JPH02230221A - 光バイアスシフター - Google Patents
光バイアスシフターInfo
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- JPH02230221A JPH02230221A JP4982189A JP4982189A JPH02230221A JP H02230221 A JPH02230221 A JP H02230221A JP 4982189 A JP4982189 A JP 4982189A JP 4982189 A JP4982189 A JP 4982189A JP H02230221 A JPH02230221 A JP H02230221A
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- Japan
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- light
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は，光機能素子に係り、特に信号成分中の低い信
号光レベルをより低くし信号のＳ／Ｎを高める光バイア
スシフターに関する． 〔従来の技術〕 光通信では、光の強度を変えてＯＮ，ＯＦＦの信号をの
せる強度変調方式や光のコヒーレンシーを利用して光の
周波数や位相にＯＮ，ＯＦＦの信号をのせるコヒーレン
ト光通信として周波数変調，位相変調方式がとられてい
る。
号光レベルをより低くし信号のＳ／Ｎを高める光バイア
スシフターに関する． 〔従来の技術〕 光通信では、光の強度を変えてＯＮ，ＯＦＦの信号をの
せる強度変調方式や光のコヒーレンシーを利用して光の
周波数や位相にＯＮ，ＯＦＦの信号をのせるコヒーレン
ト光通信として周波数変調，位相変調方式がとられてい
る。
強度変調では信号光源に半導体レーザを用いて、その入
力電流に信号電流をのせることで、その半導体レーザの
出力光の強度を変調する．強度変調されたレーザ光が光
ファイバを伝送し，直接受光器で電気信号に復元される
． 半導体レーザの光強度の変調速度を高めるためには、半
導体レーザの容量と抵抗を下げること及び半導体レーザ
に注入されたキャリア（電子，正孔）と励起光子の増幅
，減衰過程のキャリャ密度変動への追従時間ずれに起因
する緩和振動周波数を高める必要がある．前者は構造を
変えることにより改善されている。後者については、次
のような特徴がある． 緩和振動周波数ｆｒは光出力Ｐａの２乗根に比例する．
このため大きな光出力では！．は高くとれる．しかし，
強度変調のＳ／Ｎを良くするためには，光の強度のＯＮ
とＯＦＦ時の明確さをつけるため、光出力はほぼ零とな
る発振閾電流値付近から信号電流を入力して変調する必
要があった．現在は、この閾値近傍にバイアス点を設定
して利用している． 光の周波数や位相に信号を乗せるコヒーレント光通信で
は、周波数や位相に信号を持ち、光ファイバを伝送した
信号光に対し，受信系に用意した直流光を干渉させる．
このとき，信号光の電界Ｅｓと直流光の電界Ｅ−の積の
形２ＥｓＥ一で周波数又は位相信号成分が強度変化とし
て現われ，これを受光器で電気信号に変換する．従って
直流光の電界強度Ｅ−が大きい程信号成分の強度変換が
大きくなり、Ｓ／Ｎが上記の強度変調方式よりも改善さ
れる利点がある． また、光増幅器を用いた光中継器では．信号光を電気信
号に直す必要がないため，構成が非常に簡単になる． 〔発明が解決しようとする課題〕 ところが、より高速に変調あるいはＳ／Ｎを高めようと
するとき次のような問題があった．強度変調方式では、
従来直流光出力を低くする素子又は方式がなく、結局、
閾値電流近傍の低光出力にバイアスし、ここから変調を
加えていた．このため，高出力域の高い緩和振動周波数
が，低い出力域の低い緩和振動周波数により制限を受け
、変調速度をあまり高めることはできなかった．また、
コヒーレント光通信系では，干渉信号出力を大きくする
ために，直流干渉光の電界Ｅ−を大きくすると、この直
流光自身の強度ＩＥ−１”が大きくなり，受光系のアン
プのダイナミックレンジが劣化し、Ｓ／Ｎ改善が劣ると
