
又はジルコニウム（Ｚｒ）を添加したチタン酸バリウム
系磁器組成物に対し、稀土類元素，イットリウム（Ｙ）
，ニオブ（Ｎｂ），アンチモン（Ｓｂ），ビスマス（Ｂ
ｉ）群の内から選ばれた少なくとも１種を半導体化のた
めの微量添加物として加え，更にＰＴＣ特性を向上させ
るための複数の副添加物を含有してなるチタン酸バリウ
ム系半導体磁器において、 バリウム（Ｂａ）の一部を０．０１〜５．０ａｔパーセ
ントの鉛（Ｐｂ）で置換固溶したことを特徴とするチタ
ン酸バリウム系半導体磁器。 - （３）ＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウム）、又はＢａＴ
ｉＯ３（チタン酸バリウム）を主としてこれにキュリー
点制御のためのストロンチウム（Ｓｒ），スズ（Ｓｎ）
又はジルコニウム（Ｚｒ）を添加したチタン酸バリウム
系磁器組成物に対し、稀土類元素，イットリウム（Ｙ）
，ニオブ（Ｎｂ），アンチモン（Ｓｂ），ビスマス（Ｂ
ｉ）群の内から選ばれた少なくとも１種を半導体化のた
めの微量添加物として加え、更にＰＴＣ特性を向上させ
るための複数の副添加物を含有してなるチタン酸バリウ
ム系半導体磁器において、 バリウム（Ｂａ）の一部を０．００１〜０．１ａｔパー
セントのマグネシウム（Ｍｇ）及び０．０１〜５．０ａ
ｔパーセントの鉛（Ｐｂ）で同時置換固溶したことを特
徴とするチタン酸バリウム系半導体磁器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63195753A JPH0248465A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | チタン酸バリウム系半導体磁器 |
| KR1019890011194A KR920001162B1 (ko) | 1988-08-05 | 1989-08-05 | 티탄산 바륨계 반도체 자기 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63195753A JPH0248465A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | チタン酸バリウム系半導体磁器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0248465A true JPH0248465A (ja) | 1990-02-19 |
Family
ID=16346390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63195753A Pending JPH0248465A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | チタン酸バリウム系半導体磁器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0248465A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014034505A (ja) * | 2012-08-10 | 2014-02-24 | Nichicon Corp | 半導体磁器組成物およびその製造方法 |
| JP2014205585A (ja) * | 2013-04-11 | 2014-10-30 | ニチコン株式会社 | 半導体磁器組成物およびその製造方法 |
| JP2017178658A (ja) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | ニチコン株式会社 | 半導体磁器組成物およびその製造方法 |
Citations (6)
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