JPS593901A - 温度による抵抗変化材 - Google Patents
温度による抵抗変化材Info
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、温度変化に応じる抵抗変化をする焼結抵抗体
に関する。さらに、半導体に金属を均一分散して形成し
た焼結抵抗体と、これにパラジウムを用いたものに関す
る。
に関する。さらに、半導体に金属を均一分散して形成し
た焼結抵抗体と、これにパラジウムを用いたものに関す
る。
従来、セラミック、例えば、チタン酸系の塩類の特定の
組成物の温度対誘電率の関係について研究され多くの報
告が知られている。代表的な亀のには、チタン酸バリウ
ム、チタン酸カルシウム、チタン酸鉛などがある。また
、チタン酸バリウム−錫酸バリウム組成物、チタン酸バ
リウム−ジルコン酸バリウム組成物についても、同様Ｋ
Ｗ度変化と誘導率変化の関係が報告されていて公知であ
る。これらの常用されているチタン酸バリウムまたはこ
れに類する化合物を、温度に対応する一定の抵抗値を示
し、その対応感度が高いものを得て、その温度変化に応
じる感度が高く、正確で信頼性の高論抵抗体を、焼結法
で複合させて得られれば、きわめて有用である。
組成物の温度対誘電率の関係について研究され多くの報
告が知られている。代表的な亀のには、チタン酸バリウ
ム、チタン酸カルシウム、チタン酸鉛などがある。また
、チタン酸バリウム−錫酸バリウム組成物、チタン酸バ
リウム−ジルコン酸バリウム組成物についても、同様Ｋ
Ｗ度変化と誘導率変化の関係が報告されていて公知であ
る。これらの常用されているチタン酸バリウムまたはこ
れに類する化合物を、温度に対応する一定の抵抗値を示
し、その対応感度が高いものを得て、その温度変化に応
じる感度が高く、正確で信頼性の高論抵抗体を、焼結法
で複合させて得られれば、きわめて有用である。
本発明は、前記の従来のものに基づいて、温度変化に一
定の正確な精度の高い抵抗変化を示し、感度が良好な温
度抵抗変化体材料の提供を目的とする。本発明は、この
目的を達成するために、酸化物、炭化物、窒化物または
これらの混合物を結合材とする適当な金属を、論ずれも
粒状で、均一分布混合し、焼結して得る。また、焼結触
媒としてパラジウムなどを触媒作用を生ずるように用い
て、焼結することで、さらに良好なものが得られるよう
にする。
定の正確な精度の高い抵抗変化を示し、感度が良好な温
度抵抗変化体材料の提供を目的とする。本発明は、この
目的を達成するために、酸化物、炭化物、窒化物または
これらの混合物を結合材とする適当な金属を、論ずれも
粒状で、均一分布混合し、焼結して得る。また、焼結触
媒としてパラジウムなどを触媒作用を生ずるように用い
て、焼結することで、さらに良好なものが得られるよう
にする。
次に本発明を一実施例について説明する。
実施例 Ａ
３０００メツシーＬ ＢａＴｉＯ３粒子 ８９ｗｔ％〕
１１００メツシユＴｉＮ１（５０：５０）粒子１１ｗｔ
％これらの混合組成物を、よく混合し均一分散させたも
のを約１３００℃で加圧下で放電焼結をしたものは、比
抵抗値が、常温で００６Ωｃｍ、 ８００℃で１０２
Ω傭であった。実施例Ａの焼結体は、第１図に示したよ
うに、ＢａＴｉＯ３半導体粉１の一部に図示のような焼
結金属Ｔ１Ｎｉの部分２を形成していることが確認され
た。
％これらの混合組成物を、よく混合し均一分散させたも
のを約１３００℃で加圧下で放電焼結をしたものは、比
抵抗値が、常温で００６Ωｃｍ、 ８００℃で１０２
Ω傭であった。実施例Ａの焼結体は、第１図に示したよ
うに、ＢａＴｉＯ３半導体粉１の一部に図示のような焼
結金属Ｔ１Ｎｉの部分２を形成していることが確認され
た。
実施例 Ｂ
前記の実施例への焼成物形成のときに、前記の２成分の
ほかに第１表のように、パラジウムの混合添加量を変え
均一分散混和したものを同一の放電焼結条件下で得られ
たのは、表中のとおりであった。
ほかに第１表のように、パラジウムの混合添加量を変え
均一分散混和したものを同一の放電焼結条件下で得られ
たのは、表中のとおりであった。
第１表 パラジウム混入量と比抵抗値
第１表に示したように、パラジウム添加量がＱ、５ｗｔ
％のときは、無添加のと角と、はぼ同程度であったが、
常温と低温のときの比抵抗値は、添加量をさらに０８か
ら１．０ｗｔ４に増加したときに、明確に最小となり、
それだけ感度が増加した。
％のときは、無添加のと角と、はぼ同程度であったが、
常温と低温のときの比抵抗値は、添加量をさらに０８か
ら１．０ｗｔ４に増加したときに、明確に最小となり、
それだけ感度が増加した。
８００℃では、パラジウム添加量が本試験では最大の１
，０ｗｔ％であるが、比抵抗値は最大であり、感度がき
わめて大きいことが判然とした。
，０ｗｔ％であるが、比抵抗値は最大であり、感度がき
わめて大きいことが判然とした。
この常温の比抵抗値の減少と８００℃の増大する事実は