いう問題があった． また，光増幅器を用いた光中継器では，信号光が入らな
いとき，光増幅器自体が発する自然放出光が雑音源とな
りＳ／Ｎを低めていた．〔課題を解決するための手段〕 強度変調方式で高い緩和振動域のみを利用し、かつ信号
出力光の高低のパワー比を得るためには、低い信号出力
時の光出力バイアス点を半導体レーザの高い出力点に設
定し、高い信号出力点をさらに高い出力点に設定すれば
よい．そして，この出力信号に対し、低い信号出力のバ
イアス分を減少させ、高低信号出力差と低い信号出力す
なわち直流バイアス光出力の比を大きくシ，デューテイ
ー比を大きくすれば良い． 又，コヒーレント光通信においても同様に、直流光光強
度分の出力を低下させ、干渉出力分と直流強度分の出力
比すなわちデューテイー比を大きくすれば良い． 上記のことは、強度変調方式の場合は変調光出力に対し
，コヒーレント光通信では信号光，直流光の干渉を行う
光学系に，低い光出力レベル時は吸収領域、高い光カレ
ベルでは吸収飽和域となるように設定した町飽和吸収体
を挿入することによリ達成される。
力電流に信号電流をのせることで、その半導体レーザの
出力光の強度を変調する．強度変調されたレーザ光が光
ファイバを伝送し，直接受光器で電気信号に復元される
． 半導体レーザの光強度の変調速度を高めるためには、半
導体レーザの容量と抵抗を下げること及び半導体レーザ
に注入されたキャリア（電子，正孔）と励起光子の増幅
，減衰過程のキャリャ密度変動への追従時間ずれに起因
する緩和振動周波数を高める必要がある．前者は構造を
変えることにより改善されている。後者については、次
のような特徴がある． 緩和振動周波数ｆｒは光出力Ｐａの２乗根に比例する．
このため大きな光出力では！．は高くとれる．しかし，
強度変調のＳ／Ｎを良くするためには，光の強度のＯＮ
とＯＦＦ時の明確さをつけるため、光出力はほぼ零とな
る発振閾電流値付近から信号電流を入力して変調する必
要があった．現在は、この閾値近傍にバイアス点を設定
して利用している． 光の周波数や位相に信号を乗せるコヒーレント光通信で
は、周波数や位相に信号を持ち、光ファイバを伝送した
信号光に対し，受信系に用意した直流光を干渉させる．
このとき，信号光の電界Ｅｓと直流光の電界Ｅ−の積の
形２ＥｓＥ一で周波数又は位相信号成分が強度変化とし
て現われ，これを受光器で電気信号に変換する．従って
直流光の電界強度Ｅ−が大きい程信号成分の強度変換が
大きくなり、Ｓ／Ｎが上記の強度変調方式よりも改善さ
れる利点がある． また、光増幅器を用いた光中継器では．信号光を電気信
号に直す必要がないため，構成が非常に簡単になる． 〔発明が解決しようとする課題〕 ところが、より高速に変調あるいはＳ／Ｎを高めようと
するとき次のような問題があった．強度変調方式では、
従来直流光出力を低くする素子又は方式がなく、結局、
閾値電流近傍の低光出力にバイアスし、ここから変調を
加えていた．このため，高出力域の高い緩和振動周波数
が，低い出力域の低い緩和振動周波数により制限を受け
、変調速度をあまり高めることはできなかった．また、
コヒーレント光通信系では，干渉信号出力を大きくする
ために，直流干渉光の電界Ｅ−を大きくすると、この直
流光自身の強度ＩＥ−１”が大きくなり，受光系のアン
プのダイナミックレンジが劣化し、Ｓ／Ｎ改善が劣ると
いう問題があった． また，光増幅器を用いた光中継器では，信号光が入らな
いとき，光増幅器自体が発する自然放出光が雑音源とな
りＳ／Ｎを低めていた．〔課題を解決するための手段〕 強度変調方式で高い緩和振動域のみを利用し、かつ信号
出力光の高低のパワー比を得るためには、低い信号出力
時の光出力バイアス点を半導体レーザの高い出力点に設
定し、高い信号出力点をさらに高い出力点に設定すれば
よい．そして，この出力信号に対し、低い信号出力のバ
イアス分を減少させ、高低信号出力差と低い信号出力す
なわち直流バイアス光出力の比を大きくシ，デューテイ
ー比を大きくすれば良い． 又，コヒーレント光通信においても同様に、直流光光強
度分の出力を低下させ、干渉出力分と直流強度分の出力
比すなわちデューテイー比を大きくすれば良い． 上記のことは、強度変調方式の場合は変調光出力に対し
，コヒーレント光通信では信号光，直流光の干渉を行う
光学系に，低い光出力レベル時は吸収領域、高い光カレ
ベルでは吸収飽和域となるように設定した町飽和吸収体
を挿入することによリ達成される。
光中継器では，光増幅器の自然放出光の成分を下げるこ
とにより，信号のＳ／Ｎが改善される．〔作用〕 第１図は可飽和吸収体を用いたときのその可飽和吸収体
への入力光と出力光の関係を示す．以下その動作原理を
説明する． 可飽和吸収体では弱い光入力に対しては，充分吸収因子
が作用するため吸収係数が大きく，出力光はほとんどな
い．しかし，光入力が大きくなると吸収因子が不足する
ため、光の吸収係数が下がり、出力光が現われる．これ
が吸収飽和の現われであり，光入力を強めれば強めるほ
ど出力光強度は図のスーパーリニアな曲線１−１のよう
に増加する．さて，直流バイパス光強度１１を有するＯ
Ｎ−ＯＦＦの信号光２をこの可飽和吸収体に入力すると
、低い信号レベル１１は大きく吸収を受け，光出力強度
１２は小さくなる．これに対し，高い信号レベルでは、
吸収が減少し、出力光レベルは高い状態が保たれ全体と
しての出力光３を得る．入力光の信号変調分１３と直流
バイアス光分１１の比率に対し，出力光３の信号変調分
１４と直流バイアス光分１２の比率は改善される．この
とき，変調分の入力光と出力光の比率は，高いレベルの
吸収係数が小さいため、直流分の吸収減衰に比べ格段に
大きい． 〔実施例〕 第１図と第２図により実施例１を説明する．第２図は本
発明の実施例の光通信システムの模式的構成図である． 信号電流発生器３１からの電流信号を直流バイアスに付
加して，半導体レーザ３２の光出力を強度変調し、光フ
ァイバ３４を伝送させた後に受光器３５で電気信号に復
元し，増幅器３６で電気信号出力を増幅する．本実施例
はこのような強度変調方式の光通信システムに，可飽和
吸収体３３を挿入したシステムである． この可飽和吸収体３３は、１．５７μｍの発振波長を持
つファブリベロ型半導体レーザにＳｉＯの無反射コーテ
ィング３７を設けて作製したちのである．半導体レーザ
の発振波長は１．５５μｍであり、直流バイアスが加え
られた状態で信号発生源３１からの信号が付加される．
可飽和吸収体３３への注入電流をＯとした条件下で半導
体レーザ３２からの可飽和吸収体３３への光入力と可飽
和吸収体３３からの光出力の関係を示したものが第１図
である． 入力光信号２の直流バイアス分１１は、可飽和吸収体の
入出力特性１−１の閾値よりわずかに低くなるように１
ｍＷに設定してある．入力光の信号成分１３は、入呂力
特性１−１の可飽和領域となる．信号成分として２ｍＷ
相当を加える．その結果，可飽和吸収体からの出力光信
号３の直流分１２としては、５０μＷ、信号成分は〜１
．１ｍＷとなった． 入力光の直流成分が小さな信号２′が入射した場合、可
飽和吸収体３３への注入電流を加えることにより．可飽
和吸収特性を曲ｍｌ−２のようにシフトさせることがで
きる．これにより、直流入力光の強度に、可飽和吸収点
を合せ、信号成分の劣化を防ぐことができる．ここで、
特性１−２は，注入電流値として．２ｍＡを加えたとき
の可飽和吸収体３３の入出光強度特性である． さらに，第２図の構成において、半導体レーザ３２に分
布帰還型半導体レーザを用いて光バイアスシフターをモ
ノリシックに接合し、光バイアスシフターの入力側の無
反射コーティングを省くことも容易である． 実施例２ 第３図を用いて第２の実施例を説明する．第４図はコヒ
ーレント光通信システムの基本構成に本発明の光バイア
スシフタを導入したものである．信号電流発生器３１か
らの電流信号を直流バイアスに付加して、半導体レーザ
３２の光出力の周波数を変調する、この変調信号光を光
アイソレータ３８ａを通して，光ファイバ３４で伝送し
、受信系の光カプラ３９で光アイソレータ３８ｂを通し
た局部発振用半導体レーザ４０の直流出力光と干渉させ
る．干渉光は、局部発振光の直流強度の上に信号光との
千渉信号光分として、信号強度分が重畳される．この干
渉信号光をファブリペロレーザに無反射コーティング３
７を設した光バイアスシフターである可飽和吸収体３３
に入射する，このときの光バイアスシフター３３への人
出方光の特性を第４図に示す．干渉信号光４に対し、直
流分を可飽和吸収特性１−１の可飽和吸収点に設定する