、パラジウムの少量添加によって、温度変化に伴う比抵
抗値の変化の数値範囲がきわめて広くなることが判然と
確認された。この変化を、温度検知、測定または表示の
ためセンサに利用できる。勿論温度抵抗変化体として適
当な用途に適用できる。
、パラジウムの少量添加によって、温度変化に伴う比抵
抗値の変化の数値範囲がきわめて広くなることが判然と
確認された。この変化を、温度検知、測定または表示の
ためセンサに利用できる。勿論温度抵抗変化体として適
当な用途に適用できる。
実施例 Ｃ
前記の実施何人の混合組成物に、結合材としてＴ１Ｎｉ
に代替し金属マンガンを１ｏｗｔ％ の範囲の量と、
パラジウム０．２ｗｔ９Ｇを添加混合したものは、第１
表の階２または順３と同様な広い比抵抗値範囲の拡大を
示した。
に代替し金属マンガンを１ｏｗｔ％ の範囲の量と、
パラジウム０．２ｗｔ９Ｇを添加混合したものは、第１
表の階２または順３と同様な広い比抵抗値範囲の拡大を
示した。
実施例 Ｄ
前記の実施例Ｃのマンガンに代替してビスマス。
ジルコンまたは錫を用いたとき、また銅で代替したとき
も、第１表の階２または障３と同様な広い比抵抗値範囲
の拡大を示した。
も、第１表の階２または障３と同様な広い比抵抗値範囲
の拡大を示した。
実施例 Ｅ
前記の実施例のＢａＴｉ０ａ に代替して、次記のも
のを用力られることか認められた。
のを用力られることか認められた。
５ｒＴｉ０３． Ｂａ５ｒ０３． ＰｂＺｒＯ３，Ｐｂ
ＴｉＯ３，Ｚｒ０Ｂｉ２０３゜Ｂ１ＴｉＯ３・ＭｎＯ２ さらに、次の酸化物（１）、炭化物（２）、窒化物（３
）または、これらの混合組成物の中から、任意に少なく
とも一つの化合物を選択して、ＢａＴｉＯ３に加えてま
たは代替して用い得られることが認められた。
ＴｉＯ３，Ｚｒ０Ｂｉ２０３゜Ｂ１ＴｉＯ３・ＭｎＯ２ さらに、次の酸化物（１）、炭化物（２）、窒化物（３
）または、これらの混合組成物の中から、任意に少なく
とも一つの化合物を選択して、ＢａＴｉＯ３に加えてま
たは代替して用い得られることが認められた。
この場合に結合材金属として、前記の各実施例に用いた
ものの中から少なくとも一つ（４）を任意に選択して添
加し、パラジウムの少量を添加して効果が良好なことが
得られることが認められた。
ものの中から少なくとも一つ（４）を任意に選択して添
加し、パラジウムの少量を添加して効果が良好なことが
得られることが認められた。
（１）酸化物
Ｔｉ０ｚ、 ＴｉＯ３，Ｂｉ２Ｏ３，ｓ、ｏ２．Ｆｅ２
Ｏ２，ＰｌｈＣｈ、 Ｚｎ０（２） 炭化物 Ｓｉｎ、 Ｂ２Ｏ，ＴｉＣ，Ｃｒｙ、 ０ｒ３Ｃ！２．
Ｎｂｃ、 Ｔａｃ、 ｗ○。
Ｏ２，ＰｌｈＣｈ、 Ｚｎ０（２） 炭化物 Ｓｉｎ、 Ｂ２Ｏ，ＴｉＣ，Ｃｒｙ、 ０ｒ３Ｃ！２．
Ｎｂｃ、 Ｔａｃ、 ｗ○。
ＶＣｌ
（３）窒化物
ＢＮ、 ＴｉＮ、 ＺｒＮ、、 ＴａＮ、 ＮｂＮ（４
） 金 属 Ｔｉ、 Ｎｉ、 Ｔｉ−Ｎｉ、 Ｍｎ、 Ｃｕ、 Ｂｉ
、 Ｓｎすでに実施例について説明したように、温度変
化に応じ抵抗変化打粉、例えばＢａＴｉＯ３，にＴ１Ｎ
ｉ粒を加え焼結をした本の、および、さらにパラジウム
の少量を加えて焼結をしたものは、良好な温度変化に対
応する抵抗体を形成することができる。
） 金 属 Ｔｉ、 Ｎｉ、 Ｔｉ−Ｎｉ、 Ｍｎ、 Ｃｕ、 Ｂｉ
、 Ｓｎすでに実施例について説明したように、温度変
化に応じ抵抗変化打粉、例えばＢａＴｉＯ３，にＴ１Ｎ
ｉ粒を加え焼結をした本の、および、さらにパラジウム
の少量を加えて焼結をしたものは、良好な温度変化に対
応する抵抗体を形成することができる。
さらに、これに他の代替材料をもって、同様なものを得
ることができる。
ることができる。
これらの特性を利用して、抵抗体としても、温度検知体
としても用いることができ、半導体を良好な温度抵抗体
にすることができる。
としても用いることができ、半導体を良好な温度抵抗体
にすることができる。
第１図は、本発明の一実施例の焼結体粒子の一例示図で
ある。 １ ・・・ＢａＴｉ０３粒 ２−・−Ｔ１Ｎｉ部分
特許出願人 株式会社 弁上ジャパックス研究新式
理 人 弁理士 中 西 −１）（（〕１（
ｉ） ３−
ある。 １ ・・・ＢａＴｉ０３粒 ２−・−Ｔ１Ｎｉ部分
特許出願人 株式会社 弁上ジャパックス研究新式
理 人 弁理士 中 西 −１）（（〕１（
ｉ） ３−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 温度変化に応じ抵提値変化をする半導体材料にお
いて、前記の半導体材料粉に金属を１０ｗｔ４前後加え
均一分散した混合組成物を焼結して前記の半導体材料粉
の粒界表層の一部に分散した前記の金属溶体１を形成し
たことを特徴とする温度による抵抗変化材。 ２ 温度変化に応１）抵抗値変化をする半導体材料粉
：Ｃ、チタン酸バリウム粒を金属にチタンニッケル合金
を用いた特許請求の範囲第１項に記載の温度による抵抗