．実施例１と同様に出方光５は直流分が圧縮される． 実施例３ 第５図は，第３の実施例として、光中継器に本発明の光
バイアスシフターを用いた場合の光学系の構成を示す． 本実施例の構成は、光増幅器４１と光フィルター４２を
用いた光中継器に、波形整形用の光バイアスシフターと
しての可飽和吸収体３３を挿入したものである． 光ファイバ３４を伝搬した信号光は光増幅器４１で信号
光強度が増幅される．光増幅器４１は大量の自然放出光
も含むため、フィルター４２で信号光とは無関係の波長
の自然放出光をカットする．さらに、光バイアスシフタ
である可飽和吸収体３３を挿入することにより，フィル
ターを透過した光増幅器の自然放出光をもカットできる
．その動作を第６図に示す．光フィルター４２からの出
力光の時間変化６では、低い信号レベル時に光増幅器の
自然放出光雑を含む．これを入出力光特性として曲線１
−２を持つ光バイアスシフター３３に入射すると、その
出力波形７は，低いレベルの雑音分が吸収され、整形さ
れてＳ／Ｎが高まる．この光フィルター４２と光バイア
スシフター３３を入れ替えても良いし、また、光フィル
ターを省いて光バイアスシフターのみでも、光増幅器の
自然放出光の雑音成分をかなり抑えることができる． 〔発明の効果〕 本発明によれば、光強度の直流バイアス量を変えること
ができるので，直流成分の除去や低い信号レベルに含ま
れる雑音を抑えることができるので、光通信や光情報処
理系でのＳ／Ｎを高めることができる．
とにより，信号のＳ／Ｎが改善される．〔作用〕 第１図は可飽和吸収体を用いたときのその可飽和吸収体
への入力光と出力光の関係を示す．以下その動作原理を
説明する． 可飽和吸収体では弱い光入力に対しては，充分吸収因子
が作用するため吸収係数が大きく，出力光はほとんどな
い．しかし，光入力が大きくなると吸収因子が不足する
ため、光の吸収係数が下がり、出力光が現われる．これ
が吸収飽和の現われであり，光入力を強めれば強めるほ
ど出力光強度は図のスーパーリニアな曲線１−１のよう
に増加する．さて，直流バイパス光強度１１を有するＯ
Ｎ−ＯＦＦの信号光２をこの可飽和吸収体に入力すると
、低い信号レベル１１は大きく吸収を受け，光出力強度
１２は小さくなる．これに対し，高い信号レベルでは、
吸収が減少し、出力光レベルは高い状態が保たれ全体と
しての出力光３を得る．入力光の信号変調分１３と直流
バイアス光分１１の比率に対し，出力光３の信号変調分
１４と直流バイアス光分１２の比率は改善される．この
とき，変調分の入力光と出力光の比率は，高いレベルの
吸収係数が小さいため、直流分の吸収減衰に比べ格段に
大きい． 〔実施例〕 第１図と第２図により実施例１を説明する．第２図は本
発明の実施例の光通信システムの模式的構成図である． 信号電流発生器３１からの電流信号を直流バイアスに付
加して，半導体レーザ３２の光出力を強度変調し、光フ
ァイバ３４を伝送させた後に受光器３５で電気信号に復
元し，増幅器３６で電気信号出力を増幅する．本実施例
はこのような強度変調方式の光通信システムに，可飽和
吸収体３３を挿入したシステムである． この可飽和吸収体３３は、１．５７μｍの発振波長を持
つファブリベロ型半導体レーザにＳｉＯの無反射コーテ
ィング３７を設けて作製したちのである．半導体レーザ
の発振波長は１．５５μｍであり、直流バイアスが加え
られた状態で信号発生源３１からの信号が付加される．
可飽和吸収体３３への注入電流をＯとした条件下で半導
体レーザ３２からの可飽和吸収体３３への光入力と可飽
和吸収体３３からの光出力の関係を示したものが第１図
である． 入力光信号２の直流バイアス分１１は、可飽和吸収体の
入出力特性１−１の閾値よりわずかに低くなるように１
ｍＷに設定してある．入力光の信号成分１３は、入呂力
特性１−１の可飽和領域となる．信号成分として２ｍＷ
相当を加える．その結果，可飽和吸収体からの出力光信
号３の直流分１２としては、５０μＷ、信号成分は〜１
．１ｍＷとなった． 入力光の直流成分が小さな信号２′が入射した場合、可
飽和吸収体３３への注入電流を加えることにより．可飽
和吸収特性を曲ｍｌ−２のようにシフトさせることがで
きる．これにより、直流入力光の強度に、可飽和吸収点
を合せ、信号成分の劣化を防ぐことができる．ここで、
特性１−２は，注入電流値として．２ｍＡを加えたとき
の可飽和吸収体３３の入出光強度特性である． さらに，第２図の構成において、半導体レーザ３２に分
布帰還型半導体レーザを用いて光バイアスシフターをモ
ノリシックに接合し、光バイアスシフターの入力側の無
反射コーティングを省くことも容易である． 実施例２ 第３図を用いて第２の実施例を説明する．第４図はコヒ
ーレント光通信システムの基本構成に本発明の光バイア
スシフタを導入したものである．信号電流発生器３１か
らの電流信号を直流バイアスに付加して、半導体レーザ
３２の光出力の周波数を変調する、この変調信号光を光
アイソレータ３８ａを通して，光ファイバ３４で伝送し
、受信系の光カプラ３９で光アイソレータ３８ｂを通し
た局部発振用半導体レーザ４０の直流出力光と干渉させ
る．干渉光は、局部発振光の直流強度の上に信号光との
千渉信号光分として、信号強度分が重畳される．この干
渉信号光をファブリペロレーザに無反射コーティング３
７を設した光バイアスシフターである可飽和吸収体３３
に入射する，このときの光バイアスシフター３３への人
出方光の特性を第４図に示す．干渉信号光４に対し、直
流分を可飽和吸収特性１−１の可飽和吸収点に設定する
．実施例１と同様に出方光５は直流分が圧縮される． 実施例３ 第５図は，第３の実施例として、光中継器に本発明の光
バイアスシフターを用いた場合の光学系の構成を示す． 本実施例の構成は、光増幅器４１と光フィルター４２を
用いた光中継器に、波形整形用の光バイアスシフターと
しての可飽和吸収体３３を挿入したものである． 光ファイバ３４を伝搬した信号光は光増幅器４１で信号
光強度が増幅される．光増幅器４１は大量の自然放出光
も含むため、フィルター４２で信号光とは無関係の波長
の自然放出光をカットする．さらに、光バイアスシフタ
である可飽和吸収体３３を挿入することにより，フィル
ターを透過した光増幅器の自然放出光をもカットできる
．その動作を第６図に示す．光フィルター４２からの出
力光の時間変化６では、低い信号レベル時に光増幅器の
自然放出光雑を含む．これを入出力光特性として曲線１
−２を持つ光バイアスシフター３３に入射すると、その
出力波形７は，低いレベルの雑音分が吸収され、整形さ
れてＳ／Ｎが高まる．この光フィルター４２と光バイア
スシフター３３を入れ替えても良いし、また、光フィル
ターを省いて光バイアスシフターのみでも、光増幅器の
自然放出光の雑音成分をかなり抑えることができる． 〔発明の効果〕 本発明によれば、光強度の直流バイアス量を変えること
ができるので，直流成分の除去や低い信号レベルに含ま
れる雑音を抑えることができるので、光通信や光情報処
理系でのＳ／Ｎを高めることができる．
第１図は本発明の入出力光特性と信号光バイアスの設定
を表わした説明図，第２図，第３図は本発明の実施例の
光通信システムの基本構成を示す模式図、第４図はコヒ
ーレント光通信システムに実施した場合の入出力光の関
係を示す特性図、第５図は本発明を光中継器に実施した
場合の基本構成を示す模式図，第６図は本発明を光中継
器に実施した場合の入出力光の関係を示す特性図である
．１−１・・・バイアス電流が零のときの入出力光特性
，１−２・・・バイアス電流注入時の入出力特性、２・
・・バイアス電流が零のときの入力信号，２′・・・バ
イアス電流注入時の入力信号、４・・・周波変調コヒー
レント干渉系での光バイアスシフターへの入力信号、５
・・・出力信号、６・・・光中継器での光バイアスシフ
ターへの入力信号、７・・・出力信号、１１・・・入力
信号の直流成分、１２・・・出力信号の直流成分，１３
・・・入力信号の信号成分、１４・・・出力信号の信号
成分、３１・・・信号電流源、３２・・・半導体レーザ
光源、３３・・・光バイアスシフター ３４・・・光フ
ァイバ、３５・・・受光器、３６・・・電気信号増幅器
、３７・・・無反射コーティング膜、３８・・・光アイ
ソレータ、３９・・・光カップラ、４０・・・局部発振
レーザ光源，４１・・・光増幅器，４２・・・光フィル
ターｂ＾仁 皐 事 １ ）で 奉 区 奉 口 奉 口 ｒｏｕｔ
を表わした説明図，第２図，第３図は本発明の実施例の