変化材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11228082A JPS593901A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | 温度による抵抗変化材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11228082A JPS593901A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | 温度による抵抗変化材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS593901A true JPS593901A (ja) | 1984-01-10 |
| JPH0223002B2 JPH0223002B2 (ja) | 1990-05-22 |
Family
ID=14582741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11228082A Granted JPS593901A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | 温度による抵抗変化材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS593901A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62214601A (ja) * | 1986-03-14 | 1987-09-21 | 田中電子工業株式会社 | センサ−材料 |
| WO2013065373A1 (ja) * | 2011-11-01 | 2013-05-10 | 株式会社村田製作所 | 半導体セラミックおよびそれを用いたｐｔｃサーミスタ |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55134903A (en) * | 1979-04-10 | 1980-10-21 | Tdk Electronics Co Ltd | Semiconductor porcelain composition |
| JPS575309A (en) * | 1980-06-12 | 1982-01-12 | Nippon Soken | Method of producing positive temperature coefficient porclain semiconductor |
| JPS5831505A (ja) * | 1981-08-18 | 1983-02-24 | 株式会社明電舎 | 限流素子の製造方法 |
| JPS58116702A (ja) * | 1981-12-29 | 1983-07-12 | セントラル硝子株式会社 | 半導性チタン酸バリウム材料 |
-
1982
- 1982-06-29 JP JP11228082A patent/JPS593901A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55134903A (en) * | 1979-04-10 | 1980-10-21 | Tdk Electronics Co Ltd | Semiconductor porcelain composition |
| JPS575309A (en) * | 1980-06-12 | 1982-01-12 | Nippon Soken | Method of producing positive temperature coefficient porclain semiconductor |
| JPS5831505A (ja) * | 1981-08-18 | 1983-02-24 | 株式会社明電舎 | 限流素子の製造方法 |
| JPS58116702A (ja) * | 1981-12-29 | 1983-07-12 | セントラル硝子株式会社 | 半導性チタン酸バリウム材料 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62214601A (ja) * | 1986-03-14 | 1987-09-21 | 田中電子工業株式会社 | センサ−材料 |
| WO2013065373A1 (ja) * | 2011-11-01 | 2013-05-10 | 株式会社村田製作所 | 半導体セラミックおよびそれを用いたｐｔｃサーミスタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0223002B2 (ja) | 1990-05-22 |
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