光通信システムの基本構成を示す模式図、第４図はコヒ
ーレント光通信システムに実施した場合の入出力光の関
係を示す特性図、第５図は本発明を光中継器に実施した
場合の基本構成を示す模式図，第６図は本発明を光中継
器に実施した場合の入出力光の関係を示す特性図である
．１−１・・・バイアス電流が零のときの入出力光特性
，１−２・・・バイアス電流注入時の入出力特性、２・
・・バイアス電流が零のときの入力信号，２′・・・バ
イアス電流注入時の入力信号、４・・・周波変調コヒー
レント干渉系での光バイアスシフターへの入力信号、５
・・・出力信号、６・・・光中継器での光バイアスシフ
ターへの入力信号、７・・・出力信号、１１・・・入力
信号の直流成分、１２・・・出力信号の直流成分，１３
・・・入力信号の信号成分、１４・・・出力信号の信号
成分、３１・・・信号電流源、３２・・・半導体レーザ
光源、３３・・・光バイアスシフター ３４・・・光フ
ァイバ、３５・・・受光器、３６・・・電気信号増幅器
、３７・・・無反射コーティング膜、３８・・・光アイ
ソレータ、３９・・・光カップラ、４０・・・局部発振
レーザ光源，４１・・・光増幅器，４２・・・光フィル
ターｂ＾仁 皐 事 １ ）で 奉 区 奉 口 奉 口 ｒｏｕｔ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、入射光量に対し吸収係数が減少する領域を有する可
飽和吸収体において、入射光として高い光量レベルと低
い光量レベルを有する信号光を入射するとき、低い光量
レベルに対し可飽和吸収体の吸収域が、高い光量レベル
に対し飽和域が対応するように可飽和吸収体の飽和点入
射光量を設定することを特徴とする光バイアスシフター
。 ２、電流を注入し、入力光に対し飽和吸収点を調節でき
ることを特徴とする光バイアスシフター。 ３、光路中に可飽和吸収体を挿入し、信号光の強度変調
分と直流成分の比率を高める光バイアスシフターを用い
た光学系。 ４、光増幅器と可飽和吸収体を用いた光中継器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4982189A JPH02230221A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 光バイアスシフター |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4982189A JPH02230221A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 光バイアスシフター |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02230221A true JPH02230221A (ja) | 1990-09-12 |
Family
ID=12841770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4982189A Pending JPH02230221A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 光バイアスシフター |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02230221A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014178688A (ja) * | 2013-03-14 | 2014-09-25 | Emcore Corp | 光変調器製造及び動作方法 |
-
1989
- 1989-03-03 JP JP4982189A patent/JPH02230221A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014178688A (ja) * | 2013-03-14 | 2014-09-25 | Emcore Corp | 光変調器製造及び動作方法 |
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